Laboratorio de electrnica para telecomunicaciones

septiembre de 2015

14 de

Oscar Durn Surez

CUESTIONARIO PREVIO A LA PRCTICA 5:

CARACTERIZACIN DE ELEMENTOS ACTIVOS PARA RF

1. Dibuje el modelo del transistor de alta frecuencia

2. Cmo se determinan las capacitancias

Del circuito mostrado arriba se puede considerar que:

i c =g m V haciendo esta consideracin se tiene

ic
==
ib

gm V
S ( C +C )+

Por lo que

1
r

hfe
S ( C +C ) r +1

C ?

i gm V

 ( j)=

h fe
j ( C +C ) r +1

A 3dB la ganancia es

| ( j)|=

hfe
2

hfe

por lo que

hfe

2 2
( C +C ) r +1 2

De donde se obtiene que

B=

1
( C + C ) r

Considerando que

C +C =

BW = B = T

g r 40 I CQ

= m =
T r T r
T

La capacitancia

se puede aproximar a

C o que es dato del fabricante

por lo que

C C o

C=

40 I CQ
C
T

3. Qu es la frecuencia de transicin?
La frecuencia de transicin

fT

es la frecuencia a la cual la magnitud de la

ganancia en corriente de corto circuito es unitaria. La ganancia decaer a

frecuencias superiores a esta.

f T=

gm
2 (C + C )

4. Cmo se determina la frecuencia de corte?

La frecuencia de corte superior

se puede calcular mediante varios

mtodos:
Mtodo de Miller, mtodo de las constantes de tiempo y el mtodo de la
funcin de transferencia como en la pregunta 2.

5. Qu es el producto ganancia-ancho de banda?

En muchos amplificadores el producto ganancia-ancho de banda es una
constante. Es una caracterstica de calidad del transistor que se mantiene
contante independientemente de la ganancia que consigamos con algn
diseo. Al analizar la expresin del producto ganancia-ancho de banda

GBW =A BW , considerando que este se mantiene constante, se puede

concluir que se puede cambiar la ganancia por el ancho de banda y viceversa,
es decir, se puede sacrificar la ganancia en un amplificador y aumentar su
ancho de banda y de forma inversa se puede aumentar la ganancia
sacrificando el ancho de banda.

6. Con base en las hojas de especificaciones de un transistor de RF, disee

el circuito de polarizacin del transistor para ubicarlo en la regin activa
directa y determine los valores de

gm ,

r ,

r0 ,

(considere una carga de 50).

Para una =100 en las hojas de datos

es llamada

C cb o

C ob , para

el transistor BC548 y para una configuracin emisor comn:

C =6 pf
La corriente mxima de colector es de 50 mA, por lo que se puede elegir una
corriente de polarizacin de Icq = 1 mA, y una tensin Vce = 5V
Si

I CQ =1 mA

y para una de 100

r =

100
=
=2500
40 I CQ 40 1103

gm=40 I CQ =0.04 1
De la hoja de datos

f T =300 MHz

f T =300 MHz=

gm
2 ( C +C )

C =

0.04
6 1012
6
2 300 10

C =15.22 pf
Los valores de los componentes que logran poner al transistor en el punto de
operacin activo, se calcularon de la siguiente forma con MATLAB, para un
hfe=100 y Vcc=12 V:
hfe = 100;
Vbeon = 0.7;
Vcc = 12;
K1 = 1/3;
K2 = 1;
Ie = 1e-3;
Vth = K1*Vcc;
Ve = Vth-Vbeon;
Ic = (hfe/(hfe+1))*Ie;
Re = Ve/Ie;
Rc = (Vcc-2*Vcc/3)/Ic;
R2 = Vth/(K2*Ie);
R1 = Vcc/(K2*Ie)-R2;
Rth = R1*R2/(R1+R2);
Ie = (Vth-Vbeon)/(Re+Rth/hfe);

Estos clculos arrojan los siguientes resultados:

Componente
R1
R2
Re
Rc

Valor exacto [k]

8
4
4.04
3.3

Valor comercial [k]

8.1
3.9
3.9
3.3

A continuacin se muestra un diagrama esquemtico del circuito a caracterizar

que se utiliz en la simulacin con SPICE en Multisim.

Vc

VCC

DC 10MOhm
Vb
R4
3.9k

R1
8.1k

50
V1
100mVpk
1kHz
0

XCP3

10FXCP2
Ix
1 mV/mA
R2
3.9k

3.870

C2

Vout

Ve

DC 10MOhm
U2
V

3.282

Q1

10F
Ve

1 mV/mA

U1
+

Vc

Vb
C1

8.160

12V

R5

U6
+

Ix

DC 10MOhm
U3
+

0.992m

BC548BP*

R6
0

Ib
R3
3.3k

C3
10F

Ie

Ib
XCP1
1 mV/mA

DC 10MOhm
U4
+

0.995m

Ie

DC 10MOhm
U5
+

0.011m

DC 10MOhm

Circuito para el experimento. Se muestran los valores de polarizacin.

Grfico de Bode para la simulacin del circuito de prueba.

f T =129 MHz