Cdigos colores resistencias

Cdigo de colores

Colores

1 Cifra

Negro

2 Cifra

Multiplicador

Tolerancia

Marrn

x 10

+/- 1%

Rojo

x 102

+/- 2%

Naranja

x 103

Amarillo

x 104

Verde

x 105

Azul

x 106

Violeta

x 107

Gris

x 108

Blanco

x 109

+/- 0.5%

Oro

x 10-1

+/- 5%

Plata

x 10-2

+/- 10%

Celeste

+/- 20%
Ejemplo: Si los colores son: ( Marrn - Negro - Rojo - Oro ) su valor en ohmios es
10x 100 = 1000 1 kO
Tolerancia de 5 %
5 bandas de colores
Tambin hay resistencias con 5 bandas de colores, la nica diferencia respecto a
la tabla anterior, es qu la tercera banda es la 3* Cifra, el resto sigue igual.

Resistencias SMD
En las resistencias SMD de montaje en superficie su codificacin mas usual es:
1* Cifra = 1: nmero
2* Cifra = 2: nmero
3* Cifra = Multiplicador

En este ejemplo la resistencia tiene un valor de:

1200 ohmios = 1K2

1* Cifra = 1: nmero
La " R " indica coma decimal
3* Cifra = 2: nmero

En este ejemplo la resistencia tiene un valor de:

1,6 ohmios

La " R " indica " 0 "

2* Cifra = 2: nmero
3* Cifra = 3: nmero

En este ejemplo la resistencia tiene un

valor de: 0.22 ohmios

Series IEC E6 - E12 - E24 - E48

Series de resistencias normalizadas y comercializadas mas habituales para potencias pequeas
Hay otras series como las E96, E192 para usos mas especiales.
E6

1.0

E12
E24

E48

1.5

1.0
1.0

1.2
1.1

1.2

2.2

1.5
1.3

1.5

1.8
1.6

1.8

3.3

2.2
2.0

2.2

2.7
2.4

2.7

4.7

3.3
3.0

3.3

3.9
3.6

3.9

6.8

4.7
4.3

4.7

5.6
5.1

5.6

6.8
6.2

6.8

8.2
7.5

8.2

9.1

1.0

1.05

1.10

1.15

1.21

1.27

1.33

1.40

1.47

1.54

1.62

1.69

1.78

1.87

1.96

2.05

2.15

2.26

2.37

2.49

2.61

2.74

2.87

3.01

3.16

3.32

3.48

3.65

3.83

4.02

4.22

4.42

4.64

4.87

5.11

5.36

5.62

5.90

6.19

6.49

6.81

7.15

7.50

7.87

8.25

8.66

9.09

9.53

Tolerancias de las series :E6 20% E12 10% E24 5% E48 2%

Valores de las resistencias en

,K

,M

IEC = Comisin elctrica Internacional

Valores tpicos de las caractersticas tcnicas para distintos tipos de resistencias lineales fijas

Clase

Tipo

Principio de fabricacin

Gama de
potencias (W)

Gama de valores

Carbn

carbn aglomerado o de
composicin

masas de carbn en polvo y aislante

prensada

W
W
1W
2W

10-10M
3,3-22M
10-22M
220-22M

5%,10%
20%

< 20
-

150V
250V
500V
500V

-0,4%
-2%

150C
-

sin ajuste

W
1W

3,3-22M
10-10M

5%-10%
-

<2
-

300V
450V

-0,2%
-0,5%

150C
-

con ajuste
espilado

1/8W
W
W
1W
2W

10-330K
1-1M
1-22M
3,3-22M
10-22M

normal
2%-5%-10%
envejecidas
0,5%-1%-2%
-

<2
-

150V
250V
500V
750V
750V

-0,2%
-0,5%
-

150C
-

capa de carbn cristalizado

Gama de
Coef. de
Ruido V mx.
tolerancias +/-%
Temp. %C

Temp. mxima
superf.

Carbn

capa de carbn

Metlicas

capa

capa de nquel y cromo aleados

W
W
1W

1-1M
0,47-1,5M
1-4,7M

0,1%, 0,5%
1%, 2%
-

< 0,3

200V
300V
500V

-0,1%
+0,1%
-

175C

Metlicas

metal precioso

capa de oro y platino aleados

W
W
1W

0,33-220K

0,5%, 1%

< 0,1

+0,25%
+0,35%
-

300C

Metlicas

oxido metlico

capa de oxido de estao

10-1M
-

1%, 2%, 5%
-

0,5-2
-

-0,4%
+0,4%

250C
-

bobinadas

bobina de hilo resistivo sobre tubo

cermico o fibra de vidrio

de rabillos
1W-30W
de bridas
5W-3KW

0,1-22K
0,1-1M
-

2%, 5%, 10%

-

< 0,1
-

E+1<
W
-

-0,1%
+0,1%
-

400C
-

Bobinadas

Tabla de colores de referencia para condensadores variables

Trimers
Cdigo

Descripcin

TR AZUL Z050

(1.5 A 5 PF) NPO

TR AZUL Z070

( 2 A 7 PF) NPO

TR AZUL Z100

(2.7 A 10 PF) NPO

TR BLANCO

(2.1 A 10 PF) N200

TR MARRN

(9.8 A 60 PF) N1200

TR NARANJA

( 6 A 50 PF) NPO

TR NEGRO

(10 A 120 PF) N750

TR ROJO

(4.2 A 20 PF) N750

TR ROSA

(4.2 A 20 PF) N450

TR VERDE

(5.2 A 30 PF) N750

TR AMARILLO

(6.8 A 45 PF) N1200

Como leer los condensadores

COMO LEER LOS CONDENSADORES CERMICOS
Los condensadores cermicos de 10 picofaradios a 82 picofaradios vienen representados con dos cifras, por tanto no tienen
problema para diferenciar su capacidad.

Para los valores comprendidos entre 1 y 82, los fabricantes suelen utilizar el punto, es decir, suelen escribir 1.2 - 1.5 - 1.8 o bien
situar entre los dos nmeros la letra "p" de picofaradios, es decir, 1p2 - 1p5 - 1p8 que se interpreta como 1 picofaradio y 2
decimas, 1 picofaradio y 5 decimas, etc...
Las dificultades comienzan a partir de los 100 picofaradios, ya que los fabricantes utilizas dispares identificaciones.

El primer sistema es el japons:

Las dos primeras cifras indican los dos primeros nmeros de capacidad. El tercer nmero, al igual que las resistencias, indican el
nmero de ceros que hay que agregar a los dos primeros.
Por ejemplo:
100 - 120 - 150 pifofaradios se muestran como 101 - 121 - 151.
1000 - 1200 - 1500 picofaradios se muestran como 102 - 122 - 152, etc...

Otro sistema es utilizar los nanofaradios:

En el caso se 1000 - 1200 - 1800 - 2200 pf se marcan 0001 - 00015 - 00018 - 00022. Como no siempre hay sitio en las
carcasas de los condensadores para tanto nmero, se elimina el primer cero y se deja el punto, .001 - .0015 - .0018 - .0022.

LOS CONDENSADORES POLISTER

Adems de ir identificado como un sistema que ya hemos visto, pueden marcarse con otro sistema que utiliza la letra griega "".
As pues, un condensador de 100.000 picofaradios, lo podemos encontrar marcado indistintamente como 10nf - .01 - 10.
En la practica la letra sustituye al "0", por tanto 01 equivale a 0.01 microfaradios. Entonces, si encontramos condensadores
marcados con 1 - 47 -82, tendremos que leerlo como 0.1 - 0.47 -0.82 microfaradios.
Tambin en los condensadores de polister, al valor de la capacidad, le siguen otras siglas o nmeros que pudieran despistar.
Por ejemplo 1k, se puede interpretar como 1 kilo, es decir, 1000pf, ya que la letra "K" se considera el equivalente a 1000,
mientras que su capacidad es en realidad 1 microfaradio.
La sigla .1M50 se puede interpretar errneamente como 1.5 microfaradios porque la letra "M" se considera equivalente a
microfaradios, o bien en presencia del punto, 150.000 picofaradios, mientras que en realidad su capacidad es de 100.000
picofaradios.
Las letras M, K o J presentes tras el valor de la capacidad, indican la tolerancia:
M = tolerancia del 20%
K = tolerancia del 10%
J = tolerancia del 5 %
Tras estas letras, aparecen las cifras que indican la tensin de trabajo.
Por ejemplo:
.15M50 significa que el condensador tiene una capacidad de 150.000 picofaradios, que su tolerancia es M = 20% y su tensin
mxima de trabajo son 50 voltios.

El triac
Al igual que el tiristor tiene dos estados de funcionamiento: bloqueo y conduccin. Conduce la corriente entre sus terminales
principales en un sentido o en el inverso, por ello, al igual que el diac, es un dispositivo bidireccional.
Conduce entre los dos nodos (A1 y A2) cuando se aplica una seal a la puerta (G).
Se puede considerar como dos tiristores en antiparalelo. Al igual que el tiristor, el paso de bloqueo al de conduccin se realiza
por la aplicacin de un impulso de corriente en la puerta, y el paso del estado de conduccin al de bloqueo por la disminucin de
la corriente por debajo de la intensidad de mantenimiento (I H).
Est formado por 6 capas de material semiconductor como indica la figura.

Smbolo del triac

Tiristores en antiparalelo

Estructura interna de un triac

La aplicacin de los triacs, a diferencia de los tiristores, se encuentra bsicamente en corriente alterna. Su curva caracterstica
refleja un funcionamiento muy parecido al del tiristor apareciendo en el primer y tercer cuadrante del sistema de ejes.
Esto es debido a su bidireccionalidad. La principal utilidad de los triacs es como regulador de potencia entregada a una carga, en
corriente alterna.
El encapsulado del triac es idntico al de los tiristores.

Opto acopladores
Tambin se denominan opto aisladores o dispositivos de acoplamiento ptico. Basan su funcionamiento en el empleo de un haz
de radiacin luminosa para pasar seales de un circuito a otro sin conexin elctrica.
Fundamentalmente este dispositivo est formado por una fuente emisora de luz, y un foto sensor de silicio, que se adapta a la
sensibilidad espectral del emisor luminoso.
TIPOS
Existen varios tipos de opto acopladores cuya diferencia entre s depende de los dispositivos de salida que se inserten en el
componente. Segn esto tenemos los siguientes tipos:

Fototransistor: o lineal, conmuta una variacin de corriente de entrada en una variacin de

tensin de salida. Se utiliza en acoplamientos de lneas telefnicas, perifricos, audio ...
Optotiristor: Diseado para aplicaciones donde sea preciso un aislamiento entre una seal
lgica y la red.
Optotriac: Al igual que el Optotiristor, se utiliza para aislar una circuitera de baja tensin a la
red

En general pueden sustituir a rels ya que tienen una velocidad de conmutacin mayor, as como, la ausencia de rebotes.

Smbolo del opto transistor

Smbolo de un opto transistor en configuracin Darlington

Smbolo de un opto transistor de encapsulado ranurado

Smbolo del Optotiristor

Smbolo Optotriac

TRANSISTOR FET

TRANSISTOR FET (Introduccin).

Los transistores ms conocidos son los llamados bipolares (NPN y PNP), llamados as porque la conduccin tiene lugar gracias
al desplazamiento de portadores de dos polaridades (huecos positivos y electrones negativos), y son de gran utilidad en gran
nmero de aplicaciones pero tienen ciertos inconvenientes, entre los que se encuentra su impedancia de entrada bastante baja.
Existen unos dispositivos que eliminan este inconveniente en particular y que pertenece a la familia de dispositivos en los que
existe un solo tipo de portador de cargas, y por tanto, son unipolares. Se llama transistor de efecto campo.
2) Explicacin de la combinacin de portadores.
Puesto que hay una tensin positiva entre el drenador y el surtidor, los electrones fluirn desde el surtidor al drenador (o
viceversa segn la configuracin del mismo), aunque hay que notar que tambin fluye una corriente despreciable entre el
surtidor (o drenador) y la puerta, ya que el diodo formado por la unin canal puerta, esta polarizado inversamente.
En el caso de un diodo polarizado en sentido inverso, donde inicialmente los huecos fluyen hacia la terminal negativa de
la batera y los electrones del material N, fluyen hacia el terminal positivo de la misma.
Lo anteriormente dicho se puede aplicar al transistor FET, en donde, cuando se aumenta VDS aumenta una regin con
empobrecimiento de cargas libres

Cuando seleccionamos un transistor tendremos que conocer el tipo de encapsulado, as como el esquema de identificacin de los
terminales. Tambin tendremos que conocer una serie de valores mximos de tensiones, corrientes y potencias que no debemos
sobrepasar para no destruir el dispositivo. El parmetro de la potencia disipada por el transistor es especialmente crtico con la
temperatura, de modo que esta potencia decrece a medida que aumenta el valor de la temperatura, siendo a veces necesaria la
instalacin de un radiador o aleta refrigeradora. Todos estos valores crticos los proporcionan los fabricantes en las hojas de
caractersticas de los distintos dispositivos.
3) Explicacin de sus elementos o terminales.
Un transistor de efecto campo (FET) tpico est formado por una barrita de material p n, llamada canal, rodeada en parte de su
longitud por un collar del otro tipo de material que forma con el canal una unin p-n.
En los extremos del canal se hacen sendas conexiones hmicas llamadas respectivamente sumidero (d-drain) y fuente (ssource), ms una conexin llamada puerta (g-gate) en el collar.

La figura muestra el croquis de un FET con canal N

Smbolos grficos para un FET de canal N

Smbolos grficos para un FET de canal P

Fundamento de transistores de efecto de campo:
Los transistores son tres zonas semiconductoras juntas dopadas alternativamente con purezas donadoras o aceptadoras de
electrones.
Su estructura y representacin se muestran en la tabla.

Modelo de transistor FET canal n

Modelo de transistor FET canal p

Las uniones Puerta-Drenador y la Surtidor-Puerta estn polarizadas en inversa de tal forma que no existe otra corriente que la
inversa de saturacin de la unin PN.
La zona n (en el FET canal n) es pequea y la amplitud de la zona de deplexin afecta a la longitud efectiva del canal. La longitud
de la zona de deplexin y depende de la tensin inversa (tensin de puerta).
Zonas de funcionamiento del transistor de efecto de campo (FET):

ZONA HMICA o LINEAL: En esta zona el transistor se comporta como una resistencia
variable dependiente del valor de VGS. Un parmetro que aporta el fabricante es la resistencia que presenta el
dispositivo para VDS=0 (rds on), y distintos valores de VGS.
ZONA DE SATURACIN: En esta zona es donde el transistor amplifica y se comporta como
una fuente de corriente gobernada por VGS

3. ZONA DE CORTE: La intensidad de drenador es nula (ID=0).

A diferencia del transistor BJT, los terminales drenador y surtidor del FET pueden intercambiar sus papeles sin que se altere
apreciablemente la caracterstica V-I (se trata de un dispositivo simtrico).

La operacin de un FET de CANAL P es complementaria a la de un FET de CANAL N, lo que sigmifica que

todos los voltajes y corrientes son de sentido contrario.

Entre las principales aplicaciones de este dispositivo podemos destacar:

APLICACIN

PRINCIPAL VENTAJA

USOS

Aislador o separador (buffer)

Impedancia de entrada alta y de salida

Uso general, equipo de medida, receptores
baja

Amplificador de RF

Bajo ruido

Sintonizadores de FM, equipo para comunicaciones

Mezclador

Baja distorsin de intermodulacin

Receptores de FM y TV,equipos para comunicaciones

Amplificador con CAG

Facilidad para controlar ganancia

Receptores, generadores de seales

Amplificador cascodo

Baja capacidad de entrada

Instrumentos de medicin, equipos de prueba

Troceador

Ausencia de deriva

Amplificadores de cc, sistemas de control de direccin

Resistor variable por voltaje

Se controla por voltaje

Amplificadores operacionales, rganos electrnicos,

controlas de tono

Amplificador de baja frecuencia Capacidad pequea de acoplamiento

Audfonos para sordera, transductores inductivos

Oscilador

Mnima variacin de frecuencia

Generadores de frecuencia patrn, receptores

Circuito MOS digital

Pequeo tamao

Integracin en gran escala, computadores, memorias

Siempre nos va a interesar estar en la regin de saturacin, para que la nica variable que me controle la cantidad de corriente
que pase por el drenador sea la tensin de puerta.
Ecuacin de Shockley:

ID=IDSS(1-VGS/Vp)2

Donde:

Vp es la tensin de puerta que produce el corte en el transistor FET.

IDSS es la corriente mxima de drenador que circula por el transistor, al aumentar VDS,
cuando la polarizacin de la puerta es VSG= 0 vol

PARAMETROS DEL FET

La corriente de sumidero Id es funcin tanto de la tensin de sumidero Vds como de la puerta Vgs.
Como la unin est polarizada inversamente, suponemos que la corriente de puerta es nula, con lo que
podemos escribir:
Ig = 0 e
Id = (Vds, Vgs)
En la zona de estriccin (saturacin) en que las caractersticas son casi rectas (en el grfico, son horizontales,
pero en realidad tienen una pendiente positiva) podemos escribir la respuesta del transistor para pequeos
incrementos de Vds y Vgs en esta forma

El parmetro rd se llama resistencia diferencial del sumidero del FET, y es la inversa de la pendiente de la
curva. Que como en el grfico, dicha pendiente es cero (en la realidad, como he dicho antes existe algo de
pendiente), entonces la rd es infinita (muy grande).
El parmetro gm se le denomina conductancia mutua o transconductancia, y es igual a la separacin vertical
entre las caractersticas que corresponden a diferencias de valor de Vgs de 1 voltio.
4) TCNICAS DE MANUFACTURA.
Es un dispositivo de tres terminales y dos junturas, creado en un material semiconductor slido cristalino
(generalmente germanio, silicio, arseniuro de galio) con diferentes contaminaciones, que permite regular la
circulacin de una corriente elctrica mediante una corriente de control, mucho menor.
El primer transistor se cre en los laboratorios Bell (Estados Unidos de N.A.) en 1947, partiendo de una oblea
de germanio, gracias a los trabajos de William Shockley, John Bardeen, y Walter Brattain, por lo cual
recibieron el premio Nobel.
En el ao 1954, la firma Texas Instruments de Estados Unidos, fabric el primer transistor de silicio, lo cual
baj los costos y permiti, gracias a nuevas tcnicas de fabricacin, su comercializacin a gran escala.
Han reemplazado en la mayora de las aplicaciones a los tubos vlvulas electrnicas, en los circuitos de
radio, audio, etc. permitiendo la fabricacin de equipos porttiles e inmunes a vibraciones y de bajo consumo
de energa (en los primeros tiempos se llamaba a los equipos transistorizados de "estado slido" o "frios").
Como se indic con anterioridad, el JFET es un dispositivo de tres terminales, siendo una de ellas capaz de
controlar el flujo de corriente entre las otras dos. En nuestra explicacin sobre el transistor BJT se utiliz el
transistor npn a lo largo de la mayor parte de las secciones de anlisis y diseo, con una seccin dedicada a los
efectos resultantes de emplear un transistor pnp. Para el transistor JFET el dispositivo de canal-n aparecer
como el dispositivo predominante, con prrafos y secciones dedicadas a los efectos resultantes del uso de un
JFET de canal-p.
La construccin bsica del JFET de canal-n se muestra en la figura siguiente Observe que la mayor parte de la
estructura es el material tipo n que forma el canal entre las capas difundidas en material tipo p. El extremo
superior del canal tipo n se conecta mediante contacto hmico a la terminal denominada como drenaje
(drain) (D), mientras que el extremo inferior del mismo material se conecta por medio de contacto hmico a
la terminal llamada la fuente (source) (S). Los dos materiales tipo p se encuentran conectados juntos y al
mismo tiempo hacia la terminal de compuerta (gate) (Q). Por tanto, esencialmente el drenaje y la fuente se
conectan en esencia a los extremos del canal tipo n y la compuerta, a las dos capas del material tipo p. En
ausencia de cualquiera de los potenciales aplicados, el JFET tiene dos uniones p-n bajo condiciones sin
polarizacin. El resultado es una regin de agotamiento en cada unin, como se ilustra en la figura siguiente,
que se parece a la misma regin de un diodo bajo condiciones sin polarizacin. Recurdese tambin que una
regin de agotamiento es aquella regin carente de portadores libres y por lo tanto incapaz de permitir la
conduccin a travs de la regin.

Transistor de unin de efecto de campo (JFET).

Muy pocas veces las analogas son perfectas y en ocasiones pueden ser engaosas, pero la analoga hidrulica
de la figura siguiente proporciona un sentido al control del JFET en la terminal de compuerta y a la
conveniencia de la terminologa aplicada a las terminales del dispositivo. La fuente de la presin del agua
puede semejarse al voltaje aplicado del drenaje a la fuente, el cual establecer un flujo de agua (electrones)
desde el grifo o llave (fuente). La "compuerta", por medio de una seal aplicada (potencial), controla el flujo
del agua (carga) hacia el "drenaje". Las terminales del drenaje y la fuente estn en los extremos opuestos del
canal-n, como se ilustra en la figura anterior, debido a que la terminologa se define para el flujo de
electrones.

Analoga hidrulica para el mecanismo de control del JFET.

VGS = 0 V, Vds cualquier valor positivo
En la figura siguiente se ha aplicado un voltaje positivo VDS y a travs del canal y la compuerta se ha
conectado en forma directa a la fuente para establecer la condicin VGS = 0 V. El resultado es que las
terminales de compuerta y fuente se hallan al mismo potencial y hay una regin de agotamiento en el extremo
inferior de cada material p, semejante a la distribucin de las condiciones sin polarizacin de la figura del
transistor FET. En el instante que el voltaje vDD ( = VDS) se aplica, los electrones sern atrados hacia la
terminal de drenaje, estableciendo la corriente convencional ID con la direccin definida de la figura siguiente
la trayectoria del flujo de carga revela con claridad que las comentes de fuente y drenaje son equivalentes (ID
= Is). Bajo las condiciones que aparecen en la figura siguiente, el flujo de carga es relativamente permitido y
limitado nicamente por la resistencia del canal-n entre el drenaje y la fuente.

JFET en la regin VGS = 0 V y VDS > 0 V.

Es importante observar que la regin de agotamiento es ms ancha cerca del extremo superior de ambos
materiales tipo p. La razn para el cambio en la anchura de la regin se puede describir mejor con la ayuda de
la figura siguiente. Suponiendo una resistencia uniforme en el canal-n, la resistencia del canal puede dividirse
en las partes que aparecen en la figura siguiente. La corriente ID establecer los niveles de voltaje a travs del
canal, como se indica en la misma figura. El resultado es que la regin superior del material tipo p estar
inversamente polarizada alrededor de los 1.5 V, con la regin inferior inversamente polarizada slo en los 0.5
V. Recurdese, la explicacin de la operacin del diodo, que cuanto mayor sea la polarizacin inversa
aplicada, mayor ser la anchura de la regin de agotamiento, de aqu la distribucin de la regin de
agotamiento que se muestra en la figura siguiente. El hecho de que la unin p-n est inversamente polarizada
en la longitud del canal da por resultado una corriente de compuerta de cero amperes, como se ilustra en la

misma figura. El hecho que iG = O A es una importante caracterstica del JFET.

Variacin de los potenciales de polarizacin inversa a travs de la unin p-n de un JFET de canal n.
5) Explicacin de su encapsulado e identificacin de sus terminales.
La fabricacin de varios de estos dispositivos conectados en diversas configuraciones en una misma oblea de
silicio, permiti crear los circuitos integrados o chips, base de todos los aparatos electrnicos modernos.
Conectados de manera apropiada, permite amplificar seales muy dbiles, convertir energa, encender o
apagar sistemas de elevada potencia, crear osciladores desde frecuencias bajas hasta frecuencias de radio, etc.
Segn sea el orden de los materiales que forman las junturas, existen los transistores tipo NPN PNP, los
cuales, en disposiciones circuitales apropiadas permiten crear una enorme cantidad de circuitos para
diversos fines, ya que se complementan pues funcionan con sentidos opuestos de circulacin de corriente.
En la actualidad, existen una gran variedad de transistores, de efecto de campo o FET (el electrodo de control
acta por medio de campo elctrico), los tipo unijuntura, los MOS o de xido metlico (variante de los FET), y
otras variaciones como los VMOS (usados para controlar grandes potencias y tensiones), etc.
Existe una innumerable cantidad de diseos, especializados para alta potencia, bajo ruido elctrico, alta
frecuencia, alta ganancia de corriente, alta tensin, aplicaciones de conmutacin, etc.
TRC

1. introduccin
La finalidad del TRC es reproducir fielmente una imagen captada por la cmara del equipo emisor, a partir de
la seal de video compuerta que recibimos en el receptor.

Este tubo consiste en un can electrnico y una pantalla de fsforo dentro de una ampolla de cristal al cual se le ha realizado l
vaci.
Entre las caractersticas de la pantalla se encuentra el tamao que se mide desde ambos extremos de una pantalla de televisin y
en pulgadas; y el espectro que es la relacin entre altura y anchura de la pantalla.
2. tubos de imagen en blanco y negro
Estos tubos solo reproducen la luminancia y se compone bsicamente de un can electrnico que produce el haz de electrones,
unas bobinas de deflexin que controlan el movimiento del haz y una pantalla luminiscente que se ilumina cuando es excitada
por dicho haz.
2.1. principio de funcionamiento
El can electrnico se encarga de generar un fino haz de electrones que, despus de atravesar los diferentes electrodos que lo
constituyen, impacta en pantalla.
Dicha emisin se basa en el principio de la (emisin termoinica) la cual nos dice que por un conductor sometido ha una
diferencia de potencial circulan electrones. Ha este conductor se le llama ctodo y es el que produce el haz.

Para controlar esta emisin se le coloca la rejilla de control, que es la que nos controla el brillo y para que los electrones
impacten en la pantalla, se utiliza otra rejilla denominada rejilla de pantalla que los atrae al estar a un mayor potencial que el
ctodo. Para mantener estable el haz utilizamos una tercera rejilla la de enfoque que obliga a que los electrones sigan una
trayectoria, para que al final impacten en el nodo final (la pantalla).

2.2. las bobinas de deflexin

Para que el haz de electrones no sea un punto en el centro de la pantalla, necesitaremos que los electrones se desplacen hacia el
punto correcto. Existen dos formas de conseguir esto:
Deflexin electroesttica: este sistema lo utilizan los osciloscopios y se basa en dos placas conductoras con cargas elctricas
opuestas las cuales nos permiten mover los electrones.
Deflexin magntica: en este caso la desviacin del haz es producida por un campo magntico generado por dos bobinas. Para la
televisin utilizamos dos pares de bobinas (dos para la desviacin vertical y otras dos para la horizontal). Dichas bobinas estn
colocadas al final del cuello del TRC y se denominan (yugo o bobinas de deflexin):

2.3. Corrientes de deflexin

Estas corrientes deben tener forma de diente de sierra, de manera que crece lentamente hasta su mximo valor (explora
pantalla) y vuelve ha su valor inicial (retorno del haz).Dichas corrientes son iguales tanto en vertical como en horizontal pero ha
diferente frecuencia (vertical 50Hz, horizontal 15625Hz).
2.4. tensiones del tubo
tensin de caldeo 6.3V
ctodo 70V
rejilla de control 30V
rejilla de pantalla 300-400V
rejilla de enfoque variable hasta 500V
nodo final 15000-20000V
Todas estas tensiones se encuentran en la parte trasera del tubo excepto el MAT (nodo final) que esta en el ensanchamiento del
tubo.
2.5. generacin de la imagen.
La imagen se crea al incidir el haz de electrones en el fsforo de la pantalla, dependiendo la luminosidad de la pantalla a la
cantidad de electrones que inciden en la misma.
Esta imagen puede ser ajustada por el usuario mediante los controles de brillo y contraste que lo que hacen es:
BRILLO: este control lo que hace es aadirle a la seal de luminancia cierto nivel de tensin continua con lo que desplazamos
el conjunto de la imagen hacia el blanco.

CONTRASTE: nos ajusta la amplitud de la seal de entrada proporcionndonos mas o menos diferencia entre tonalidades
claras y oscuras.

Hay otros dos controles menos importantes pero que tambin afectan a la imagen:
AJUSTE DE CENTRADO HORIZONTAL Y VERTICAL: centran la imagen.

 AJUSTE DE FOCALIZACIN: El cual nos controla el grueso del haz de electrones, permitindonos mayor nitidez .
3. tubos de imagen en color
El principio de funcionamiento de estos tubos es prcticamente el mismo que el de los monocromticos, tan solo aparecen
nuevos componentes que nos permiten generar el color en la imagen.
La principal diferencia entre estos tubos, es que el de color necesita tres haces uno para cada color primario y las tensiones de las
rejillas:
ctodo 100-150V
rejilla de control 30V
rejilla de pantalla 100-500V
rejilla de enfoque 2000-7000V
nodo final 25000-30000V
3.1. material luminiscente
La imagen se forma en una capa luminiscente situada en la pantalla constituida por la combinacin por tres fsforos (rojo, verde
y azul).
La calidad de puntos luminiscentes de cada color nos determina la resolucin de la pantalla. Los diferentes colores se obtienen a
partir de la mezcla aditiva.
3.2 TIPO DE TUBOS EN COLOR
Para generar cada uno de los colores primarios son necesarios tres haces independientes, uno para cada color. Los tres caones
son iguales solo se diferencian en el tipo de puntos en el que incide el haz del can. La clasificacin de los tubos normalmente
se efecta en la forma de distribucin de los caones y los principales son:
Caones en delta. Los caones estn montados en un triangulo equiltero.

Caones en lnea: los caones estn motados en un plano horizontal sobre el cuello del tubo.

El tubo trinitron: Este sistema utiliza un can nico con tres ctodos en lnea.

3.3. la mascara perforada

Esta mascara esta hecha de acero y es muy delgada, se encuentra situada en la parte interior de la pantalla y sirve para canalizar
cada uno de los haces y impedir que un fsforo de color sea atacado pro dos haces, detrs de la mascara es donde se encuentran
cada uno de los fsforos (capa luminiscente).
3.4. sistema de deflexin
Este sistema funciona exactamente igual que el de blanco y negro, simplemente que en vez de un haz son tres que se desvan
simutaniamente, para conseguir esto simplemente se precisa un campo magntico simtrico y uniforme adems de unos
sistemas de convergencia que nos aseguren una perfecta alineacin de estos haces.
3.5. ajustes permitidos por estos tubos
estos son los ms importantes:
ajuste de blanco y gris
ajuste de la pureza del color
unidad de convergencia esttica
unidad de convergencia dinmica
desmagnetizacin
enfoque

Baterias Ni-Cd
1. Ventajas y desventajas:
Las bateras de Nicad presentan una serie de ventajas frente a las normales:

Pueden recargarse
Son mucho ms robustas en construccin y por tanto menos propensas que las pilas normales a
perder el electrolito.

Tienen una resistencia interna extremadamente baja

Mantienen l tensin prcticamente constante durante casi el 90% del ciclo de descarga.

Las dos ltimas caractersticas son importantes. La baja impedancia interna permite asociar varios elementos en serie;
Mantener la tensin constante facilita su uso en cmaras de video.
Los inconvenientes de las Nicad son:

Su tensin es 1,2V frente a 1,5V de las pilas normales. Esto supone un 20% menos de tensin
Debido a su bajsima impedancia interna no se pueden cargar a tensin constante ya que se
generaran corrientes muy elevadas q producen el calentamiento de la nicad y su destruccin.

Construccin interna:
La batera est formada por unos electrodos de hidrxido de nquel y de hidrxido de cadmio separados entre si por una lmina
porosa. El electrolito es hidrxido de potasio. La reaccin qumica es:
Cd + 2Ni OH + 2H 2 O <==> Cd(OH) 2 + 2Ni(OH) 2
Carga Descarga
2. Capacidad de una batera:
Se mide en A*h o mA*h. Se representa con la letra C. Una batera que tiene por ejemplo C=500 quiere decir que puede
suministrar una corriente de 500 mA durante una hora (250 mA durante 2 horas, 125 mA durante 4 horas... etc.)
El trmino C se utiliza tambin para definir la corriente de carga. Una corriente de 1C significa que la batera se cargar con la
misma corriente que puede suministrar durante una hora.
En el ejemplo anterior 1C = 500 mA
Normalmente las bateras se cargan a 0,1C durante 14 horas.
3. Ciclo de carga:
En principio sera suficiente cargar la batera a 0,1C durante 12 horas, pero en el momento inicial de la carga, la batera no
almacena la energa que se le suministra. La energa inicial se utiliza para reconstruir los electrodos y producir gas.
Si se excede el tiempo de carga la batera aguanta la sobrecarga (a 0,1C). Si se intenta cargar una batera parcialmente llena llega
un momento en el que la batera deja de almacenar carga y convierte toda la energa en calor.
La temperatura ambiente mnima para realizar la carga oscila entre 0 y 10C, la mxima entre 40 y 60C. Los fabricantes
aconsejan siempre realizar la carga entre 20 y 25C. A temperaturas inferiores la carga de la batera se reduce y, por tanto, hay
que reducir la corriente de carga. A temperaturas superiores la capacidad se reduce aun ms.
Es posible cargar la nicad a corrientes inferiores a 0,1C pero entonces desconocemos cual ser su tiempo de carga ya que la
variacin no es proporcional. El mayor inconveniente es que cargar una nicad a corrientes inferiores a 0,1C reduce su capacidad
efectiva, esto se denomina "efecto memoria" y consiste en que La nicad se da cuenta de que esta siendo cargada a una corriente
inferior y dice:"ah! luego mi capacidad es inferior" y ajusta su capacidad a ese valor. Como la batera no queda totalmente
llena, al intentar cargarla de nuevo reduce aun mas su capacidad, despus de unos ciclos de carga no completa una nicad puede
quedar inservible.
Por tanto, nunca se debe cargar una nicad parcialmente o cargarla estando parcialmente cargada ya que el "efecto memoria" se
desencadena.
Mantener una Nicad cargada:
Si se quiere mantener una nicad siempre en su carga mxima y se descarga "completamente" con regularidad es posible dejarla
en carga continua a una corriente inferior a 0,1C. En cambio, si la batera va a descargarse solo muy rara vez se recomienda que
una vez cargada se reduzca la corriente de carga a un valor muy pequeo denominado "corriente de goteo"
Carga rpida:
Todas las nicad admiten la carga rpida, es decir, a corrientes superiores a 0,1C pero deben seguirse las precauciones indicadas
por el fabricante. En general, se pueden cargar Nicads a un ritmo entre 2 y 5 veces mas rpido que el normal siempre y cuando la
temperatura sea mayor que 20C e inferior a 45C. La carga rpida debe hacerse con un temporizador y un sensor de
temperatura que detengan la carga rpida de forma automtica o la reduzcan a valores seguros.
4. Almacenamiento y mantenimiento de la carga:
Las nicad se pueden almacenar casi indefinidamente en cualquier estado de carga a una temperatura entre - 40C y +50C. Las
bateras parcial o totalmente cargadas pierden gradualmente su carga. Esta descarga es mayor cuanto mayor es la temperatura.

A causa del efecto de las diferentes temperaturas y periodos de almacenamiento no es posible conocer el estado de una nicad
cuando se compra. Por ello es recomendable cargar las nicad antes de utilizarlas la primera vez.
5. Precauciones para asegurar una larga vida til:
Una nicad tratada con cario puede recargarse hasta 1000 veces. Segn aumentan el nmero de cargas, aunque sea con todo
cuidado la nicad disminuye su capacidad. Una Nicad ha dejado de ser til cuando su capacidad baja al 70% de la nominal.
Precauciones para asegurar una larga vida til:

No soldar directamente sobre los terminales de la nicad a no ser que tenga terminales de
soldadura incorporados. En caso de tenerlos es recomendable pinzar con unos alicates dicho terminal para evitar que
el calor de la soldadura llegue a la nicad.
Evitar las bajas temperaturas durante el proceso de carga.
no cortocircuitarlas y evitar pedir corrientes muy elevadas.
No descargar completamente una nicad, una batera totalmente descargada no puede volver a
cargarse.

No dejar en sobrecarga una nicad cargndose a una corriente superior a 0,1C.

Cargar las bateras nuevas antes de usarlas.

El transistor de Efecto de Campo

Con los transistores bipolares observbamos como una pequea corriente en la base de los mismos se controlaba una corriente
de colector mayor. Los Transistores de Efecto de Campo son dispositivos en los que la corriente se controla mediante tensin.
Cuando funcionan como amplificador suministran una corriente de salida que es proporcional a la tensin aplicada a la entrada.
Caractersticas generales:

Por el terminal de control no se absorbe corriente.

Una seal muy dbil puede controlar el componente
La tensin de control se emplea para crear un campo elctrico

Se empezaron a construir en la dcada de los 60. Existen dos tipos de transistores de efecto de campo los JFET (transistor de
efecto de campo de unin) y los MOSFET. Los transistores MOS respecto de los bipolares ocupan menos espacio por lo que su
aplicacin ms frecuente la encontramos en los circuitos integrados.
Es un componente de tres terminales que se denominan: Puerta (G, Gate), Fuente (S, Source), y Drenaje (D, Drain). Segn su
construccin pueden ser de canal P o de canal N. Sus smbolos son los siguientes:

Smbolo de un FET de canal N

Smbolo de un FET de canal P

CURVA CARACTERSTICA
Los parmetros que definen el funcionamiento de un FET se observan en la siguiente figura:

Parmetros de un FET de canal N

Parmetros de un FET de canal P

La curva caracterstica del FET define con precisin como funciona este dispositivo. En ella distinguimos tres regiones o zonas
importantes:

Zona lineal.- El FET se comporta como una resistencia cuyo valor depende de la tensin V GS.
Zona de saturacin.- A diferencia de los transistores bipolares en esta zona, el FET, amplifica y
se comporta como una fuente de corriente controlada por la tensin que existe entre Puerta (G) y Fuente o surtidor
(S) , VGS.
Zona de corte.- La intensidad de Drenador es nula.

Como en los transistores bipolares existen tres configuraciones tpicas: Surtidor comn (SC), Drenador comn (DC) y Puerta
comn (PC). La ms utilizada es la de surtidor comn que es la equivalente a la de emisor comn en los transistores bipolares.
Las principales aplicaciones de este tipo de transistores se encuentra en la amplificacin de seales dbiles.
CARACTERSTICAS DE SALIDA

Al variar la tensin entre drenador y surtidor varia la intensidad de drenador permaneciendo constante la tensin entre puerta y
surtidor.
En la zona hmica o lineal se observa como al aumentar la tensin drenador surtidor aumenta la intensidad de drenador.
En la zona de saturacin el aumento de la tensin entre drenador y surtidor produce una saturacin de la corriente de drenador
que hace que esta sea constante. Cuando este transistor trabaja como amplificador lo hace en esta zona.
La zona de corte se caracteriza por tener una intensidad de drenador nula.
La zona de ruptura indica la mxima tensin que soportar el transistor entre drenador y surtidor.
Es de destacar que cuando la tensin entre puerta y surtidor es cero la intensidad de drenador es mxima.
CARACTERSTICAS DE TRANSFERENCIA

Indican la variacin entre la intensidad de drenador en funcin de la tensin de puerta.

HOJAS DE CARACTERSTICAS DE LOS FET

En las hojas de caractersticas de los fabricantes de FETs encontrars los siguientes parmetros (los ms importantes):

VGS y VGD.- son las tensiones inversas mximas soportables por la unin PN.
IG.- corriente mxima que puede circular por la unin puerta - surtidor cuando se polariza
directamente.

PD.- potencia total disipable por el componente.

IDSS.- Corriente de saturacin cuando VGS=0.
IGSS.- Corriente que circula por el circuito de puerta cuando la unin puerta - surtidor se
encuentra polarizado en sentido inverso.

El transistor
Dispositivo semiconductor que permite el control y la regulacin de una corriente grande mediante una seal muy
pequea.Existe una gran variedad de transistores. En principio, se explicarn los bipolares. Los smbolos que corresponden a
este tipo de transistor son los siguientes:

Transistor NPN

Estructura de un transistor NPN

Transistor PNP

Estructura de un transistor PNP

Veremos mas adelante como un circuito con un transistor NPN se puede adaptar a PNP. El nombre de estos hace referencia a su
construccin como semiconductor.
1. FUNCIONAMIENTO BASICO
Cuando el interruptor SW1 est abierto no circula intensidad por la Base del transistor por lo que la lmpara no se encender, ya
que, toda la tensin se encuentra entre Colector y Emisor. (Figura 1).

Figura 1

Figura 2

Cuando se cierra el interruptor SW1, una intensidad muy pequea circular por la Base. As el transistor disminuir su
resistencia entre Colector y Emisor por lo que pasar una intensidad muy grande, haciendo que se encienda la lmpara. (Figura
2).
En general: IE < IC < IB ; IE = IB + IC ; VCE = VCB + VBE
2. POLARIZACIN DE UN TRANSISTOR
Una polarizacin correcta permite el funcionamiento de este componente. No es lo mismo polarizar un transistor NPN que PNP.

Polarizacin de un transistor NPN

Polarizacin de un transistor PNP

Generalmente podemos decir que la unin base - emisor se polariza directamente y la unin base - colector inversamente.

3. ZONAS DE TRABAJO
CORTE.- No circula intensidad por la Base, por lo que, la intensidad de Colector y Emisor tambin es nula.La tensin entre
Colector y Emisor es la de la batera. El transistor, entre Colector y Emisor se comporta como un interruptor abierto.
IB = IC = IE = 0; VCE = Vbat
SATURACION.- Cuando por la Base circula una intensidad, se aprecia un incremento de la corriente de colector considerable.
En este caso el transistor entre Colector y Emisor se comporta como un interruptor cerrado. De esta forma, se puede decir que la
tensin de la batera se encuentra en la carga conectada en el Colector.
ACTIVA.- Acta como amplificador. Puede dejar pasar ms o menos corriente.
Cuando trabaja en la zona de corte y la de saturacin se dice que trabaja en conmutacin. En definitiva, como si fuera un
interruptor.
La ganancia de corriente es un parmetro tambin importante para los transistores ya que relaciona la variacin que sufre la
corriente de colector para una variacin de la corriente de base. Los fabricantes suelen especificarlo en sus hojas de
caractersticas, tambin aparece con la denominacin h FE. Se expresa de la siguiente manera:
= IC / IB

En resumen:
Saturacin

Corte

Activa

VCE

~0

~ VCC

Variable

VRC

~ VCC

~0

Variable

IC

Mxima

= ICEO lang=EN-GB~ 0

Variable

IB

Variable

=0

Variable

VBE

~ 0,8v

< 0,7v

~ 0,7v

Los encapsulados en los transistores dependen de la funcin que realicen y la potencia que disipen, as nos encontramos con que
los transistores de pequea seal tienen un encapsulado de plstico, normalmente son los ms pequeos ( TO- 18, TO-39, TO92, TO-226 ... ); los de mediana potencia, son algo mayores y tienen en la parte trasera una chapa metlica que sirve para
evacuar el calor disipado convenientemente refrigerado mediante radiador (TO-220, TO-218, TO-247...) ; los de gran potencia,
son los que poseen una mayor dimensin siendo el encapsulado enteramente metlico . Esto, favorece, en gran medida, la
evacuacin del calor a travs del mismo y un radiador (TO-3, TO-66, TO-123, TO-213...).

El tiristor
Es un dispositivo electrnico que tiene dos estados de funcionamiento: conduccin y bloqueo. Posee tres terminales: Anodo (A),
Ctodo(K) y puerta (G).

Smbolo del tiristor

Estructura interna del tiristor

La conduccin entre nodo y ctodo es controlada por el terminal de puerta. Se dice que es un dispositivo unidireccional, debido
a que el sentido de la corriente es nico.
CURVA CARACTERSTICA
La interpretacin directa de la curva caracterstica del tiristor nos dice lo siguiente: cuando la tensin entre nodo y ctodo es
cero la intensidad de nodo tambin lo es.
Hasta que no se alcance la tensin de bloqueo (VBO) el tiristor no se dispara.
Cuando se alcanza dicha tensin, se percibe un aumento de la intensidad en el nodo (IA), disminuye la tensin entre nodo y
ctodo, comportndose as como un diodo polarizado directamente.
Si se quiere disparar el tiristor antes de llegar a la tensin de bloqueo ser necesario aumentar la intensidad de puerta (I G1, IG2,
IG3, IG4...), ya que de esta forma se modifica la tensin de cebado de este.
Este seria el funcionamiento del tiristor cuando se polariza directamente, esto solo ocurre en el primer cuadrante de la curva.
Cuando se polariza inversamente se observa una dbil corriente inversa (de fuga) hasta que alcanza el punto de tensin inversa
mxima que provoca la destruccin del mismo.

En amplificacin se utiliza en las etapas de potencia en clase D cuando trabaja en conmutacin. Tambin se utilizan como rels
estticos, rectificadores controlados, inversores y onduladores, interruptores....

El diac

Es un componente electrnico que est preparado para conducir en los dos sentidos de sus terminales, por ello se le denomina
bidireccional, siempre que se llegue a su tensin de cebado o de disparo(30v aproximadamente, dependiendo del modelo).

Smbolo del diac

Estructura interna de un diac

Hasta que la tensin aplicada entre sus extremos supera la tensin de disparo VBO; la intensidad
que circula por el componente es muy pequea. Al superar dicha tensin la corriente aumenta
bruscamente y disminuyendo, como consecuencia, la tensin anterior. La aplicacin ms
conocida de este componente es el control de un triac para regular la potencia de una carga.
Los encapsulados de estos dispositivos suelen ser iguales a los de los diodos de unin o de zener.

Diodos Semiconductores
Contenido:
Diodo Semiconductor

Clasificacin.

Diodos Rectificadores. Caractersticas.

Diodos de Seal. Resumen de funcionamiento.
Diodos de Conmutacin. Resumen de funcionamiento
Diodos de alta Frecuencia.Resumen de funcionamiento.
Diodos Zener. Resumen de funcionamiento.

Diodo Semiconductor
El diodo semiconductor est constituido fundamentalmente por una unin P-N, aadindole un terminal de conexin a cada
uno de los contactos metlicos de sus extremos y una cpsula que aloja todo el conjunto, dejando al exterior los terminales que
corresponden al nodo (zona P) y al ctodo (Zona N)
El diodo deja circular corriente a travs suyo cuando se conecta el polo positivo de la batera al nodo, y el negativo al ctodo, y
se opone al paso de la misma si se realiza la conexin opuesta. Esta interesante propiedad puede utilizarse para realizar la
conversin de corriente alterna en continua, a este procedimiento se le denomina rectificacin.
En efecto. si se aplica a este diodo una tensin alterna, nicamente se producir circulacin de corriente en las ocasiones en que
el nodo sea ms positivo que el ctodo, es decir, en las alternancias positivas, quedando bloqueado en las ascendencias
negativas, lo que impide el paso de la corriente por ser en estas ocasiones el nodo ms negativo que el ctodo.
La corriente resultante ser pulsante, ya que slo circular en determinados momentos, pero mediante los dispositivos y
circuitos adecuados situados a continuacin puede ser convertida en una corriente continua constante, que es el que se emplea
actualmente casi en exclusiva; presenta sobre el de vaco algunas ventajas fundamentales: - Es de tamao mucho ms reducido,
lo que contribuye a la miniaturizacin de los circuitos.
- La cantidad de calor generado durante el funcionamiento es menor, ya que no necesita ningn calentamiento de filamento. Funciona con tensiones mucho ms bajas, lo que posibilita su empleo en circuitos alimentados a pilas o bateras.

- Pueden ser utilizados en equipos que manejen grandes corrientes, aplicacin que con diodos de vaco resultaba prohibitiva en
ocasiones por el gran tamao de stos. Existen diodos semiconductores de muy pequeo tamao para aplicaciones que no
requieran conducciones de corrientes altas, tales como la demodulacin en receptores de radio. Estos suelen estar encapsulados.
en una caja cilndrica de vidrio con los terminales en los extremos, aunque tambin se utiliza para ellos el encapsulado con
plstico. Clasificacin
Dentro del amplio conjunto de modelos y tipos diferentes de diodos semiconductores que actualmente existe en el mercado, se
puede realizar una clasificacin de forma que queden agrupados dos en varias familias, teniendo en cuenta aquellas
caractersticas ms destacadas y que, de hecho, son las que determinan sus aplicaciones. De esta forma se pueden encontrar las
siguientes: - Diodos rectificadores de toda la gama de potencias, con encapsulado individual o en puente. - Diodos de seal de
use general. - Diodos de conmutacin. - Diodos de alta frecuencia. - Diodos estabilizadores de tensin. - Diodos especiales.
Diodos rectificadores
El encapsulado de estos diodos depende de la potencia que hayan de disipar. Para los de baja y media potencia se emplea el
plstico hasta un lmite de alrededor de 1 vatio. Por encima de este valor se hace necesario un encapsulado metlico y en
potencias ms altos deber estar la cpsula preparada para que pueda ser instalado el diodo sobre un radiador de color, por
medio de un sistema de sujecin a tornillo. Cualquier sistema rectificador de corrientes, tanto monofsicas como trifsicas o
polifsicas, se realiza empleando varios diodos segn una forma de conexin denominada en puente. No obstante, tambin se
utiliza otro sistema con dos diodos, como alternativa del puente en algunos circuitos de alimentacin monofsicos.

Debido al gran consumo a nivel mundial de diodos que ms tarde son empleados en montajes puente, los fabricantes decidieron,
en un determinado momento, realizar ellos mismos esta disposicin, uniendo en fbrica los cuatro diodos y cubrindolos con un
encapsulado comn. Esto dio lugar a la aparicin de diversos modelos de puentes de diodos con diferentes intensidades
mximas de corriente y, por lo tanto, con disipaciones de potencia ms o menos elevadas, en la misma forma que los diodos
simples. En los tipos de mayor disipacin, la cpsula del puente es metlica y est preparada para ser montada sobre un
radiador.
Caractersticas
Cualquier diodo rectificador est caracterizado por los siguientes factores: - Corriente directa mxima (If). - Tensin directa
(Vd), para una corriente If determinada. - Tensin inversa mxima de pico de trabajo (VRWM). - Tensin inversa mxima de
pico repetitiva (VRRM). - Corriente mxima de pico (Ifsm). - Corriente inversa mxima de pico (IRM), medida a VRRM. Potencia total (P/tot).
Estas caractersticas debern ser tenidas en cuenta en el momento de la eleccin del modelo ms adecuado para cada aplicacin,
procurando no ajustarse demasiado a los valores lmites, ya que ello acortara excesivamente la duracin del componente.
Diodos de seal
Los diodos de seal de use general se emplean en funciones de tratamiento de la seal, dentro de un circuito o bien para realizar
operaciones de tipo digital formando parte de puertas lgicas y circuitos equivalentes, Son de baja potencia. Las
caractersticas de estos diodos son:
- Tensin inversa (Vr), hasta 75 V como mximo. - Corriente directa (If), 100 mA. - Potencia mxima (P/tot), 200 milivatios
(mW)

El encapsulado es en forma de un cilindro miniatura, de plstico o vidrio, estando los dos terminales de conexin situados en los
extremos. Sobre el cuerpo deber estar marcado el hilo de conexin que corresponde al ctodo, mediante un anillo situado en las
proximidades de ste.
Diodos de conmutacin
Los diodos de conmutacin o rpidos se caracterizan por ser capaces de trabajar con seales de tipo digital o <<lgico>> que
presenten unos tiempos de subida y bajada de sus flancos muy breves. El factor o parmetro que caracteriza a estos diodos es el
tiempo de recuperacin inverso (TRR) que expresa el tiempo que tarda la unin P-N en desalojar la carga elctrica que acumula,
cuando se encuentra polarizada inversamente (efecto similar a la acumulacin de carga de un condensador), y recibe
sbitamente un cambio de tensin que la polariza en sentido directo. Pueden ser considerados rpidos aquellos diodos con un
TRR inferior a 400 nanosegundos, en modelos de media potencia, para los de baja potencia este tipo es del orden de los 5
nanosegundos.
Diodos de alta frecuencia
Los diodos de alta frecuencia se emplean en aquellas partes de un circuito que deben de funcionar con frecuencias superiores a 1
megahertz (1 milln de ciclos por segundo). Se caracterizan por presentar una baja capacidad de difusin (Cd) entre las dos
zonas semiconductoras que forman la unin P-N, cuando stas estn polarizadas en sentido directo.
Diodos zener
Los diodos estabilizadores de tensin se emplean, como su nombre indica, para producir una tensin entre sus extremos
constante y relativamente independiente de la corriente que los atraviesa. Aprovechan, para su funcionamiento, una propiedad
muy interesante que presenta la unin semiconductora cuando se polariza inversamente por encima de un determinado nivel.

Normalmente un diodo que recibe una polarizacin inversa no permite el paso de la corriente o lo hace dejando pasar una
intensidad debilsima. Sin embargo, al alcanzar una determinada tensin, denominada tensin zener se produce un aumento de
la cantidad de corriente, de forma tal que esta diferencia de potencial entre sus extremos se mantiene prcticamente constante,
aunque se intente aumentar o disminuir a base de variar la intensidad que lo atraviesa. Existe una amplia gama de tipos
clasificados por una serie de tensiones zener normalizadas y por la potencia que son capaces de disipar, desde 250 mili vatios
hasta decenas de vatios, con encapsulado plstico o metlico. Los parmetros que caracterizan a un diodo zener son:
- Tensin zener (Vz). - Corriente minima para alcanzar la Vz (Iz). - Potencia mxima (P/tot).
Diodos especiales
Dentro del grupo de diodos especiales estn comprendidos los diodos varicap, diodos tnel y diodos Led Los primeros se
construyen buscando acentuar al mximo la propiedad que presente la unin P-N de comportarse de una forma anloga a un
condensador, cuando se la polariza inversamente. La capacidad resultante es, adems, variable con la tensin aplicada; lo cual
permite disponer de una forma muy simple de condensadores variables, controlados por una diferencia de potencial. Su empleo
est muy generalizado en etapas de sintona de receptores de radio y TV.

Diodos de potencia
El diodo de potencia
Uno de los dispositivos ms importantes de los circuitos de potencia son los diodos, aunque tienen, entre otras, las siguientes
limitaciones : son dispositivos unidireccionales, no pudiendo circular la corriente en sentido contrario al de conduccin. El nico
procedimiento de control es invertir el voltaje entre nodo y ctodo.
Los diodos de potencia se caracterizan porque en estado de conduccin, deben ser capaces de soportar una alta intensidad con
una pequea cada de tensin. En sentido inverso, deben ser capaces de soportar una fuerte tensin negativa de nodo con una
pequea intensidad de fugas.

El diodo responde a la ecuacin:

La curva caracterstica ser la que se puede ver en la parte superior, donde:
VRRM: tensin inversa mxima VD: tensin de codo.
A continuacin vamos a ir viendo las caractersticas ms importantes del diodo, las cuales podemos agrupar de la siguiente
forma:

Caractersticas estticas:

Parmetros en bloqueo (polarizacin inversa).

Parmetros en conduccin.
Modelo esttico.
Caractersticas dinmicas:

Tiempo de recuperacin inverso (trr).

Influencia del trr en la conmutacin.
Tiempo de recuperacin directo.
Potencias:

Caractersticas estticas

Potencia mxima disipable.

Potencia media disipada.
Potencia inversa de pico repetitivo.
Potencia inversa de pico no repetitivo.
Caractersticas trmicas.
Proteccin contra sobreintensidades.

Parmetros en bloqueo

Tensin inversa de pico de trabajo (VRWM): es la que puede ser soportada por el dispositivo de
forma continuada, sin peligro de entrar en ruptura por avalancha.
Tensin inversa de pico repetitivo (VRRM): es la que puede ser soportada en picos de 1 ms,
repetidos cada 10 ms de forma continuada.
Tensin inversa de pico no repetitiva (VRSM): es aquella que puede ser soportada una sola vez
durante 10ms cada 10 minutos o ms.
Tensin de ruptura (VBR): si se alcanza, aunque sea una sola vez, durante 10 ms el diodo puede
destruirse o degradar las caractersticas del mismo.
Tensin inversa continua (VR): es la tensin continua que soporta el diodo en estado de
bloqueo.

Parmetros en conduccin

Intensidad media nominal (IF(AV)): es el valor medio de la mxima intensidad de impulsos

sinusoidales de 180 que el diodo puede soportar.
Intensidad de pico repetitivo (IFRM): es aqulla que puede ser soportada cada 20 ms , con una
duracin de pico a 1 ms, a una determinada temperatura de la cpsula (normalmente 25).
Intensidad directa de pico no repetitiva (IFSM): es el mximo pico de intensidad aplicable, una
vez cada 10 minutos, con una duracin de 10 ms.
Intensidad directa (IF): es la corriente que circula por el diodo cuando se encuentra en el estado
de conduccin.

Modelos estticos del diodo

Los distintos modelos del diodo en su regin directa (modelos estticos) se representan en la figura superior. Estos modelos
facilitan los clculos a realizar, para lo cual debemos escoger el modelo adecuado segn el nivel de precisin que necesitemos.
Estos modelos se suelen emplear para clculos a mano, reservando modelos ms complejos para programas de simulacin como
PSPICE. Dichos modelos suelen ser proporcionados por el fabricante, e incluso pueden venir ya en las libreras del programa.
Caractersticas dinmicas
Tiempo de recuperacin inverso

El paso del estado de conduccin al de bloqueo en el diodo no se efecta instantneamente. Si un diodo se encuentra
conduciendo una intensidad IF, la zona central de la unin P-N est saturada de portadores mayoritarios con tanta mayor
densidad de stos cuanto mayor sea IF. Si mediante la aplicacin de una tensin inversa forzamos la anulacin de la corriente
con cierta velocidad di/dt, resultar que despus del paso por cero de la corriente existe cierta cantidad de portadores que
cambian su sentido de movimiento y permiten que el diodo conduzca en sentido contrario durante un instante. La tensin
inversa entre nodo y ctodo no se establece hasta despus del tiempo ta llamado tiempo de almacenamiento, en el que los
portadores empiezan a escasear y aparece en la unin la zona de carga espacial. La intensidad todava tarda un tiempo t b
(llamado tiempo de cada) en pasar de un valor de pico negativo (IRRM) a un valor despreciable mientras van desapareciendo el
exceso de portadores.

ta (tiempo de almacenamiento): es el tiempo que transcurre desde el paso por cero de la

intensidad hasta llegar al pico negativo.
tb (tiempo de cada): es el tiempo transcurrido desde el pico negativo de intensidad hasta que
sta se anula, y es debido a la descarga de la capacidad de la unin polarizada en inverso. En la prctica se suele
medir desde el valor de pico negativo de la intensidad hasta el 10 % de ste.
trr (tiempo de recuperacin inversa): es la suma de ta y tb.

Qrr: se define como la carga elctrica desplazada, y representa el

rea negativa de la caracterstica de recuperacin inversa del diodo.
di/dt: es el pico negativo de la intensidad.
Irr: es el pico negativo de la intensidad.

La relacin entre tb/ta es conocida como factor de suavizado "SF".

Si observamos la grfica podemos considerar Qrr por el rea de un tringulo :

De donde :

Para el clculo de los parmetros IRRM y Qrr podemos suponer uno de los dos siguientes casos:

Para ta = tb trr = 2ta

Para ta = trr tb = 0

En el primer caso obtenemos:

Y en el segundo caso:

Influencia del trr en la conmutacin

Si el tiempo que tarda el diodo en conmutar no es despreciable :

Se limita la frecuencia de funcionamiento.

Existe una disipacin de potencia durante el tiempo de recuperacin inversa.

Para altas frecuencias, por tanto, debemos usar diodos de recuperacin rpida.
Factores de los que depende trr :

A mayor IRRM menor trr.

Cuanta mayor sea la intensidad principal que atraviesa el diodo mayor ser la capacidad
almacenada, y por tanto mayor ser trr.

Tiempo de recuperacin directo

tfr (tiempo de recuperacin directo): es el tiempo que transcurre entre el instante en que la tensin nodo-ctodo se hace
positiva y el instante en que dicha tensin se estabiliza en el valor V F.
Este tiempo es bastante menor que el de recuperacin inversa y no suele producir prdidas de potencia apreciables.

Disipacin de potencia
Potencia mxima disipable (Pmx)
Es un valor de potencia que el dispositivo puede disipar, pero no debemos confundirlo con la potencia que disipa el diodo
durante el funcionamiento, llamada sta potencia de trabajo.
Potencia media disipada (PAV)
Es la disipacin de potencia resultante cuando el dispositivo se encuentra en estado de conduccin, si se desprecia la potencia
disipada debida a la corriente de fugas.
Se define la potencia media (PAV) que puede disipar el dispositivo, como :

Si incluimos en esta expresin el modelo esttico, resulta :

y como :

es la intensidad media nominal

es la intensidad eficaz al cuadrado

Nos queda finalmente :

Generalmente el fabricante integra en las hojas de caractersticas tablas que indican la potencia disipada por el elemento para
una intensidad conocida.
Otro dato que puede dar el fabricante es curvas que relacionen la potencia media con la intensidad media y el factor de forma (ya
que el factor de forma es la intensidad eficaz dividida entre la intensidad media).
Potencia inversa de pico repetitiva (PRRM)
Es la mxima potencia que puede disipar el dispositivo en estado de bloqueo.
Potencia inversa de pico no repetitiva (PRSM)
Similar a la anterior, pero dada para un pulso nico.
Caractersticas trmicas
Temperatura de la unin (Tjmx)

Es el lmite superior de temperatura que nunca debemos hacer sobrepasar a la unin del dispositivo si queremos evitar su
inmediata destruccin.
En ocasiones, en lugar de la temperatura de la unin se nos da la "operating temperature range" (margen de temperatura de
funcionamiento), que significa que el dispositivo se ha fabricado para funcionar en un intervalo de temperaturas comprendidas
entre dos valores, uno mnimo y otro mximo.
Temperatura de almacenamiento (Tstg)
Es la temperatura a la que se encuentra el dispositivo cuando no se le aplica ninguna potencia. El fabricante suele dar un margen
de valores para esta temperatura.
Resistencia trmica unin-contenedor (R jc)
Es la resistencia entre la unin del semiconductor y el encapsulado del dispositivo. En caso de no dar este dato el fabricante se
puede calcular mediante la frmula:
Rjc = (Tjmx - Tc) / Pmx
siendo Tc la temperatura del contenedor y Pmx la potencia mxima disipable.
Resistencia trmica contenedor-disipador (R cd)
Es la resistencia existente entre el contenedor del dispositivo y el disipador (aleta refrigeradora). Se supone que la propagacin
se efecta directamente sin pasar por otro medio (como mica aislante, etc).
Proteccin contra sobreintensidades
Principales causas de sobreintensidades
La causa principal de sobreintensidad es, naturalmente, la presencia de un cortocircuito en la carga, debido a cualquier causa.
De todos modos, pueden aparecer picos de corriente en el caso de alimentacin de motores, carga de condensadores, utilizacin
en rgimen de soldadura, etc.
Estas sobrecargas se traducen en una elevacin de temperatura enorme en la unin, que es incapaz de evacuar las caloras
generadas, pasando de forma casi instantnea al estado de cortocircuito (avalancha trmica).
rganos de proteccin
Los dispositivos de proteccin que aseguran una eficacia elevada o total son poco numerosos y por eso los ms empleados
actualmente siguen siendo los fusibles, del tipo "ultrarrpidos" en la mayora de los casos.
Los fusibles, como su nombre indica, actan por la fusin del metal de que estn compuestos y tienen sus caractersticas
indicadas en funcin de la potencia que pueden manejar; por esto el calibre de un fusible no se da slo con su valor eficaz de
corriente, sino incluso con su I2t y su tensin.
Parmetro I2t
La I2t de un fusible es la caracterstica de fusin del cartucho; el intervalo de tiempo t se indica en segundos y la corriente I en
amperios.
Debemos escoger un fusible de valor I2t inferior al del diodo, ya que as ser el fusible el que se destruya y no el diodo.

Algunos tipos de diodos

En el mercado podemos encontrar muchos tipos de diodos que nos sirven para distintas aplicaciones. Ahora vamos a ver las
caractersticas principales de algunos de ellos.
Algunos tipos de diodos
Diodos PIN
El diodo PIN es un diodo que presenta una regin P fuertemente dopada y otra regin N tambin fuertemente dopada,
separadas por una regin de material que es casi intrnseco. Este tipo de diodos se utiliza en frecuencias de microondas, es decir,
frecuencias que exceden de 1 GHz, puesto que incluso en estas frecuencias el diodo tiene una impedancia muy alta cuando est

inversamente polarizado y muy baja cuando esta polarizado en sentido directo. Adems, las tensiones de ruptura estn
comprendidas en el margen de 100 a 1000 V.
En virtud de las caractersticas del diodo PIN se le puede utilizar como interruptor o como modulador de amplitud en
frecuencias de microondas ya que para todos los propsitos se le puede presentar como un cortocircuito en sentido directo y
como un circuito abierto en sentido inverso. Tambin se le puede utilizar para conmutar corrientes muy intensas y/o tensiones
muy grandes.
El diodo se forma partiendo de silicio tipo P de alta resistividad. La capa P de baja resistividad representada, est esta formada
por difusin de tomos de boro en un bloque de silicio tipo P y la capa N muy delgada est formada difundiendo grandes
cantidades de fsforo. La regin intrnseca i es realmente una regin P de alta resistividad y se suele denominar regin p.
Cuando el circuito est abierto, los electrones fluyen desde la regin i(p) hasta la regin P para recombinarse con los huecos en
exceso, y los huecos fluyen desde la regin i para recombinarse con los electrones de la regin N. Si el material i(p) fuese
verdaderamente intrnseco, la cada de tensin en la regin i sera nula, puesto que la emigracin de huecos sera igual a la
emigracin de electrones. Si embargo, como el material es en verdad p (P de alta resistividad), hay mas huecos disponibles que
electrones.
Cuando se aplica una polarizacin inversa al diodo los electrones y los huecos del material p son barridos (swept free). Un
posterior aumento de la tensin inversa simplemente incrementa las distribuciones de tensiones P-I e I-N. En el diodo PIN la
longitud de la regin de transicin L es aproximadamente igual a la regin i y aproximadamente independiente de la tensin
inversa. Por lo tanto, a diferencia de los diodos PN o Schottky, el diodo PIN tiene una capacidad inversa que es
aproximadamente constante, independiente de la polarizacin. Una variacin tpica de la capacidad podra ser desde 0,15 hasta
0,14 pF en una variacin de la polarizacin inversa de, por ejemplo, 100 V. En virtud de que es igual a la longitud de la regin i,
la longitud de la regin de transicin es aproximadamente constante y considerablemente mayor que la de otros diodos y, por lo
tanto, la capacidad CR, que es proporcional a 1/L es significativamente menor que la de otros diodos, por lo que el diodo PIN es
apropiado para aplicaciones de microondas. Los valores normales de CR varan desde 0,1 pF hasta 4 pF en los diodos PIN,
comercialmente asequibles.
Cuando el diodo est polarizado en sentido directo, los huecos del material P se difunden el la regin p, creando una capa P de
baja resistividad. La corriente es debida al flujo de los electrones y de los huecos cuyas concentraciones son aproximadamente
iguales en la regin i. En la condicin de polarizacin directa la cada de tensin en la regin i es muy pequea. Adems, al igual
que el diodo PN, cuando aumenta la corriente, tambin disminuye la resistencia. En consecuencia el diodo PIN es un dispositivo
con su resistencia o conductancia modulada. En una primera aproximacin, la resistencia rd en pequea seal es inversamente
proporcional a la corriente IDQ con polarizacin directa, lo mismo que en el diodo PN.
En frecuencias de microondas se representa de maneras mas sencillas por una capacidad CR en serie con la resistencia directa
rd. Con tensiones directas, CR es aproximadamente infinita, mientras que en polarizacin inversa, rd es aproximadamente nula.
La capacidad CS es la capacidad parsita paralelo que se produce soldando el diodo a la cpsula y LS es la inductancia serie
debida a los hilos de conexin desde el diodo hasta la cpsula.
Diodos Varactores (Varicap)
Los diodos varactores [llamados tambin varicap (diodo con capacitancia-voltaje variable) o sintonizadores] son
semiconductores dependientes del voltaje, capacitores variables. Su modo de operacin depende de la capacitancia que existe en
la unin P-N cuando el elemento est polarizado inversamente. En condiciones de polarizacin inversa, se estableci que hay
una regin sin carga en cualquiera de los lados de la unin que en conjunto forman la regin de agotamiento y definen su ancho
Wd. La capacitancia de transicin (CT) establecida por la regin sin carga se determina mediante:
CT = E (A/Wd)
donde E es la permitibilidad de los materiales semiconductores, A es el rea de la unin P-N y Wd el ancho de la regin de
agotamiento.
Conforme aumenta el potencial de polarizacin inversa, se incrementa el ancho de la regin de agotamiento, lo que a su vez
reduce la capacitancia de transicin. El pico inicial declina en CT con el aumento de la polarizacin inversa. El intervalo normal
de VR para diodos varicap se limita aproximadamente 20V. En trminos de la polarizacin inversa aplicada, la capacitancia de
transicin se determina en forma aproximada mediante:
CT = K / (VT + VR)n
donde:
K = constante determinada por el material semiconductor y la tcnica de construccin.
VT = potencial en la curva segn se defini en la seccin
VR = magnitud del potencial de polarizacin inversa aplicado
n = para uniones de aleacin y 1/3 para uniones de difusin
El diodo tnel

En 1958, el fsico japons Esaki, descubri que los diodos semiconductores obtenidos con un grado de contaminacin del
material bsico mucho mas elevado que lo habitual exhiben una caracterstica tensin-corriente muy particular. La corriente
comienza por aumentar de modo casi proporcional a la tensin aplicada hasta alcanzar un valor mximo, denominado corriente
de cresta. A partir de este punto, si se sigue aumentando la tensin aplicada, la corriente comienza a disminuir y lo siga haciendo
hasta alcanzar un mnimo, llamado corriente de valle, desde el cual de nuevo aumenta. El nuevo crecimiento de la corriente es al
principio lento, pero luego se hace cada vez mas rpido hasta llegar a destruir el diodo si no se lo limita de alguna manera. Este
comportamiento particular de los diodos muy contaminados se debe a lo que los fsicos denominan efecto tnel, del que no nos
ocuparemos aqu debido a su complejidad. Para las aplicaciones prcticas del diodo tnel, la parte mas interesante de su curva
caracterstica es la comprendida entre la cresta y el valle. En esta parte de la curva a un aumento de la tensin aplicada
corresponde una disminucin de la corriente; en otros trminos, la relacin entre un incremento de la tensin y el incremento
resultante de la corriente es negativa y se dice entonces que esta parte de la curva representa una "resistencia incremental
negativa". Una resistencia negativa puede compensar total o parcialmente una resistencia positiva. As, por ejemplo, las prdidas
que se producen en un circuito resonante a causa de la presencia siempre inevitable de cierta resistencia en el, se compensa
asociando al circuito una resistencia negativa de valor numrico conveniente y realizada por ejemplo, mediante un diodo tnel.
En tal caso el circuito oscilante se transforma en un oscilador. Los ejemplo de circuito que se describen a continuacin muestra
como puede aprovecharse este fenmeno en la prctica.
Diodo de contacto puntual
El rectificador de contacto puntual consiste en un semiconductor sobre el que descansa la punta de un alambre delgado.
La curva de corriente versus voltaje es cualitativamente similar a la del diodo de unin. Sin embargo, para un voltaje positivo
dado, el diodo de contacto puntual conduce algo mas de corriente. Ms an, conforme el voltaje negativo aumenta, la corriente
inversa tiende a aumentar mas bien que permanecer aproximadamente constante. La marca inflexin en la curva del diodo de
unin en -V no ocurre en los diodos de contacto puntual, dado que el calentamiento de tal punto ocurre a voltajes mucho mas
bajos y produce un aumento gradual de la conductancia en la direccin negativa.

Fuentes de alimentacin
Componentes de una fuente de alimentacin:
La funcin de una fuente de alimentacin es convertir la tensin alterna en una tensin continua y lo mas estable posible, para
ello se usan los siguientes componentes: 1.- Transformador de entrada; 2.- Rectificador a diodos; 3.- Filtro para el rizado; 4.Regulador (o estabilizador) lineal. este ltimo no es imprescindible.

Transformador de entrada:
El trasformador de entrada reduce la tensin de red (generalmente 220 o 120 V) a otra tensin mas adecuada para ser tratada.
Solo es capaz de trabajar con corrientes alternas. esto quiere decir que la tensin de entrada ser alterna y la de salida tambin.
Consta de dos arrollamientos sobre un mismo ncleo de hierro, ambos arrollamientos, primario y secundario, son
completamente independientes y la energa elctrica se transmite del primario al secundario en forma de energa magntica a
travs del ncleo. el esquema de un transformador simplificado es el siguiente:

La corriente que circula por el arrollamiento primario (el cual esta conectado a la red) genera una circulacin de corriente
magntica por el ncleo del transformador. Esta corriente magntica ser mas fuerte cuantas mas espiras (vueltas) tenga el
arroyamiento primario. Si acercas un imn a un transformador en funcionamiento notars que el imn vibra, esto es debido a
que la corriente magntica del ncleo es alterna, igual que la corriente por los arrollamientos del transformador.

En el arroyamiento secundario ocurre el proceso inverso, la corriente magntica que circula por el ncleo genera una tensin
que ser tanto mayor cuanto mayor sea el nmero de espiras del secundario y cuanto mayor sea la corriente magntica que
circula por el ncleo (la cual depende del numero de espiras del primario).
Por lo tanto, la tensin de salida depende de la tensin de entrada y del nmero de espiras de primario y secundario. Como
frmula general se dice que:
V1 = V2 * (N1/N2)
Donde N1 y N2 son el nmero de espiras del primario y el del secundario respectivamente.
As por ejemplo podemos tener un transformador con una relacin de transformacin de 220V a 12V, no podemos saber cuantas
espiras tiene el primario y cuantas el secundario pero si podemos conocer su relacin de espiras:
N1/N2 = V1/V2
N1/N2 = 220/12 = 18,33
Este dato es til si queremos saber que tensin nos dar este mismo transformador si lo conectamos a 120V en lugar de 220V, la
tensin V2 que dar a 120V ser:
120 = V2 * 18,33
V2 = 120/18,33 = 6,5 V
Por el primario y el secundario pasan corrientes distintas, la relacin de corrientes tambin depende de la relacin de espiras
pero al revs, de la siguiente forma:
I2 = I1 * (N1/N2)
Donde I1 e I2 son las corrientes de primario y secundario respectivamente. Esto nos sirve para saber que corriente tiene que
soportar el fusible que pongamos a la entrada del transformador, por ejemplo, supongamos que el transformador anterior es de
0.4 Amperios. Esta corriente es la corriente mxima del secundario I2, pero nosotros queremos saber que corriente habr en el
primario (I1) para poner all el fusible. Entonces aplicamos la frmula:
I2 = I1 * (N1/N2)
0.4 = I1 * 18.33
I1 = 0.4 / 18.33 = 21,8 mA
Para asegurarnos de que el fusible no saltar cuando no debe se tomar un valor mayor que este, por lo menos un 30% mayor.
Como ejercicio puedes calcular la tensin que tendramos si, con el transformador anterior, nos equivocamos y conectamos a la
red el lado que no es, cualquiera mete la mano ah... (por si acaso no pruebe a hacerlo en la realidad ya que el aislamiento del
secundario de los transformadores no suelen estar preparados para tensiones tan altas)
Rectificador a diodos
El rectificador es el que se encarga de convertir la tensin alterna que sale del transformador en tensin continua. Para ello se
utilizan diodos. Un diodo conduce cuando la tensin de su nodo es mayor que la de su ctodo. Es como un interruptor que se
abre y se cierra segn la tensin de sus terminales:

El rectificador se conecta despus del transformador, por lo tanto le entra tensin alterna y tendr que sacar tensin continua, es
decir, un polo positivo y otro negativo:

La tensin Vi es alterna y senoidal, esto quiere decir que a veces es positiva y otras negativa. En un osciloscopio veramos esto:

La tensin mxima a la que llega Vi se le llama tensin de pico y en la grfica figura como Vmax. la tensin de pico no es lo
mismo que la tensin eficaz pero estan relacionadas, Por ejemplo, si compramos un transformador de 6 voltios son 6 voltios
eficaces, estamos hablando de Vi. Pero la tensin de pico Vmax vendr dada por la ecuacin:
Vmax = Vi * 1,4142
Vmax = 6 * 1,4142 = 8,48 V
Rectificador a un diodo
El rectificador mas sencillo es el que utiliza solamente un diodo, su esquema es este:

Cuando Vi sea positiva la tensin del nodo ser mayor que la del ctodo, por lo que el diodo conducir: en Vo veremos lo mismo
que en Vi
Mientras que cuando Vi sea negativa la tensin del nodo ser menor que la del ctodo y el diodo no podr conducir, la tensin
Vo ser cero.
Segn lo que acabamos de decir la tensin Vo tendr esta forma:

Como puedes comprobar la tensin que obtenemos con este rectificador no se parece mucho a la de una batera, pero una cosa
es cierta, hemos conseguido rectificar la tensin de entrada ya que Vo es siempre positiva. Aunque posteriormente podamos
filtrar esta seal y conseguir mejor calidad este esquema no se suele usar demasiado.
Rectificador en puente
El rectificador mas usado es el llamado rectificador en puente, su esquema es el siguiente:

Cuando Vi es positiva los diodos D2 y D3 conducen, siendo la salida Vo igual que la entrada Vi
Cuando Vi es negativa los diodos D1 y D4 conducen, de tal forma que se invierte la tensin de entrada Vi haciendo que la salida
vuelva a ser positiva.
El resultado es el siguiente:

Vemos en la figura que todava no hemos conseguido una tensin de salida demasiado estable, por ello, ser necesario filtrarla
despus.
Es tan comn usar este tipo de rectificadores que se venden ya preparados los cuatro diodos en un solo componente. Suele ser
recomendable usar estos puentes rectificadores, ocupan menos que poner los cuatro diodos y para corrientes grandes vienen ya
preparados para ser montados en un radiador. Este es el aspecto de la mayora de ellos:

Tienen cuatro terminales, dos para la entrada en alterna del transformador, uno la salida positiva y otro la negativa o masa. Las
marcas en el encapsulado suelen ser:
~ Para las entradas en alterna
+ Para la salida positiva
- Para la salida negativa o masa.
Rectificador a dos diodos
La forma de la onda de salida es idntica a la del rectificador en puente, sin embargo este rectificador precisa de un
transformador con toma media en el secundario. Un transformador de este tipo tiene una conexin suplementaria en la mitad
del arrollamiento secundario:

Normalmente se suele tomar como referencia o masa la toma intermedia, de esta forma se obtienen dos seales senoidales en
oposicin de fase. dos seales de este tipo tienen la siguiente forma:

El esquema del rectificador con dos diodos es el siguiente:

Tal y como son las tensiones en A y en B nunca podrn conducir ambos diodos a la vez. Cuando A sea positiva (B negativa) el
nodo de D1 estar a mayor tensin que su ctodo, provocando que D1 conduzca. Cuando B sea positiva (A negativa) el nodo de
D2 estar a mayor tensin que su ctodo, provocando que D2 conduzca. Obtenindose la misma forma de Vo que con el puente
rectificador:

La ventaja de este montaje es que solo utiliza dos diodos y solo conduce uno cada vez.

Cada de tensin en los diodos:

Cuando hablbamos de los diodos decamos que eran como interruptores que se abren y se cierran segn la tensin de sus
terminales. Esto no es del todo correcto, cuando un diodo est cerrado tiene una cada de tensin de entre 0,7 voltios y 1 voltio,
dependiendo de la corriente que este conduciendo esta cada puede ser mayor.
Esto quiere decir que por cada diodo que este conduciendo en un momento determinado se "pierde" un voltio
aproximadamente.
En el rectificador de un diodo conduce solamente un diodo a la vez, por lo tanto la tensin de pico Vmax de la salida ser un
voltio inferior a la de la Vmax de entrada. Por ejemplo: supn que tienes un transformador de 6 V y quieres saber la tensin de
pico que te queda cuando le pones un rectificador de un diodo, la tensin de salida de pico Vmax ser la siguiente:
Vmax = 6 * 1.4142 - 1 = 7,5 V
En el rectificador en puente conducen siempre dos diodos a la vez, se dice que conducen dos a dos, por lo tanto la tensin de pico
de la salida Vmax ser dos voltios inferior a la Vmax de entrada. Por ejemplo: supn el mismo transformador de 6 voltios y
quieres saber la tensin de pico que te queda al ponerle un rectificador en puente, la tensin de salida de pico Vmax ser la
siguiente:
Vmax = 6 * 1.4142 - 2 = 6,5 V
Quizs te extrae que el rectificador en puente sea el mas usado pese a que "pierde" mas voltios. Pero ten en cuenta que la forma
de onda del rectificador con un diodo y el rectificador en puente no son iguales y al final acaba rindiendo mucho mejor el puente
de diodos.
El filtro:
La tensin en la carga que se obtiene de un rectificador es en forma de pulsos. En un ciclo de salida completo, la tensin en la
carga aunmenta de cero a un valor de pico, para caer despues de nuevo a cero. Esta no es la clase de tensin continua que
precisan la mayor parte de circuitos electrnicos. Lo que se necesita es una tensin constante, similar a la que produce una
batera. Para obtener este tipo de tensin rectificada en la carga es necesario emplear un filtro.
El tipo mas comn de filtro es el del condensador a la entrada, en la mayora de los casos perfectamente vlido. Sin embargo en
algunos casos puede no ser suficiente y tendremos que echar mano de algunos componentes adicionales.
Filtro con condensador a la entrada:
Este es el filtro mas comn y seguro que lo conocers, basta con aadir un condensador en paralelo con la carga (RL), de esta
forma:

Todo lo que digamos en este apartado ser aplicable tambin en el caso de usar el filtro en un rectificador en puente.
Cuando el diodo conduce el condensador se carga a la tensin de pico Vmax. Una vez rebasado el pico positivo el condensador se
abre. Por que? debido a que el condensador tiene una tensin Vmax entre sus extremos, como la tensin en el secundario del
transformador es un poco menor que Vmax el ctodo del diodo esta a mas tensin que el nodo. Con el diodo ahora abierto el
condensador se descarga a travs de la carga. Durante este tiempo que el diodo no conduce el condensador tiene que "mantener
el tipo" y hacer que la tensin en la carga no baje de Vmax. Esto es prcticamente imposible ya que al descargarse un
condensador se reduce la tensin en sus extremos.
Cuando la tensin de la fuente alcanza de nuevo su pico el diodo conduce brevemente recargando el condensador a la tensin de
pico. En otras palabras, la tensin del condensador es aproximadamente igual a la tensin de pico del secundario del
transformador (hay que tener en cuenta la cada en el diodo). La tensin Vo quedar de la siguiente forma:

La tensin en la carga es ahora casi una tensin ideal. Solo nos queda un pequeo rizado originado por la carga y descarga del
condensador. Para reducir este rizado podemos optar por construir un rectificador en puente: el condensador se cargara el
doble de veces en el mismo intervalo teniendo as menos tiempo para descargarse, en consecuencia el rizado es menor y la
tensin de salida es mas cercana a Vmax.
Otra forma de reducir el rizado es poner un condensador mayor, pero siempre tenemos que tener cuidado en no pasarnos ya que
un condensador demasiado grande origina problemas de conduccin de corriente por el diodo y, por lo tanto, en el secundario
del transformador (la corriente que conduce el diodo es la misma que conduce el transformador).
Efecto del condensador en la conduccin del diodo:
Como venimos diciendo hasta ahora, el diodo solo conduce cuando el condensador se carga. Cuando el condensador se carga
aumenta la tensin en la salida, y cuando se descarga disminuye, por ello podemos distinguir perfectamente en el grfico cuando
el diodo conduce y cuando no. En la siguiente figura se ha representado la corriente que circula por el diodo, que es la misma
que circula por el transformador:

La corriente por el diodo es a pulsos, aqu mostrados como rectngulos para simplificar. Los pulsos tienen que aportar suficiente
carga al condensador para que pueda mantener la corriente de salida constante durante la no conduccin del diodo. Esto quiere
decir que el diodo tiene que conducir "de vez" todo lo que no puede conducir durante el resto del ciclo. Es muy normal, entonces,
que tengamos una fuente de 1 Amperio y esos pulsos lleguen hasta 10 Amperios o mas. Esto no quiere decir que tengamos que
poner un diodo de 10 amperios, Un 1N4001 aguanta 1 amperio de corriente media y pulsos de hasta 30 amperios.
Si ponemos un condensador mayor reducimos el rizado, pero al hacer esto tambin reducimos el tiempo de conduccin del
diodo, Como la corriente media que pasa por los diodos ser la misma (e igual a la corriente de carga) los pulsos de corriente se
hacen mayores:

Y esto no solo afecta al diodo, al transformador tambin, ya que a medida que los pulsos de corriente se hacen mas estrechos (y
mas altos a su vez) la corriente eficaz aumenta. Si nos pasamos con el condensador podramos encontrarnos con que tenemos un
transformador de 0,5 A y no podemos suministrar mas de 0,2 A a la carga (por poner un ejemplo).
Valores recomendables para el condensador en un RECTIFICADOR EN PUENTE:
Si quieres ajustar el valor del condensador al menor posible esta frmula te dar el valor del condensador para que el rizado sea
de un 10% de Vo (regla del 10%):
C = (5 * I) / (f * Vmax)
donde:
C: Capacidad del condensador del filtro en faradios
I: Corriente que suministrar la fuente
f: frecuencia de la red
Vmax: tensin de pico de salida del puente (aproximadamente Vo)
Si se quiere conseguir un rizado del 7% puedes multiplicar el resultado anterior por 1,4, y si quieres un rizado menor resulta mas
recomendable que uses otro tipo de filtro o pongas un estabilizador.
Ejemplo prctico:
Se desea disear una fuente de alimentacin para un circuito que consume 150 mA a 12V. El rizado deber ser inferior al 10%.
Para ello se dispone de un transformador de 10 V y 2,5 VA y de un rectificador en puente. Elegir el valor del Condensador:
1.- Calculamos la corriente que es capaz de suministrar el transformador para determinar si ser suficiente, esta corriente tendr
que ser superior a la corriente que consume el circuito que vamos a alimentar
It = 2,5 / 10 = 250 mA
Parece que sirve, como calcularlo resulta bastante mas complicado nos fiaremos de nuestra intuicin. Ten en cuenta siempre
que el transformador tiene que ser de mas corriente de la que quieras obtener en la carga.
2.- Calculamos la Vmax de salida del puente rectificador teniendo en cuenta la cada de tensin en los diodos (conducen dos a
dos).
Vmax = 10 * 1,4142 - 2 = 12,14 V
Esta ser aproximadamente la tensin de salida de la fuente.
3.- Calculamos el valor del condensador segn la frmula del 10%, la I es de 150 mA la f es 50 Hz en Europa y la Vmax es 12,14
V:
C = (5 * 0,15) / (50 * 12,14) = 0,0012355 F
C = 1235,5 F
tomaremos el valor mas aproximado por encima.
Filtros Pasivos RC y LC:
Con la regla del 10 por 100 se obtiene una tensin continua en la carga de aproximadamente el 10%. Antes de los aos setenta se
conectaban filtros pasivos entre el condensador del filtro y la carga para reducir el rizado a menos del 1%. La intencin era
obtener una tensin continua casi perfecta, similar a la que proporciona una pila. En la actualidad es muy raro ver filtros pasivos
en diseos de circuitos nuevos, es mas comn usar circuitos estabilizadores de tensin. Sin embargo estos estabilizadores tienen
sus limitaciones y es posible que no te quede mas remedio que usar un filtro pasivo.
Filtro RC:

La figura muestra dos filtros RC entre el condensador de entrada y la resistencia de carga. El rizado aparece en las resistencias
en serie en lugar de hacerlo en la carga. Unos buenos valores para las resistencias y los condensadores seran:
R = 6,8 O
C = 1000 F
Con estos valores cada seccin atena el rizado en un factor de 10, puedes poner una, dos, tres secciones. No creo que necesites
mas.
La desventaja principal del filtro RC es la prdida de tensin en cada resistencia. Esto quiere decir que el filtro RC es adecuado
solamente para cargas pequeas. Es muy til cuando tienes un circuito digital controlando rels, en ocasiones estos rels crean
ruidos en la alimentacin provocando el mal funcionamiento del circuito digital, con una seccin de este filtro para la
alimentacin digital queda solucionado el problema.
La cada de tensin en cada resistencia viene dada por la ley de Ohm:
V=I*R
donde I es la corriente de salida de la fuente y R la resistencia en serie con la carga.
Filtro LC:

Cuando la corriente por la carga es grande, los filtros LC de la figura presentan una mejora con respecto a los filtros RC. De
nuevo, la idea es hacer que el rizado aparezca en los componentes en serie, las bobinas en este caso. Adems, la cada de tensin
continua en las bobinas es es mucho menos porque solo intervienen la resistencia de los arrollamientos.
Los condensadores pueden ser de 1000 F y las bobinas cuanto mas grandes mejor. Normalmente estas ltimas suelen ocupar
casi tanto como el transformador y, de hecho, parecen transformadores, menos mal que con una sola seccin ya podemos
reducir el rizado hasta niveles bajsimos.
El regulador:
Un regulador o estabilizador es un circuito que se encarga de reducir el rizado y de proporcionar una tensin de salida de la
tensin exacta que queramos. En esta seccin nos centraremos en los reguladores integrados de tres terminales que son los mas
sencillos y baratos que hay, en la mayora de los casos son la mejor opcin.
Este es el esquema de una fuente de alimentacin regulada con uno de estos reguladores:

Si has seguido las explicaciones hasta ahora no te costar trabajo distinguir el transformador, el puente rectificador y el filtro
con condensador a la entrada. Suele ser muy normal ajustar el condensador segn la regla del 10%
Es muy corriente encontrarse con reguladores que reducen el rizado en 10000 veces (80 dB), esto significa que si usas la regla
del 10% el rizado de salida ser del 0.001%, es decir, inapreciable.
Las ideas bsicas de funcionamiento de un regulador de este tipo son:
. La tensin entre los terminales Vout y GND es de un valor fijo, no variable, que depender del modelo de regulador que se
utilice.
. La corriente que entra o sale por el terminal GND es prcticamente nula y no se tiene en cuenta para analizar el circuito de
forma aproximada. Funciona simplemente como referencia para el regulador.
. La tensin de entrada Vin deber ser siempre unos 2 o 3 V superior a la de Vout para asegurarnos el correcto funcionamiento.
Reguladores de la serie 78XX:

Este es el aspecto de un regulador de la serie 78XX. Su caracterstica principal es que la tensin entre los terminales Vout y GND
es de XX voltios y una corriente mxima de 1A. Por ejemplo: el 7805 es de 5V, el 7812 es de 12V... y todos con una corriente
mxima de 1 Amperio. Se suelen usar como reguladores fijos.
Existen reguladores de esta serie para las siguientes tensiones: 5, 6, 8, 9, 10, 12, 15, 18 y 24 voltios. Se ponen siguiendo las
indicaciones de la pgina anterior y ya esta, obtenemos una Vout de XX Voltios y sin rizado.
Es posible que tengas que montar el regulador sobre un radiador para que disipe bien el calor, pero de eso ya nos ocuparemos
mas adelante.
Reguladores de la serie 79XX:

El aspecto es como el anterior, sin embargo este se suele usar en combinacin con el 78XX para suministrar tensiones
simtricas. la tensin entre Vout y GND es de - XX voltios, por eso se dice que este es un regulador de tensin negativa. La forma
de llamarlos es la misma: el 7905 es de 5V, el 7912 es de 12... pero para tensiones negativas.
Una fuente simtrica es aquella que suministra una tensin de + XX voltios y otra de - XX voltios respecto a masa. Para ello hay
que usar un transformador con doble secundario, mas conocido como "transformador de toma media" o "transformador con

doble devanado". En el siguiente ejemplo se ha empleado un transformador de 12v + 12v para obtener una salida simtrica de
12v:

El valor de C puedes ajustarlo mediante la regla del 10%.

Regulador ajustable LM317:
Este regulador de tensin proporciona una tensin de salida variable sin mas que aadir una resistencia y un potencimetro. Se
puede usar el mismo esquema para un regulador de la serie 78XX pero el LM317 tiene mejores caractersticas elctricas. El
aspecto es el mismo que los anteriores, pero este soporta 1,5A. el esquema a seguir es el siguiente:

En este regulador, como es ajustable, al terminal GND se le llama ADJ, es lo mismo.

La tensin entre los terminales Vout y ADJ es de 1,25 voltios, por lo tanto podemos calcular inmediatamente la corriente I1 que
pasa por R1:
I1 = 1,25 / R1
Por otra parte podemos calcular I2 como:
I2 = (Vout - 1,25) / R2
Como la corriente que entra por el terminal ADJ la consideramos despreciable toda la corriente I1 pasar por el potencimetro
R2. es decir:
I1 = I2

1,25 / R1 = (Vout - 1,25) / R2

que despejando Vout queda:
Vout = 1,25 * (1 + R2/R1)
Si consultas la hoja de caractersticas del LM317 vers que la frmula obtenida no es exactamente esta. Ello es debido a que tiene
en cuenta la corriente del terminal ADJ. El error cometido con esta aproximacin no es muy grande pero si quieres puedes usar
la frmula exacta.
Observando la frmula obtenida se pueden sacar algunas conclusiones: cuando ajustes el potencimetro al valor mnimo (R2 =
0O) la tensin de salida ser de 1,25 V. Cuando vayas aunmentando el valor del potencimetro la tensin en la salida ir
aumentando hasta que llegue al valor mximo del potencimetro.
Por lo tanto ya sabemos que podemos ajustar la salida desde 1,25 en adelante. En realidad el fabricante nos avisa que no
pasemos de 30V.
Clculo de R1 y R2:
Los valores de R1 y R2 dependern de la tensin de salida mxima que queramos obtener. Como solo disponemos de una
ecuacin para calcular las 2 resistencias tendremos que dar un valor a una de ellas y calcularemos la otra.
Lo mas recomendable es dar un valor de 240O a R1 y despejar de la ltima ecuacin el valor de R2 (el potencimetro). La
ecuacin queda de la siguiente manera:
R2 = (Vout - 1,25) * (R1/1,25)
Por ejemplo:
Queremos disear una fuente de alimentacin variable de 1,25 a 12v. Ponemos que R1 = 240O. Solo tenemos que aplicar la
ltima frmula con Vout = 12 y obtenemos R2:
R2 = (12 - 1,25) * (240 / 1,25) = 2064 O
El valor mas prximo es el de 2 KO, ya tendramos diseada la fuente de alimentacin con un potencimetro R2 de 2 KO y una
resistencia R1 de 240 O.
En teora podemos dar cualquier valor a R1 pero son preferibles valores entre 100O y 330O.
Regulador Ajustable de potencia LM350:

El LM317 es muy til para conseguir tensiones variables, sin embargo no es capaz de suministrar mas de 1,5A a la carga. El
LM350 es otro regulador variable que funciona exactamente igual que el LM317, con la diferencia de que este es capaz por si solo
de suministrar 3A.
Para conseguir mas de 3 A podemos acudir al siguiente esquema que utiliza un transistor de paso para ampliar la corriente:

En este circuito, la resistencia de 0,6 O se usa para detectar la mxima corriente que pasar por el regulador. Cuando la
corriente es menor de 1 A, la tensin en bornes de los 0,6 O es menor que 0,6 V y el transistor est cortado. En este caso el
regulador de tensin trabaja solo.
Cuando la corriente de carga es mayor de 1 A, la tensin en bornes de los 0,6 O es mayor de 0,6 V y el transistor entra en
conduccin. este transistor exterior suministra la corriente de carga extra superior a 1 A. En definitiva, el regulador solamente
conducir una corriente poco superior a 1 A mientras que el transistor conducir el resto, por ello podramos cambiar
tranquilamente en este circuito el LM350 por un LM317.
La resistencia de 0,6 O ser de 3 o 4 W dependiendo del transistor empleado.
Si montamos el circuito con un transistor TIP32 podremos obtener 4 A, ya que el TIP32 soporta una corriente mxima de 3A. Y
si lo montamos con un MJ15016 podemos llegar hasta 16A. Puedes usar cualquier otro transistor de potencia PNP.
Disipacin de potencia en los reguladores:
Cuando un regulador esta funcionando se calienta. Esto es debido a que parte de la potencia tomada del rectificador es disipada
en el regulador. La potencia disipada depende de la corriente que se est entregando a la carga y de la cada de tensin que haya
en el regulador.

La figura muestra un regulador funcionando. La corriente que lo atraviesa es la corriente de la carga IL. Recordemos tambin
que para que un regulador funcione correctamente la tensin de entrada Vin tenia que ser mayor que la tensin de salida Vout.
Por lo tanto la cada de tensin en el regulador Vr ser:
Vr = Vin - Vout
Y la potencia disipada vendr dada por la la siguiente ecuacin:
PD = Vr * IL
Los reguladores que hemos visto son capaces de disipar una potencia de 2 o 3 W como mucho por si solos. Si se llega a esta
potencia es necesario montarlos sobre unos radiadores adecuados, que sern mas grandes cuanta mas potencia queramos
disipar.

Para evitar que la potencia disipada sea lo menor posible tendrs que procurar que Vin no sea mucho mayor que Vout.
Ejemplo 1:
Tenemos una fuente de alimentacin variable desde 1,25v a 15v y 0,5A con un LM317. Como la tensin mxima de salida son
15v, la tensin de entrada al regulador tendr que ser de 18v mas o menos. Vamos a calcular la potencia que disipa el regulador
cuando ajustamos la fuente a 15v, 4v y 2v En todos los casos la corriente de salida ser 0,5A.
a 15v la cada de tensin en el regulador ser de 18 - 15 = 3V, la corriente es 0,5 A luego:
PD = 3 * 0,5 = 1,5 W
a 4v la cada de tensin en el regulador ser de 18 - 4 = 14v, la corriente es 0,5A luego:
PD = 14 * 0,5 = 7 W
a 2v la cada de tensin en el regulador ser de 18 - 2 = 16v, la corriente es 0,5A luego:
PD = 16 * 0,5 = 8 W
Fjate que hemos hecho los clculos para el mejor de los casos en el que nos hemos preocupado de que la tensin de entrada al
regulador no sea mas de la necesaria, aun as tenemos que poner un radiador que pueda disipar poco mas de 8W. Es un radiador
bastante grande para una fuente de medio amperio nada mas. Este es un problema que surge cuando queremos disear una
fuente con un alto rango de tensiones de salida. Prueba a hacer el clculo para una fuente variable hasta 30v y 1A, salen mas de
30 W.
Ejemplo 2:
Queremos una fuente fija con una salida de 5V y 0.5A, vamos a calcular la potencia que se disipa en el regulador usando un
transformador de 7 voltios y otro de 12 voltios.
para el transformador de 7 voltios: La Vmax de salida del transformador ser 7 * 1,4142 = 9,9v descontando la cada en los
diodos del puente sern 7,9v a la entrada del regulador. Como la salida es de 5v la potencia disipada PD ser:
PD = (7,9 - 5) * 0,5 = 1,45 W
para el transformador de 12 voltios: La Vmax de salida del transformador ser 12 * 1,4142 = 16,9v descontando la cada en los
diodos del puente sern 14,9v a la entrada del regulador. Como la salida es de 5v la potencia disipada PD ser:
PD = (14,9 - 5) * 0,5 = 4,95 W
Con los dos transformadores estaramos consiguiendo una salida de 5v y 0,5 A, sin embargo, con el de 12V nos hara falta poner
un radiador en el regulador que nos podramos haber ahorrado comprando un transformador de 7V.
DIODOS PARA APLICACIONES ESPECIALES
Los objetivos de este tema sern los siguientes:

Saber utilizar el diodo Zener y calcular algunos valores relacionados con su uso.
Enumerar algunos dispositivos optoelectrnicos y describir su comportamiento.
Describir dos ventajas de los diodos Schottky en comparacin con los dems diodos.
Explicar el funcionamiento de un varicap.
Enumerar cuatro parmetros de inters en la hoja de caractersticas de un diodo Zener.

El diodo Zener
Caracterstica
Modelo ideal (1 aproximacin)
2 aproximacin

La aplicacin de estos diodos se ve en los Reguladores de Tensin y acta como dispositivo de tensin constante (como una
pila).
Smbolo:

Caracterstica
Su grfica es de la siguiente forma:

Un diodo normal tambin tiene una zona de ruptura, pero no puede funcionar en l, con el Zener si se puede trabajar en esa
zona.

La potencia mxima que resiste en la "Zona de Ruptura" ("Zona Zener"):

En la zona de ruptura se produce el "Efecto Avalancha" "Efecto Zener", esto es, la corriente aumenta bruscamente.
Para fabricar diodos con un valor determinado de tensin de ruptura (V z) hay que ver la impurificacin porque Vz es funcin de
la impurificacin (NA ND), depende de las impurezas.

La zona de ruptura no es una vertical, realmente tiene una inclinacin debida a R z:

En un "Diodo Zener Real" todos son curvas, pero para facilitar los clculos se aproxima siempre.

Las aproximaciones para el zener son estas:

Modelo ideal (1 aproximacin)

Si buscamos su equivalente veremos que es una pila con la tensin VZ.

Esto solo es vlido entre IZmn y IZmx.

2 aproximacin

Como en el caso anterior lo sustituimos por un modelo equivalente:

El circuito es un limitador con diodos zener. En este circuito, cuando un diodo esta polarizado en directa, el otro diodo lo estar
en inversa.
Se utiliza la segunda aproximacin de los diodos.
Podemos variar la escala de la grfica modificando la escala del eje y.
Cada vez que se introduzcan nuevos datos, pulsar el botn "Calcular".
Para realizacin de esta simulacin se han tomado estas equivalencias:
RL = Rload VL = Vload
El Regulador Zener
Regulador de tensin en vaco (sin carga)
Regulador de tensin con carga
Anteriormente habamos visto este circuito:

Primeramente supondremos que estn conectados directamente, por lo tanto v C = vL entonces:

Problemas que podemos tener:

RL variable (variaciones de carga).

Variaciones de tensin de red (variaciones de red).

Debido a estos dos problemas la onda de salida de ese circuito puede variar entre dos valores y como nuestro objetivo es obtener
una tensin constante a la salida tendremos que hacer algo. Para resolver este problema ponemos un regulador de tensin
basado en el diodo zener.

Ahora vamos a analizar este regulador de tensin.

Regulador de tensin en vaco (sin carga)

vS estar entre un mnimo y un mximo, y el regulador tiene que

funcionar bien entre esos 2 valores (vSmx y vSmn).En este caso vS
lo pondremos como una pila variable.

Adems para que funcione correctamente el zener tiene que trabajar en la zona de ruptura.

Para que est en ruptura se tiene que cumplir:

Ejemplo: Comprobar si funciona bien el siguiente circuito:

Hay que ver si en la caracterstica los valores se encuentran entre I Zmn y IZmx para comprobar si funciona bien.

Funciona bien porque se encuentra entre los dos valores (mximo y mnimo). La salida es constante, lo que
absorbe la tensin que sobra es la R (que es la resistencia limitadora).

Regulador de tensin con carga

Para comprobar que estamos en ruptura calculamos el equivalente de Thevenin desde las bornas de la tensin
VZ:

Como en el anterior caso los valores del circuito tienen que estar entre un mximo y un mnimo:

El zener absorbe la corriente sobrante (IZ variable) y la resistencia (R) la tensin sobrante. Entonces a la
salida la forma de la onda es la siguiente:

2 aproximacin

El circuito equivalente sera de la siguiente forma:

A ese circuito se le aplica la superposicin:

Como la superposicin es la suma de estos 2 circuitos la solucin ser esta:

Con esto se ve que lo que hace el zener es "Amortiguar el rizado". Veamos cuanto disminuye el rizado:
Ejemplo: 1N961 VZ = 10 V RZ = 8,5 V VRentr. = 2 V

Si quiero disminuir ms el rizado pondra otro regulador que disminuira ms el rizado pico a pico:

Coeficiente de temperatura
Anteriormente habamos visto que dependiendo de la impurezas que tengamos se puede conseguir un zener
con distinto VZ (diferentes tipos de zener).

Adems esto es para una misma temperatura, pero si se vara la temperatura se comporta de otra manera,
vemoslo con un ejemplo:
Ejemplo:

En este caso el zener tiene un "Coeficiente de Temperatura Negativo" (porque al aumenta la temperatura
disminuye VZ). Esto les ocurrir a todos los zener hasta VZ = 5 V. Veamos que ocurre cuando tenemos un valor
mayor de VZ.
Ejemplo: VZ = 15 V

Ocurre todo lo contrario que antes, la VZ aumenta con la temperatura, este zener tiene un "Coeficiente de
temperatura positivo". Y esto ocurre para todos los zener de 6 V en adelante.
La razn por lo que pasa eso es porque para menos de 5 V se da el "Efecto Zener". Pero a partir de 6 V se da el
"Efecto Avalancha".

Que hacer si queremos alimentar una carga a 11 V?

Si queremos que no vari mucho es mejor que pongamos 2 de 5,5 V porque no varan tanto con la
temperatura. Para que la tensin sea ms estable y no vare tanto con la temperatura.

Otro tipo de encapsulado que tiene 2 diodos dentro es este:

En este caso tenemos un diodo normal y un zener. En este caso adems de compensarse es bastante estable.
Ejemplo:

Es un convertidor CC/CC (continua en continua). Convierte 18 V en 10 V. Cmo funciona? Hay que ver si el
zener trabaja en ruptura.

Pero todava hay que ver la corriente, veamos tres casos:

Recordar para estar en ruptura se tena que cumplir:

Hoja de caractersticas de un zener

Vamos a ver el calculo de los valores a partir de la hoja de caractersticas con un ejemplo.
Ejemplo: 1N759 VZ = 12 V IZT = 20 mA
El fabricante suele dar un valor intermedio de Vz y IzT.(corriente de prueba, valor al que el fabricante a hecho
esa prueba).

Al ser una curva, su pendiente vara y su Rz tambin, entonces el fabricante suele dar el valor en ese punto:

RZ = ZZT = 30 W a IZT = 20 mA
IZmx = 30 / 35 mA (esta variacin entre diodos iguales es debida a la tolerancia).
Haciendo algunos clculos:
PZ = VZ*IZ = 12*30 = 360 mW

= 12*35 = 420 mW

Tolerancia: En cuanto a la tensin zener (VZ):

Serie 1N746 (1N746 al 1N759) 10 %
Serie 1N746A (1N746A al 1N759A) 5 %
Ejemplo: 1N759

VZ = 12 V 10 % (13,2 V y 10,8 V)

Dispositivos Optoelectrnicos
diodo led
Display de 7 segmentos
el fotodiodo
el optoacoplador
Son los dispositivos que estn relacionados con la luz:

Diodo LED.

Display de 7 segmentos.

Optoacoplador.

Fotodiodo.

diodo led

Es un diodo emisor de luz. Smbolo:

Se basa en:

1N759A VZ = 12 V 5 % (12,6 V y 11,4 V)

El negativo de la pila repele a los electrones que pasan de n a p, se encuentran en p con un hueco, se
recombina con l y ya no es electrn libre, al bajar de BC a BV pierde una energa E que se desprende en forma
de luz (fotn de luz).
Diferencias entre un diodo normal y un LED:

Diodo normal, E en forma de calor. Diodo LED, E en forma de fotn.(E = h*f, h =

cte de Planck, f = frecuencia que da color a esa luz).

Diodo normal hecho de silicio. Diodo LED hecho de As, P, Ga y aleaciones entre
ellas. Para cada material de estos la distancia de BC y BV es distinta y as hay distintos colores, y
mezclndolos se consiguen todos, hasta de luz invisible al ojo humano.

Aplicacin:

Lmparas de sealizacin.

Etc...

Alarmas (fotones no visibles).

El diodo LED siempre polarizado en directa, y emitir luz.

Podemos usar esto en una fuente de alimentacin que hemos dado.

La intensidad del LED:

Normalmente para el valor de 10 mA se suelen encender (ver en el catlogo). La tensin en el LED:

Diferencia con el silicio, la tensin es mayor. Cuando no dice nada se coge V LED = 2 V.

Aqu el diodo LED es un indicador que nos dice si la fuente de alimentacin est encendida o apagada.
Ejemplo: TIL 222 LED verde

VLED = 1,8 : 3 V

Hay que ver que luz da, si funciona bien en ese rango de valores. Se sacan las intensidades para los 2
extremos:

La corriente vara muy poco, lo que implica que la iluminacin vara muy poco, est muy bien diseado.
Ejemplo:

No es muy buen diseo porque la intensidad vara bastante, y la iluminacin vara mucho.
Conclusin: Los circuitos con tensiones grandes y resistencias grandes funcionan bien, por lo tanto, si se
pueden tomar valores grandes.
Display de 7 segmentos
Son 7 diodos LED:

Se utiliza en electrnica digital con + 5 V y 0 V.

Ejemplo: El 7:

En este ejemplo se han encendido los LED A, B y C.

En esta applet podemos ver los distintos dgitos que se pueden conseguir utilizando el display de 7 segmentos.
Al pulsar cada botn aparecer el dgito respectivo.
el fotodiodo
Recibe luz, al contrario que el led:

Se usa en polarizacin Inversa. Diodo normal en inversa:

Cuando se coloca una pila en inversa, el negativo atrae a los huecos y los saca de la unin con el in ( lo mismo
con el positivo y los electrones). Pero se llega a un equilibrio, un equilibrio con una W (anchura de z.c.e.)
concreta.
Y no tenemos ni huecos ni electrones en la z.c.e. (W) y esa unin me la pueden pasar los portadores (h y e)
(solo quedan los iones en la W).

Hay una pequea generacin trmica y los pares h-e que se crean se recombinan antes de llegar a W... No sirve
para nada, se recombinan pero los que se generan cerca de la unin pueden cruzar y los minoritarios sirven
para cruzar y tenemos e hacia la izquierda y h hacia la derecha. Tenemos as una corriente inversa de
saturacin que es muy pequea. Otra corriente que tenemos es la I f que es tambin pequea.
Se suele coger la corriente de p hacia n, en la realidad es al revs, por eso I = -I S - If, es negativa.
En un fotodiodo adems de la generacin trmica se le suma la "Generacin por energa luminosa", que la
crean los fotones que atacan cerca de la unin formando ms pares h-e y por lo tanto ms corriente. Entonces
tenemos:

Y la corriente es mayor:

Aumenta en valor absoluto. Es para convertir energa luminosa en energa elctrica.

Aplicacin: Las placas solares estn basadas en los fotodiodos. Si los pongo en paralelo es el doble, por eso se
ponen muchos.

Pero el rendimiento es pequeo todava. En fotodiodos interesa que la luz se de cerca de la unin por eso
estn pintadas de negro en todo excepto cerca de la unin.

el optoacoplador
Es un encapsulado con 4 patillas, tambin de negro, para que no salga luz de dentro hacia fuera.

Si vario la pila vara ILED, vara la iluminacin que recibe el fotodiodo, vara su corriente I. Esta variacin de V
afecta a la I y esta a la tensin en RL. En realidad ese circuito es como:

Pero el fotodiodo sirve para aislar, puede dar problemas conectar directamente a la carga.
Ejemplo: Conectar un torno, le tengo que pasar informacin con un control numrico.

Le mando informacin en 5 V y 0 V y como es un ambiente malo puede haber informacin que vara, picos
problemas (o vuelven del torno picos). Hay que aislar un circuito de control (CNC) de la mquina que voy a
controlar.

El optoacoplador suele quitar los picos, amortigua los parsitos, no reacciona tan bruscamente a la luz y se
reducen esos picos problemticos.
Aplicacin: Osciloscopio
Tiene problemas de tierra. Se puede hacer un cortocircuito entre las 2 tierras

Solucin poner un Optoacoplador para medir lo que se quiera.

Ahora si se puede y no tenemos el cortocircuito que tenamos anteriormente.

El diodo Schottky
A frecuencias bajas un diodo normal puede conmutar fcilmente cuando la polarizacin cambia de directa a
inversa, pero a medida que aumenta la frecuencia el tiempo de conmutacin puede llegar a ser muy alto,
poniendo en peligro el dispositivo.
El diodo Schottky es la solucin ya que puede conmutar ms rpido que un diodo normal. El diodo Schottky
con polarizacin directa tiene 0,25 V de barrera de potencial frente a los 0,7 V de un diodo normal. Puede
rectificar con facilidad a frecuencias superiores a 300 MHz.
El Varicap
El Varicap (Epicap, capacidad controlada por tensin o diodo de sintona) es un diodo que se comporta como
un condensador donde la capacidad esta controlada por la tensin.

Las regiones p y n se comportan como las placas de un condensador y la zona de deplexin es como el
dielctrico.

En inversa la anchura de la "Zona de deplexin" aumenta con la tensin inversa y la capacidad disminuye.

Problemas
Problema 5.1.
Problema 5.2.
Problema 5.3.
Problema 5.1.
Queremos construir un circuito estabilizador (Regulador) que entregue a la salida una tensin de 5,1 V,
sabiendo que la carga consume una ILmx = 100 mA, siendo ILmn = 0 y que dispone de una alimentacin
que vara entre 9 V y 10 V. Los diodos zener de que se dispone son:

Elegir el componente que corresponda y disear el circuito.

Solucin:

Hay que elegir el ms barato que se pueda. Si cogemos el Z1:

Si se abre la carga por el zener iran 105 mA y como I Zmx = 78 mA no podra funcionar, se quemara y se
estropeara no la resistira. Si probamos con Z2:

Veamos si es suficiente esa corriente, la peor suposicin es I Lmx = 100 mA.

Si abrimos la carga los 150 mA van por el zener y como soporta hasta 294 mA si valdra, el Z 2 es el adecuado.
Ahora elegiremos la resistencia (R).
Tenemos dos puntos importantes para analizarlos:

Peligro de que el zener se quede sin corriente

Suposiciones crticas para ese punto:

El peor caso para que el zener se quede sin corriente es que vaya el mximo valor por R L o que vaya el mnimo
de tensin por RL (9 V).
Si varo esa R por ejemplo a 30 W:

Disminuye la IZ al aumentar la R. Por lo tanto no puedo poner resistencias mayores que 26 W. Si ponemos
resistencias menores que 26 W la intensidad zener aumenta y por lo tanto si se pueden poner.

En el otro punto peligroso.

Peligro de que el zener se queme

Entonces la resistencia esta entre estos dos valores:

Cualquier valor entre estos dos valores valdra, tomamos por ejemplo: R = 22 W. Vemos que ocurre en los 2
casos extremos:

Ahora que sabemos en que zona trabaja el zener tenemos que calcular de que potencia elegimos esa
resistencia.

Peor caso: IZ = 222 mA

P = (10-5,1)*222*10-3 = 1,08 W

Se coge una valor normalizado de 2 W.

Ahora vamos a ver el rango de valores por el que mueve la resistencia de carga (R L):

Calculo de la Recta de carga: Tomaremos el convenio de la figura con lo que nos saldrn la intensidad y la
tensin negativas (en el tercer cuadrante).

Punto A

Punto B

Finalmente la representacin grfica de esas ecuaciones queda de la siguiente manera:

Las dos rectas de carga son paralelas. Los dems puntos estn entre esas dos rectas paralelas.
Problema 5.2.
a) Un diodo zener que disipa una Pmx = 0.2 W, regula a 5 V desde una IZmn = 5 mA. Se pretende construir un regulador de 5 V
que regule desde IL = 0 hasta el valor mximo de IL. Suponiendo una vi = 20 V. Determinar el valor de la Resistencia, su
potencia y la ILmx.

Solucin:
Primeramente calcularemos los puntos lmite de ruptura del diodo zener:

Si la RL est en vaco, por la R va el mximo valor de la intensidad por el zener (I Zmx = 40 mA). Para calcular el
valor mximo de la intensidad por la carga, vemos que por el zener la I Lmn = 5 mA y como hemos dicho que el
valor mximo por R son 40 mA, entonces por la carga el mximo valor que ir ser: I Lmx = 35 mA. Ahora
calcularemos los valores de la resistencia (R), la tensin por la resistencia (V R) y la potencia por la resistencia
(PR).

b) Suponiendo que se mantiene la R del apartado a) y que la RL es cte y de valor 200 W , hallar el valor mximo y mnimo de la
tensin de entrada para que el circuito regule bien.
Solucin:

Para calcular los valores mximo y mnimo de la tensin de entrada tengo que estar en los puntos lmite del
circuito.

Con lo que tenemos un rizado a la entrada entre esos 2 valores.

Problema 5.3.

En circuito estabilizador de la figura, los valores nominales son:

a) Calcular la Rlimitadora usando los valores nominales. Usar este valor para los siguientes apartados.
Solucin:
Aplicamos la 2 aproximacin y sustituimos por el modelo de esa 2 aproximacin.

b) Se desea que la carga est alimentada a una tensin de 5 V, con variaciones de corriente de 10 mA a 20 mA,
si bien la nominal es de 20 mA. Si la ve tiene un rizado de + 12 % y -11 % con respecto al valor nominal
de 10V, calcular el tanto por cien de la variacin de I S entre 10 mA y 20 mA. Calcular la mxima
potencia disipada por el diodo zener.
Solucin:

Peligro de que el zener se quede sin corriente

La variacin de este valor con respecto al ideal es de:

Peligro de que el zener se queme (aunque halla un margen de seguridad)

La variacin respecto al ideal:

El zener sufre ms en el caso 2 y su potencia ser la mxima en este caso.

PZ = 5,2 50 = 260 mW
No se quemar con esta potencia porque el mximo valor el PZmx = 400 mW
c) Variacin en % de la tensin de salida para una variacin de la intensidad de carga de 55 % con respecto al
valor nominal, con ve = cte.
Solucin:

Ahora veremos lo que ocurre con un aumento de un 55 % de la intensidad en la carga:

Y si disminuimos un 55 % de la intensidad de la carga con respecto al valor nominal:

Si lo representamos grficamente nos quedara algo como esto:

El caso ms ideal es el que tiene la curva de regulacin ms horizontal.