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Proyecto Final
36201
41023
40380
40317
UNIV. TECNOLOGICA
NACIONAL FACULTAD
REGIONAL CORDOBA
ELECTRONICA APLICADA II
TRABAJO PRACTICO FINAL
1/2
CORVALAN, FUNES,
HERNNDEZ, POZZO
12 Vdc
Genera.
Onda
Cuadrad
a 50Hz
Etapa
de
Protec.
Integra.
Separa.
Pulsos
Conmu.
Etapa
de
Potencia
Etapa
de
Excitac.
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v c = V cc (1 e
RC
R=120KW, C=0.1mF+22nF=0.122mF
Para el semiciclo en que T/2 < t < T, el valor inicial es v + y el valor final es 0 .
v = v + (e
(t
T
) / RC
2
v (T / 2) = v + = Vcc (1 e 2 RC )
T
V cc v +
2 RC
=e
Vcc
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1 0.722
=
Hz
T
RC
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5/6
AV =
AV dB
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1E 6
= 21.276
47 E 3
= 20 * log 21.276 = 26.55dB
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Vref 2 =
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Cabe destacar que la variacin del preset de calibracin aumenta la diferencia entre
estas tensiones, disminuyendo el ancho del pulso aumentando el tiempo muerto, por lo
tanto regula la potencia del dispositivo.
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unin.
Esta explicacin corre para el otro transistor. El tiempo muerto se pens en funcin
de la etapa de potencia considerando los ton y toff de los mosfet, que son del orden de
algunos nano segundos, a fin de evitar que entre la excitacin de una compuerta y la otra,
no se corra el riesgo de cortocircuitar los drenadores de los mismos.
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Etapa de Potencia
Esta etapa consta de dos mosfet de potencia de canal n IRFZ44N, los cuales tienen
una capacidad de conduccin muy alta, con una Id=49 A.
El transformador es el encargado de elevar la tensin pico fuente de 12 V a los 220
buscados.
Vemos que para aumentar la potencia que entrega este dispositivo a la carga es
necesario reducir la resistencia R de limitacin.}
Por ultimo, los BYF507 son diodos damper, es decir, son diodos que poseen una
alta velocidad de conmutacin. Estos se encargan de eliminar los picos inversos que
podran daar los mosfet, ya que la amplitud de estos picos generalmente es muy grande.
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Etapa de Proteccin
Esta etapa fue pensada en la necesidad de proteger el conversor ante la
eventualidad de un cortocircuito en la carga.
Se toma una tensin de referencia entre uno de los bornes de una de las resistencias
de limitacin de corriente de la etapa de potencia y masa y, previo paso por un filtro pasa
bajos (cuando el mosfet conmuta a su estado de corte, la bobina del transformador se
opone a los cambios de la circulacin de corriente. Esto produce un pico de tensin
indeseable para la estabilidad de esta etapa, por esto la necesidad de un filtro que suavice
dicho pico), hacia la entrada no inversora del amplificador operacional LM358.
El operacional configurado como se muestra, funciona como comparador a lazo
abierto, teniendo en su terminal inversor una tensin de referencia previamente calculada.
Para una carga de 1.21 K , por la malla que contiene los mosfet de potencia circula
una corriente pulsante de 1.39 A. Esta corriente produce una cada de tensin con la misma
forma de onda en la resistencia de potencia. En el semiciclo que conduce el mosfet en
cuestin, a los bornes de la R vemos
V R = I d * R = 1.39 * 0.56 = 0.778V
Si el secundario del transformador se somete a un corto-circuito, por la malla de
potencia circulara una mayor corriente, produciendo esto una mayor cada de tensin en la
R de potencia. Esta tensin supera a la de referencia del comparador (LM358), pasando
este a su estado de saturacin positiva. Considerando dicho estado como uno lgico, el
mismo acta el reset (pin 4) del flip-flop (4027), cambiando la salida Q (pin 1)a cero lgico.
Dicha salida Q al momento de encender el conversor se pone a uno debido al RC
dispuesto en el set del mismo (pin 7). Este RC es de un valor muy grande para evitar el
transitorio en el cual el transformador produce el pico de efecto indeseado.
Ahora bien, como la salida del flip-flop alimenta dos compuertas NAND (4011), las
cuales tienen su segundo terminal de entrada alimentado por la salida de la etapa de
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