Es la memoria dinmica de acceso aleatorio cuyo acrnimo

corresponde a su nombre en ingls Dynamic Random Access Memory.

Tiene una capacidad de retencin de datos muy corta en tiempo,
razn por la cual requiere de circuitera para refrescar el contenido
almacenado en ella cada determinado tiempo. Esto funciona de
manera similar a un cubo con agua lleno de hoyos; al llenarse
comienza a vaciarse y debe de haber una persona que est revisando
constantemente el cubo para mantenerlo al nivel original dentro de
un rango de seguridad. El cubo lleno sera el equivalente al uno (1)
lgico y el vaco al cero (0) lgico. Al tiempo que toma la revisin del
estado del agua de la analoga, se le llama tiempo de refresco en el
circuito.
Esta es la memoria de trabajo, por lo que a mayor cantidad de
memoria, ms datos se pueden almacenar en ella y ms aplicaciones
pueden estar funcionando simultneamente. De manera similar, a
mayor cantidad de memoria mayor velocidad de acceso relativa, pues
los programas no necesitan buscar datos continuamente en el disco
duro, el cual es mucho ms lento. Esta situacin constantemente, casi
de manera habitual, provoca confusin sobre la relacin cantidad de
memoria - velocidad de proceso, ya que comnmente se cree que la
memoria aumenta la velocidad de procesamiento, sin embargo, la
velocidad de proceso sigue siendo la misma; la diferencia en el
tiempo de respuesta es meramente apreciativa debido a que con ms
memoria los datos estn en RAM, que es un medio de
almacenamiento que regularmente tiene un tiempo de acceso dado
en nanosegundos mientras que el disco duro tiene un tiempo de
acceso dado en milisegundos. La cantidad de memoria no afecta la
velocidad de procesamiento, sino la de acceso a los datos, siempre y
cuando se encuentren cargados en ella.
DRAM est disponible en el mercado con diversas tecnologas que
centralmente son iguales. La diferencia est comnmente en la forma
en que est organizada y cmo es accesada. Esto usualmente
conduce a una confusin comn en las computadoras que mencionan
la utilizacin de DRAM o simplemente RAM, ya que todo tipo de
memoria en uso es una variacin de la DRAM y absolutamente toda la
memoria de uso en la computadora es RAM.
En tanto los procesadores adquieren megahertz, la memoria debe de
incrementar linealmente su eficiencia y velocidad. Las compaas
fabricantes han inventado arquitecturas progresivamente ms
veloces para permitir este incremento, sin embargo, las diferencias
entre las tecnologas no es tan grande, ya que usualmente la
variacin entre los acrnimos de las tecnologas DRAM es resultado
de cambios en la forma en que la DRAM est conectada, configurada
o direccionada internamente, adems de algunos circuitos especiales
para mejorar el desempeo del dispositivo, llegando a extremos en

los que se integran circuitos de SRAM directamente en el mdulo

DRAM para aumentar el desempeo.
De manera similar, usualmente la cantidad de memoria en un equipo
de cmputo tendr un efecto ms incisivo en el desempeo que la
calidad de la memoria en s.
La memoria RAM dinmica puede ser de diferentes tipos de acuerdo a
la tecnologa de fabricacin: FPM, EDO, SDRAM, BEDO , RDRAM y
DDRRAM. Adems, cualquiera de los tipos anteriores puede
presentarse en mdulos de memoria sin paridad, con paridad, con o
sin ECC, etc.
Los mdulos de memoria con paridad se
distinguen porque tienen un nmero impar de
pastillas de silicio. El circuito impar es el de
paridad, que se utiliza para comprobar el flujo
de datos y eliminar los errores que se pueden
producir. Este tipo de memoria se utiliza
especialmente en servidores, por la necesidad de mantener la
integridad de los datos.
La memoria con cdigo de correccin de errores o ECC por las siglas
de su nombre en ingls Error Correcting Code usa principalmente en
servidores y poseen un mtodo diferente de correccin de errores
ms preciso que el anterior. La diferencia consiste en que en los
mdulos con paridad se compara cada byte antes y despus de pasar
por la DRAM y si se detecta un error se eliminan los datos y se repite
el proceso de lectura, pero no se sabe dnde ocurri e l error. En los
mdulos ECC los errores se detectan con mayor precisin y se pueden
corregir los errores.
En la memoria sin paridad, no se detectan los errores y los datos se
procesan tal y como estn almacenados en la circuitera con la
consiguiente
posibilidad
de
corrupcin
que
se
produce
ocasionalmente en los equipos.
FPM(Fast Page Mode , Modo de Paginamiento Rpido )
Su nombre procede del modo en que transfiere los datos, llamado
paginamiento rpido. Es la memoria ms comn y la que utiliza la
tecnologa ms vieja. Es el tipo de memoria estndar en las
computadoras con procesadores 386, 486 y los primeros Pentium .
Lleg a alcanzar velocidades de hasta 60 nanosegundos (ns). Se
presentaba en mdulos SIMM (Single In-line Memory Module )de 30
contactos a 16 bits para los 386 y 486 y en mdulos de 72 contactos
(32 bits) para las ltimas placas 486 y las placas para Pentium.
Este tipo de memoria fue tan popular que inclusive lleg a ser
utilizada en tarjetas grficas, sin embargo, sus limitaciones tcnicas

como el puerto simple, que slo permita un acceso de 16 bits a la

vez, as como su baja velocidad de operacin dieron pie a la creacin
de nuevas tecnologas con mayor velocidad, una ruta de datos ms
amplia y puerto doble para permitir la lectura/escritura simultnea.
EDO (Extended Data Output, Salida Extendida de datos)
La memoria EDO , cuyo nombre son las siglas para Salida Extendida
de Datos en ingls, utiliza la misma tecnologa que la FPM con una
ligera modificacin en el ciclo de acceso que aumenta su desempeo
de un 5% a 20%. En la memoria EDO la lectura a memoria puede
comenzar antes de que la anterior haya terminado completamente.
Su mayor calidad le hizo alcanzar velocidades de hasta 45 ns,
dejando satisfechos a los usuarios de los ordenadores Pentium,
Pentium Pro, y los primeros Pentium II que demandan mayor
velocidad de proceso. Su compatibilidad es muy alta. Se presenta en
mdulos SIMM de 72 contactos a 32 bits y mdulos DIMM de 168
contactos de 64 bits .
Aunque originalmente fue utilizada para la memoria principal del
sistema, tambin debut en las tarjetas grficas de bajo nivel ya que
no ofrece una mejora significativa sobre la FPM y existen tecnologas
especficas para video que si bien eran ms caras, igualmente
ofrecan un mayor desempeo.
SDRAM (Synchronous DRAM, DRAM Sncrona)
Es un tipo sncrono de memoria, que, como su nombre lo indica, se
sincroniza con el procesador, es decir, el procesador puede obtener
informacin en cada ciclo de reloj, sin estados de espera, como en el
caso de los tipos anteriores. La memoria EDO est diseada para
operar a una velocidad mnima de transporte de 66 Mhz (la mnima
velocidad de bus de los procesadores de Pentium II y el doble de la
del PCI), llegando a alcanzar 75MHz y 83 MHz ( necesarias para
algunos procesadores CYRIX, o para sobreacelerar los mdulos de 45
y 50ns, aunque con cierta inestabilidad. Sin embargo, la memoria
SDRAM puede aceptar velocidades de BUS de hasta 100 MHz, lo que
dice mucho a favor de su estabilidad y ha llegado a alcanzar
velocidades de 10 ns. Se presenta en mdulos DIMM de 168
contactos. El ser una memoria de 64 bits, igual que los procesadores
Pentium, Pentium Pro y Pentium II, implica que no es necesario
instalar los mdulos por parejas de mdulos de igual tamao,
velocidad y marca.
Inicialmente este tipo de memoria slo era soportado por los
conjuntos de circuitos 82430VX, 82430TX y 82440LX de Intel y la
circuitera 580VP, 590VP y 680VP de VIA Technologies.
DIMM PC-100 DRAM

Este tipo de memoria, en principio con tecnologa SDRAM, y

eventualmente con EDO, cumple las especificaciones establecidas por
INTEL para el correcto y estable funcionamiento de la memoria RAM
con en transportes de datos a 100MHz, como el implementado en su
conjunto de circuitos 440BX. La especificacin para este tipo de
memoria se basa sobre todo en el uso no slo de pastillas de silicio de
alta calidad, sino tambin en circuitos impresos de alta calidad de 6 u
8 capas, en vez de las habituales 4; en cuanto al circuito impreso este
debe cumplir unas tolerancias mnimas de interferencia elctrica; por
ltimo, los ciclos de memoria tambin deben cumplir unas
especificaciones muy exigentes. De cara a evitar posibles
confusiones, los mdulos compatibles con este estndar deben estar
identificados por la leyenda PC100.
BEDO (Burst Extended Data Output,
Rfaga de Salida Extendida de Datos)
Fue diseada originalmente para el conjunto de circuitos Intel
82430HX para soportar mayores velocidades del transporte. Al igual
que la memoria SDRAM, esta memoria es capaz de transferir datos al
procesador en cada ciclo de reloj, pero no de forma continua, como la
anterior, sino a en rfagas, reduciendo, aunque no suprimiendo
totalmente, los tiempos de espera del procesador para escribir o leer
datos de memoria.
RDRAM (Direct Rambus DRAM)
La RAMBus o RDRAM es un paso revolucionario de la SDRAM. Es un
diseo de memoria con cambios en la estructura del transporte de
datos. La RAMBus enva menos informacin en el transporte de datos,
que es de 16 o 18 bits contra el estndar de 64 o 72, pero enva datos
con mayor frecuencia. Tambin lee datos en los ejes de subida y
bajada de la seal de reloj como la DDR RAM. Como resultado, la
RAMBus puede alcanzar datos de transferencia efectiva de datos a
800MHz y velocidades superiores.
Una particularidad de este tipo de memoria
es que todas las ranuras en la placa base
deben de estar ocupadas, an cuando la memoria est contenida en
un solo mdulo. Las ranuras no utilizadas deben de ser ocupadas con
un PCB conocido como mdulo de continuidad, para cerrar el circuito.
Los mdulos RAMBus tambin son conocidos como RIMM, acrnimo
para Rambus Inline Memory Modules o Mdulos de Memoria Rambus
en Lnea, que tambin soporta ECC.
Esta memoria fue lanzada al mercado por Intel en 1998 para
satisfacer las demandas de alto desempeo de sus procesadores
Pentium III. Es una memoria de 64 bits que puede producir rfagas de

2ns y alcanzar tasas de transferencia de 533 MHz, con picos de 1.6

GB/s.
Es el complemente ideal para equipos con uso intensivo de memoria
que requieran de altas tasas de transferencia sostenidas tales como
estaciones de trabajo, servidores e inclusive tarjetas grficas AGP,
evitando los cuellos de botella en la transferencia entre la tarjeta
grfica y la memoria de sistema durante el acceso directo a memoria
para el almacenamiento de texturas grficas.
Uno de los problemas ms grandes con la memoria Rambus es su alto
costo de produccin comparado con el de la SDRAM y DDR RAM,
adems de que por tratarse de una tecnologa propietaria de Rambus
Inc., los fabricantes que desean producirla requieren de pagar
regalas, mientras que los diseos para DDR RAM son de arquitectura
abierta. Otros factores de costo para la memoria Rambus incluyen la
fabricacin de mdulos adicionales, procesos de prueba y un mayor
tamao de componentes; los microcircuitos de Rambus son mucho
ms grandes que los de SDRAM, incluyendo DDR RAM.Quiz el
problema ms complicado de este tipo de memoria es que se trata de
una arquitectura propietaria de Intel, a diferencia de las otras
tecnologas que son abiertas, por lo cual es necesario pagar derechos
por su implementacin en circuitos de terceros.
DDR SDRAM (Double Data Rate SDRAM, SDRAM-II, SDRAM de
doble velocidad de datos)
DDR son las siglas para Doble Tasa de Transferencia de Datos, y es la
memoria que evoluciona de la SDRAM. De manera anloga a la
SDRAM, DDR es sncrona con el reloj del sistema teniendo como
principal diferencia que la DDR RAM puede leer datos en los ejes de
subida y bajada de la seal de reloj, mientras que la SDRAM
nicamente lo hace en el eje de subida de una seal. Bsicamente
esto permite que un mdulo de DDR RAM pueda transferir datos al
doble de velocidad que la SDRAM. De manera similar a su antecesor,
los mdulos de DDR RAM son llamados DIMM y utiliza diseos
similares en la tarjeta madre, similares a los utilizados por la SDRAM
an cuando no es compatible.
la DDR RAM soporta ECC, habitualmente
utilizado para servidores y diseo sin paridad para equipos porttiles
y de escritorio.
Funciona velocidades de 83, 100, 125MHz, pudiendo doblar estas
velocidades en la transferencia de datos a memoria. Esta velocidad
puede incluso llegar a triplicarse o cuadriplicarse, con lo que se
adapta a los nuevos procesadores y al AGP 100Mhz x2, x4 y x8. Este
tipo de memoria tiene la ventaja de ser una extensin de la memoria
SDRAM, con lo que facilita su implementacin por la mayora de los
fabricantes, aunque en un principio no dispona del apoyo de Intel,

quien contaba con su tecnologa propietaria RDRAM, y adems, al ser

una arquitectura abierta, no hay que pagar derechos a fabricante
alguno. VIA, soport esta tecnologa desde 1998 con su chipset MVP3.
Fujitsu anunci los primeros mdulos de este tipo de memoria con
velocidad de 200MHz a finales de 1998.
SLDRAM
Funciona con velocidades de 400MHz, alcanzando en modo doble
800MHz, con transferencias de 800 Mbps, llegando a alcanzar 1,6GHz,
3,2GHz en modo doble, y hasta 4GB/s de transferencia. Se cree que
puede ser la memoria a utilizar en los grandes servidores por la alta
transferencia de datos. Su problema, al igual que en la DDR SDRAM
es la falta de apoyo por parte de Intel. SIEMENS y MICRON van a
empezar a producir memoria SLDRAM. Se esperan los primeros
mdulos de este tipo de memoria para principios de 1998.
ESDRAM
Este tipo de memoria fue apoyada por DEC para sus equipos Alpha.
Funciona a 133MHz y alcanza transferencias de hasta 1,6 GB/s,
pudiendo llegar a alcanzar en modo doble, con una velocidad de
150MHz hasta 3,2 GB/s. El problema es el mismo que el de las dos
anteriores, la falta de apoyo, y en este caso agravado por el apoyo
minoritario de VLSI, IBM y DIGITAL.
La memoria FPM (Fast Page Mode) y la memoria EDO tambin se
utilizan en tarjetas grficas, pero existen adems otros tipos de
memoria DRAM, pero que slo de utilizan en tarjetas grficas, y son
los siguientes:

MDRAM
(Multibank
DRAM)
Es increblemente rpida, con transferencias de hasta 1 Gbps,
pero su coste tambin es muy elevado.

SGRAM
(Synchronous
Graphic
RAM)
Ofrece las sorprendentes capacidades de la memoria SDRAM
para las tarjetas grficas. Es el tipo de memoria ms popular en
las tarjetas grficas aceleradoras 3D.

VRAM
Es como la memoria RAM normal, pero puede ser accedida al
mismo tiempo por el monitor y por el procesador de la tarjeta
grfica, para suavizar la presentacin grfica en pantalla, es
decir, se puede leer y escribir en ella al mismo tiempo.

WRAM
(Window
RAM)
Permite leer y escribir informacin de la memoria al mismo
tiempo, como en la VRAM, pero est optimizada para la

presentacin de un gran nmero de colores y para altas

resoluciones de pantalla. Es un poco ms econmica que la
anterior.
RAM de Etiqueta (Tag RAM)
Este tipo de memoria almacena las direcciones de cualquier dato de
memoria DRAM que hay en la memoria cach. Si el procesador
encuentra una direccin en la Tag RAM, va a buscar los datos
directamente a la memoria cach si no, va a buscarlos directamente a
la memoria principal.
Cuando se habla de la memoria cacheable en las placas base para
Pentium con los conjuntos de circuitos 430FX, 430VX, 430HX y 430TX
de Intel, nos referimos a la cantidad de Tag RAM, es decir, la cantidad
de datos de memoria que se pueden almacenar en la cach. Una de
las desventajas de la circuitera 430TX frente a la 430HX es que solo
se pueden almacenar los datos de 64 MB de memoria RAM, con lo
cual, en ciertos casos, en las placas con este circuito se produce un
descenso del rendimiento de memoria al tener instalados ms de 64
MB de memoria RAM en el equipo.
RAM de Parpadeo (Flash RAM)
Desde el principio de la dcada de 1980, esta memoria ha sido
utilizada para dispositivos independientes debido a su especial
caracterstica de mantener la informacin contenida en ella a pesar
de la falta de alimentacin elctrica, es decir, no es voltil.
Esta memoria ha sido principalmente utilizada en la industria de los
dispositivos mviles e inalmbricos que no requieren de un uso
intensivo de memoria.
La principal falla de esta memoria es que se desgasta y comienza a
fallar despus de haber sido leda o escrita aproximadamente un
milln de veces.
Memoria Unificada Ovnica (Ovonic Unified Memory, OUM)
Esta memoria nacin como teora en el ejemplar de Septiembre de 1970 de la
publicacin Journal Electronics, en un artculo tcnico de Gordon Moore, cofundador
de Intel Corporation y creador de la ley que lleva su nombre; y Stanford Ovshinsky,
un inventor de Michigan. En este artculo se prometa un nuevo tipo de memoria
que no se apoyaba en circuitos de slice, sino en una pelcula delgada de germanio,
estao, tungsteno y otros elementos.
Por dcadas, esta idea permaneci almacenada, y se desarroll como la pelcula
utilizada en los discos compactos regrabables, y celdas solares flexibles, hasta que
Intel recuper la investigacin buscando un reemplazo para la memoria de
parpadeo que se desgasta con el uso.

Esta tecnologa, bautizada como Memoria Ovnica Unificada (Ovonic Unified

Memory), se ha puesto en estudio como memoria base para la siguiente generacin
de dispositivos independientes.
La memoria Ovnica adquiere su nombre de "Ovshinsky" y "Electronic", y podra ser
un reemplazo de la memoria de parpadeo, adems de la DRAM y la SRAM para los
dispositivos independientes que no requieren de una memoria de alto desempeo.

RAM Magntica (Magnetic RAM, MRAM)

La Memoria Magntica de Acceso Aleatorio o MRAM por las siglas de su nombre en
ingls, Magnetic Random Access Memory, fue desarrollada durante la dcada de
1970, pero raramente comercializada, ha sido investigada y desarrollada por IBM,
Motorola y otros, como una alternativa para la memoria flas.
La MRAM almacena informacin al invertir la alineacin de dos capas de material
magntico con una corriente elctrica

RAM de Video (Video RAM, VRAM)

La DRAM tpicamente utilizada en las tarjetas de video no tiene la
capacidad suficiente para satisfacer las demandas de la alta
resolucin y profundidad de color con una velocidad de refresco
aceptable, debido a un par de factores de competencia por la
memoria de video; estos son: el procesador de video recalculando y
escribiendo en memoria la nueva imagen y el RAMDAC leyendo el
contenido de la memoria para enviar la seal de video al monitor.
Para resolver esta situacin se cre un tipo de memoria conocida
como Video RAM o VRAM, que como su nombre lo indica, est
diseada especficamente para ser utilizada en sistemas de video,
siendo su principal diferencia la integracin de puertos duales, esto
es, la creacin de dos rutas de acceso que le permites ser escrita y
leida simultneamente. La ventaja de esto es fundamental para
permitir que el procesador trabaje en la nueva imagen grabndola en
memoria, mientras que esta es enviada simultneamente al monitor
sin que un proceso entorpezca al otro.
Es importante recalcar que la VRAM es totalmente distinta al
concepto genrico de RAM de video o Video RAM que se refiere
exclusivamente a la memoria del subsistema de video en general,
especialmente en los casos en que se trata de memoria compartida.
La VRAM provee un ancho de banda substancialmente superior a la
DRAM o EDO RAM tradicionales, y es ideal para los sistemas que
requieren alta resolucin y profundidad de color. La nica razn por la
que la VRAM no ha reemplazado a la DRAM para su utilizacin en la
memoria principal es su costo, ya que el diseo y fabricacin de la
VRAM es mucho ms compleja y requiere de ms slice por bit que la
DRAM.

RAM de Ventana (Window RAM, WRAM)

La RAM de Ventana o WRAM, por su nombre en ingls Window RAM,
es una modificacin de la VRAM que mejora el desempeo y reduce el
costo en base bit a bit. Est diseada especficamente para ser
utilizada en tarjetas grficas y hereda el puerto dual con un 25% de
mejora en su ancho de banda con respecto a la VRAM, adicionando
funciones que permiten una mayor desempeo en las transferencias
de memoria para las operaciones grficas comunes como el dibujado
de texto y llenado a bloques. Tiene un costo intermedio entre la VRAM
y la DRAM.
La WRAM es ideal para ser utilizada en tarjetas grficas de alto nivel y
fue popularizada por las Series Millennium de Maxtor, que fueron las
primeras en alcanzar resoluciones de 1600x1200 con color verdadero.
La RAM de Ventana o Window RAM no tiene nada que ver con
Microsoft
Windows.
RAM Sncrona
SGRAM)

de

Grficos

(Synchronous

Graphics

RAM,

Esta es una tecnologa relativamente nueva que ataca el problema

del bajo desempeo de la DRAM comn incrementando la velocidad a
la que se transfieren los datos de la memoria. SGRAM tambin
incorpora funciones especficas para trabajar con caractersticas de
aceleradores grficos integrados en las tarjetas de video, mejorando
as la velocidad de procesamiento del video. SGRAM sigue siendo un
tipo de memoria con un solo puerto, a diferencia de la VRAM o la
WRAM, pero ofrece un desempeo ms cercano a la VRAM que la
DRAM debido a su diseo.
SGRAM es utilizada en tarjetas grficas de niveles medios y
superiores donde el desempeo es importante, mas no as altas
resoluciones. Matrox Graphics es la empresa que es reconocida por su
extensivo uso de SGRAM.
DRAM Multibanco (Multibank DRAM, MDRAM)
Un tipo ms de memoria para vdeo es la DRAM multibanco
(Multibank DRAM, MDRAM), creada por MoSys Inc., especficamente
para tarjetas de vdeo, y utilizada por las tarjetas Tseng Labs ET6000,
que difiere substancialmente en diseo con respecto a los otros tipos
de memoria para grficos, separando la memoria en bancos de 32KB
que pueden ser accesados directamente, en vez de la utilizacin de
un bloque monoltico, utilizado por las dems tecnologas, pudiendo
reducir el costo de algunos componentes, ya que con esta tecnologa
es posible crear circuitos con 2.5MB, que es el mnimo requerido para
una resolucin de 1024x768x24, en vez de los 4MB que otras

tecnologas requieren.
siguientes ventajas:

En

general,

esta

tecnologa

ofrece

las

Entrelazado: Los accesos a memoria pueden ser entrelazados

entre los bancos, permitiendo que los accesos se superpongan
para proveer un mejor desempeo, sin la utilizacin de puertos
dobles.

Flexibilidad en tamaos de memoria: Con la memoria

convencional nicamente se pueden fabricar tarjetas de vdeo
con memoria en megabytes completos, lo que puede llevar a un
gran desperdicio de memoria. Con esta tecnologa se pueden
crear tarjetas de vdeo en incrementos de 32KB.

Alteraciones en el desempeo a causa del tamao de la

memoria: En algunos casos, el diseo de la tarjeta de vdeo
permite que el incremento de memoria tambin afecte el
desempeo, lo cual no sucede con esta tecnologa.

La MDRAM tambin tiene ventajas econmicas al ser ms barata su

fabricacin con respecto a la VRAM, ms an cuando puede ser
organizada para reducir la subutilizacin de la memoria. MDRAM es
utilizada en equipos de alto nivel y ha ganado popularidad gracias a
sus caractersticas de mejora en desempeo as como en costo
reducido, siendo su implementacin ms popular en la circuitera
Tseng Labs ET6000.