INSTITUTO

SUPERIOR
TECNOLOGICO
JOS PARDO
CURSO: Fundamentos Elctricos y Electronicos GPO.
TEMA: Los Diodos
PROFESOR: Polo Albinagorta , Guillermo
ALUMNO: Chuquillanqui Picoy , Elvis
CICLO: Cuarto

2015
DIODOS
Concepto
Un diodo es un componente electrnico de dos terminales que permite la
circulacin de la corriente elctrica a travs de l en un solo sentido. Este
trmino generalmente se usa para referirse al diodo semiconductor, el ms
comn
en
la
actualidad;
consta
de
una
pieza
de
cristal semiconductor conectada a dos terminales elctricos. El diodo de
vaco (que actualmente ya no se usa, excepto para tecnologas de alta
potencia) es un tubo de vaco con dos electrodos: una lmina como nodo, y
un ctodo.
De forma simplificada, la curva caracterstica de un diodo (I-V) consta de dos
regiones: por debajo de cierta diferencia de potencial, se comporta como un
circuito abierto (no conduce), y por encima de ella como un circuito cerrado
con una resistencia elctrica muy pequea. Debido a este comportamiento, se
les suele denominar rectificadores, ya que son dispositivos capaces de
suprimir la parte negativa de cualquier seal, como paso inicial para convertir
una corriente alterna en corriente continua. Su principio de funcionamiento
est basado en los experimentos de Lee De Forest.
Los primeros diodos eran vlvulas o tubos de vaco, tambin
llamados vlvulas termoinicas constituidos por dos electrodos rodeados de
vaco en un tubo de cristal , con un aspecto similar al de las lmparas
incandescentes. El invento fue desarrollado en1904 por John Ambrose
Fleming, empleado de la empresa Marconi, basndose en observaciones
realizadas por Thomas Alva Edison.
Al igual que las lmparas incandescentes, los tubos de vaco tienen
un filamento (el ctodo) a travs del cual circula la corriente, calentndolo
por efecto Joule. El filamento est tratado con xido de bario, de modo que al
calentarse emite electrones al vaco circundante los cuales son
conducidos electrostticamente hacia una placa, curvada por un muelle doble,
cargada positivamente (el nodo), producindose as la conduccin.
Evidentemente, si el ctodo no se calienta, no podr ceder electrones. Por

esa razn, los circuitos que utilizaban vlvulas de vaco requeran un tiempo
para que las vlvulas se calentaran antes de poder funcionar y las vlvulas se
quemaban con mucha facilidad.
Smbolo electrnico

Historia
Aunque el diodo semiconductor de estado slido se populariz antes del
diodo termoinico, ambos se desarrollaron al mismo tiempo.
En 1873 Frederick Guthrie descubri el principio de operacin de los
diodos trmicos.
Guhtrie
descubri
que
un electroscopio cargado
positivamente podra descargarse al acercarse una pieza de metal caliente,
sin necesidad de que ste lo tocara. No suceda lo mismo con un
electroscopio cargado negativamente, reflejando esto que el flujo de corriente
era posible solamente en una direccin.
Independientemente, el 13 de febrero de 1880 Thomas Edison re-descubre el
principio. A su vez, Edison investigaba por qu los filamentos de carbn de las
bombillas se quemaban al final del terminal positivo. l haba construido una
bombilla con un filamento adicional y una con una lmina metlica dentro de
la lmpara, elctricamente aislada del filamento. Cuando us este dispositivo,
confirm que una corriente fluia del filamento incandescente a travs del vaco

a la lmina metlica, pero esto slo suceda cuando la lmina estaba

conectada positivamente.
Edison dise un circuito que reemplaza la bombilla por un resistor con un
voltmetro de DC. Edison obtuvo una patente para este invento en 1884.
Aparentemente no tena uso prctico para esa poca. Por lo cual, la patente
era probablemente para precaucin, en caso de que alguien encontrara un
uso al llamado Efecto Edison.
Aproximadamente 20 aos despus, John Ambrose Fleming (cientfico asesor
de Marconi Company y antiguo empleado de Edison) se dio cuenta que el
efecto Edison podra usarse como un radio detector de precisin. Fleming
patent el primer diodo termoinico en Gran Bretaa el 16 de noviembre de
1904.
En 1874 el cientfico alemn Karl Ferdinand Braun descubri la naturaleza de
conducir por una sola direccin de los cristales semiconductores. Braun
patent el rectificador de cristal en 1899. Los rectificadores de xido de
cobre y selenio fueron desarrollados para aplicaciones de alta potencia en la
dcada de los 1930.
El cientfico indio Jagdish Chandra Bose fue el primero en usar un cristal
semiconductor para detectar ondas de radio en 1894. El detector de cristal
semiconductor fue desarrollado en un dispositivo prctico para la recepcin de
seales inalmbricas por Greenleaf Whittier Pickard, quin invent un detector
de cristal de silicio en 1903 y recibi una patente de ello el 20 de noviembre
de 1906. Otros experimentos probaron con gran variedad de sustancias, de
las cuales se us ampliamente el mineral galena. Otras sustancias ofrecieron
un rendimiento ligeramente mayor, pero el galena fue el que ms se us
porque tena la ventaja de ser barato y fcil de obtener. Al principio de la era
del radio, el detector de cristal semiconductor consista de un cable ajustable
(el muy nombrado bigote de gato) el cual se poda mover manualmente a
travs del cristal para as obtener una seal ptima. Este dispositivo
problemtico fue rpidamente superado por los diodos termoinicos, aunque
el detector de cristal semiconductor volvi a usarse frecuentemente con la
llegada de los econmicos diodos de germanio en la dcada de 1950.
En la poca de su invencin, estos dispositivos fueron conocidos como
rectificadores. En 1919, William Henry Eccles acu el trmino diodo del
griego dia, que significa separado, y ode (de ), que significa camino.

TIPOS DE DIODO
Diodos termoinicos y de estado gaseoso
Los diodos termoinicos son dispositivos de vlvula termoinica (tambin
conocida como tubo de vaco), que consisten en un arreglo de electrodos
empacados en un vidrio al vaco. Los primeros modelos eran muy parecidos a
la lmpara incandescente.
En los diodos de vlvula termoinica, una corriente a travs del filamento que
se va a calentar calienta indirectamente el ctodo, otro electrodo interno
tratado con una mezcla de Bario y xido de estroncio, los cuales son xidos
alcalinotrreos; se eligen estas sustancias porque tienen una pequea funcin
de trabajo (algunas vlvulas usan calentamiento directo, donde un filamento
de tungsteno acta como calentador y como ctodo). El calentamiento causa
emisin termoinica de electrones en el vaco. En polarizacin directa, el
nodo estaba cargado positivamente por lo cual atraa electrones. Sin
embargo, los electrones no eran fcilmente transportados de la superficie del
nodo que no estaba caliente cuando la vlvula termoinica estaba en
polarizacin inversa. Adems, cualquier corriente en este caso es
insignificante.
En la mayor parte del siglo XX, los diodos de vlvula termoinica se usaron en
aplicaciones de seales anlogas, rectificadores y potencia. Hasta el da de
hoy, los diodos de vlvula solamente se usan en aplicaciones exclusivas como
rectificadores en guitarras elctricas, amplificadores de audio, as como
equipo especializado de alta tensin.

Smbolo de un diodo de vaco o gaseoso. De arriba a abajo, sus componentes son, el

nodo, el ctodo, y el filamento.

Diodo Semiconductor
Un diodo semiconductor moderno est hecho de cristal semiconductor como
el silicio con impurezas en l para crear una regin que contenga portadores
de carga negativa (electrones), llamada semiconductor de tipo n, y una regin
en el otro lado que contenga portadores de carga positiva (huecos), llamada
semiconductor tipo p. Las terminales del diodo se unen a cada regin. El
lmite dentro del cristal de estas dos regiones, llamado una unin PN, es
donde la importancia del diodo toma su lugar. El cristal conduce una corriente
de electrones del lado n (llamado ctodo), pero no en la direccin opuesta; es
decir, cuando una corriente convencional fluye del nodo al ctodo (opuesto al
flujo de los electrones).
Al unir ambos cristales, se manifiesta una difusin de electrones del cristal n
al p (Je). Al establecerse una corriente de difusin, aparecen cargas fijas en
una zona a ambos lados de la unin, zona que recibe el nombre de regin de
agotamiento.
A medida que progresa el proceso de difusin, la regin de agotamiento va
incrementando su anchura profundizando en los cristales a ambos lados de la
unin. Sin embargo, la acumulacin de iones positivos en la zona n y de iones
negativos en la zona p, crea un campo elctrico (E) que actuar sobre los
electrones libres de la zona n con una determinada fuerza de desplazamiento,
que se opondr a la corriente de electrones y terminar detenindolos.

Este campo elctrico es equivalente a decir que aparece una diferencia de

tensin entre las zonas p y n. Esta diferencia de potencial (V D) es de 0,7 V en
el caso del silicio y 0,3 V para los cristales de germanio.
La anchura de la regin de agotamiento una vez alcanzado el equilibrio, suele
ser del orden de 0,5 micras pero cuando uno de los cristales est mucho ms
dopado que el otro, la zona de carga espacial es mucho mayor.
Cuando se somete al diodo a una diferencia de tensin externa, se dice que el
diodo est polarizado, pudiendo ser la polarizacin directa o inversa.

Existen varios tipos de diodos, que pueden diferir en su aspecto fsico,

impurezas, uso de electrodos, que tienen caractersticas elctricas
particulares usados para una aplicacin especial en un circuito. El
funcionamiento de estos diodos es fundamentado por principios de
lamecnica cuntica y teora de bandas.
Los diodos normales, los cuales operan como se describa ms arriba, se
hacen generalmente de silicio dopado o germanio. Antes del desarrollo de
estos diodos rectificadores de silicio, se usaba el xido cuproso y el selenio:
su baja eficiencia le dio una cada de tensin muy alta (desde 1,4 a 1,7V) y
requeran de una gran disipacin de calor mucho ms grande que un diodo de
silicio. La gran mayora de los diodos pn se encuentran en circuitos
integrados CMOS, que incluyen dos diodos por pin y muchos otros diodos
internos.

Diodo avalancha:

Diodos que conducen en direccin contraria

cuando el voltaje en inverso supera el voltaje de ruptura. Elctricamente
son similares a los diodos Zener, pero funciona bajo otro fenmeno, el
efecto avalancha. Esto sucede cuando el campo elctrico inverso que
atraviesa la unin p-n produce una onda de ionizacin, similar a una
avalancha, produciendo una corriente. Los diodos avalancha estn
diseados para operar en un voltaje inverso definido sin que se destruya.
La diferencia entre el diodo avalancha (el cual tiene un voltaje de reversa

de aproximadamente 6.2V) y el diodo zener es que el ancho del canal del

primero excede la "libre asociacin" de los electrones, por lo que se
producen colisiones entre ellos en el camino. La nica diferencia prctica
es que los dos tienen coeficientes de temperatura de polaridades
opuestas.

Diodo de Silicio:

Suelen tener un tamao milimtrico y, alineados,

constituyen detectores multicanal que permiten obtener espectros en
milisegundos. Son menos sensibles que los fotomultiplicadores. Es un
semiconductor de tipo p (con huecos) en contacto con un semiconductor
de tipo n (electrones). La radiacin comunica la energa para liberar los

electrones que se desplazan hacia los huecos, estableciendo una corriente

elctrica proporcional a la potencia radiante.

Diodo de cristal: Es un tipo de diodo de contacto. El diodo cristal

consiste de un cable de metal afilado presionado contra un cristal
semiconductor, generalmente galena o de una parte de carbn. El cable
forma el nodo y el cristal forma el ctodo. Los diodos de cristal tienen una
gran aplicacin en los radio a galena. Los diodos de cristal estn
obsoletos, pero puede conseguirse todava de algunos fabricantes.

Diodo de corriente constante: Realmente es un JFET, con su

compuerta conectada a la fuente, y funciona como un limitador de corriente

de dos terminales anlogo al diodo Zener, el cual limita el voltaje. Permiten

una corriente a travs de ellos para alcanzar un valor adecuado y as
estabilizarse en un valor especfico. Tambin suele llamarse CLDs (por sus
siglas en ingls) o diodo regulador de corriente.

Diodo tnel o Esaki:

Tienen una regin de operacin que

produce una resistencia negativa debido al efecto tnel, permitiendo
amplificar seales y circuitos muy simples que poseen dos estados.
Debido a la alta concentracin de carga, los diodos tnel son muy rpidos,
pueden usarse en temperaturas muy bajas, campos magnticos de gran
magnitud y en entornos con radiacin alta. Por estas propiedades, suelen
usarse en viajes espaciales. La intensidad de la corriente crece con rapidez
al principio con muy poco valor de tensin hasta llegar a la cresta (C)
desde donde, al recibir mayor tensin, se produce una prdida de
intensidad hasta D que vuelve a elevarse cuando se sobrepasa toda esta
zona
del
valor
de
la
tensin.

Diodo Gunn: Similar

al diodo tnel son construidos de materiales

como GaAs o InP que produce una resistencia negativa. Bajo condiciones
apropiadas, las formas de dominio del dipolo y propagacin a travs del
diodo, permitiendo osciladores de ondas microondas de alta frecuencia. .
Cuando se aplica entre nodo y ctodo una tensin continua de 7 V, de
modo que el nodo sea positivo con respecto al ctodo, la corriente que
circula por el diodo es continua pero con unos impulsos superpuestos de
hiperfrecuencia que pueden ser utilizados para inducir oscilaciones en una
cavidad resonante. De hecho, la emisin de microondas se produce
cuando las zonas de campo elctrico elevado se desplazan del nodo al
ctodo y del ctodo al nodo en un constante viaje rapidsimo entre ambas
zonas, lo que determina la frecuencia en los impulsos.

Diodo emisor de luz o LED:

Es un diodo formado por un

semiconductor con huecos en su banda de energa, tal como arseniuro de
galio, los portadores de carga que cruzan la unin emiten fotones cuando
se recombinan con los portadores mayoritarios en el otro lado.
Dependiendo del material, la longitud de onda que se pueden producir
vara desde elinfrarrojo hasta longitudes de onda cercanas al ultravioleta.
El potencial que admiten estos diodos dependen de la longitud de onda
que ellos emiten: 2.1V corresponde al rojo, 4.0V al violeta. Los primeros
ledes fueron rojos y amarillos. Los ledes blancos son en realidad
combinaciones de tres ledes de diferente color o un led azul revestido con
un centelleador amarillo. Los ledes tambin pueden usarse como
fotodiodos de baja eficiencia en aplicaciones de seales. Un led puede
usarse con un fotodiodo o fototransistor para formar unoptoacoplador.

Diodo lser:

Cuando la estructura de un led se introduce en una

cavidad resonante formada al pulir las caras de los extremos, se puede
formar un lser. Los diodos lser se usan frecuentemente en dispositivos
de almacenamiento pticos y para la comunicacin ptica de alta
velocidad.

Diodo trmico:

Este trmino tambin se usa para los diodos

convencionales usados para monitorear la temperatura a la variacin de
voltaje con la temperatura, y para refrigeradores termoelctricos para
la refrigeracin termoelctrica. Los refrigeradores termoelctricos se hacen
de semiconductores, aunque ellos no tienen ninguna unin de rectificacin,

aprovechan el comportamiento distinto de portadores de carga de los

semiconductores tipo P y N para transportar el calor.

Fotodiodos:

Todos los semiconductores estn sujetos a portadores

de carga pticos. Generalmente es un efecto no deseado, por lo que
muchos de los semiconductores estn empacados en materiales que
bloquean el paso de la luz. Los fotodiodos tienen la funcin de ser
sensibles a la luz (fotocelda), por lo que estn empacados en materiales
que permiten el paso de la luz y son por lo general PIN (tipo de diodo ms
sensible a la luz). Un fotodiodo puede usarse en celdas solares,
en fotometra o en comunicacin. Varios fotodiodos pueden empacarse en
un dispositivo como un arreglo lineal o como un arreglo de dos
dimensiones. Estos arreglos no deben confundirse con los dispositivos de
carga acoplada.
El material empleado en la composicin de un fotodiodo es un factor
crtico para definir sus propiedades. Suelen estar compuestos de silicio,
sensible
a
la
luz
visible
(longitud
de
onda de
hasta
1m); germanio para luz infrarroja (longitud de onda hasta aprox. 1,8 m
); o de cualquier otro material semiconductor.
Material

Longitud de onda (nm)

Silicio

1901100

Germanio

8001900

Indio galio arsnico (InGaAs)

8002600

sulfuro de plomo

<1000-3900

Tambin es posible la fabricacin de fotodiodos para su uso en el campo

de los infrarrojos medios (longitud de onda entre 5 y 20 m), pero estos
requieren refrigeracin pornitrgeno lquido.
Antiguamente
se
fabricaban exposmetros con
un
fotodiodo
de selenio de una superficie amplia.

Diodo con puntas de contacto:

Funcionan igual que los

diodos semiconductores de unin mencionados anteriormente aunque su
construccin es ms simple. Se fabrica una seccin de semiconductor tipo
n, y se hace un conductor de punta aguda con un metal del grupo 3 de
manera que haga contacto con el semiconductor. Algo del metal migra
hacia el semiconductor para hacer una pequea regin de tipo p cerca del
contacto. El muy usado 1N34 (de fabricacin alemana) an se usa en
receptores de radio como un detector y ocasionalmente en dispositivos
analgicos especializados.

Diodo PIN: Un diodo PIN tiene una seccin central sin doparse o en
otras palabras una capa intrnseca formando una estructura p-intrnseca-n.
Son usados como interruptores de alta frecuencia y atenuadores. Tambin
son usados como detectores de radiacin ionizante de gran volumen y
como fotodetectores. Los diodos PIN tambin se usan en la electrnica de
potencia y su capa central puede soportar altos voltajes. Adems, la
estructura del PIN puede encontrarse en dispositivos semiconductores de
potencia, tales como IGBTs, MOSFETs de potencia y tiristores.

Diodo Schottky: El

diodo Schottky estn construidos de un metal

a un contacto de semiconductor. Tiene una tensin de ruptura mucho
menor que los diodos pn. Su tensin de ruptura en corrientes de 1mA est
en el rango de 0.15V a 0.45V, lo cual los hace tiles en aplicaciones de
fijacin y prevencin de saturacin en un transistor. Tambin se pueden
usar como rectificadores con bajas prdidas aunque su corriente de fuga
es mucho ms alta que la de otros diodos. Los diodos Schottky son
portadores de carga mayoritarios por lo que no sufren de problemas de
almacenamiento de los portadores de carga minoritarios que ralentizan la
mayora de los dems diodos (por lo que este tipo de diodos tiene una
recuperacin inversa ms rpida que los diodos de unin pn. Tienden a
tener una capacitancia de unin mucho ms baja que los diodos pn que
funcionan como interruptores veloces y se usan para circuitos de alta
velocidad como fuentes conmutadas, mezclador de frecuencias y
detectores.

Stabistor: El

stabistor (tambin llamado Diodo de Referencia en

Directa) es un tipo especial de diodo de silicio cuyas caractersticas de

tensin en directa son extremadamente estables. Estos dispositivos estn

diseados especialmente para aplicaciones de estabilizacin en bajas
tensiones donde se requiera mantener la tensin muy estable dentro de un
amplio rango de corriente y temperatura.

Diodo Varicap: El

diodo Varicap conocido como diodo de

capacidad variable o varactor, es un diodo que aprovecha determinadas
tcnicas constructivas para comportarse, ante variaciones de la tensin
aplicada, como un condensador variable. Polarizado en inversa, este
dispositivo electrnico presenta caractersticas que son de suma utilidad en
circuitos sintonizados (L-C), donde son necesarios los cambios
de capacidad. Este diodo, tambin llamado diodo de capacidad variable,
es, en esencia, un diodo semiconductor cuya caracterstica principal es la
de obtener una capacidad que depende de la tensin inversa a l
aplicada.Se usa especialmente en los circuitos sintonizadores de televisin
y los de receptores de radio en FM.

Nomenclaturas
En el caso de los diodos existen dos tipos de nomenclaturas, la americana y
la
europea.

En la nomenclatura americana, el nombre del diodo viene expresado

mediante un nmero y una letra 1N (que su significado hace referencia a que
tiene una unin PN, en el caso del transistor que posee dos uniones PN se
denominara 2N) seguidas de una serie de nmeros, por ejemplo, 1N4007.
En la nomenclatura europea se utilizan una serie de letras y nmeros cuyo
significado
se
muestra
en
la
tabla
siguiente;
Cabe hacer un apunte en la nomenclatura europea y es que existen diodos
que responde a la nomenclatura antigua, comienza por las letras OA seguidas
de un nmero de serie, por ejemplo OA85.

Codificacin de diodos, transistores y tiristores

Normalmente la codificacin de los transistores, tiristores y diodos se basa en
estndares desarrollados por los siguientes organismos:
JEDEC
PRO ELECTRON

JISC
Veamos un breve recuento sobre ellos y sus estndares:
JEDEC (Joint Electronic Device Engineering Council): Consejo Conjunto de
Ingeniera de Dispositivos Electrnicos. Es el principal desarrollador de
estndares para la industria de estado slido. Casi 2500 participantes,
designados por unas 270 compaas trabajan juntas en 50 comits donde
evalan las necesidades de cada segmento de la industria, de los fabricantes
e igualmente de los consumidores . Las publicaciones y los estndares que
generan se aceptan en todo el mundo.
Estndar: digito, letra, serial, sufijo (opcional)
Ejemplo: 2N2222A, 2N3904,
Digito: El numero designa el tipo de dispositivo
1: Diodo
2: Transistor Bipolar
3: Transistor de efecto de campo FET
4: Opto acoplador
5: Opto acoplador
Letra: Se usa siempre la N
Serial: El nmero de serie se sita entre el 100 y el 9999 y no dice nada sobre
el dispositivo, salvo su fecha aproximada de introduccin.
Sufijo (opcional): indica la ganancia (hfe) genrica del dispositivo:
A: Ganancia baja
B: Ganancia media
C: Ganancia alta
PRO ELECTRON: organizacin europea para el registro del tipo numeracin
para los componentes electrnicos activos, que ahora hace parte del la
asociacin europea del fabricantes de componentes electrnicos (EECA:
European Electronic Component Manufacturers)
Estndar: dos letras, letra (opcional), numero de serie
Ejemplo: BC108A, BAW68, BF239

Primera letra: especifica el material semiconductor empleado

A: Germanio
B: Silicio
C: Arseniuro de galio
R: Materiales compuestos
Segunda letra: especifica el tipo de dispositivo
A: Diodo de bajo poder o baja seal
B: Diodo de capacitancia variable (varicap)
C: transistor, de audio frecuencia (AF), pequea seal
D: transistor, AF, potencia
E: Diodo tunel
F: transistor, alta frecuencia (HF), pequea seal
K: Dispositivo de efecto Hall
L: Transistor, HF, potencia
N: Optoacoplador
P: Fotorreceptor
Q: Emisor de luz
R: Dispositivo de conmutacin, baja potencia, ej: tiristor, diac, UJT etc
S: Transistor, conmutacin de baja potencia
T: Dispositivo de conmutacin, potencia, ej: tiristor, triac, etc.
U: Transistor de potencia, conmutacin
W Dispositivo de onda acstica de superficie (SAW)
Y: Diodo rectificador
Z: Diodo zener
Tercera letra (opcional): La tercera letra indica que el dispositivo est pensado
para aplicaciones industriales o profesionales, ms que para uso comercial.
suele ser una W, X, Y o Z.
Numero de serie: varia entre 100 y 9999
JISC (Japanese Industrial Standard committee): Es un comit encargado de
realizar estndares para la industria japonesa.
Estndar: digito, dos letras, numero de serie, sufijo (opcional)
Ejemplo: 2SA1187, 2SB646
Digito: El numero designa el tipo de dispositivo
1: Diodo
2: Transistor Bipolar
3: Transistor de efecto de campo FET

2 letras: Las letras especifican el rea de aplicacin

SA: PNP HF transistor
SB: PNP AF transistor
SC: transistor NPN HF
SD: transistor NPN AF
SE: Diodos
SF: Tiristores
SG: Dispositivos de disparo
SH: UJT
SJ: FET/MOSFET canal P
SK: FET/MOSFET canal N
SM: Triac
SQ: LED
SR: Rectificador
SS: diodo de seal
ST: diodo de avalancha
SZ: diodo zener
El nmero de serie: varia entre 10 y 9999.
El sufijo (opcional): indica que dicho tipo est aprobado para el empleo por
varias organizaciones japonesas.

Funcionamiento del diodo

Como cualquier otro componente electrnico. Tambin los diodos deben ser
comprobados, en cuanto a su estado se refiere. Para poder entender mejor
como deben realizarse las pruebas y mediciones y establecer cules son las
caractersticas que ms interesan estudiar, debemos realizar, previamente, un
pequeo resumen de la teora del funcionamiento de los diodos.

1) Para que la corriente circule (minima resistencia), el polo positivo de la

fuente debe estar aplicado al electrodo denominado anodo, y el negativo
denominado catodo; a este sistema de polarizacion se lo llama polarizacion
directa.
2) Para que la corriente encuentre el maximo de resistencia a su paso, habra
que aplicar una polarizacion opuesta a la indicada en el punto anterior, o sea
el positivo al catodo y el negativo al anodo. Este tipo de polarizacion recibe el
nombre de polarizacion inversa.
La condicion ideal de resistencia infinita en un sentido y cero en el otro no se
cumple jamas y en la practica siempre existe alguna circulacion de corriente
en el sentido directo (es decir que nunca es cero), alcanzando un determinado
valor que siempre es menor que la resistencia inversa, por supuesto.
En lo que se refiere a la intensidad de la corriente circulante en cada uno de
los diodos virtuales que conforman un transistor, sabemos que debera
ser muy grande en el -diodo emisor-base, que se est polarizando
directamente, en tanto que la intensidad debera ser casi nula en el diodo
colector-base, polarizado en forma inversa. Sin embargo, en el transistor no
sucede tal cosa, puesto que el hecho de que ambos diodos operen
conjuntamente, teniendo un electrodo comn (la base), hace que se produzca
una situacin muy curiosa (fundamento de la accin transistora).
1) Cuando se aplica polarizacin directa al diodo emisor-base y se deja sin
polarizar al diodo colector-base, la intensidad de la corriente en el diodo
polarizado ser muy alta. Esta corriente emisor-base con colector abierto
se representa con (Ieo).
2) Cuando se aplica polarizacin inversa al diodo colector-base y se deja sin
polarizar el diodo emisor base, la intensidad de la corriente en el diodo
polarizado ser casi nula. Esta corriente colector-base, con el emisor abierto,
se simboliza con (Ieo) y representa la corriente de fuga, del diodo colectorbase del transistor.
3) Cuando se aplican las polarizaciones correspondientes a ambos diodo s, la
intensidad de la corriente del diodo colector-base, que antes era casi nula,
aumenta a grandes valores. Todo sucede tal como si el hecho de haberse
acoplado el diodo emisor-base, produjese una reduccin de la resistencia del
diodo colector-base.
Esto se explica en la siguiente forma elemental:
1) Cuando el diodo colector-base no esta polarizado(circuito abierto) la

cantidad de lagunas inyectadas por el emisor a la base (en el caso de un

transistor PNP o los electrones (en el caso de un trnsistor NPN) ser muy
grande:la corriente de la base ser exactamente igual a la corriente del
emisor, puesto que la base atrae todas las portadoras (lagunas o electrones
segn el caso);
2) Cuando el diodo colector-base est polarizado (circuito cerrado) las
lagunas se dividen en dos caminos, una muy pequea cantidad hacia la base
y el resto (la mayor parte) hacia el colector. Corno vemos la corriente del
emisor (le) es igual a la suma de las corrientes de la base (lb) y del colector
(le).
Estos conceptos son fundamentales para la reparacion en electronica, pero
recomendamos siempre profundizar en otros medios antes de que los
principiantes se arrojen sobre los artefactos, ya que existe siempre el riesgo
que envuelve la electricidad.

Polarizacin directa de un diodo

En este caso, la batera disminuye la barrera de potencial de la zona de carga
espacial, permitiendo el paso de la corriente de electrones a travs de la
unin; es decir, el diodo polarizado directamente conduce la electricidad.

Para que un diodo est polarizado directamente, se debe conectar el polo

positivo de la batera al nodo del diodo y el polo negativo al ctodo. En estas
condiciones podemos observar que:

El polo negativo de la batera repele los electrones libres del cristal n,

con lo que estos electrones se dirigen hacia la unin p-n.

El polo positivo de la batera atrae a los electrones de valencia del cristal

p, esto es equivalente a decir que empuja a los huecos hacia la unin p-n.

Cuando la diferencia de potencial entre los bornes de la batera es

mayor que la diferencia de potencial en la zona de carga espacial, los
electrones libres del cristal n, adquieren la energa suficiente para saltar a
los huecos del cristal p, los cuales previamente se han desplazado hacia la
unin p-n.

Una vez que un electrn libre de la zona n salta a la zona p atravesando

la zona de carga espacial, cae en uno de los mltiples huecos de la zona p
convirtindose en electrn de valencia. Una vez ocurrido esto el electrn
es atrado por el polo positivo de la batera y se desplaza de tomo en
tomo hasta llegar al final del cristal p, desde el cual se introduce en el hilo
conductor y llega hasta la batera.

De este modo, con la batera cediendo electrones libres a la zona n y

atrayendo electrones de valencia de la zona p, aparece a travs del diodo una
corriente elctrica constante hasta el final.

Polarizacin inversa de un diodo

En este caso, el polo negativo de la batera se conecta a la zona p y el polo
positivo a la zona n, lo que hace aumentar la zona de carga espacial, y la

tensin en dicha zona hasta que se alcanza

el valor de la tensin de la batera, tal y
como se explica a continuacin:

El polo positivo de la batera atrae a

los electrones libres de la zona n, los
cuales salen del cristal n y se introducen
en el conductor dentro del cual se
desplazan hasta llegar a la batera. A
medida que los electrones libres
abandonan la zona n, los tomos
pentavalentes que antes eran neutros,
al verse desprendidos de su electrn en
el orbital de conduccin, adquieren estabilidad (8 electrones en la capa de
valencia, ver semiconductor y tomo) y una carga elctrica neta de +1, con
lo que se convierten en iones positivos.

El polo negativo de la batera cede electrones libres a los tomos

trivalentes de la zona p. Recordemos que estos tomos slo tienen 3
electrones de valencia, con lo que una vez que han formado los enlaces
covalentes con los tomos de silicio, tienen solamente 7 electrones de
valencia, siendo el electrn que falta el denominado hueco. El caso es que
cuando los electrones libres cedidos por la batera entran en la zona p,
caen dentro de estos huecos con lo que los tomos trivalentes adquieren
estabilidad (8 electrones en su orbital de valencia) y una carga elctrica
neta de -1, convirtindose as en iones negativos.

Este proceso se repite una y otra vez hasta que la zona de carga
espacial adquiere el mismo potencial elctrico que la batera.

En esta situacin, el diodo no debera conducir la corriente; sin embargo,

debido al efecto de la temperatura se formarn pares electrn-hueco
(ver semiconductor) a ambos lados de la unin produciendo una pequea
corriente (del orden de 1 A) denominada corriente inversa de saturacin.
Adems, existe tambin una denominada corriente superficial de fugas la
cual, como su propio nombre indica, conduce una pequea corriente por la
superficie del diodo; ya que en la superficie, los tomos de silicio no estn
rodeados de suficientes tomos para realizar los cuatro enlaces covalentes
necesarios para obtener estabilidad. Esto hace que los tomos de la
superficie del diodo, tanto de la zona n como de la p, tengan huecos en su
orbital de valencia con lo que los electrones circulan sin dificultad a travs de
ellos. No obstante, al igual que la corriente inversa de saturacin, la corriente
superficial de fuga es despreciable.

Curva caracterstica del diodo

Tensin umbral, de codo o de partida (V ).

La tensin umbral (tambin llamada barrera de potencial) de polarizacin
directa coincide en valor con la tensin de la zona de carga espacial del
diodo no polarizado. Al polarizar directamente el diodo, la barrera de
potencial inicial se va reduciendo, incrementando la corriente ligeramente,
alrededor del 1% de la nominal. Sin embargo, cuando la tensin externa
supera la tensin umbral, la barrera de potencial desaparece, de forma que
para pequeos incrementos de tensin se producen grandes variaciones
de la intensidad de corriente.

Corriente mxima (Imax ).

Es la intensidad de corriente mxima que puede conducir el diodo sin
fundirse por el efecto Joule. Dado que es funcin de la cantidad de calor
que puede disipar el diodo, depende sobre todo del diseo del mismo.

Corriente inversa de saturacin (Is ).

Es la pequea corriente que se establece al polarizar inversamente el
diodo por la formacin de pares electrn-hueco debido a la temperatura,
admitindose que se duplica por cada incremento de 10 C en la
temperatura.

Corriente superficial de fugas.

Es la pequea corriente que circula por la superficie del diodo (ver
polarizacin inversa), esta corriente es funcin de la tensin aplicada al
diodo, con lo que al aumentar la tensin, aumenta la corriente superficial
de fugas.

Tensin de ruptura (Vr ).

Es la tensin inversa mxima que el diodo puede soportar antes de darse
el efecto avalancha.

Tericamente, al polarizar inversamente el diodo, este conducir la corriente

inversa de saturacin; en la realidad, a partir de un determinado valor de la
tensin, en el diodonormal o de unin abrupta la ruptura se debe al efecto
avalancha; no obstante hay otro tipo de diodos, como los Zener, en los que la
ruptura puede deberse a dos efectos:

Efecto avalancha (diodos poco dopados). En polarizacin inversa se

generan pares electrn-hueco que provocan la corriente inversa de
saturacin; si la tensin inversa es elevada los electrones se aceleran
incrementando su energa cintica de forma que al chocar con electrones
de valencia pueden provocar su salto a la banda de conduccin. Estos
electrones liberados, a su vez, se aceleran por efecto de la tensin,
chocando con ms electrones de valencia y liberndolos a su vez. El
resultado es unaavalancha de electrones que provoca una corriente

grande. Este fenmeno se produce para valores de la tensin superiores a

6 V.

Efecto Zener (diodos muy dopados). Cuanto ms dopado est el

material, menor es la anchura de la zona de carga. Puesto que el campo
elctrico E puede expresarse como cociente de la tensin V entre la
distancia d; cuando el diodo est muy dopado, y por tanto d sea pequeo,
el campo elctrico ser grande, del orden de 310 5 V/cm. En estas
condiciones, el propio campo puede ser capaz de arrancar electrones de
valencia incrementndose la corriente. Este efecto se produce para
tensiones de 4 V o menores.

Para tensiones inversas entre 4 y 6 V la ruptura de estos diodos especiales,

como los Zener, se puede producir por ambos efectos.

Curva caracterstica del diodo.

Modelos Matemticos
El modelo matemtico ms empleado es el de Shockley (en honor a William
Bradford Shockley) que permite aproximar el comportamiento del diodo en la
mayora de las aplicaciones. La ecuacin que liga la intensidad de corriente y
la diferencia de potencial es:
Donde:

I es la intensidad de la corriente que atraviesa el diodo

VD es la diferencia de tensin entre sus extremos.

IS es la corriente de saturacin (aproximadamente

n es el coeficiente de emisin, dependiente del proceso de fabricacin

del diodo y que suele adoptar valores entre 1 (para el germanio) y del
orden de 2 (para el silicio).

El Voltaje trmico VT es aproximadamente 25.85mV en 300K, una temperatura

cercana a la temperatura ambiente, muy usada en los programas de
simulacin de circuitos. Para cada temperatura existe una constante conocida
definida por:

Donde k es la constante de Boltzmann, T es la temperatura absoluta de la

unin pn, y q es la magnitud de la carga de un electrn (la carga
elemental).
La ecuacin de diodo ideal de Shockley o la ley de diodo se deriva de
asumir que solo los procesos que le dan corriente al diodo son por el flujo
(debido al campo elctrico), difusin, y la recombinacin trmica. Tambin
asume que la corriente de recombinacin en la regin de agotamiento es
insignificante. Esto significa que la ecuacin de Shockley no tiene en
cuenta los procesos relacionados con la regin de ruptura e induccin por
fotones. Adicionalmente, no describe la estabilizacin de la curva I-V en
polarizacin activa debido a la resistencia interna.
Bajo voltajes negativos, la exponencial en la ecuacin del diodo es
insignificante. y la corriente es una constante negativa del valor de I s. La
regin de ruptura no est modelada en la ecuacin de diodo de Shockley.

Para voltajes grandes, en la regin de polarizacin directa, se puede

eliminar el 1 de la ecuacin, quedando como resultado:
Con objeto de evitar el uso de exponenciales, en ocasiones se emplean
modelos ms simples an, que modelan las zonas de funcionamiento
del diodo por tramos rectos; son los llamados modelos de continua o
de Ram-seal. El ms simple de todos es el diodo ideal.