Lab1 ORCAD MODIFICADO1

UNIVERSIDADFRANCISCODEPAULASANTANDER
INGENIERAELECTRNICA
LABORATORION1
ELECTRNICAII
INTRODUCCIN A LA SIMULACIN CON ORCAD PSPICE
1. OBJETIVO GENERAL
Analizar el comportamiento del amplificador de Emisor Comn (EC) mono-etapa
utilizando los diferentes tipos de anlisis disponibles con la herramienta de
simulacin ORCAD PSPICE.
1.1
ESPECFICOS
Familiarizar al estudiante con el uso de la herramienta de simulacin ORCAD

PSPICE como complemento al proceso de diseo y anlisis de circuitos
amplificadores.
Identificar los principales tipos de simulacin que presenta la herramienta ORCAD
PSPICE para utilizarlos como soporte al anlisis y diseo de circuitos con
transistores.
Obtener los parmetros de voltaje de polarizacin VCEQ, corriente de operacin ICQ,
Beta de operacin del transistor Bf y las diferentes corrientes y voltajes del circuito
de prueba a partir del modelo de pequea seal del transistor con la herramienta de
simulacin.
Determinar los parmetros que pueden modificarse en el modelo utilizado por el
ORCAD con la herramienta PSPICE MODEL.
Utilizar la herramienta PROBE de ORCAD para visualizar los diferentes resultados
que se pretenden obtener con la simulacin.
2. EQUIPO NECESARIO
Computador con ultimas especificaciones
Herramienta de simulacin ORCAD PSPICE 10.3
3. COMPONENTES NECESARIOS
Los componentes se tomaran de las libreras que la herramienta tiene disponibles
para la simulacin.
4. TRABAJO PERSONAL PREVIO
Para la simulacin con Orcad Pspice se emplear un amplificador de Emisor comn
con un transistor BJT ya diseado. Sin embargo, es necesario encontrar el modelo
matemtico del circuito de EC de la Fig. 1. .
ING.JHONJAIRORAMREZM.
Dto. Electricidad & Electrnica UFPS
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5. ECUACIONES BSICAS
EXPRESIN MATEMTICA
EC. RECTA DC
,
EC. RECTA AC
MODELO PSPICE ( PARMETROS DE CAMBIO)

26
BETA
VOLTAJE EARLY
VA
6. PROCEDIMIENTO
AMPLIFICADOR DE EMISOR COMN
VCC 12V
Rs
Cc1
50
1u
vs
R1
33k
Rc
4k
Cc2
2uF
R2
22k
RE
4k
CE
10uF
RL vo
5k
GENERADOR
Fig. 1
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6.1
ANLISIS EN BIAS POINT (ANLISIS EN DC)
El anlisis en el modo Bias Point se utiliza para determinar el punto de operacin de

cada uno de los elementos que conforman el circuito de prueba, e identifica los
parmetros del modelo de los dispositivos activos (Transistores) que se utilizan en la
simulacin. Para entender un poco mejor este perfil de simulacin, vamos a desarrollar
paso a paso la implementacin de un circuito amplificador asi:
1
Implemente el circuito de la Fig. 1 en el rea de trabajo de Orcad como lo muestra

la Fig. 2.
VOLTAGE LEVEL MARKER
PLACE NET ALIAS
RUN PSPICE
PLACE PART
BARRA DE HERRAMIENTAS
SUPERIOR
EDIT
SIMULATION
SETTING
PLACE GROUND
BARRA DE HERRAMIENTA DERECHA
Fig. 2
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2 Seleccione de la barra de herramientas lateral derecha Place part para elegir los
elementos que conforman el circuito. Ubique cada elemento del circuito en el rea
de trabajo (R, C, VCC, VSIN, VDC, Q2N2222A).
3 Seleccione las caracteristicas de la fuente con doble click y configure los valores de
la fuente Vsin como los de la Tabla 1:
VSIN
NOMBRE VALOR
Voff
0
VAMPL
20mV
FREQ
10khz
Tabla 1
4 Finalizado el proceso de implementacin del circuito en el rea de trabajo de Pspice,
seleccione Place net alias de la barra de herramientas lateral derecha, para darle
nombre a cada nodo. Esta accin mejorar la descripcin del circuito y la
identificacin de sus componentes a la hora de la simulacin. En caso de
presentarse un error en la simulacin, el programa le indicar los nodos en donde se
encuentra dicho error y podr identificarlo fcilmente. Fig. 3
PLACE NET ALIAS
Fig. 3
5 Para la simulacin de elementos semiconductores de tres terminales se debe
cambiar el parmetro de ganancia de la corriente, de lo contrario, los valores
arrojados en la simulacin no correspondern a los obtenidos en el anlisis terico.
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En este caso, para el transistor bjt el parametro de ganancia de corriente es
se asumir un valor de prueba de f = 213.
f, y
EDITOR DE TEXTO
PSPICE MODEL
NOMBRE DEL MODELO A

REALIZAR LOS CAMBIOS
Fig. 4
6.1.1 Modificacin del Beta:
Para modificar el Beta del transistor bjt se procede dela siguiente manera:
1. Seleccione el transistor bjt como lo muestra la Fig. 4.
2. De la barra de herramientas superior, seleccione el men Edit / Pspice Model.
Inmediatamente aparecer una ventana donde se define el parmetro del modelo
del transistor que Pspice utilizar para su simulacin.
3. Cambie el parmetro de ganancia de corriente de f =250 por f =213 y el voltaje
Early al valor de VA=Vaf = 300 en el editor de texto del modelo de Pspice (Pspice
Model), Fig. 4.
4. Para garantizar que los cambios efectuados al transistor solo sean de manera
temporal, dele un nuevo nombre al elemento. En este caso agreguele la letra J al
modelo existente Q2N2222A_J. Guarde y cierre el Pspice model.
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6.1.2 Simulacion del modelo:
Antes de poder simular el modelo modificado configure el nuevo perfilde simulacin as:
1. Seleccione de la barra de herramientas superior Pspice /New simulation Profile,
2. Para el nuevo perfil de simulacin en el espacio de la caja de dialogo Name de la
pestaa
Analysis, introduzca
el nombre que se le quiere dar al perfil de
simulacin; en este caso Bias point, Fig. 6.
CONFIGURACION DEL
PERFIL DE SIMULACIN
TIPO DE SIMULACIN
Fig. 6
3. Luego Create.
4. En la ventana emergente se configura la simulacin, de la barra superior
seleccione Edit Simulation Setting.
5. Seleccione la pestaa Analysis e introduzca el tipo de anlisis que va a realizar
Analysis type. En este caso: Bias point.
6. En la caja de dialogo Options, en la pestaa de anlisis, seleccione General
Settings.
7. En la misma pestaa seleccione para el archivo de salida Output File Options,
la primera opcion.
Include detailed bias point information for nonlinear controlled sources and
semiconductors (OP). y Ok.
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OUTPUT FILE
**** 09/27/08 21:41:50 ***** PSpice 10.3.0 (Jan 2004) **
ID# 1111111111
** Profile: "AMPLIFICADOR _EC-BIAS_POINT"
[C:\OrCAD\ejercicios_1\AMPLIFICADOR_BJTPSpiceFiles
\AMPLIFICADOR _EC\BIAS_POINT.sim ]
**** CIRCUIT DESCRIPTION
****************************************************************
INCLUDING "AMPLIFICADOR _EC.net" ****
* source AMPLIFICADOR_BJT
V_Vs
S0
+SIN 0 20MV 10K 0 0 0
Descripcin
R_R1
B VCC1 33k
del circuito
R_R2
C VCC1 4k
esquemtico y
R_R3
0 B 22k
R_R4
0 E 4k
sus nodos
R_RL
0 VO 5k
R_R6
I S 2k
Q_Q1
C B E Q2N2222A_J
C_C1
C VO 2uf
C_C2
0 E 10uf
C_C3
B I 1uf
V_VCC
VCC1 0 5Vdc
**** RESUMING BIAS_POINT.cir ****
.END
BJT MODEL PARAMETERS
*****************************************************************
Q2N2222A_J
NPN
IS 14.340000E-15
BF 213
Modelo de los
NF 1
elementos activos
VAF 300
que utiliz en la
IKF .2847
simulacin en
ISE 14.340000E-15
este caso el
NE 1.307
transistor BJT
BR 6.092
NR 1
Q2N2222A_J
RB 10
RC 1
CJE 22.010000E-12
MJE .377
CJC 7.306000E-12
MJC .3416
TF 411.100000E-12
XTF 3
VTF 1.7
ITF .6
TR 46.910000E-09
XTB 1.5
CN 2.42
D .87
SMALL SIGNAL BIAS SOLUTION
*****************************************************************
NOD VOLT NOD VOLT NOD VOLT NOD VOLT
( B)
1.9633 (C)
(S)
0.00
(VO)
3.6651 (E)
0.00
1.3460
( VCC1)
( I)
0.00
5.00
VOLTAGE SOURCE CURRENTS

NAME
CURRENT
V_Vs
V_VCC
0.000E+00
-4.257E-04
Los puntos de
polarizacin del circuito
en CD se encuentran aqu
TOTAL POWER DISSIPATION 2.13E-03 WATTS

OPERATING POINT INFORMATION
****************************************************************
BIPOLAR JUNCTION TRANSISTORS
NAME
Q_Q1
MODEL
Q2N2222A_J
IB
2.78E-06
IC
3.34E-04
Punto de polarizacin
VBE
6.17E-01
del elemento activo y
VBC
-1.70E+00
sus parmetros de
VCE
2.32E+00
BETADC
1.20E+02
pequea seal. Para
GM
1.29E-02
nuestro caso el
RPI
1.04E+04
BETADC=120.
RX
1.00E+01
Nuevamente se
RO
9.04E+05
CBE
4.08E-11
cambia el valor en el
CBC
4.87E-12
Pspice Model hasta
CJS
0.00E+00
que arroje el valor
BETAAC
1.34E+02
deseado 213.
CBX/CBX2 0.00E+00
FT/FT2
4.49E+07
JOB CONCLUDED
JOB STATISTICS SUMMARY
*****************************************************************
Total job time (using Solver 1) =
.02
Fig. 7
8. La visualizacin de los parmetros elctricos, punto de operacin de cada elemento
y voltaje de nodo que Pspice utiliza para su simulacin, se puede obtener con el
archivo de salida Output File. Para ello seleccione de la barra de herramientas
superior, Run pspice, la cual activa la herramienta Probe que permite visualizar el
archivo de salida.
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9. Para ver los parmetros elctricos del punto de operacin en DC del modelo del
transistor
Q2N2222A_J que arroj la simulacin, seleccione de la barra de
herramientas superior View /output file, Fig. 7.
10. Verifique que el valor del BETADC del output file sea 213. De lo contrario, cierre
el output file y repita los pasos 1, 2, 3 del numeral 6.1.1. Luego simule el diseo..
Repita este procedimiento tantas veces sea necesario hasta conseguir el valor
propuesto. Utilice el mtodo de ensayo y error, Fig. 7.
11. Llene los valores de las variables elctricas correspondientes al campo asignado en
la tabla como Valores de simulacin, Tabla 2.
ANLISIS EN DC
VARIABLE V. TERICO V. SIMULACIN
ICQ
VCEQ
VBEQ
DCQ
Tabla 2
6.2
ANLISIS EN EL TIEMPO (TIME DOMAIN)
Para el anlisis en el dominio del tiempo, alimente el circuito con la fuente de seal Vs
como muestra el circuito de la Fig. 1, y 2.
EDITOR DEL PERFIL DE SIMULACIN
Time domain
Analysis type
Run to Time:
500us
Start saving data after:
0.1uF
Options:
General settings
Transient options:
Maximum step size:
Output file option:
Include detailed bias point

information
1us
OK /
Aceptar
Tabla 3
1 De la barra de herramientas superior seleccione Pspice/ Edit Simulation Profile y
configure el tipo de simulacin con los valores que presenta la Tabla 3, Fig. 8:
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TIPO DE ANALISIS
NUMERO DE CICLOS
Opciones de configuracin
del archivo de salida
Fig. 8
2 Ubique un Marcador de voltaje en la resistencia de salida y otro marcador de voltaje
en la resistencia de la fuente de entrada vs, Fig. 9.
3 Para simular el circuito de prueba, seleccione Pspice /Run del men de la barra de
herramientas superior.
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PARA SIMULAR
Fig. 9
4 Automticamente se habilita la herramienta Probe de Pspice que nos permite
visualizar las grficas de la seal de voltage con respecto al tiempo como un
osciloscopio virtual, Fig. 10.
10
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CONFIGURACION DE LOS
EJES DE LA GRAFICA
CONFIGURACION DE LA
VARIABLE DE SALIDA DE
LA GRAFICA
CORRE EL NUEVO PERFIL

DE SIMULACION
OUTPUT FILE
EDIT SIMULATION SETTINGS

EDITOR DE LAS CARACTERISTICAS DE
SIMULACION
Fig. 10
5 Llene la Tabla 4 con los valores max y min de la seal de voltaje. Igualmente
consulte los valores de pequea seal del transistor presentes en el Output File y
ubiquelos en la tabla.
ANLISIS EN EL TIEMPO
VARIABLE V. TERICO
V. SIMULACIN
Vi(p)
11
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ANLISIS EN EL TIEMPO
VARIABLE V. TERICO
V. SIMULACIN
Vo(p)
Av
ACQ
r
gm
(fase)
Tabla 4
6 Grafique un periodo de las seales de entrada y la salida del circuito
respectivamente en la Fig. 11.
vi
vo
SEAL DE ENTRADA
SEAL DE SALIDA
Fig. 11
6.2.1 Margen de Fase
1 Para medir la diferencia de fase entre la seal de salida y la seal de entrada
mantenemos el perfil de simulacin en el dominio del tiempo Time domain.
2 Activamos nuevamente Probe con Run pspice.
3 En la barra de herramientas superior de Probe seleccionamos Trace / Evaluate
Measurement.
12
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4 Ya en la ventana para la evaluacion de medidas, Evaluate Measurement,
procedemos a seleccionar la medida que queremos evaluar en Funciones
Macros, se elige del listado la funcin PhaseMargin (1, y 2), Para los valores 1y 2
Escriba la expresin en el espacio en blanco en Trace Expressions :
(V(Vo),V(Vs:+)) tome las variables de la lista total Full List, Fig. 12.
Fig. 12
5 Para ver los datos en la pantalla de probe View / Measurement Result, Fig. 13.
Fig.13
13
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6.3
ANLISIS EN EL DOMINIO DE LA FRECUENCIA
6 Para iniciar el anlisis en frecuencia es necesario agregarle a la fuente Vsin la

siguiente propiedad: AC = 1.
7 Para realizar dicho cambio, seleccione primero la fuente VSIN, luego en la barra de
herramientas superior Edit / Property Editor: En el editor de propiedades del
elemento, en la casilla AC ingrese el valor de 1 y de la barra de herramientas apply.
No cierre la ventana, para visualizar las propiedades del elemento, elegimos de la
barra de herramientas Dysplay properties / Name and value / Ok. Ya esta, la
fuente se encuentra lista para tener un valor fijo de voltaje VAC = 1 y variar su
frecuencia.
8
Para configurar la simulacin editamos de la barra de herramientas

Edit simulation settings/
Analysis type: Ac sweep/noise.
Options: General settings
AC sweep type : Logarithmic.
Start Frecuency : 0.1hz
End Frecuency : 10Ghz
Points / Decade : 100.
Aceptar.
10 Elija de la barra de herramientas un marcador de nivel de voltaje Voltage/ Level

Marker y ubquelo a la salida del circuito. Seleccione Run pspice.
11 Analice el grafico y encuentre los valores para los que la ganancia cae a un 70.7%
de su valor mximo y llene la Tabla 5.
ANLISIS EN LA FRECUENCIA
VARIABLE V. TERICO
V. SIMULACIN
FL
FH
BW
Tabla 5
14
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7. CONCLUSIONES
8. BIBLIOGRFIA
SAVANT C.J , RODEN Martin S. CARPENTER Gordon. Diseo Electronico. Circuitos y
Sistemas. Tercera Edicin. Mxico. Pearson Educacin Mexica S.A. 2000
SEDRA, Adel. Circuitos Microelectrnicos, Quinta Edicin. Mxico D.F. Editorial Mc GrawHill, 2006.
HORENSTEIN, Mark. Microelectrnica: Circuitos y Dispositivos. Mxico D.F. Editorial
Prentice Hall Interamericana S.A., 1997.
NEAMEN, Donald A. Anlisis y Diseo de Circuitos Electrnicos, Tomo I. Mxico D.F. Mc
Graw-Hill, 1999.
A. GULLO, J. Diseo Electrnico: Circuitos y Sistemas. Argentina. Editorial Addison - Wesley
Iberoamrica, S.A, 1992.
BOYLESTAD, Robert L. Electrnica: Teora de Circuitos. Mxico D.F. Editorial Prentice Hall
Hispanoamericana, S.A. 1997.
MALVINO, Albert Paul. Principios de Electrnica. Sexta Edicin. Espaa. Editorial McGrawHill/Interamericana de Espaa S.A., 2000.
15

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TOTAL POWER DISSIPATION 2.13E-03 WATTS

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Start saving data after:

Maximum step size:

Output file option:

Include detailed bias point

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6 Para iniciar el anlisis en frecuencia es necesario agregarle a la fuente Vsin la

Para configurar la simulacin editamos de la barra de herramientas

10 Elija de la barra de herramientas un marcador de nivel de voltaje Voltage/ Level

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