TAREA 1: SEMICONDUCTORES

PROFESOR: ING. JOSE RAMOS LPEZ.

ALMNO:
BR: ESCOBAR FRANCO, ELMER ULISES

EF10002

LUNES 5 0CTUBRE DEL 2015

INTRODUCCION

Los semiconductores son materiales muy importantes en el mundo de

la electricidad llaqu con ellos, el mundo de la electrnica avanzado
mucho en la fabricacin de pequeos transistores los cuales tiene una
gran aplicacin en la fabricacin de equipo electrnico, y mucho ms.
Caractersticas de los semiconductores:

Como se muestra en la figura A la

corriente es 0 esto es a si ya que
la polarizacin es cero, la difusin
es muy lenta.

Figura

Figura correspondiente a

En la figura A.1 se muestra una

corriente 1mA estos seda porque se
genera un canal de conduccin, debido
a la polarizacin 0.6V que se induce
entre el lado P y el lado N, la disfuncin
tiene un incremento y la regin de

Figura

Figura correspondiente

Como se muestra en la figura A.2 la

corriente aumenta a 200mA a una
polarizacin de 1V, la difusin se
incrementa
y
la
regin
de
agotamiento disminuye facilitando
un
mejor
desplazamiento
de

Figura A.2
Figura correspondiente V=1V,

En la figura A.3 se puede observar

una corriente muy pequea de

1 A

y la regin de agotamiento

aumenta,
debido
a
esto
la
disfuncin se detiene, esto seda a

Figura

Figura correspondiente V=-1V,

Como se observa en la figura A.4

aumentamos la polarizacin -2V y la
corriente no disminuyo se matin
igual que en la figura A.3, la regin de
agotamiento aumento, la disfuncin

Figura

Figura correspondiente V=-2V,

PARTE I: CUESTIONARIO
1-when no external bias is applied, do electrons move across the p-n junction?
Yes
no
2-in which direction do electrons diffuse at a p-n junction?
p-side to n-side
n-side to p-side
3-in which direction do electrons drift at a p-n junction?
p-side to n-side
n-side to p-side
4-what effect does forward biasing have on the width of the depletion regin?
reduces the width
no effect on the width
increases the width

5-what effect does forward biasing have on the drift current?

reduces the drift current
no effect on the drift current
increases the drift current

6-what effect does reverse biasing have on the diffusion current?.

reduces the diffusion current
no effect on the diffusion current
increases the diffusion current

PARTE II.
1. Para una unin p-n abrupta de silicio (ni =1010 cm-3)
consiste de una regin tipo p conteniendo 1016 cm-3tomos
aceptadores y una regin tipo n conteniendo 5x 1016 cm3
tomos donadores.
a) Calcular el potencial integrado de la unin p-n
a) El potencial integrado se calcula a partir de:
V t =25.8 mV
Pn 1016 cm3 nP =5 x 1016 cm3 ni = 1010 cm3
PnnP
1016 5 x 1016
=0.0258
ln
= 0.7544 V
2
2
ni
( 10 10)
V o=V t ln

( )

b) b- calcular el ancho total de la regin de agotamiento si el voltaje

aplicado Va es igual a
0, 0.5 y -2.5 V.
El ancho de la capa de agotamiento se obtiene a partir de:
s=11.7 o o =8.854 x 1014
Va

Para
W=

=0V

2 s 1
1
+
( V oV a )
q Na Nd

2 x 11.7 x 8.854 x 1014

19
1.60 x 10

Va

Para
W=

W=

)(

1
1
+
( 0.75440 )= 0.34 m
16
16
10
5 x 10
W =

=0.5V

2 s 1
1
+
( V oV a )
q Na Nd

W=

W=

14

2 x 11.7 x 8.854 x 10
1.60 x 1019

Va

Para

F
q=1.60 x 1019 coulombs
cm

)(

1
1
+
( 0.75440.5 )=0.19 m
16
10
5 x 1016

=-2.5V

2 s 1
1
+
( V oV a )
q Na Nd

14

2 x 8.854 x 10
19
1.60 x 10

)(

1
1
+
( 0.7544+ 2.5 )=0.71 m
16
16
10 5 x 10

c) calcular el campo elctrico mximo en la regin de agotamiento en 0,

0.5 y -2.5 V.
El campo elctrico en la regin de agotamiento esta dado por:
2 ( V o V a )
( x=0 )=
W
Para

Va

( x=0 )=

Para

Va

2 ( 0.75440 ) 1 m
V
=44.37 K
6
100 cm
cm
0.34 x 10

Va

2 ( 0.75440.5 ) 1 m
V
=26.77 K
6
100 cm
cm
0.19 x 10

W =0.71 m

=-2.5V

( x=0 )=

W =0.19 m

=0.5V

( x=0 )=

Para

W =0.34 m

=0V

2 ( 0.7544+ 2.5 ) 1 m
V
=91.67 K
6
100 cm
cm
0.71 x 10

d) calcular el potencial a travs de la regin de agotamiento en el

semiconductor tipo nen 0, 0.5 y
-2.5 V.
El potencial a travs de la regin de tipo n es igual a:
2
q Nd Xn
V n=
2s
Donde
X n =W

Donde
V n=

Xn
Na
Na+ N d
16

16

N a=10 cm N d=5 x 10 cm

( V o V a ) N a
Na+Nd

Para
V n=

Para
V n=

Para
V n=

Va

=0V

( 0.75440 ) ( 10 )16
=0.125 V
1016 +5 x 1016
Va

=0.5V

( 0.75440.5 ) ( 10 )16
=0.042V
1016 +5 x 1016
Va

=-2.5V

( 0.7544+2.5 )( 10 )16
=0.542 V
1016 +5 x 1016

2. Una unin p-n abrupta de silicio (ni =1010 cm-3) ( NA =1016 cm3
tomos aceptadoresy ND=5x1016cm-3 tomos donadores) es
polarizada con Va = 0.6V. Calcular lacorriente dieal del diodo
asumiendo que la regin n es mucho menor que la longitud
dedifusin con wn =1 um y asumiendo una regin tipo p larga.
Usar un = 1000 cm2/V-s yup = 200 cm2/V-s. El tiempo de vida
de portadores minoritarios es 10 us y el rea deldiodo es 10
um por 100 um.
La corriente se calcula a partir de:

)(

Va

D n
D P
I =qA n po + p no e V 1
Ln
wn

Donde:
Dn=t V T =( 1000 ) ( 25.8 x 103 ) =25.8

D p= p V T =( 200 ) ( 25.8 x 103 ) =5.16

cm2
V .s
2

cm
V .s

n2 ( 1010 )
n po = i =
=104 cm3
N a 1016
2

Pno=

n2i
( 1010)
=
=2000 cm3
N d 5 x 1016

Ln= Dn n= ( 25.8 )

1 2
( 1 x 106 ) =50.7 m
100

( )

Sustituyendo en

)(

Va

D n
D P
I =qA n po + p no e V 1
Ln
wn

0.6
4
(5.16 )( 2000 ) ( 0.0258 )
19
6 ( 25.8 ) ( 10 )
(
)
(
)
I = 1.60 x 10
1000 x 10
+
e
1 =0.21mA
3
6

50.7 x 10

100 x 10

I =0.21 mA

3. Considerar un diodo p-n abrupto con Na = 1018 cm-3 and Nd

= 1016 cm-3. Calcular lacapacitancia a polarizacin cero. El rea
del diodo es igual a 10 cm.
ni=10 10 cm3
N d Na
( 1016 ) ( 1018 )
=0.0258
ln
= 0.83V
2
n 2i
( 10 10)
V o=V t ln

( )

Donde: W
W=

2 s ( V o V a )
=
qNd

2 x 11.7 x 8.854 x 1014

( 1.60 x 1019 ) ( 1016 )

)( )

1
( 0.830 ) =0.33 m
100

La capacidad en la unin de polarizacin cero es igual a:

EnV a=0
s ( 11.7 ) ( 8.854 x 1014 )
C j 0= =
=31.39 nF
W
3.3 x 105

4. (a) calcular la capacitancia de difusin para el mismo diodo

del problema 3 apolarizacin cero. Usar mn = 1000 cm2/V-s, mp
= 300 cm2/V-s, wp' = 1

m y w '=1mm. El tiempo de vida de

n

portadores minoritarios es igual a 0.1 ms. (b) para el

mismodiodo encontrar el voltaje para el cual la capacitancia
de la unin es igual a lacapacitancia de difusin.

a) La capacidad de difusin para cero voltios:

C d ,0 =

I s , p p I s ,n t r ,n
+
=1.70 x 1019
VT
VT

Utilizando
I s , p=

qAp n0 D p
LP

Y
I s ,n=

qAn p 0 D n
Wp

Cuando se utiliz el "corto" expresin de diodo para la capacitancia

asociada con el exceso de carga debido a electrones en la regin de

tipo p. El "tiempo" expresin de diodo se utiliz para la capacitancia

asociada con el exceso carga debido a agujeros en la regin de tipo n.
Las constantes de difusin y la igualdad de longitudes de difusin
Dn=t V T =( 1000 ) ( 25.8 x 103 ) =25.8

D p= p V T =( 200 ) ( 25.8 x 103 ) =5.16

cm
V .s
2

cm
V .s

Ln = D n n

El tiempo de trnsito de electrones en la regin de tipo p es igual

2

W
t r ,n = p =
2 Dn

1 x 10

1
(2 )( 25.8 )
100

( )

=193 p s

b) La tensin a la que la capacidad de la unin es igual a la

capacitancia de difusin se obtiene resolviendo
C j0

V
1 a
Vo

=C d ,0 e

Va
VT

V a=0.442V

5. una celda solar de 1 cm2 tiene una corriente de saturacin

de 10-12 A y es iluminadapor luz solar produciendo una
fotocorriente de cortocircuito de 25 mA.Calcular laeficiencia
de la celda solar y el factor de relleno (fill factor).
La potencia mxima se genera:

Vm

Vm

Vm
dP
V
V
=0=I s e 1 I ph +
I e
dV a
VT s
T

Donde la tensin, Vm, es el voltaje correspondiente al punto de

mxima potencia. Esta tensin se obtiene mediante la resolucin de la

siguiente ecuacin:

V m=V T ln

1+

I ph
Is

1+

Vm
VT

( )
( )
( )

El uso de iteracin y un valor inicial de 0,5V se obtiene los siguientes

valores para Vm:
V m=0.5,0.542,0 .540 V

La eficiencia es igual a:

| ||

V m I m ( 0.54 )( 0.024 )
=
( 100 )=13
P
0.1

La corriente, Im correspondiente a la tensin, Vm se calcul usando la

ecuacin

Va
VT

I =I s e 1 I ph y la energa del sol se asumi 100 mW / cm2.

El factor de relleno es igual a:

fill factor=

V m I m ( 0.54 )( 0.024 )
=
(100)=83
V oc I sc ( 0.62 )( 0.025 )

Donde se calcula la tensin de circuito abierto usando la ecuacin

I =I ( e
s

Va
VT

1 I ph e I = 0 La corriente de cortocircuito es igual a la

Fotocorriente.

PARTE III
Efectos de las fuentes de alimentacin con diodos sobre la corriente en el lado ac

EL CIRCUITO A SIMULADO

Figura 1: rectificador de onda completa

Modificar el modelo del diodo, ya que el 1N4002

Figura 2: modificacin de modelo del diodo en Pspice

Figura 3: Formas de onda de corriente y voltaje

Figura 4: forma de onda de corriente.

Figura 5: Espectro de la corriente con Ls = 1mH.

Figura 6: forma de onda de corriente Ls=2mH.

Figura 7: Espectro de la corriente con Ls = 2mH.

Figura 8: Espectro de la corriente con Ls = 3mH.

Figura 9: Espectro de la corriente con Ls = 3mH.

Conclusin
En el presente trabajo pudimos conocer de primera mano el funcionamiento del
un rectificador de onda completa simulado en Pspice en los grficos obtenidos
pudimos apreciar la forma de onda del rectificador de onda completa, a si como la
forma de onda de la corriente que se generaba figura 3.
Los dos picos de corriente ocurren cuando los diodos conducen como se observa
en la figura 5,7 y 9.
Pudimos conocer y comprender el funcionamiento de los diodos en polarizacin
directa y en polarizacin inversa como se muestra en la figura A,B. A si como la
importancia que tiene los materiales semiconductores que juegan un papel muy
importante en estos casos.

Bibliografa
Sitio web: Electrnica 115 https://sites.google.com/site/electronica115/
Sedra. Circuitos Microelectrnicos, Quinta edicin.