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Ingeniera

bsica:
Materiales
para
el
desarrollo
de
semiconductores.
Jos Rosas

Bases de diseo.
Aqu se va a presenta los fundamentos de los procesos que intervienen en la
fabricacin de semiconductores de silicio especficamente y lo que se debe
tener en consideracin al momento de disear.

Tipos de silicio.

Silicio Amorfo. Caso particular: xido de Silicio (SiO 2). Buen dielctrico.
Silicio Cristalino. Material base para el diseo de semiconductores.
Silicio policristalino (Polisilicio). Utilizado en la construccin de la puerta
del MOS.

Energa.
La energa que separa las dos bandas de un material (Banda de conduccin y
Banda de Valencia), tambin llamada Energa del GAP (Eg), y medida en
electrn Volt (eV), define la conductividad del mismo. sta es muy sensible a la
temperatura. De esta forma:

Eg < 2 eV, el material es un metal, o semiconductor. Para el caso del Si


es de 1.12eV.
Eg > 2 eV, el material es un dielctrico o no conductor. Silicio Cristalino.
Material base para el diseo de semiconductores. As para el SiO 2 es de 5
eV, y para el diamante es de 8 eV.
Silicio policristalino (Polisilicio). Utilizado en la construccin de la puerta
del MOS.

Propiedades trmicas del silicio.


La temperatura afecta directamente en la cantidad de portadores libres del
Silicio. De esta forma, veamos cmo se comporta para diferentes valores:

A temperatura 0 K. El Silicio se comporta como un aislante. Tiene todos


sus electrones libres, en la banda de valencia y no son capaces de pasar
a la banda de conduccin.
A temperatura >0 K. Se comporta como un semiconductor, habiendo
electrones libres, que pueden superar la energa del Gap, y hacer que el
silicio pase a conduccin.

A temperatura > 300 K, el silicio tiene del orden a 10 10 pares


Electrn/hueco. Esta caracterstica hace posible que ste material sea
interesante desde el punto de vista del diseo microelectrnico.

Dopajes.
Para hacer que el silicio (valencia 4) tenga un mayor exceso de electrones
libres, o por el contrario, una mayor falta de electrones libres (o exceso de
huecos), necesitaremos insertar en la red cristalina de ste material, una serie
de sustancias dopantes. Estos materiales, crearn defectos en la red del silicio,
y dependiendo del nmero de tomos introducidos (hasta 10 21)
denominaremos al conjunto de tomos, cristal N o cristal P. La unin de ambos,
crear la unin clsica de un semiconductor PN.

Cristal N.
Introducimos en la red cristalina materiales de valencia 5, que introducen un
electrn de ms en la red. A este material se le llama, donador. De esta forma,
al estar la red con un exceso de cargas negativas, le llamaremos cristal tipo N
(fsforo, arsnico, antimonio).

Figura 1. Representacion de un cristal N.

Cristal P.
De la misma forma, introducimos materiales de valencia 3, que aportan una
falta de un electrn en la red. Como el conjunto de la red, tendr una cadencia
de electrones libres (o llamndolo de otra forma, un exceso de agujeros libres),
diremos que el cristal es de tipo P (Boro).

Figura 2. Representacion de un cristal P.

Tipos de semiconductores.
En funcin de cmo asociemos los materiales entre ellos (con diferentes
valencias) obtendremos los siguientes tipos de semiconductor:

Elementales. Valencia IV. Material: Si, Ge.


Binarios:
o Valencia IV-IV: SiGe, SiC.
o Valencia III-V: GaAs (optoelectrnica), GaSb.
o Valencia II-VI: CdSe (Infrarrojos), CdTe(emisor rayos X).
Ternarios. GaAsP, GaAsAl, etc.

Tipos de dielctricos.

SiO2. Tambin llamado xido de silicio. Tiene baja capacidad como


dielctrico.
Si3N4. Llamado nitruro de silicio. Su capacidad es muy elevada.
Orgnicos, como las poliamidas. Capacidad intermedia.

Tipos de conductores.

Polisilicio. Soporta temperaturas muy elevadas, y procesos trmicos


posteriores.
Metales. El material ms utilizado es el aluminio, que pese a tener mayor
conductividad que el polisilicio, su temperatura de fusin es mucho
menor, y no soporta los procesos trmicos posteriores (se derrite).
Tambin hay otros materiales como el oro, Cu (muy utilizado
actualmente por Intel), W, Ti.

Superficies de implementacin.

Monolticos. La implementacin se realiza sobre la superficie de la oblea.


Peliculares. Dicha implementacin se realiza sobre una cermica, donde
se implentan las pistas (componente pasivo, ya que no ejerce ninguna
funcin elctrica).
Hbridos. Tecnologa que utiliza las dos anteriores.
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Tecnologas de implementacin.

Planar. Utiliza slo la superficie de la oblea del silicio para hacer la


circuitera.
Bulk. Utiliza todo el grosor de la oblea (0.5mm), tambin llamado
sustrato, para implementar la circuitera (muy utilizado en la fabricacin
de circuitos discretos, como diodos).

El silicio natural, obtenido de la arena (entre otras fuentes), est altamente


contaminado (podramos decir que s bsicamente dixido de silicio). Para
depurarlo o descontaminarlo, aplicamos carbono a alta presin y
conseguiremos dejar puro al 98% (a su vez, liberamos CO2). A este silicio
resultante, se le denomina de silicio metalrgico. Otro mtodo para depurar el
silicio es aplicarle cido Clorhdrico. Con esta tcnica se libera H2, SiHCl3 y Si2.
ste ltimo tiene ahora una pureza del 99.999%.

Crecimiento de cristales de silicio.


El mtodo de Czochralski o mtodo convencional para el crecimiento del silicio,
consiste en colocar en un horno a altsima temperatura, una semilla de silicio
con la orientacin Miller cristalogrfica deseada. En la cubeta de dicho horno
existe silicio P o N lquido. Si introducimos la semilla, en esta cubeta, y
empezamos a girar lentamente dicha semilla en la sustancia, los tomos del
silicio, se empezarn a alinear cristalogrficamente (repetirn la estructura
cristalina de la semilla, en los tomos que se vayan enganchando a la misma).

Figura 3. Mtodo de Czochralsk.

A continuacin, si vamos sacando poco a poco (rotando) el conjunto, se ir


formando un bloque redondo de Si, llamado misil. Al hacer todo este proceso,
podemos ir rellenando la cubeta con ms Si, e forma que las impurezas de la
sustancia, se irn acumulando en el fondo de la cubeta, y en la parte final de
misil.
Acto seguido, procederemos a reducir su dimetro en un torno para reajustar el
dimetro de las futuras obleas, al tamao que desea el fabricante de Cis.
Para eliminar las impurezas del misil, se utiliza la tcnica de la zona flotante.
Esta tcnica consiste en calentar el misil con una resistencia circular de cuarzo
a altsima temperatura (rodea al misil). Esta resistencia se desplaza desde la
zona inicial (donde se encuentra la semilla) hasta el final del mismo. La zona
donde se encuentra la resistencia, pasa a estado lquido, y como la
concentracin de impurezas en el lquido, es mayor que el slido, al ir
desplazando dicha resistencia, nos iremos llevando las impurezas al final del
misil. A continuacin, cortamos una parte del final del mismo, y de esta forma
todo el misil queda libre de impurezas.

Corte y marcacin de las obleas


A continuacin, se toma el misil, y se le lima (con lser) uno o varios de sus
lados para marcar por un lado, el tipo de cristal que lo forma (P o N), y por otro
lado la orientacin cristalogrfica. La orientacin ms apropiada para las
aplicaciones en microelectrnica, son la <100>, y <111>.

<100>. Es muy til para tecnologa MOS.


<111>. Es muy til para tecnologa BJT.

Finalmente se proceder a cortar el misil en pequeas rebanadas,


generalmente de 500 micras de grosor (bien por lser, bien con agua a 1000
bares de presin) y posteriormente pulirlas y limpiarlas con agua
electrnicamente pura.

Crecimiento epitaxial.
Esta tcnica, consiste en hacer crecer un silicio delgado, sobre la oblea,
manteniendo la estructura cristalina de la misma. Existen tres tcnicas de
crecimiento epitaxial:

VPE. Vapour Phase Epitaxy. En un horno a alta temperatura, se depositan


las obleas de silicio, en un ambiente rico en gas que contiene silicio.
Concretamente SiCl4 + 2H2, aplicando temperatura obtenemos Si
(Silicio puro) y 4Hcl.
LPE. Liquid Phase Epitaxy. Consiste en aplicar a cada oblea, una resina
rica en silicio, o en sustancias dopantes (de esta forma se dopa una
oblea, y se crear regiones en la misma para elaborar transistores,
resistencias...).
MBE. Mollecular Beam Epitaxy. Consiste en bombardear con tomos de
silicio o de sustancias dopantes, a la oblea. La velocidad de crecimiento
es muy poca, pero es til para hacer pozos enterrados a diferentes
profundidades de la oblea. De esta forma se pueden crear trincheras
enterradas, para evitar defectos elctricos en los transistores.

Arreglo generales.
La naturaleza fsica del semiconductor as como el electrodo base empleado
puede requerir diferentes estructuras del dispositivo (ver Figura 5. Diferentes
arreglos del semiconductor para un sistema integrado.).

Figura 4. Circuito integrado.

Figura 5. Diferentes arreglos del semiconductor para un sistema integrado.

A continuacin se presenta un arreglo general de un transistor.

Figura 6. Arreglo general de un transistor.

A la hora de disear un circuito integrado es necesario tener en cuenta las


siguientes reglas que son diferentes de las de diseo de un circuito discreto.
El material de partida en la construccin de un circuito integrado es una oblea
semiconductora con una determinada resistividad y orientacin cristalogrfica.
El primer proceso consiste generalmente en la formacin de capas delgadas de
material sobre la oblea. Esta se puede realizar mediante procesos de
crecimiento epitaxial de pelculas semiconductoras, crecimiento trmico de
xidos, y deposicin de polisilicio de capas dielctricas y metlicas.
Tras la formacin de las diferentes pelculas de material, el siguiente paso suele
ser el de litografa o el de introduccin de impurezas (bien por difusin o por
implantacin inica).
El proceso litogrfico normalmente va seguido por un grabado (etching) al que
pueden seguir nuevamente otros procesos de dopado y/o formacin de
pelculas delgadas.
Despus de realizar la secuencia apropiada, cada oblea contiene cientos de
chips rectangulares idnticos de 1 a 10mm de lado. Cada chip es comprobado
elctricamente y los defectuosos se marcan con una mancha de tinta negra. A
continuacin, los diferentes chips son cortados y separados. Aquellos que han
superado satisfactoriamente todos los tests, se encapsulan. De esta manera se
consigue un buen aislamiento trmico y elctrico y un entorno adecuado para
la utilizacin del circuito integrado en diferentes aplicaciones electrnicas.

Especificaciones tcnicas generales.


Un circuito integrado (CI), tambin conocido como chip o microchip, es una
estructura de pequeas dimensiones de material semiconductor, de algunos
milmetros cuadrados de rea, sobre la que se fabrican circuitos electrnicos
generalmente mediante fotolitografa y que est protegida dentro de
un encapsulado de plstico o cermica. El encapsulado posee conductores
metlicos apropiados para hacer conexin entre el CI y un circuito impreso.
Existen ciertos lmites fsicos y econmicos al desarrollo de los circuitos
integrados, por lo tanto se deben tener en consideracin las siguientes
especificaciones tcnicas para un correcto diseo de estos, las cuales son:

Disipacin de potencia
Los circuitos elctricos disipan potencia. Cuando el nmero de componentes
integrados en un volumen dado crece, las exigencias en cuanto a disipacin de
esta potencia, tambin crecen, calentando el sustrato y degradando el
comportamiento del dispositivo. Adems, en muchos casos es un sistema
de realimentacin positiva, de modo que cuanto mayor sea la temperatura,
ms corriente conduce, fenmeno que se suele llamar "embalamiento
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trmico" y, que si no se evita, llega a destruir el dispositivo. Los


amplificadores de audio y los reguladores de tensin son proclives a este
fenmeno, por lo que suelen incorporar protecciones trmicas.
Los circuitos de potencia, evidentemente, son los que ms energa deben
disipar. Para ello su cpsula contiene partes metlicas, en contacto con la parte
inferior del chip, que sirven de conducto trmico para transferir el calor del
chip al disipador o al ambiente. La reduccin de resistividad trmica de este
conducto, as como de las nuevas cpsulas de compuestos de silicona,
permiten mayores disipaciones con cpsulas ms pequeas.
Los circuitos digitales resuelven el problema reduciendo la tensin de
alimentacin y utilizando tecnologas de bajo consumo, como CMOS. Aun as en
los circuitos con ms densidad de integracin y elevadas velocidades, la
disipacin

es

uno

de

los

mayores

problemas,

llegndose

utilizar

experimentalmente ciertos tipos de criostatos. Precisamente la alta resistividad


trmica del arseniuro de galio es su taln de Aquiles para realizar circuitos
digitales con l.

Capacidades y autoinducciones parsitas


Este efecto se refiere principalmente a las conexiones elctricas entre el chip,
la cpsula y el circuito donde va montada, limitando su frecuencia de
funcionamiento. Con pastillas ms pequeas se reduce la capacidad y la
autoinduccin

de

ellas.

En

los

circuitos

digitales

excitadores

de

buses, generadores de reloj, etc., es importante mantener la impedancia de las


lneas y, todava ms, en los circuitos de radio y de microondas.

Lmites en los componentes


Los componentes disponibles para integrar tienen ciertas limitaciones, que
difieren de sus contrapartidas discretas.

Resistores. Son indeseables por necesitar una gran cantidad de


superficie. Por ello slo se usan valores reducidos y en tecnologas MOS se
eliminan casi totalmente.

Condensadores. Slo son posibles valores muy reducidos y a costa de


mucha superficie. Como ejemplo, en el amplificador operacional A741, el
condensador de estabilizacin viene a ocupar un cuarto del chip.

Inductores. Se usan comnmente en circuitos de radiofrecuencia, siendo


hbridos muchas veces. En general no se integran.

Densidad de integracin.
Durante el proceso de fabricacin de los circuitos integrados se van
acumulando los defectos, de modo que cierto nmero de componentes del
circuito final no funcionan correctamente. Cuando el chip integra un nmero
mayor de componentes, estos componentes defectuosos disminuyen la
proporcin de chips funcionales. Es por ello que en circuitos de memorias, por
ejemplo, donde existen millones de transistores, se fabrican ms de los
necesarios, de manera que se puede variar la interconexin final para obtener
la organizacin especificada.

Balance de materia y energa.


Balance de materia.
entra+ produce=s ale+acumulado

Balance de energa.
La ecuacin general del balance de energa se expresa de la siguiente forma:

Acumulacion de energia dentro del sistema=transferencia de energia atraves de la fronteradel sistematransf

Diagrama de flujos del proceso.


Los elementos ms importantes de un circuito integrado son los transistores,
por lo tanto, describiremos cmo se fabrican los transistores en las diferentes
tecnologas existentes. La figura siguiente muestra los principales pasos a
seguir en la fabricacin de un circuito integrado.

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Figura 7. Diagrama de flujos del proceso de fabricacin de los circuitos integrados.

Criterios de diseo.
El fabricante de CIs, a la hora de trasladar al silicio los motivos definidos por el
diseador, se encuentra con dos limitaciones importantes:
En primer lugar, el tamao exacto dibujado para las pistas no se puede
garantizar estrictamente. Un rectngulo de dimensiones dibujadas LxW acaba
teniendo unas dimensiones reales (L+d)x(W+d). El valor de d es especfico de
cada tipo de pista, y recibe el nombre de factor de tolerancia de creacin de la
pista correspondiente (Figura 8 izquierda).

Figura 8. Factor de tolerancia de creacin (izquierda) y jerarqua de alineamiento de las


mscaras (derecha).

En segundo lugar, cada mscara debe alinearse respecto a las utilizadas con
anterioridad para asegurar la coherencia del circuito final. As por ejemplo, la
mscara de polisilicio se alinea directamente sobre la de rea activa, siendo
esta la primera en utilizarse. La mscara de pasivacin, por el contrario, se
alinea respecto a la de metal. La jerarqua de alineamiento de las mscaras
puede representarse por un rbol como el de Figura 8 (derecha). Contras ms
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alejadas en el rbol estn dos mscaras, ms probable es que se produzca un


error de alineamiento entre ellas.
En la Figura 9, podemos ver el efecto producidor por el desalineamiento de
mscaras. Para prevenir estas fuentes de error, el tecnlogo impone una serie
de reglas de diseo que garantizan el correcto funcionamiento del circuito an
en presencia de estos fallos, imposibles de eliminar.

Figura 9. Efecto producido por el desalineamiento de mscaras.

Es evidente que el nmero de reglas de este estilo es grande y difciles de


tener en mente durante el diseo. Para facilitar la tarea al diseador, la lista se
reduce a unas pocas reglas de diseo simplificadas, an a costa de perder
rea de silicio. La reduccin se realiza en base a dos criterios:

Reduccin del nmero de reglas: Entre varias reglas que hagan


referencia a las mismas pistas en distintos entornos, se escoge o define
una regla que englobe a todas ellas, an si estos significa el sacrificio de
silicio.
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Definicin de las reglas en funcin de un parmetro unitario (reglas ):


Definiendo un parmetro ficticio como unidad de medida se consigue
(1) simplificar el nmero de medidas a recordar y (2) conseguir reglas
vlidas incluso cuando la tecnologa reduce sus dimensiones. El
parmetro se escoge de forma que todas las medidas que aparezcan
en las reglas de diseo sean mltiplos de sta.

La Figura 10 muestra un conjunto de reglas simplificadas. Bsicamente las


reglas definen:

Tamaos mnimos de las pistas (ej.: La anchura mnima permitida de una


pista de polisilicio es de 2 ).
Distancias mnimas entre pistas (ej.: Dos pistas de metal no pueden
estar a menos de 3 de distancia, a riesgo de que contacten)
Desbordamientos mnimos de una pista respecto a otra (ej.: El polisilicio
de puerta de un transistor debe sobrepasar al menos en 2 a la pista de
difusin).
Solapamientos mnimos. (ej.: La difusin y el polisilicio en un contacto
polidifusin - metal deben solaparse al menos en 1 ).

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Figura 10. Conjunto de reglas para las diferentes mscaras.

La Figura 11 muestra grficamente, las reglas de diseo que aplicaremos en


nuestros esquemas.

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Figura 11. Reglas de diseo simplificadas.

Estudios tcnicos.
En cuanto al estudio del medio ambiente se basa en el fenmeno de salas
blancas, la cual se describe a continuacin:

Salas blancas.
El fenmeno de las salas blancas tiene sus races hace ms de 100 aos por la
necesidad de controlar la infeccin en los hospitales. Hoy en da, la necesidad
de controlar la contaminacin o calidad del aire en diversas industrias ha
generalizado las instalaciones y uso de las salas blancas. Como por ejemplo
podemos encontrar salas blancas en:

La
La
La
La

industria electrnica: Ordenadores, televisores, etc.


de semiconductores: Produccin de circuitos integrados.
industria micromecnica: Girscopos, equipos compact-disc.
industria ptica: Equipos lser, lentes.

Segn la British Standard 5295, definiramos una sala blanca como: "Una
habitacin con control de partculas contaminantes, construida y usada
minimizando la introduccin, generacin y retencin de partculas; y donde la
temperatura, humedad y presin es controlada segn necesidades. Gracias a
las salas blancas, hoy en da podemos construir circuitos integrados de
tecnologa submicrnica, y con muchas garantas de xito. Caractersticas:

Clase. Indica el nmero de partculas por pie cbico, mayor de 0.5


micras. A menor clase de la sala blanca, ms costoso es el
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mantenimiento y mayor capacidad de integracin tenemos. Como


ejemplo, la sala blanca del Centro Nacional de microelectrnica de
Barcelona, posee Clase 1000, y el coste del mantenimiento diario es de
6000.

Figura 12. Clasificacin de las salas blancas por clase.

Flujo de Aire. ste debe ser mayor a 25metros / minuto, y de tipo


laminar para no levantar polvo.
El agua utilizada para limpiar las obleas y otros utensilios, debe ser ultra
pura o de grado electrnico; sin cobre, hierro ni sodio, que son
materiales que degradan las obleas, y a su vez desionizada.
Zona geogrfica. La sala blanca debe estar aislada de vibraciones
externas.

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Carta Gantt.

Figura 13. Carta Gantt para ejecucin de proyecto.

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