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Centro de Formao Profissional
AFONSO GRECO
ELETRNICA
Presidente da FIEMG
Olavo Machado
Gestor do SENAI
Petrnio Machado Zica
Organizao
Magno Estevam Vieira Junior
Unidade Operacional
Centro de Treinamento de Ouro Branco
APRESENTAO
O tomo do antimnio (Sb) que deu esse eltron chamamos de doador. O silcio (Si)
ou germnio (Ge) dopados com elementos pentavalentes so chamados de tipo N,
sendo um material negativo.
Os portadores de carga no material tipo N, so os eltrons.
Semicondutor tipo P
Se introduzirmos na estrutura cristalina de um semicondutor uma pequena quantidade
de um material trivalente, por exemplo, ndio (ln), tendo este 03 (trs) eltrons na
camada de valncia, faltar um eltron.
Essa falta de eltron comporta-se como uma carga positiva que chamamos de lacuna.
Os semicondutores dopados com elementos trivalentes so chamados do tipo P, e ao
elemento trivalente da dopagem chamamos de aceitador.
Os portadores de carga no material tipo P so as lacunas.
Portadores de cargas
A condutividade de um semicondutor depende do nmero de portadores de carga,
eltrons ou lacunas, dependendo da dopagem. Outro fator que influi na condutividade
a temperatura.
Este fator contribui para o rompimento da ligao covalente, dando origem a eltrons
e lacunas medida que a temperatura aumenta. No material tipo N os eltrons da
dopagem mais os surgidos pelo rompimento das ligaes so chamados de
portadores majoritrios, pois existem em maior quantidade no material. E as lacunas
surgidas no material tipo N, devido ao rompimento das ligaes, chamadas de
portadores minoritrios.
No material tipo P os portadores majoritrios so as lacunas e os portadores
minoritrios so os eltrons:
Quando um eltron e uma lacuna se encontram, suas cargas individuais neutralizamse e isto deixa o tomo da impureza carregado. Os tomos das impurezas so fixos.
O tomo que produzir o eltron tem agora uma lacuna e se carrega positivamente, e o
tomo que produziu a lacuna tem um eltron e se carrega negativamente, e so
chamados de ons. Com isto aparecer um campo eltrico entre o material P e o
material N e uma diferena de potencial chamada de barreira de potencial ou regio
de carga espacial ( camada de depleo ).
Depleo significa diminuio ou ausncia e, neste caso, esta palavra corresponde
ausncia de portadores majoritrios na regio prxima juno PN .
Diodos retificadores
Um dodo um componente de larga utilizao na eletrnica.
Antigamente os dodos eram vlvulas (um componente com o aspecto de uma
lmpada). Quando hoje se fala em dodos estamos normalmente a referir-nos ao
dodo semicondutor, que completamente diferente, embora funcione da mesma
maneira, sendo embora muito menor. As figuras seguintes mostram o aspecto de dois
tipos de dodo.
O retificador mais simples que existe o diodo (confeccionado com material do tipo
semicondutor), que permite a passagem de corrente eltrica num s sentido; esse
retificador chamado "retificador de meia-onda" e resulta num sinal de corrente
contnua pulsante, como mostra a figura abaixo
(a)
(b)
Figura 1.5 ( a ) smbolo do diodo Zener ( b ) curva caracterstica
Fonte: Apostila SENAI Eletrnica, 2007, p.16.
10
2 RETIFICADORES A DIODO
Valor Mdio de Tenso e Corrente de um Sinal peridico
Para compreender o significado de valor mdio, lanaremos mo de um exemplo,
para em seguida, aplicarmos a definio de valor mdio para as grandezas corrente e
tenso.
Consideremos um automvel que apresenta sua velocidade em funo do tempo,
km/
h
100
66,7
0
30
60
90
min
Velocidade Mdia:
Vm = ( 100 [km/h] x 0,5 [h] + 100 [km/h] x 0,5 [h] ) / 1,5 [h]
Vm = 66,7 [km/h]
Clculo de valores mdio de tenso e corrente para sinais peridicos:
e
i
temp
o
e
Vm = Vmax /
Im = Imax /
e
i
Vm = 0
Im = 0
temp
o
Vm = 2.Vmax /
Im = 2.Imax /
temp
o
Figura 2.2 Formas de onda retificadas e calculo de seu valor mdio.
Fonte: Apostila SENAI Eletrnica, 2007, p.19.
11
temp
o
Ik
Ik
Vm = Vmax / 2
Im = Imax / 2
temp
o
Vm = Vmax / 2
Im = Imax / 2
temp
o
temp
o
Vm = Vmax / 2
Im = Imax / 2
12
VP
+
VS
RL V L
Vmax
t
VD
VL
Vef = Vmax / 2
Valor eficaz da corrente na carga e
no diodo
= Imax
/2
Figura 2.6 Formas de onda de um circuito retificador de Ief
meia
onda.
Fonte: Apostila SENAI Eletrnica, 2007, p. 21.
13
VS
VP
RL
VS
2
D2
Figura 2.7 Circuito retificador de onda completa
Fonte: Apostila SENAI Eletrnica, 2007, p. 22.
+
+
VS
1
A
_
Ponto de observao
VS
_
_
A
+
2
VS
Ponto de observao
VS
2
VS
2 0
t
_ 2
+
Voltemos ao Retificador
D1
VP
RL V L
VS
1
VS
2
D2
Figura 2.11 Circuito retificador de onda completa
Fonte: Apostila SENAI Eletrnica, 2007, p. 23.
Quando VS1 estiver no semi ciclo positivo, o diodo D1 estar com seu anodo positivo
de tal maneira que conduzir.
No mesmo instante em que VS1 positivo, VS2 negativo e este potencial est sendo
aplicado no anodo do diodo D2, que comportar como um circuito aberto, no
conduzindo.
Quando VS1 passa a ser negativo, este potencial aplicado ao diodo D 1 que passa a
se comportar como circuito aberto. Neste mesmo instante o potencial de V S2
positivo e est sendo aplicado no anodo do diodo D2 que passar a conduzir.
D1
RL V L
VP
D2
Figura 2.12 Circuito retificador de onda completa
Fonte: Apostila SENAI Eletrnica, 2007, p. 23.
15
Pode-se notar que cada diodo conduz somente meio ciclo de onda, e sobre a carga a
corrente sempre circula em um mesmo sentido de tal maneira que temos na carga
tenso e corrente contnua pulsante.
interessante observar que a tenso reversa sobre cada diodo o dobro da tenso
de pico. Faremos um exemplo para ilustrar. Vamos supor que o valor da tenso de
pico de VS1 e VS2 sejam iguais a 100 V
D1
1
A
2
+ 100
V
V
VS1
S2
- 100
V
RL V L
_
D2
D2
+100
v
VR
Figura 2.14 Potenciais sobre o diodo D2
Fonte: Apostila SENAI Eletrnica, 2007, p. 24.
Conclui-se que a tenso reversa sobre o diodo D2 neste instante de 220 volts, o
dobro da tenso VS1 ou VS2.
16
t
VS2
ID1
ID2
VL
A tenso sobre a carga tem uma tenso contnua pulsante cujo valor mdio
Vdc = 2 . Vmax /
E valor eficaz
Vef = Vmax / 2
Para se dimensionar os diodos necessitamos do valor mdio da corrente direta que
circular por eles e de sua tenso reversa mxima.
A forma de onda da corrente em cada diodo de meia onda como mostra a figura a
seguir.
17
2
Vmax
Figura 2.17 Formas de onda da tenso reversa sobre os diodos
Fonte: Apostila SENAI Eletrnica, 2007, p. 26.
VR = 2 Vmax, logo:
Corrente Mdia > Imax /
Tenso Reversa Mxima > 2 Vmax
VP
D1
D4
D2
D3
RL V L
D1
D4
D3
RL V L
18
VP
D2
VS
D1
D4
D3
RL V L
VP
D2
D1
D4
D3
RL V L
19
Vmax
t
ID1 = I
D3
ID2 = I
D4
VD1 = V D3
t
t
VD2 = V D4
t
VL
t
Figura 2.20 Formas de Onda para os circuitos em ponte
Fonte: Apostila SENAI Eletrnica, 2007, p. 29.
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Center
Ponte
Tape
na Vmax / 2Vmax / 2Vmax /
Tenso mdia
carga Vdc
Tenso eficaz na Vmax / 2 Vmax / 2 Vmax / 2
carga Vef
Tenso Inversa sobre Vmax
2Vmax
Vmax
os
diodos
VR
mxima
IL
IC
C
RL
VL
tC
tD
+ 100
V
- 100
V
Vmax
RL
Vmax
Referncia
D2
A tenso mdia sobre a carga
ser:
4.CRf Vmax
Vdc =
1 + 4CRf
Figura 2.24 Forma de Onda retificada do circuito Center tape com filtro.
Fonte: Apostila SENAI Eletrnica, 2007, p. 29.
22
23
Exemplo 2 - Uma fonte de alimentao foi projetada para alimentar uma carga de
560W com tenso de 15V. Porm o sinal de sada do filtro capacitivo corresponde a
uma tenso de 22V com ripple de 5Vpp. Determinar R S do regulador de tenso que
elimina o ripple desta fonte e estabiliza sua tenso em 15V.
Soluo: O resistor RS deve satisfazer as condies dadas pelas
especificaes do diodo e pela variao da tenso de entrada..
Com a corrente mnima definimos o valor mximo para RS. A corrente
mnima acontece para o valor mnimo de VE.
Com a corrente mxima definimos o valor mnimo para R S. A corrente
mxima acontece para o valor mximo de VE.
Definimos um valor comercial para RS dentro do intervalo estabelecido.
Calculamos a potncia dissipada pelo resistor.
24
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Tenso de
sada
+ 5V
+ 6V
+ 12V
+ 15V
+ 24V
CI
7905
7906
7912
7915
7924
Tenso de
sada
-- 5V
-- 6V
-- 12V
-- 15V
-- 24V
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Neste circuito, em srie com RC, coloca-se a bobina do rel. Esta bobina,
normalmente, apresenta uma resistncia DC da ordem de algumas dezenas de
ohms. Por ser to baixa, a resistncia RC, tem a funo de limitar a corrente no
transistor, para no danific-lo. O diodo em paralelo com a bobina serve para
evitar que o transistor se danifique devido tenso reversa gerada por ela no
chaveamento do rel.
Parmetros do 2N2222:
VBESAT=0,7V VCESAT=0,3V b =10
ICMAX=500mA VCEMAX=100V
Parmetros do rel:
RR=80W IR=50mA
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Alm da regio de operao (regio ativa), onde o transistor trabalha sem distores,
devem ser levadas tambm em considerao as regies de corte e de saturao. Na
regio de corte, a\ tenso VBE menor que VBE de conduo, logo no haver
corrente IB circulando, IC tambm ser zero, e VCE estar com valor elevado. Na regio
de saturao, a tenso VBE um pouco maior que VBE de conduo. Neste caso, a
corrente de entrada IB e conseqentemente IC so muito grandes, o que implica em
VCE baixo, em torno de 0,2 Volts (dependendo do transistor)
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33
4. LGICA DIGITAL
4.1 lgebra de boole
A lgebra de Boole uma ferramenta matemtica muito utilizada na representao e
simplificao de funes binrias (ou lgicas), sendo a sua designao resultante do
contributo do Matemtico George Boole.
Definies
A Varivel lgica (ou de Boole ou binria) - Varivel que tem por domnio 2 valores
lgicos distintos, representados pelos valores 0 e 1 (ou outras designaes como
FALSE(F) e TRUE (T) ou FALSO(F) e VERDADEIRO(V) ).
Funo lgica (ou de Boole ou binria) - Funo que tem por contradomnio os
valores lgicos 0 e 1.
Operadores/Funes lgicos elementares:
4.3 Portas lgicas bsicas (AND, OR, NAND, NOR, EXOR, EXNOR).
Funes Lgicas E, OU, NO, NE e NOU.
Faremos a seguir, o estudo das principais funes lgicas que na verdade derivam
dos postulados da lgebra de Boole, sendo as variveis e expresses envolvidas
denominadas de booleanas.
Nas funes lgicas, temos apenas dois estados distintos:
O estado 0 (zero) e o estado 1 (um).
O estado 0 representar, por exemplo: porto fechado, aparelho desligado, ausncia
de tenso, chave aberta, no, etc. O estado 1 representar, ento: porto aberto,
aparelho ligado, presena de tenso, chave fechada, sim, etc.
Note, ento, que se representarmos por 0 uma situao, representaremos por 1 a
situao contrria. Deve-se salientar aqui, que cada varivel booleana da funo
lgica pode assumir somente 2 situaes distintas 0 ou 1.
Funo E ou AND
A funo E aquela que executa a multiplicao de 2 ou mais variveis booleanas.
tambm conhecida como funo AND, nome derivado do ingls.
Sua representao algbrica para 2 variveis S = A.B, onde se l S = A e B.
A figura abaixo mostra o circuito eltrico equivalente a porta E.
CONVENO
CHAVE ABERTA = 0 LMPADA APAGADA = 0
CHAVE FECHADA = 1 LMPADA ACESA = 1
Tabela-verdade de uma Funo E ou AND
Chamamos de tabela-verdade um mapa onde colocamos todas as possveis
situaes com seus respectivos resultados. Na tabela 04, iremos encontrar o modo
como a funo se comporta. A seguir, iremos apresentar a tabela-verdade de uma
funo E ou AND para 2 variveis de entrada:
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Simbologia
A porta E um circuito que executa a funo E, sendo representada na prtica,
atravs do smbolo abaixo:
Figura 4.4 Smbolo porta AND com 3 entradas e sua tabela da verdade
Fonte: Apostila SENAI Eletrnica, 2007, p. 67.
Notamos que a tabela-verdade mostra as 8 possveis variaes das variveis de
entrada e seus respectivos resultados na sada. O nmero de situaes possveis
igual a 2N, onde N o nmero de variveis de entrada.
No exemplo: N = 3 23 = 8.
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Funo OU ou OR
A funo OU ou OR aquela que assume valor 1 quando uma ou mais variveis da
entrada forem iguais a 1 e assume valor 0 se, e somente se, todas as variveis de
entrada forem iguais a 0. Sua representao algbrica para 2 variveis de entrada
S = A + B, onde se l S = A ou B.
O termo OR tambm utilizado derivado do ingls.
O circuito da figura 04 abaixo representa a funo OU:
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CONVENO
CHAVE ABERTA = 0 LMPADA ACESA = 1
CHAVE FECHADA = 1 LMPADA APAGADA = 0
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A lmpada S acender (1) quando a chave A estiver aberta (0). Quando a chave A
estiver fechada (1), a lmpada ser curto-circuitada e no acender (0).
Veja a seguir o smbolo, as combinaes possveis da chave e a respectiva tabelaverdade.
40
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Devido a sua definio, o circuito OU Exclusivo s pode ter duas variveis de entrada
e possui um smbolo caracterstico mostrado abaixo:
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5. AMPLIFICADOR OPERACIONAL
O Amplificador Operacional (abreviadamente A. O ou amp-op) certamente um dos
integrados de aplicaes lineares mais usados e mais versteis da atualidade. Alm
de ser de fcil emprego, no requer clculos cansativos e ajustes para sua
polarizao, ao contrrio dos transistores. Essa versatilidade e seu vasto campo de
aplicaes tornaram seu conhecimento uma necessidade para todo tcnico e
engenheiro que atuam no campo da eletrnica, mesmo que o componente no faa
parte do seu dia-a-dia.
O A.O. recebeu esta denominao pelo fato de ter sido utilizado inicialmente para
executar operaes matemticas em computao analgica, tais como: somar,
subtrair, integrar, diferenciar, etc.
Atualmente, o componente em forma de CI empregado em inmeras aplicaes
lineares ou no lineares na eletrnica em geral, mas principalmente em sistemas de
controle e regulao, instrumentao, processamento e gerao de sinais.
Trata-se na realidade de um amplificador CC linear, com elevado ganho de tenso e
que usa externamente uma rede de realimentao negativa ou positiva (em funo da
aplicao) para controlar suas caractersticas de operao.
Abaixo o diagrama interno do 741, considerado o amp-op mais popular.
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Amplificador Inversor
A tenso de sada ser igual ao produto da tenso de entrada pelo ganho, estando a
sada defasada de 180 eltricos em relao entrada.
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Amplificador inversor:
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A numerao binrio codificado decimal (BCD) usa quatro bits para representar
nmeros decimais de 0 a 9. O bit menos significativo (LSB) expresso como (valor do
bit x 20), o prximo bit como (valor do bit x 21), o terceiro como (valor do bit x 22), e o
bit mais significativo (MSB) como (valor do bit x 23). Assim o peso de cada coluna da
direita para a esquerda 1, 2, 4 e 8.
Nesta linha de raciocnio, num circuito conversor D/A que recebe um nmero BCD a
ser convertido em analgico, o LSB dever ser apresentado para um resistor de
entrada com o maior valor de resistncia do circuito, o segundo com a metade do
LSB, o terceiro com um quarto do LSB e o MSB com um oitavo do LSB. A sada
ento a soma das quatro voltagens atenuadas. Note que o maior valor de resistncia
refere-se ao LSB porque ele causa o menor fluxo de corrente resultante.
O resistor de carga (RL ) que utilizado para criar a voltagem de sada (Va), que
nada mais , que uma diferena de potencial (ddp) intermediria, calculada entre o
ponto onde as correntes so somadas (Va) e o terra.
A relao entre o valor de resistncia de RL e de Req deve ser tal que RL esteja entre
o valor mdio e o menor valor de Req (1KW < RL > 500W). Isto deve-se ao fato de
que a ddp sobre RL no deve ser nem muito maior nem muito menor que a ddp sobre
Req.
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53
54
55
Y7
Y6
Y5
Y4
Y3
Y2
Y1
S2
S1
S0
Tabela 6.1 Estados do conversor A/D paralelo como funo da tenso de entrada
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7. TIRISTORES
Tiristor o nome usado para designar uma famlia de componentes de quatro
camadas (P-N-P-N). Nesta seo sero abordados os tiristores SCR e TRIAC.
Embora o GTO seja tambm um tiristor, ele ser abordado na seo de chaves
controlveis.
7.1 O SCR
O SCR Silicon Controled Rectifier o mais antigo dispositivo semicondutor de
potncia, possui construo simples, ainda hoje o dispositivo capaz de manipular as
mais altas potncias. possvel encontrar no mercado dispositivos que podem
suportar vrios Kilovolts e vrios Kiloampres. Entretanto, como mencionado na
tabela 1, somente seu ligamento pode ser controlado.
A figura seguinte mostra o smbolo do SCR, juntamente com sua caracterstica
esttica (idealizada).
57
58
59
tq
110s
100s
200s
25
20
60
VDRM
VRRM
VRSM
VR
VT
(dv/dt)cr
ITSM
ITM ou ITRM
IT ou ITAV
ITRMS
i2 t
IR
IRD
IL
IH
(di / dt) cr
tq
tgr
td ou tgd
tr ou tgr
tON ou tgt
trr
IRM
Qrr
PTOT ou PD(AV)
Tj
Rthjc ou RJC
rT
IGT
VGT
VGRM
IGD
VGD
PGM
PG(AV)
IGTM ou IGSM
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7.2 Triac
O TRIAC Thyristor AC pode ser interpretado como a conexo de dois SCRs em
anti-paralelo. O componente bidirecional em corrente e tenso, possuindo os
terminais de carga MT1 e MT2 (MT = Main Terminal), bem como o terminal de gate.
O maior problema do TRIAC que sua capacidade de dv/dt muito baixa,
tipicamente 5 a 20V / s, contra 100 1000 V/ s nos SCRs. Alm disso, somente
esto disponveis dispositivos para correntes de apenas aproximadamente 40 A rms.
Esses fatores seriamente limitam sua capacidade de controle de potncia, mas no
impedem sua ampla e difundida utilizao em aplicaes CA de baixa potncia.
A figura seguinte mostra o smbolo do TRIAC, juntamente com sua caracterstica
esttica idealizada. Como pode ser observado, um dispositivo que opera em todos
os quadrantes do plano v x i. Sendo um tiristor, possui caracterstica de travamento,
isto , uma vez em conduo a corrente de gate pode ser retirada.
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VRRM
/ ITRMS
VT
VDRM
T2500DFP
400V
6A
2v
2N6344
800V
12 A
1,55V
BCR30GMI2
600V
30 A
1,6V
Tabela 7.2 Caractersticas eltricas de alguns dispositivos
dv/dt(cr)
10 V/s
5V/ s
20V/ s
7.3 Diac
Os diacs so diodos de disparo bidirecional, composto por trs camadas (PNP) com a
simples funo de disparar tiristores.
Sua construo assemelha-se a de um transistor bipolar, porm difere na dopagem
do cristal N.
Seu funcionamento simples: Para passar do estado de bloqueio para o estado de
conduo, preciso ultrapassar a tenso de ruptura (VR), rompendo assim, a juno
polarizada inversamente, podendo a corrente fluir em ambos sentidos.
Para voltar ao estado de bloqueio, basta remover a tenso por alguns instantes.
Os diacs servem para controlar o disparo de triacs quando uma tenso de referncia
chegar a certo valor.
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B2
B1
E Emissor
B1 Base 1
B2 Base 2
Constituio Interna
Basicamente o transistor de unijuno constitudo por uma barra de material
semicondutor do tipo N (de alta resistividade) com terminais nos extremos. Tais
contactos no constituem junes semicondutoras, e assim, entre B2 (base 2) e B1
(base 1) temos, na prtica uma resistncia, formada pelo material semicondutor N. O
material do tipo P como material do tipo N formam a nica juno PN semicondutora
interna.
B2
E
B1
Tudo se passa como se o bloco do tipo N fosse formado por duas simples
resistncias (Rb2 e Rb1), em srie, tendo ligado no seu ponto central um diodo
(terminal E ou Emissor).
O terminal do emissor (E) est mais prximo da base 2 (B2).
64
Princpio de funcionamento
+
6 a 30 Volt
_
Figura 7.7 O UJT Princpio de funcionamento
Fonte: Apostila SENAI Eletrnica, 2007, p. 118.
65
Caractersticas tcnicas
Tenso entre bases (Vbb) a mxima tenso que pode ser aplicada entre as
bases.
Tenso entre emissor e base 1 (Vb1e) a mxima tenso que pode ser
aplicada entre esses dois terminais.
Resistncia entre bases (Rbb) a resistncia existente entre os dois terminais
de base.
Corrente de pico de emissor (Ie) a corrente mxima que pode circular entre o
emissor e a base 1 quando o transistor disparado.
Razo intrnseca de afastamento ()
Rb1
Rbb
V1 = 0,65 x 10
V1 = 6,5V
V1 a chamada tenso intrnseca de afastamento porque ela mantm o diodo
emissor com polarizao inversa para todas as tenses aplicadas ao Emissor,
inferiores a V1.
Se V1 for igual a 6,5 Volt, ento temos de aplicar um pouco mais ( 0,6V) do que os
6,5V para polarizar diretamente a juno PN e haver conduo entre Emissor e a
Base 1.
66
8. BIBLIOGRAFIA
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