BJT 1

1. En este ejercicio se trata de estudiar el funcionamiento del transistor de la figura 1 para distintos valores de la
tensin VI. Para simplificar el anlisis se supondr que la caracterstica de entrada del transistor IB(VBE) no depende
de la tensin VCE y puede representarse por la caracterstica de un diodo con V = 0,7 V y Rf = 0 como se ilustra
en la figura 2. Adems, se supondr que el transistor est caracterizado por = 100 y VCE(sat) = 0 V.
Se pide calcular los valores de IC, IE, IB y VCE, VBE, VBC para VI=0 V; 5 V y 12 V, trasladando los resultados a la
tabla adjunta.
+VCC=12V

IB

RC=0,6k
VI

IC

RB =43k
IB

V VBE

IE

Figura 1
VI (V)
0
5
12

IC (mA)

Figura 2

IE (mA)

IB (mA)

VCE (V)

VBE (V)

VBC (V)

Estado

+10V

2. El transistor del circuito tiene = 50. Calcule RC para obtener VC = +5 V. Para ese
valor de RC, qu ocurrira si el transistor se reemplaza por otro con = 100?
Considere V=0.7 V y VCE(sat)=0.2 V

VC
RC

100 k

+10V

4,7k

4,7k
V1
100k

V2 V4
Q1

Q2

3. Calcule el valor de las tensiones sealadas en el

circuito para a) , y b) = 100. V=0.7 V,
VC(sat)=VEC(sat)=0.2 V

V5

V3

100k

4,7k

4,7k

--10V

BJT 2
4. En los circuitos integrados es habitual limitar la corriente IL
que entrega el circuito en colector comn de la figura 1
modificndolo segn muestra la figura 2. En rgimen de
funcionamiento normal (sin limitacin de corriente) , el
transistor T1 est en activa y el T2 en corte. Para el circuito de
la figura 2:
a) Expresar IL en funcin de IIN en rgimen de funcionamiento
normal
b) Qu condicin debe cumplir IL para que T1 funcione en
activa? Suponga que T1 no puede estar saturado
c) Calcular el mximo valor de IL para el que T2 est en corte
d) Para el valor de IL calculado en c), comprobar que T1 no
est saturado
DATOS: VCC = 10 V, RL = 300 , R = 25 . Para ambos
transistores, = 50, VE = 0,7 V, VCE(sat) = 0,2 V

VCC

VCC

T1

T1
T2

R
IIN

RL

IL

IIN

Figura 1

DATOS:
VCC = 5 V, RA = 1,7 k, RB = 0,4 k, RC = 6 k; transistores: = 100,
VE = VBE(ON) = 0,7 V, VCE(sat) = 0,2 V

IL

Figura 2

VCC

5. Los tres transistores bipolares del circuito de la figura son idnticos, y

para este ejercicio se pueden caracterizar por un modelo lineal por tramos.
Se sabe que T2 est en saturacin.

a) De los cuatro estados posibles del transistor (activa directa, saturacin,

corte y activa inversa), deduzca en cul de ellos se encuentra T1
b) Calcule el rango de valores de RD para el que T3 est en activa
c) Para RD = 60 T3 est en saturacin y se mide una cada de tensin en
sus bornas de 0,7 V. Calcule los valores de las corrientes IC2 e IC3.
Compruebe que T2 y T3 estn saturados

RL

RA

I C3

RB
T3

I E3

RC

RC

RD
IC2
T1

T2

6. La figura 1 muestra el smbolo circuital del llamado transistor Schottky, dispositivo que se emplea en la
tecnologa digital TTL de alta velocidad. Este transistor se realiza conectando un diodo Schottky (es decir, de unin
metal-semiconductor) entre la base y el colector de un transistor bipolar convencional, como se indica en la figura
2. Se pide:
a) Obtener las expresiones de IE e IC en funcin de VBE
C
C
y VBC para el funcionamiento del transistor Schottky
IC
D
IC
S
en esttica, utilizando el modelo de Ebers-Moll para
el transistor TB y la ecuacin de Shockley del diodo
IB
DS (suponga conocidos los parmetros de dichos
B
TB
B
modelos)
I
B
b) Considerando los modelos lineales por tramos para
TB y DS, demostrar que el transistor TB nunca opera
en la regin de saturacin
IE
IE
c) Si el transistor TB est polarizado en modo activo
E
E
con VCE = 4 V, en qu estado se encuentra el diodo
Figura 1
Figura 2
DS? Utilice tambin el modelo lineal por tramos
DATOS de los modelos lineales por tramos:
Transistor TB: VE = 0,7 V; VCE,sat = 0,2 V. Diodo DS: V = 0,3 V; VZ = 5 V; RF =0

BJT 3
7. Con el circuito de la figura, que contiene un BJT trabajando en saturacin, se
desea analizar la influencia de las aproximaciones de las tensiones en el clculo de
VCC
las corrientes. Para ello se va a realizar un clculo ms preciso de las tensiones y
corrientes del BJT mediante un proceso iterativo. Si se aplica al circuito una
tensin VI = 10 V, se pide:
RC IC
a) Obtener un valor aproximado de IE e IC. Para ello suponga VCE = 0,1 V y
VBE = 0,6 V, es decir, se utiliza un modelo aproximado por tramos lineales
RB
b) Utilizando las ecuaciones de Ebers-Moll y los valores de IC e IE obtenidos en el
vI
apartado a), calcular nuevos valores para VCE y VBE
IB
IE
c) Con estos valores de las tensiones recalcule las corrientes IC e IE
d) Cunto difieren, en tanto por ciento, los valores de IC e IE calculados en a) y
c)?
DATOS:
Del circuito: RB = RC = 1 k; VCC = 15 V; vI = 10 V; del BJT: IS = 9,9 10-14 A; F = 0,99; R = 0,1; VT = 25 mV
8. El circuito de la figura, con la polaridad indicada para VCC, garantiza un punto
de trabajo Q en la regin activa para transistores npn con cualquier valor de . Se
utilizar un modelo de transistor en activa con caractersticas independientes de
VCE: las de entrada del tipo de diodo de Shockley IB(VBE,VCE) = I0 (exp(VBE/VT)-1),
y las de salida del tipo = cte, es decir, IC(VCE,IB) = IB
a) Demostrar que, cualesquiera que sean , RB, RC yVCC > 0, el transistor bipolar
npn nunca se encontrar en saturacin en ese circuito, es decir, VCB 0 siempre
b) Con los valores RB = 100 k, RC = 2 k, VCC = 10 V y un transistor de
= 100, determinar el punto de trabajo Q, es decir, IB, IC y VCE, utilizando una
aproximacin razonable para el valor de VBE, que deber indicarse
c) El transistor anterior funciona a una temperatura para la que I0 = 10-10 A y
VT = 25 mV. Obtener una mejor aproximacin para el valor de VBE, precisando
hasta el mV
d) Si se utilizara, en el mismo circuito y a la misma temperatura, un transistor con
un re de unin base emisor 4 veces mayor, es correcto suponer que esta
diferencia tendr muy poco efecto sobre el punto de trabajo? Justificar la
respuesta
9. Los transistores de la figura, sean npn o pnp, tienen
VCC
idnticos parmetros de Ebers-Moll. Los diodos LED de
L1
esta figura se suponen ideales (ID = 0 si VD < 0, VD = 0 si
ID > 0). Se considerar que cada LED emite luz detectable
V1
cuando por l circula una corriente mayor de 10 mA. Se
pide:
0V
a) Condicin que debe cumplir V1 para que L1 emita
b) Condicin que debe cumplir V2 para que L2 emita
c)
Condicin que debe cumplir V3 para que L3 emita
DATOS: VCC = 10 V, VT = 26,5 mV, IS = 0,5 pA, F = R = 0,5
NOTAS: Presente los resultados numricos con al menos 3 cifras significativas

VCC
RB R C
IC
IB

L2
V2

L3
V3

10. Cuando el BJT del circuito de la figura 1 funciona en activa con altas corrientes de colector iC, el parmetro
F = iC/iB no es constante sino que disminuye con iC segn muestra la figura 2. En este ejercicio se trata de analizar
algunos efectos que esto conlleva, y para ello se pide:

BJT 4
a) Expresar F en funcin de iC para
iC > IM utilizando los datos que
aparecen en la figura 2
b) Calcular VO en el circuito de la figura
IB
RC
1 para IB = 5 mA, comprobando que
funciona en activa
VO
c) Lo mismo, para IB = 20 mA
d) Calcular el parmetro de pequea
i
di
seal del BJT f = c C para
i b di B
Figura 1
IB = 20 mA
DATOS: VCC = 10 V, RC = 6 , VCE(sat) = 0,2 V, 0 = 100, IM = 1 A

F(iC)

VCC

11. El conjunto de tres transistores bipolares T1, T2 y T3

acoplados segn muestra la figura 1 funciona como el
transistor npn equivalente representado en la figura 2. Se
pide calcular:
a) El parmetro del transistor equivalente definido
como el cociente IC/IB de las corrientes indicadas en
T3
la figura 2 cuando T1, T2 y T3 estn en activa
b) La mnima tensin VCE en el transistor equivalente
B
T1
para la que T1, T2 y T3 estn en activa con IB > 0.
Considere para este apartado el modelo lineal por
tramos para los transistores
c) El valor VBE2-VBE1 cuando T1, T2 y T3 estn en
Figura 1
activa. Considere para este apartado el modelo de
Ebers-Moll para los transistores en activa, y exprese
el resultado con tres cifras significativas
DATOS: VT = 25 mV. Para todos los BJT: = 10, |VA|
Modelo lineal por tramos: VE 0,7 V, |VCE(sat)| 0,2 V
Modelo de Ebers-Moll en activa: IC = IB, IB = I0 exp(|VBE|/VT)

iC
2IM

IM

Figura 2

C
C
IC
B
T2

IB

IE
E

Figura 2

12. La figura muestra un circuito multiplicador de vBE

que realiza la funcin de mantener en sus terminales una
tensin aproximadamente proporcional a la tensin vBE
del BJT. Para su correcto funcionamiento, la corriente de
base iB debe ser despreciable en el nodo B. Sabiendo que
el BJT funciona en activa:
a) Calcule el valor de M que cumple que v M vBE
R
suponiendo que iB es despreciable en el nodo B
b) Si se ha medido V = 1860 mV y VBE = 610 mV,
calcule el valor del parmetro IES (= IS/F) del BJT
c) En el punto de trabajo del apartado b), calcule la
resistencia equivalente del circuito como DATOS: R = 1 k, VT = 26 mV; del BJT: F = 50,
componente de dos terminales para pequea seal a ro
frecuencias medias

BJT 5
VCC=+10V
RC=
3k

13.
a) Un valor de muy elevado puede hacer que el transistor de la figura est
saturado incluso sin seal aplicada. Calcule el mnimo valor de para el
que ocurre esto.
b) Demuestre que la ganancia de tensin del circuito vo/vi (con el transistor
en activa directa) vara linealmente con
DATOS: VT = 0,025 V, VCE(sat) = 0,2 V, VBE 0,7 V

vO
RBB=
100k

vi
VBB
=3V

V+=+10V

14.
a) Calcule la ganancia de tensin del circuito de la figura, vo/vi
b) Repita a) si la fuente de seal presenta una resistencia interna (no
dibujada) Rg = 100
DATOS: kT/e = 0,025 V, VEC,sat = 0,2 V, VEB 0,7 V, = 100

RE=
10k

vi

RC=
5 k

V-=-10V
+VCC

15.
Calcule y represente grficamente la funcin vO(vI) para el circuito de la
figura, y diga si puede utilizarse para realizar alguna funcin lgica sobre
seales digitales de niveles 0 y 5V y de qu funcin se trata.
VCC = 5 V; RB = 25 k; RC = 700 ; VE = 0,7 V; VEC,sat = 0,3 V; = 100

vI

RB
vO
RC

vo

BJT 6
SOLUCIONES
1.
VI (V)
0
5
12

IC (mA)
0
10
20

IE (mA)
0
10,1
22,63

IB (mA)
0
0,1
2,63

Las ecuaciones de malla del circuito son:

VCE (V)
12
6
0

VBE (V)
0
0,7
0,7

VBC (V)
-12
-5,3
0,7

Estado
Corte
Activa
Saturacin

VI = I B RB + VBE

VCC = I C RC + VCE
Para VI = 0, el transistor est en corte y las ecuaciones que describen su funcionamiento son:
IB = 0
IC = 0

Que, introducidas en las del circuito, dan:

VBE = 0 < V
VCE = VCC VBC = VCC
Lo que demuestra que ambas uniones estn en inversa.
Para VI = 5 V, el transistor est en activa directa obedeciendo las ecuaciones:
VBE = V
I C = I B

Que, introducidas en las del circuito, dan:

V VBE
IB = I
= 0,1 mA > 0
RB
VCE = VCC I C RC = VCC I B RC = 12 10 0,6 = 6 V > VCE ( sat )
Las desigualdades finales confirman el estado del transistor.
Para VI = 12 V, el transistor est en saturacin con ecuaciones:
VBE = V

VCE = VCE ( sat )

Que, introducidas en las del circuito, dan:

V V BE
= 2,63 mA > 0
IB = I
RB
VCC VCE
= 20 mA < 263 mA = I B
RC
Las desigualdades finales confirman el estado del transistor.
IC =

2.
Con 5 V en colector el transistor est en activa. De la malla de base: 10V = I B R B + V EB I B =

10V V
RB

= 0,093mA ,

y por tanto IC = IB = 4,65 mA. En el colector VC = 5 V = IC RC RC = 1,075 k

Para =100, como la corriente de base no cambia, si el transistor siguiera en activa directa se tendra
IC = 9,3 mA, VEC = 10 V- 9,3 mA1,075 k = 0,0025 V < VEC(sat). Esto quiere decir que el transistor en realidad
se satura y VC = 9,8 V

BJT 7
3.
Suponiendo conocidas las corrientes de base, las corrientes de colector y los voltajes pedidos se despejan muy
fcilmente. Con los voltajes en V y las corrientes en mA:
10 V 104,7 I B1
100 I B1 + V + 4,7(I B1 + I C1 ) = 10 I C1 =
4,7
10 V 102,35I B 2 2,35I C1
4,7
10 + (I C1 + I C 2 + I B 2 )
+ V + 100 I B 2 = 0 I C 2 =
2,35
2
V1 = 100 I B1 ; V2 = 100 I B1 + V ;V3 = 100 I B 2 V ; V4 = 10 4,7 I C 2 ;V1 = 100 I B 2
a) quiere decir que, si los transistores funcionan en activa directa, y como las corrientes de colector han de
ser finitas, las corrientes de base se anulan IB = IC/ = 0. Entonces se est en la situacin de IB conocida para la
que se derivaron las frmulas anteriores:
I B1 = I B 2 = 0; I C1 = 2,0 mA; I C 2 = 2,0 mA
V1 = 0;V2 = V = 0,7 V;V3 = V = 0,7 V;V4 = 10 4,7 I C 2 = 0,7 V;V1 = 0
Donde se puede verificar que efectivamente los transistores estn en activa directa (IC > 0; |VCE| > |VCE(sat)|)
b)Como es grande, los resultados del apartado a) pueden constituir una buena aproximacin al resultado final.
En cualquier caso, se pueden refinar muy fcilmente dado que ahora se conocen ms o menos las corrientes de
colector, a partir de las cuales se puede estimar el valor de las corrientes de base si los transistores estn en activa
directa:
I
I
I B1 = C1 = 0,02 mA; I B 2 = C 2 = 0,02 mA

De nuevo se dan las condiciones de aplicacin de las frmulas para IB conocida mejorando as los valores de las
corrientes de colector y los voltajes pedidos:
I C1 = 1,53 mA; I C 2 = 1,55 mA
V1 = 2 V; V2 = 2,7 V; V3 = 2,7 V; V4 = 10 4,7 I C 2 = 2,715 V;V5 = 2 V
Es claro que el procedimiento se podra repetir hasta obtener convergencia. Al final hay que comprobar que el
estado de los transistores es el supuesto.
Las ecuaciones completas para el caso de finita y transistores en activa son:
10 V
1

100
I C1 + V + 4,7 I C1 + 1 = 10 I C1 =
= 1,62 mA

100

+ 4,7 + 1

10
2,35I C1

1
4,7
4,7
100

10 + 1 + I C 2
+ I C1
+ V +
= 1,63 mA
IC2 = 0 IC2 =
2
2

1 4,7 100

1 +
+
2

V1 = 1,62 V; V 2 = 2,72 V; V3 = 2,73 V; V4 = 2,34 V; V5 = 1,63 V

Estos son resultados exactos al precio de utilizar expresiones algo ms complicadas.

4.
a) Con T2 cortado y T1 en activa directa, I L = I E1 = ( + 1)I B1 = 51 I IN
b) Puesto que no puede estar saturado, la nica condicin a estudiar es la de corte, que exige IE1 > 0 IL > 0
c) Estar cortado mientras VBE2 < VE ILR < VE IL < VE/R = 28 mA
d) Como para este valor T2 est todava cortado, la misma corriente pasa por las dos resistencias y
VCE1 = VCC-IL(R+RL) = 0,9 V > 0,2 V = VCE(sat)

BJT 8

El valor de IIN para el que T2 entra en conduccin es I IN =

( + 1)R

. Por debajo de ste, se tiene I L = ( + 1)I IN .

Por encima, T2 conduce manteniendo una tensin VBE2 casi constante de 0,7 V. Esto fuerza a que la corriente de
emisor de T1 quede casi fija a VE/R (salvo por la corriente de base de T2) a pesar de que IIN siga aumentando: ste
es el efecto limitador de corriente. Para ello, el colector de T2 roba la corriente necesaria de la base de T1. En
este rgimen, la corriente por la carga vale (se deja como ejercicio esta derivacin):
2
VE R + I IN (1 + 1 )
IL =
( >> 1) VE R + I IN
1+1 +1 2
Es decir, aumenta mucho ms despacio con IIN
5.
a) VBE = 0 < VE, VBC = -VCE2 = -0,2 V < VC = VE - VCE(sat) = 0,5 V. Ambas uniones en inversa, luego T1 est en
corte.
b) T3 en activa IC3 = IB3, IE3 = ( +1)IB3. Resolviendo:
VCC VE VCE ( sat )
VCC = R A I B 3 + V BE 3 + R D ( + 1) I B 3 + VCE 2 I B 3 =
R A + R D ( + 1)

VCC = R B I B 3 + VCE 3 + R D ( + 1) I B 3 + VCE 2 VCE 3 = VCC VCE ( sat ) I B 3 (R B + R D ( + 1) )

Para que T3 est en activa:

I B3 > 0

V CE 3 > V CE ( sat )

VCC > VE + VCEsat OK

V CC VCEsat

V CC VE V CE ( sat )
R A + R D ( + 1)

(R B + R D ( + 1) ) > VCE ( sat )

Despejando, RD > 3,09 k

c)
I E3 =

V RD

RD

= 11,67 mA = I C 2

VCC = R B I C 3 + VCE 3 + V RD + VCE 2 I C 3 =

VCC 2VCEsat V RD
RB

Para comprobar hiptesis, calculamos:

I B 3 = I E 3 I C 2 = 1,92 mA
I B2 =

Y se comprueba:

VCC VE
RC

= 0,72 mA

IB2 > 0, IC2 < IB2, luego T2 en saturacin

IB3 > 0, IC3 < IB3, luego T3 en saturacin

= 9,75 mA

BJT 9
6.
a) Llamando IC a la corriente de colector de TB e ID a la corriente del diodo DS:

V
V
exp BE 1 I S exp BC 1
VT
VT

Ecs. Ebers - Moll de TB

IS

V BC
V BE

exp
1
1
I C = I S exp
VT
VT

IE =

IS
F

V
I D = I DS exp BC 1 Ec. Shockley de D S
V
T

Como IC = IC-ID , se tiene:

V
V
exp BE 1 I S exp BC 1
VT
VT

I
V
V
I C = I S exp BE 1 S + I DS exp BC 1
VT
VT

IE =

IS
F

b) Si TB estuviera en saturacin, VBE = VE = 0,7 V y VCE = VCE,sat = 0,2 V, pero entonces

VBC = VBE VCE = 0,5V > 0,3V = V
que es imposible en el modelo de tramos rectos del diodo DS.
c) Con TB en activa VBE = VE = 0,7V, y al ser VCE = 4V, se tiene VBC = VBE - VCE = -3,3V. Como
-VZ = -5V < -3,3V < 0,3V = V, el diodo DS est en corte.
7.
a)
IC =

VCC VCE
14,90mA;
RC

IB =

v I V BE
9,40mA; I E = I C + I B 24,30mA
RB

b)

V
exp BE 1 I S exp
VT

I
V
= I S exp BE 1 S exp
VT

IE =
IC

IS
F

V BC
1
VT

V BC
1
VT

Definiendo X e Y como:

V
exp BE 1
VT

I E = X R Y

I C = F X Y
IS
V BC
exp
Y
1
VT
R

IS
F

Y operando se obtiene:
X=

X IE
= 10,16mA
R
= V BE V BC = 0,080V

Y=

De donde V BE = 0,656V yV BC = 0,576V VCE

I E R IC
= 25,32mA
1 F R

BJT 10

c)
IC =

VCC VCE
v V BE
14,92mA; I B = I
9,34mA; I E = I C + I B 24,26mA
RC
RB

d)
I C
100 = 0,13%;
IC

I E
100 = 0,16%
IE

8.
a) Si el transistor estuviera saturado, habra una corriente de base entrante y apreciable,IB. Pero en ese caso
VBC = -IBRB < 0, lo que es contrario a la hiptesis de saturacin. El mismo razonamiento vale para el transistor en
activa inversa. Los nicos estados posibles son los de corte y de activa directa.
b) Supongamos el transistor en activa directa con VBE = 0,6 V, tpico para dispositivos de silicio. Entonces:
R ( + 1) + R B
VCC V BE
VCC = I C RC + I B (RC + R B ) + V BE = I C C
+ V BE I C =
= 3,11 mA
RC ( + 1) + R B

VCE = VCC I C

+1
RC = 3,71 V

c) Para conducir las corrientes del apartado anterior, el transistor debera presentar entre base y emisor una
tensin:
I

V BE = VT ln B + 1 = VT ln C + 1 = 0,4889 V
I0

I 0

Con este valor, se puede recalcular IC con las frmulas del apartado b):
IC = 3,15 mA; VCE = 3,64 V
d) Las corrientes de saturacin de uniones pn son proporcionales al rea de la unin. En este caso, el valor de I0
se multiplica por 4. Dada la dependencia logartmica de VBE con I0,no obstante, esto produce slo una pequea
variacin en VBE:
I

I
I
V BE = VT ln B + 1 VT ln B = VT ln B VT ln 4
4I 0

4I 0
I0
Y VBE slo se modifica, para las mismas corrientes, en 38 mV, y la repercusin en el punto de trabajo es muy
pequea
9.
a) Si el LED emite se cumplir que VD = 0, ID > 10 mA, por lo que VCE1 = 10 V e IC1 > 10 mA (entrante).

V
V
V
V
V
V
10 mA < I C1 = I S exp BE1 1 S exp BC1 1 = I S exp 1 1 S exp 1 exp CC 1 I S exp 1
VT
VT
VT
VT
VT
VT

V1 > 0,629 V

b) Aplicando Ebers-Moll como en a), o advirtiendo que F = R implica que el comportamiento del transistor
respecto a colector o emisor es idntico, se llega a la misma condicin que en a):
V2 > 0,629 V

BJT 11
c)
10 mA < I E 3 =

IS
F

V3 < 9,390 V

I
V
V
exp EB3 1 I S exp CB3 1 = S
VT
VT

V
V
I

V3
exp CC exp 3 1 I S exp
1 S
VT
VT
kT e F

10.
a) Como (IM) = O y (2IM) = O/2, para IC >IM:
/ 2 O

I
(I C ) = O + O
( I C I M ) = O 3 C = 150 50 I C (A)
2I M I M
2
IM
b) Si fuera IC < IM , se tendra que IC = O IB = 1005 mA = 500 mA < 1 A = IM Hiptesis vlida
VO = VCC IC RC = 7 V > VCE,sat
c) Si fuera IC < IM , se tendra que IC = O IB = 10020 mA = 2 A > 1 A = IM Hiptesis falsa.
As IC = (IC) IB segn la expresin calculada en a) y por tanto:

3 O I B
I
= 1,5 A
I C = I B O 3 C I C =
2 + O IB / IM
IM
2
VO = VCC IC RC = 1 V > VCE,sat
3 O i B
d) Como en torno a IB = 20 mA se verifica que iC =

2 + O iB / I M
f =

ic diC

ib di B

=
iB = I B

6 O
(2 + O i B / I M ) 2

= 37,5
iB = I B

11.
a) Como IC1 = IB3 y IB2 = IC3:
I C1 = I B1 = I B

I E 3 = ( + 1)I C1
3
2
3
2
I C = I E 3 + I C 2 = ( + + )I B equivalente = + + = 1110
I C 3 = I C1

I C 2 = I C 3

b)
VCE 2 = VCE VCE ( sat )
VCE1 = V EC 3 = VCE VE VCE ( sat ) VCE VCE ( sat )

VCE VCE min VCE ( sat ) + VE = 0,9 V

+ VE

c)

V
I B1 = I 0 exp BE1 = I B

V BE 2 V BE1
VT

= 2 V BE 2 V BE1 = 2VT ln = 115 mV

exp
VT
V

I B 2 = I 0 exp BE 2 = 2 I B
VT

V V3

exp CC
kT e

BJT 12
12.

a) Como iB 0, las resistencias forman un divisor de tensin, luego:

v BE v

b)

IB =

c)

R
R + 2R

v 3 v BE

M =3

I
F
V V BE V BE
V

= 15 A . Como en activa I B S exp BE y F =

= 0,98 :
2R
1+ F
F
R
VT
I ES =

V BE
IS F IB
=
exp
= 4,95.10 14 A
F
F
Vt

En primer lugar, r =
y gm =

Vt
IB

= 1,73 k

F
= 28,9 mS
r

R // r

v 2 R + ( R // r )

2 R + ( R // r )
REQU = =
= 136,5

v
+
i
g
R
r
1
(
//
)
m

i = g m vbe +
2 R + ( R // r )

vbe = v

13.
V V
min RC
(V BB V EB ) = VCE ( sat ) min = R B CC CE ( sat ) = 142
RB
RC V BB V EB
Con mayor que sta, el circuito no podra funcionar como amplificador

a) VCE = VCC I C RC = VCC I B RC = VCC

RBB

ib

+
vi

ib

r
E

RC v o

b) Del circuito de pequea seal:

v o = ic RC = ib RC =

vi
v
RC
RC o =
R B + r
vi
R B + r

Que es proporcional a puesto que r = VT/IB es independiente de ella en este circuito.

El valor de es difcil de controlar tecnolgicamente por lo que puede diferir sustancialmente en transistores
pretendidamente iguales. Por eso, los circuitos cuyas caractersticas en continua y/o alterna dependen mucho de
no son aceptables.

BJT 13
14.
En continua, y suponiendo el transistor en activa directa,:
I B ( + 1)R E + V EB = VCC I C =
V EC = V EB ( VCC + I C RC ) = 6,1 V
r =

VT
= 2,7 k
IC

Rg

+
vi

VCC V EB
= 0,92 mA
( + 1)RE

RE

i b

ib
B

+
RC vo

En el circuito equivalente se ha incluido la resistencia Rg. La ecuacin en el nudo de emisor:

Rg Rg

v i v eb v eb
v

=
+ ( + 1) eb v i = v eb 1 + ( + 1)
+
Rg
RE
r
r
R E

y a la salida:
RC
v o = ic RC = RC ib =
v eb
r
de donde:
RC
184,2 si R g = 0
r
v
=
Av = o =
Rg Rg
vi
38,9 si R g = 100
1 + ( + 1)
+
r
RE

En el circuito de pequea seal, las referencias para las corrientes de base y colector utilizadas son
opuestas a las de continua; de esta forma los transistores pnp y npn se tratan exactamente igual en
pequea seal. Esto no tiene ninguna importancia para el clculo de ganancias o impedancias.
15.
Las ecuaciones del circuito son:

v I + i B R B + v EB = VCC

iC RC + v EC = VCC
Cuando vI sea muy pequeo, el transistor conducir con mucha corriente de base y puede estar saturado. En estas
condiciones: v EB = VE ; v EC = V EC ( sat ) vO = VCC V EC ( sat ) = 4,7 V . Las condiciones de validez de la suposicin de

saturacin del transistor:

V v EB v I
i B = CC
> 0 v I < VCC VE = 4,3 V
RB
VCC VE v I
VCC v EC VCC V EC ( sat )
R
=
< i B =
v I < VCC VE B (VCC V EC ( sat ) ) = 2,62 V
RC
RC
RB
RC
La segunda condicin es ms restrictiva:
TRT saturado con vO = 4,3 V si vI < 2,62 V
iC =

BJT 14

Cuando
v EB

vI

va

aumentando
el
transistor
cambia
RC
(VCC VE v I ) . Esto es vlido si:
= VE ; i B = iC vO = iC RC =
RB
V v EB v I
i B = CC
> 0 v I < VCC VE = 4,3 V
RB

activa

directa:

RC
(VCC VE v I ) > VEC ( sat ) v I > (VCC VE ) RB (VCC VEC ( sat ) ) = 2,62 V
RB
RC
TRT en activa directa con vO (V) = 28 (4,3 V - vI (V)) si 4,3 V > vI > 2,62 V

v EC = VCC iC RC = VCC

La ltima condicin limita con la saturacin del transistor, ya estudiada. La primera, con el corte:
i B = 0; iC = 0 v O = iC RC = 0 , estado que no se abandona si vI > 4,3 V
TRT en activa directa con vO = 0 si 4,3 V < vI
Con la entrada a nivel bajo (vI = 0 V) la salida est a nivel alto (vO = 4,7 V), y con la entrada a nivel alto
(vI = 5 V) la salida est a nivel bajo (vO = 0 V): el circuito es un INVERSOR

v0 (V)
4,7
2,6
4,3

vI (V)