.

PRACTICA #1, EL TRANSISTOR FET Y MOSFET

Patricio Xavier Cuzco A.
e-mail: pcuzcoa@est.ups.edu.ec

Universidad Politcnica Salesiana, Sede Cuenca.

Electrnica Analgica II
RESUMEN: En esta prctica de laboratorio se
obtendr el conocimiento acerca del funcionamiento y la
polarizacin del transistor fet y mosfet; para lograr estos
objetivos lo primero que se debe realizar es investigar
acerca del funcionamiento de estos transistores; luego
se realizaran los clculos
para las distintas
polarizaciones, y finalmente se proceder a armar, medir
y simular los distintos circuitos; el paso final ser
comparar y verificar los datos obtenidos tanto con los
valores clculos los valores medidos y los valores
simulados, con todos estos datos se realizara el informe
y se sacara las conclusiones de esta prctica .
Figura 1.Transistor FET.
PALABRAS CLAVE: Calcular, Armar, Medir, Simular.
Ventajas:

2 OBJETIVOS

Su impedancia de entrada es extremadamente alta

(tpicamente 100M o ms). Su consumo de potencia
es mucho ms pequeo que la del BJT. Su velocidad de
conmutacin es mucho mayor que la del BJT. Es menos
ruidoso que el BJT, esto lo hace idneo para
amplificadores de alta fidelidad. Es afectado en menor
grado por la temperatura.

1) Explicar las caractersticas del transistor fet y mosfet.

2) Disear, calcular y comprobar el funcionamiento de
los siguientes circuitos de polarizacin fet.
a) Polarizacin con fuente al Gate.

Desventajas:
b) Polarizacin
con
(Autopolarizacin).

resistencia

de

Source
Su ganancia de voltaje es mucho menor que en el
BJT. Es susceptible al dao en su manejo, sobre todo el
MOSFET. Su ancho de banda o respuesta en frecuencia
es menor que en el BJT.

c) Polarizacin con divisor de tensin.

d) Polarizacin con fuente doble y Gate a tierra.

3.2 TRANSISTORES MOSFET

3) Realizar el circuito y la simulacin de la polarizacin

de los transistores mosfet incremental y decremental.

En el caso de los MOSFET el control no se realiza

por medio de la juntura, sino por medio de una capa
aislante. Esta capa aislante consiste, por lo general, de
un oxido de metal, del cual se deriva el nombre transistor
de efecto de campo MOS (Metal-Oxide semiconductor)
semiconductor de xido de metal). Tambin se utiliza la
designacin FET de capa aislante, para la cual se indica
entonces la abreviacin IFET o IGFET (del ingls:
Insulated Gate = gate aislado).

4) Explique porque se puede quemar un transistor fet y

mosfet.

3 MARCO TEORICO
3.1 TRANSISTOR FET
Los transistores de efecto de campo o FET (Field
Effect Transistor) son particularmente interesantes en
circuitos integrados y pueden ser de dos tipos: transistor
de efecto de campo de unin o JFET y transistor de
efecto de campo metal-xido semiconductor (MOSFET).

MOSFET DE TIPO DECREMENTAL

Las similitudes que hay en la apariencia entre las
curvas de transferencia de los JFET y de los MOSFET
de tipo decremental permiten un anlisis similar de cada
uno en el dominio de dc. La diferencia ms importante
entre los dos es el hecho de que el MOSFET de tipo
decremental permite puntos de operacin con valores
positivos de VGS y niveles de ID que excedan lDSS. De
hecho, para todas las configuraciones realizadas hasta

Son dispositivos controlados por tensin con una alta

impedancia de entrada Figura 1. Ambos dispositivos se
utilizan en circuitos digitales y analgicos como
amplificador o como conmutador.

.
ahora, el anlisis es el mismo si el JFET se reemplaza
por un MOSFET de tipo decremental. La nica parte sin
definir en el anlisis consiste en la forma de graficar la
ecuacin de Shockley para los valores positivos de VGS.
Para la mayora de las situaciones este rango necesario
estar bien definido por los parmetros del MOSFET y
por la recta de polarizacin que se obtuvo de la red.

Es la peor forma de polarizar al transistor JFET

puesto que depende mucho del transistor empleado la
cual es una de las pocas configuraciones a FET que
pueden resolverse tanto por un mtodo matemtico
como por uno grfico.
En este circuito (Figura 2) nos imponemos el valor
de la corriente de Drain (ID) los datos conocidos son el
IDSS y el Vp.

MOSFET DE TIPO INCREMENTAL

Las caractersticas de transferencia del MOSFET
de tipo incremental son muy diferentes de las
encontradas para el JFET y los MOSFET de tipo
decremental, pero se obtiene una solucin grafica muy
diferente a las encontradas en secciones precedentes.
Lo primero y quiz ms importante es recordar que para
el MOSFET de tipo incremental de canal-n, la corriente
de drenaje es cero para aquellos niveles de voltaje
compuerta-fuente, menores que el nivel del umbral VGS
(Th), la corriente se define como:

ID = 5mA

Vp = - 4 V

VDD = 15V

Id = Idss(1 - Vgs/Vp) 2
5 mA = 10 mA (1 -

I D k (VGS VGS (Th) ) 2

Vgs 2
)
-4

5
Vgs = 1 (-4)

10

Ya que las hojas de especificaciones por lo general

proporcionan el voltaje del umbral y un nivel de corriente
de drenaje as como su nivel correspondiente de VGS
(encendido) pueden definirse dos puntos de inmediato.
Para completar la curva, primero tiene que determinar la
constante k de la ecuacin a partir de los datos de las
hojas de especificaciones mediante la sustitucin en la
ecuacin y resolviendo para k de la siguiente manera:

Vgs = -1.17 V

Vds 7.5 V

Vdd = Id * Rd + Vds
10 = (5 mA * Rd) + 7.5 V

I D k (VGS VGS (Th) ) 2

I D (encendido) k (VGS (encendido) VGS (Th) ) 2
K

IDSS = 10mA

Rd =

I D (encendido)
(VGS (encendido) VGS (Th) ) 2

7.5 V
1.5K
5 mA

VRd = ID * Rd

Una vez que k est definida, pueden calcularse

otros niveles de ID para los valores seleccionados de
VGS.

VRd = 5 mA *1.5 K 7.5V

Polarizacin con resistencia de Source.

3.3 CALCULOS DE LA PRCTICA

Tambin conocida como autopolarizado por

resistencia de fuente, en este circuito (figura 3) solo se
usa una fuente, que es la del drenador suprimiendo la
fuente de puerta. Y se acopla una resistencia de surtidor.
Este circuito es ms estable que el anterior. La
configuracin de autopolarizacin elimina la necesidad
de dos fuentes de dc. El voltaje de control de la
compuerta a la fuente ahora lo determina el voltaje a
travs del resistor RS. Para el anlisis en DC los
capacitares pueden reemplazarse una vez ms por
circuitos abiertos, y el resistor RG puede cambiarse por
un corto circuito equivalente dado que IG = 0A. El
resultado es la red de la figura siguiente para el anlisis
en dc.

Polarizacin con fuente al Gate (Fija)

Figura 2. Circuito Polarizacin Fija.

Figura 4. Circuito Polarizacin por partidor de tensin.

Figura 3. Circuito Autopolarizacin.

IDSS = 10mA

ID = 5mA

Vp = - 4 V

VDD = 15 V

Vp = - 4 V

VDD = 12 V

ID 5.5 mA

Vg 3 V

5
Vgs = 1 (-4)

10

Id = Idss(1 - Vgs/Vp) 2
5 mA = 10 mA (1 -

IDSS = 11 mA

Vgs 2
)
-4

Vgs = -1.17 V

5
Vgs = 1 (-4)

10

VRs Vg - Vgs

Vgs = -1.17 V

VRs 4.5 V

VRs 3 V 1.5 V

Vgs -ID * Rs
Rs =

4.5V
818 750
5.5mA

RS

-1.5
300 330
- 5 mA

VRD Vdd - Vds - VRs

VRd = Vdd - Vds - VRs

VRD 12 V - 6 V - 4.5 V

VRd 15 V - 7.5 V - 1.5 V

VRD 1.5 V

VRd = 6 V

Rd =

RD =

6V
1.2 K
5 mA

Polarizacin por partidor de tensin.

Es la forma ms segura de saber que el punto de
funcionamiento que va a estar en el punto que se
estabilice. La forma de calcular es exactamente igual
que los transistores que se le aplica Thevenin. Recuerde
que IB proporciono la relacin entre los circuitos de
entrada y de salida para la configuracin de divisor de
voltaje para el BJT, mientras que VGS har lo mismo en
la configuracin a FET. Para el anlisis en dc se redibuja
la red de la figura como se muestra en la figura siguiente
Figura 4.

1.5 V
272 270
5.5 mA

Vg = Vdd *

R2
R1 R2

3 V = 12 V *

R2
90 K

R2 =

3
* 90 K 22 K
12

R1 R2 = 90K
R1 90K 22K 68K

.
Polarizacin con Fuente Doble y Gate a Tierra

5 DESARROLLO DE LA PRCTICA

En este circuito se utilizan dos fuentes de cc para

polarizar el transistor FET; a continuacin describir los
diferentes clculos para este circuito.

IDSS = 10mA

5.1 MEDICIONES, SIMULACIONES Y

RECTAS DE CARGA.

Vp = - 4 V

VDD = 10 V

Vss 5 V

ID 5 mA

VDS 7.5 V

Polarizacin Fija

5
Vgs = 1 (-4)

10

Valores
calculados

Valores
Medidos

Valores
Simulacin

ID = 5 mA
VRD = 7.5 V
VDS = 7.5 V
VGS = -1.17 V

ID = 5.15 mA
VRD = 7.54 V
VDS = 7.34V
VGS = -1.7 V

ID = 5.044 mA
VRD = 7.56 V
VDS = 7.43 V
VGS = 1.47 V

Tabla 1. Tabla de las medidas de la polarizacin fija

Vgs = -1.17 V
Vgs Vss - Id * Rs

-1.17V 5V 5mA * Rs

Rs

6.17V
1234 1.2K
5mA

VDS Vdd Vss - Id(Rs Rd)

7.5V 10V 5V 5mA(1.2K Rd )

5mA * Rd 15V 7.5V 6V

Rd

1.5V
300 330
5mA

4 LISTA DE MATERIALES
Circuito polarizacin fija

Presupuesto de los materiales

#

Componente

Valor
Unitario

FET MPF 102

$0.35

10
1m

Resistencias
Cable multipar

$0.05
$0.50
Total

Valor
total
$1.4
$0.50
$0.50
$2.4

Herramientas y Equipos
Fuentes de tensin variables
Voltmetro
Ampermetro
Pelacables
Protoboard
Punto de trabajo del circuito polarizacin fija

Autopolarizacin con Rs

Polarizacin por partidor de tensin

Valores
calculados

Valores
Medidos

Valores
Simulacin

Valores
calculados

Valores
Medidos

Valores
Simulacin

ID = 6 mA
VRD = 6 V
VDS = 7.5 V
VRS = 1.5 V

ID = 5.89 mA
VRD = 6.98 V
VDS = 6.19 V
VRS = 1.89 V

ID = 4.54 mA
VRD = 5.44 V
VDS = 8 V
VRS = 1.5 V

ID = 5.5 mA
VRD = 1.5 V
VDS = 6 V
VRS = 4.5 V

ID = 5.58 mA
VRD = 1.8 V
VDS = 5.45 V
VRS = 4.67 V

ID = 5.7 mA
VRD = 1.5 V
VDS = 6.1 V
VRS = 4.3 V

VGS = -1.17 V

VGS = -1.7 V

VGS = -1.36 V

VGS = -1.5 V
Vg = 3 V

VGS = -1.78 V
Vg = 2.9 V

VGS = -1.39 V
Vg = 2.9 V

Tabla 2. Tabla valores de la autopolarizacin con Rs.

Tabla 3. Tabla valores polarizacin por partidor de
tensin.

Circuito Autopolarizacin con Rs

Circuito polarizacin mediante partidor de tensin

Punto de trabajo del circuito Autopolarizacin con Rs

Punto de trabajo del circuito polarizacin mediante

partidor de tensin.

5.2 TRANSISTOR MOSFET

INCREMENTAL Y DECREMENTAL

Polarizacin con fuente doble

Valores
calculados

Valores
Medidos

Valores
Simulacin

ID = 5 mA
VRD = 1.5 V
VDS = 7.5 V
VRS = 6.17 V

ID = 5.18 mA
VRD = 1.9 V
VDS = 6.11 V
VRS = 6.9 V

ID = 5.36 mA
VRD = 1.7 V
VDS = 6.7 V
VRS = 6.4 V

VGS = -1.17 V

VGS = -1.9 V

VGS = -1.4 V

En el caso del anlisis de los transistores mosfet

decremental el anlisis es muy parecido al realizado con
los transistores fet a continuacin un ejemplo Figura 5.

Tabla 4. Tabla valores polarizacin con fuente doble.

Figura 5. Circuito con un transistor Mosfet decremental.

Para el anlisis de este circuito primero

encontramos la corriente y el valor de Vgs en el punto
de trabajo; para ello realizamos la grfica del punto de
trabajo del circuito y encontramos la respuesta
grficamente

ID 3.1mA

Vgs = -1.12

IDSS = 6 mA

Vp = - 3 V

3.1
Vgs = 1 (-4)

Circuito polarizacin del fet mediante fuente doble

simtrica.

Vgs = -1.12 V

VDS Vcc ID( Rd Rs)

VDS 18V (3.1mA)(1.2K 690)

VDS 18V 5.86V

VDS 12.14V
VRs Id * Rs
VRs (3.1mA) * 690 2.14

VRd Id * Rd

Punto de trabajo del circuito polarizacin del fet

mediante fuente doble simtrica.

VRd (3.1mA) * (1.2K) 3.72V

Simulacin del circuito con un transistor Mosfet

decremental.

Simulacin de un circuito con transistor Mosfet

incremental.

Rectas de carga de un transistor Mosfet Decremental.

Punto de trabajo de un transistor Mosfet

incremental.

Ahora analizaremos el caso de un transistor mosfet

incremental como se realiza sus clculos. Para comenzar
su frmula de Id es la siguiente:

6 CONCLUSIONES
1.- En esta prctica tratamos con la polarizacin de
los transistores fet y mosfet; como recomendacin para
la polarizacin de los transistores fet, dira que es mejor
obtener lecturas reales de los valores de Vgs e IDSS, ya
que con estos valores tendremos mejores resultados al
momento de armar nuestros circuitos.

Id K (Vgs Vgs(th)) 2
De esta frmula despejamos el valor de K con los
datos del fabricante de este transistor; luego graficamos
esta frmula y obtenemos la recta de carga en el
cuadrante positivo por lo tanto el voltaje de Vgs ser
positivo.

2.- Para obtener la grfica de la curva de

transferencia de Vgs respecto a ID, debemos medir la
corriente del transistor (ID) e ir variando la tensin Vgs
entre el valor de Vp y 0V; el punto inicial se genera
cuando Vgs = Vp, cuando esto ocurre el valor de la
corriente ID = 0A; el punto final se genera cuando Vgs =
0V, y por lo tanto el valor de la corriente I D = IDSS.

Id ( Encendido )
(Vgs (encendido ) Vgs (Th)) 2
6mA
(8V 3v)

0.24 *10 3 A / V 2

3.- Los transistores fet tienen un ptimo

funcionamiento cuando su valor de Vgs est
comprendido en los valores medios de Vp y 0V.

Con los datos de Id calculamos el voltaje a travs

de Rd y el voltaje entre Drain y Source.

4.- La polarizacin para un transistor mosfet

decremental pueden resolverse de igual manera como se
tratase de un transistor fet; por ende nos sirven las
7

.
mismas formulas y las grficas para hallar los valores de
polarizacin deseados.

7 REFERENCIAS
[1] Robert L. Boylestad 2004, Electrnica: Teora de Circuitos y
Dispositivos Electrnicos, Editorial Pearson Education.
Pg. 412 440.

5.- La variacin entre los valores calculados con

los valores medidos y simulados no tiene mucha
diferencia; principalmente se debe al valor comercial de
las resistencias calculadas ya que tenemos que
aproximarnos al valor comercial ms cercano de las
mismas y perdemos la precisin.
6.- Los valores de las simulaciones en comparacin
con los valores medidos, difieren un poco, esto se debe
principalmente a que las caractersticas tcnicas de la
construccin del transistor que tiene el simulador; varia
en comparacin con los valores reales de la corriente
IDSS que indica el fabricante y con los valores IDSS de
corriente que medimos en la prctica.
Conclusions:
1.- In this practice we deal with the polarization of
the fet and mosfet transistors, a recommendation for the
polarization of FET transistors would say it is better to
get actual readings Vgs and IDSS values because these
values will have better results when build our circuits.
2.- To obtain the graph of the transfer curve about
Vgs ID, we must measure the current of the transistor
(ID) and to vary the voltage Vgs between the value of
Vp and 0V, the initial point is generated when Vgs = Vp
when this occurs the current value ID = 0A, the end
point is generated when Vgs = 0V, and therefore the
current value ID = IDSS.
3.-FET transistors have their optimum performance
when Vgs value falls within the values of Vp and 0V.
4. - The polarization for a decremental mosfet
transistor can be solved in the same way as it were a
FET transistor, hence we serve the same formulas and
graphs to find the desired polarization values.
5. - The variation between the values calculated
with measured and simulated values is not much
difference, mainly due to the commercial value of the
resistance calculated as we have to approach the nearest
commercial value thereof and lose accuracy.
6. - Simulations values compared to the measured
values differ a little, this is mainly due to the technical
characteristics of the construction of the transistor
having the simulator; variation compared with the actual
values of the current IDSS that indicates the
manufacturer and with current IDSS values we measure
in practice.