ELECTRNICA I

UNIVERSIDAD DE LAS FUERZAS ARMADAS-ESPE

INGENIERA EN ELECTRNICA E
INSTRUMENTACIN
ELECTRNICA I
TRANSISTORES DE EFECTO DE CARGA (FET o JFET)

RESUMEN: Transistor de efecto de campo (FET) son dispositivos semiconductores donde el control de
la corriente se realiza mediante un campo elctrico.
Los transistores JFET (transistor de efecto de campo de unin) es un tipo de FET que opera con una unin
pn polarizada en inversa para controlar corriente en un canal. Segn su estructura, los JFET caen dentro
de cualquiera de dos categoras, de canal n o de canal p, estos ocupan menos espacio en un circuito
integrado que el bipolar, lo que supone una gran ventaja para aplicaciones de microelectrnica y tienen
una gran impedancia de entrada del orden de M.

ABSTRACT: Field effect transistor (FET) are semiconductor devices in which current control is
performed by an electric field.
The JFET (field effect transistor junction) transistor is a type of FET operating with a reverse biased pn
junction to control current in a channel. According to its structure, the JFET fall into either of two
categories, no channel p-channel, they occupy less space in an integrated bipolar, which is a great
advantage for microelectronic applications and have a high input impedance circuit the order of M.

PALABRAS CLAVE: semiconductor, transistor, integrado, microelectrnica, impedancia.

INTRODUCCIN

Se empezaron a construir en la dcada de los

60. Existen dos tipos de transistores de efecto de
campo los JFET (transistor de efecto de campo
de unin) y los MOSFET. Los transistores MOS
respecto de los bipolares ocupan menos espacio
por lo que su aplicacin ms frecuente se
encuentra en los circuitos integrados.
Es un componente de tres terminales que se
denominan: Puerta (G, Gate), Fuente (S,
Source), y Drenaje (D, Drain). Segn su
construccin pueden ser de canal P o de canal
N.
Con los transistores bipolares se observa como
una pequea corriente en la base de los mismos
se controlaba una corriente de colector mayor.
Los Transistores de Efecto de Campo son
dispositivos en los que la corriente se controla

mediante tensin. Cuando funcionan como

amplificador suministran una corriente de salida
que es proporcional a la tensin aplicada a la
entrada. Caractersticas generales:

Por el terminal de control no se

absorbe corriente.

Una seal muy dbil puede controlar el

componente

La tensin de control se emplea para

crear un campo elctrico

Sus smbolos son los siguientes:

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Ilustracin 1.Smbolo de un JFET de canal n

Ilustracin 2.Smbolo de un JFET de canal p

Ilustracin 4. Polarizacin de un JFET de canal p

1. FUNDAMENTOS GENERALES

DESARROLLO

Los transistores de canal n se polarizan

aplicando una tensin positiva entre drain y
source (VDS) y una tensin negativa entre gate y
source (VGS). De esta forma, la corriente
circular en el sentido drain a source. En el caso
del JFET de canal p la tensin VDS a aplicar
debe ser negativa y la tensin VGS positiva, de
esta forma la corriente fluir en el sentido de
source hacia el drain.

Ilustracin 3. Polarizacin de un FET de canal n

La curva caracterstica del JFET define con

precisin como funciona este dispositivo. En
ella se distinguen tres regiones o zonas
importantes.
Existen tres configuraciones tpicas: Source
comn (SC), Drain comn (DC) y Gate comn
(GC). La ms utilizada es la de source comn.

Ilustracin 5. Curva caracterstica de un JFET

Zona lineal.- El JFET se comporta

como una resistencia cuyo valor
depende de la tensin VGS.

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Ilustracin 6. Zona lineal ID - VDS con VGS = 0

Zona de saturacin.- A diferencia de

los transistores bipolares en esta zona,
el JFET, amplifica y se comporta como
una fuente de corriente controlada por
la tensin que existe entre gain (G) y
fuente o source (S), VGS.

Ilustracin7.Zona de
saturacin ID - VDS con VGS = 0

Zona de corte.- La intensidad del

drain es nula.

Ilustracin 8. Zona de corte ID - VDS con VGS = 0.

Al variar la tensin entre drain y source varia la

intensidad de drain permaneciendo constante la
tensin
entre
gate
y
source.

En la zona hmica o lineal se observa

como al aumentar la tensin drain
source aumenta la intensidad de drain.

En la zona de saturacin el aumento de

la tensin entre drain y source produce
una saturacin de la corriente de drain
que hace que esta sea constante.
Cuando este transistor trabaja como
amplificador lo hace en esta zona.

La zona de corte se caracteriza por

tener una intensidad de drain nula.
La zona de ruptura indica la mxima
tensin que soportar el transistor entre
drain y source.

Es de destacar que cuando la tensin entre gate

y source es cero la intensidad de drain es
mxima

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Si VGS<0, la unin puerta canal est polarizada

en inversa, incluso con VDS = 0.
As, la resistencia del canal es elevada. Esta es
evidente para valores de VGS prximos a
VGSoff.
Si VGS VGSoff. (tensin corte=, la resistencia
se convierte en un circuito abierto y el
dispositivo esta en corte.

La zona donde ID depende de VDS se

llama

REGIN LINEAL U
HMICA, y el dispositivo
funciona como una
resistencia.

Ilustracin 8.
Analoga hidrulica para el mecanismo de control del
JFET

2. APLICACIONES

1.

Impedancia de entrada alta y

de salida baja se utiliza en
equipo de medida, receptores

El valor de esta resistencia (pendiente de recta)

vara con VGS.

La zona donde Id se hace constante (fte

de Intensidad cte) se llama

2.

Amplificador de RF
Bajo ruido se utiliza
sintonizadores de FM, equipo
para comunicaciones

REGIN DE
SATURACIN
3.

ID es mxima para VGS = 0( Idss ), y es menor

cuanto ms negativa es VGS. Para VGS=0 la
regin comienza a partir de Vp.

Mezclador
Baja distorsin de
intermodulacin se utiliza en
receptores de FM y TV,
equipos para comunicaciones

Siempre se cumple que Vgsoff = -Vp

. Idss y Vp ( Vgsoff) son datos dados por el
fabricante.

Aislador o separador (buffer)

4.

Amplificador con CAG

Facilidad para controlar
ganancia se utiliza receptores,
generadores de seales

5.

Amplificador cascodo
Baja capacidad de entrada se
utiliza en instrumentos de
medicin, equipos de prueba

6.

Resistor variable por voltaje

Se controla por voltaje se
utiliza en amplificadores
operacionales, rganos
electrnicos, controlas de tono

7.

Amplificador de baja frecuencia

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Capacidad pequea de
acoplamiento se utiliza en
audfonos para sordera,
transductores inductivos.

3. CONCLUSIONES
o

Los FET generan un nivel de ruido

menor que los BJT.

5. BIBLIOGRAFA

FLOYD Thomas, Dispositivos

electrnicos, Floyd, Octava
Edicin,Hall, www.ing.ens.uabc.mx/~
manuales/.../Amplificadores%20de
%20biosenales.pdf

Son dispositivos controlados por

tensin con una impedancia de entrada
muy elevada de 107 a 1012 ohmios.

Los transistores de efecto de carga son

ms estables con la temperatura que los
BJT.

FERNNDEZ Adoracin, (2008),

transistor JFET, 02-febrero del 2012.
http://es.scribd.com/doc/8241546/JFET

Los FET de potencia pueden disipar

una potencia mayor y conmutar
corrientes grandes.

Presentan una respuesta en frecuencia

pobre debido a la alta capacidad de
entrada.

DOVALE Mary,, (2009),estudio del

funcionamiento de los MOSFET y el
JFET, 01-febrero del2012.
http://www.slideshare.net/mdovale/mos
fet-jfet.

4. RECOMENDACIONES
o

Tener en cuenta que tipo de transistor

se utiliza, si es JFET o BJT para elegir
el voltaje o corriente para poder
accionarlos.
Verificar si es un voltaje el que se va a
utilizar para accionar un JFET, caso
contrario el dispositivo sufrir daos .
Es recomendable utilizar los
transistores JFET para
accionamientos rpidos y para
disipacin de calor.

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