Para otros usos de este trmino, vase Condensador.

Fig. 1: Diversos tipos de condensadores

En electricidad y electrnica, un condensador o capacitor es un
dispositivo formado por dos conductores o armaduras, generalmente en
forma de placas o lminas separados por un material dielctrico (o
vaco), que, sometidos a una diferencia de potencial (d.d.p.) adquieren
una determinada carga elctrica.
A esta propiedad de almacenamiento de carga se le denomina
capacidad o capacitancia. En el Sistema internacional de unidades se
mide en Faradios (F), siendo 1 faradio la capacidad de un condensador
en el que, sometidas sus armaduras a una d.d.p. de 1 voltio, stas
adquieren una carga elctrica de 1 culombio.
La capacidad de 1 faradio es mucho ms grande que la de la mayora de
los condensadores, por lo que en la prctica se suele indicar la
capacidad en micro- F = 10-6, nano- F = 10-9 o pico- F = 10-12 -faradios.
Los condensadores obtenidos a partir de supercondensadores (EDLC)
son la excepcin. Estn hechos de carbn activado para conseguir una
gran rea relativa y tienen una separacin molecular entre las "placas".
As se consiguen capacidades del orden de cientos o miles de faradios.
Uno de estos condensadores se incorpora en el reloj Kinetic de Seiko,
con una capacidad de 1/3 de Faradio, haciendo innecesaria la pila.
Tambin se est utilizando en los prototipos de automviles elctricos.
El valor de la capacidad viene definido por la frmula siguiente:

en donde:
C: Capacidad
Q: Carga elctrica
V: Diferencia de potencial
En cuanto al aspecto constructivo, tanto la forma de las placas o
armaduras como la naturaleza del material dielctrico es sumamente
variable. Existen condensadores formados por placas, usualmente de
aluminio, separadas por aire, materiales cermicos, mica, polister,
papel o por una capa de xido de aluminio obtenido por medio de la
electrolisis.

Tabla de contenidos

[ocultar]
1 Energa almacenada
2 Comportamientos ideal y real
o 2.1 Comportamiento en corriente continua
o 2.2 Comportamiento en corriente alterna
3 Asociaciones de condensadores
4 Aplicaciones tpicas
5 Condensadores variables
6 Tipos de condensador
7 Vase tambin

8 Enlaces externos

[editar] Energa almacenada

El condensador almacena energa elctrica en forma de campo elctrico
cuando aumenta la diferencia de potencial en sus terminales,
devolvindola cuando sta disminuye. Matemticamente se puede
obtener que la energa, , almacenada por un condensador con
capacidad C, que es conectado a una diferencia de potencial V, viene
dada por:

Este hecho es aprovechado para la fabricacin de memorias, en las que

se aprovecha la capacidad que aparece entre la puerta y el canal de los
transistores MOS para ahorrar componentes.
Vase tambin: Memoria RAM

[editar] Comportamientos ideal y real

Fig. 2: Circuito con condensador.

El condensador ideal (figura 2) puede definirse a partir de la siguiente
ecuacin diferencial:

donde, C es la capacidad, u(t) es la funcin diferencia de potencial

aplicada a sus bornes e i(t) la intensidad resultante que circula.

[editar] Comportamiento en corriente continua

Un condensador real en CC se comporta prcticamente como uno ideal,
esto es, como un circuito abierto. Esto es as en rgimen permanente ya
que en rgimen transitorio, esto es, al conectar o desconectar un circuito
con condensador, suceden fenmenos elctricos transitorios que inciden
sobre la d.d.p. en sus bornes (ver circuitos serie RL y RC).

[editar] Comportamiento en corriente alterna

En CA, un condensador ideal ofrece una resistencia al paso de la
corriente que recibe el nombre de reactancia capacitiva, XC, cuyo valor
viene dado por la inversa del producto de la pulsacin (
) por la
capacidad, C:

Si la pulsacin est en radianes por segundo (rad/s) y la capacidad en

faradios (F) la reactancia resultar en ohmios.

Fig. 3: Diagrama cartesiano de las tensiones y corriente en un condensador.

Al conectar una CA senoidal v(t) a un condensador circular una
corriente i(t), tambin senoidal, que lo cargar, originando en sus bornes
una cada de tensin, -vc(t), cuyo valor absoluto puede demostrase que

es igual al de v(t). Al decir que por el condensador "circula" una

corriente, se debe puntualizar que, en realidad, dicha corriente nunca
atraviesa su dielctrico. Lo que sucede es que el condensador se carga y
descarga al ritmo de la frecuencia de v(t), por lo que la corriente circula
externamente entre sus armaduras.

Fig. 4: Diagrama fasorial.

El fenmeno fsico del comportamiento del condensador en CA podemos
observarlo en la figura 3. Entre los 0 y los 90 i(t) va disminuyendo
desde su valor mximo positivo a medida que aumenta su tensin de
carga vc(t), llegando a ser nula cuando alcanza el valor mximo negativo
a los 90, puesto que la suma de tensiones es cero (vc(t)+ v(t) = 0) en
ese momento. Entre los 90 y los 180 v(t) disminuye, y el condensador
comienza a descargarse, disminuyendo por lo tanto vc(t). En los 180 el
condensador est completamente descargado, alcanzando i(t) su valor
mximo negativo. De los 180 a los 360 el el razonamiento es similar al
anterior.
De todo lo anterior se deduce que la corriente queda adelantada 90
respecto de la tensin aplicada. Consideremos por lo tanto, un
condensador C, como el de la figura 2, al que se aplica una tensin
alterna de valor:
De acuerdo con la ley de Ohm circular una corriente alterna,
adelantada 90 ( / 2) respecto a la tensin aplicada (figura 4), de valor:

donde
. Si se representa el valor eficaz de la corriente obtenida
en forma polar:

Figura 5. Circuitos equivalentes de un condensador en CA.

Y operando matemticamente:

Por lo tanto, en los circuitos de CA, un condensador ideal se puede

asimilar a una magnitud compleja sin parte real y parte imaginaria
negativa:
En el condensador real, habr que tener en cuenta la resistencia de
prdidas de su dielctrico, RC, pudiendo ser su circuito equivalente, o
modelo, el que aparece en la figura 5a) o 5c) dependiendo del tipo de
condensador y de la frecuencia a la que se trabaje, aunque para anlisis
ms precisos pueden utilizarse modelos ms complejos que los
anteriores.

[editar] Asociaciones de condensadores

Figura 4: Asociacin serie general.

Figura 5: Asociacin paralelo general.

Al igual que la resistencias, los condensadores pueden asociarse en serie
(figura 4), paralelo (figura 5) o de forma mixta. En estos casos, la
capacidad equivalente resulta ser para la asociacin en serie:

y para la paralelo:

Para la asociacin mixta se proceder de forma anloga que con las

resistencias.

[editar] Aplicaciones tpicas

Los condensadores suelen usarse para:
Bateras, por su cualidad de almacenar energa
Memorias, por la misma cualidad
Filtros
Adaptacin de impedancias, hacindoles resonar a una frecuencia dada
con otros componentes
Demodular AM, junto con un diodo.

[editar] Condensadores variables

Un condensador variable es aquel en el cual se pueda cambiar el valor
de su capacidad. En el caso de un condensador plano, la capacidad
puede expresarse por la siguiente ecuacin:

donde:
0: constante dielctrica del vaco
r: constante dielctrica o permitividad relativa del material dielctrico entre
las placas
A: el rea efectiva de las placas
d: distancia entre las placas o espesor del dielctrico
Para tener condensador variable hay que hacer que por lo menos una de
las tres ltimas expresiones cambien de valor. De este modo, se puede
tener un condensador en el que una de las placas sea mvil, por lo tanto
vara d y la capacidad depender de ese desplazamiento, lo cual podra
se utilizado, por ejemplo, como sensor de desplazamiento.

Otro tipo de condensador variable se presenta en los diodos varicap.

Condensadores electrolticos axiales

Condensadores electrolticos de tantalio

Condensadores de polister

Condensadores cermicos, "chip" y de "disco"

[editar] Tipos de condensador

Condensador de aire. Se trata de condensadores, normalmente de placas

paralelas, con dielctrico de aire y encapsulados en vidrio. Como la
permitividad elctrica es la unidad, slo permite valores de capacidad muy
pequeos. Se utiliz en radio y radar, pues carecen de prdidas y
polarizacin en el dielctrico, funcionando bien a frecuencias elevadas.
Condensador de mica. La mica posee varias propiedades que la hacen
adecuada para dielctrico de condensadores: Bajas prdidas, exfoliacin en
lminas finas, soporta altas temperaturas y no se degrada por oxidacin o
con la humedad. Sobre una cara de la lmina de mica se deposita aluminio,
que forma una armadura. Se apilan varias de estas lminas, soldando los
extremos alternativamente a cada uno de los terminales. Estos
condensadores funcionan bien en altas frecuencias y soportan tensiones
elevadas, pero son caros y se ven gradualmente sustituidos por otros tipos.
Condensadores de papel. El dielctrico es papel parafinado, bakelizado o
sometido a algn otro tratamiento que reduce su higroscopa aumenta el
aislamiento. Se apilan dos cintas de papel, una de aluminio, otras dos de
papel y otra de aluminio y se enrollan en espiral. las cintas de aluminio
constituyen las dos armaduras, que se conectan a sendos terminales. Se
utilizan dos cintas de papel para evitar los poros que pueden presentar.
o Condensadores autoregenerables. Los condensadores de papel
tienen aplicaciones en ambientes industriales. Los condensadores
autoregenerables son condensadores de papel, pero la armadura se
realiza depositando aluminio sobre el papel. Ante una situacin de
sobrecarga que supere la rigidez dielctrica del dielctrico, el papel
se rompe en algn punto, producindose un cortocircuito entre las
armaduras, pero este corto provoca una alta densidad de corriente
por las armaduras en la zona de la rotura. Esta corriente funde la fina
capa de aluminio que rodea al cortocircuito, restableciendo el
aislamiento entre las armaduras.
Condensador electroltico. El dielctrico es una disolucin electroltica
que ocupa una cuba electroltica. Con la tensin adecuada, el electrolito
deposita una capa aislante muy fina sobre la cuba, que acta como una
armadura y el electrolito como la otra. Consigue capacidades muy
elevadas, pero tienen una polaridad determinada, por lo que no son
adecuados para funcionar con corriente alterna. La polarizacin inversa
destruye el xido, produciendo una corriente en el electrolito que aumenta
la temperatura, pudiendo hacer arder o estallar el condensador. Existen de
varios tipos:
o Condensador de aluminio. Es el tipo normal. La cuba es de
aluminio y el electrolito una disolucin de cido brico. Funciona bien
a bajas frecuencias, pero presenta prdidas grandes a frecuencias
medias y altas. Se emplea en fuentes de alimentacin y equipos de
audio.

Condensador de aluminio seco. Es una evolucin del anterior, que

funciona a frecuencias ms altas. Muy utilizado en fuentes de
alimentacin conmutadas.
o Condensador de tantalio (tntalos). Es otro condensador
electroltico, pero emplea tantalio en lugar de aluminio. Consigue
corrientes de prdidas bajas, mucho menores que en los
condensadores de aluminio. Suelen tener mejor relacin
capacidad/volumen, pero arden en caso de que se polaricen
inversamente.
o Condensador para corriente alterna. Est formado por dos
condensadores electrolticos en serie, con sus terminales positivos
interconectados.
Condensador de polister. Est formado por lminas delgadas de
polister sobre las que se deposita aluminio, que forma las armaduras. Se
apilan estas lminas y se conectan por los extremos. Del mismo modo,
tambin se encuentran condensadores de policarbonato y polipripoleno.
Condensador styroflex. Otro tipo de condensadores de plstico, muy
utilizado en radio, por responder bien en altas frecuencias y ser uno de los
primeros tipos de condensador de plstico.
Condensador cermico. Utiliza cermicas de varios tipos para formar el
dielctrico. Existen tipos formados por una sola lmina de dielctrico, pero
tambin los hay formados por lminas apiladas. Dependiendo del tipo,
funcionan a distintas frecuencias, llegando hasta las microondas.
Condensador sncrono. No es un condesador, sino un motor sncrono que
se comporta como condensador.
Condensador variable. Este tipo de condensador tiene una armadura
mvil que gira en torno a un eje, permitiendo que se introduzca ms o
menos dentro de la otra. El perfil de la armadura suele ser tal que la
variacin de capacidad es proporcional al logaritmo del ngulo que gira el
eje.
o Condensador de ajuste. Son tipos especiales de condensadores
variables. Las armaduras son semicirculares, pudiendo girar una de
ellas en torno al centro, variando as la capacidad. Otro tipo se basa
en acercar las armaduras, mediante un tornillo que las aprieta.
o

Qu es un condensador?

En la versin ms sencilla del condensador, no se pone nada entre las armaduras y se las deja con una cierta
separacin, en cuyo caso se dice que el dielctrico es el aire.
Carga y descarga de un condensador
Cuando se conectan las placas de un condensador a un dispositivo de carga como la batera de la figura, se
transfiere carga de una a otra placa. Esto sucede cuando la terminal positiva de la batera tira de los
electrones que se encuentran en la placa a la que estn conectada. El efecto es que estos electrones son
impulsados como por una bomba a travs de la batera y de la terminal negativa hacia la placa contraria. Las
placas del condensador tienen entones cargas iguales y opuestas.
El proceso de carga se detiene cuando la diferencia de potencial entre las placas es igual a la diferencia de
potencial entre las terminales de la batera, es decir el voltaje de la batera.
Un condensador se descarga cuando aparece un camino conductor entre las placas.
Capacidad de un condensador
El comportamiento elctrico de un condensador suele describirse en trminos de la diferencia de potencial
que hay entre sus placas y de la cantidad de carga que se ha depositado en ellas. Mientras ms carga se
polariza en el dispositivo, mayor es la diferencia de potencial entre las placas. En trminos matemticos, si V
es la diferencia de potencial y Q la carga de las placas, la relacin entre ellas es:
En la ecuacin anterior, C recibe el nombre de capacidad del condensador, y se define como el cociente
entre su carga y la diferencia de potencial entre sus placas.
Puesto que la diferencia de potencial aumenta a medida que la carga almacenada se incrementa, la
proporcin Q/V es constante para un condensador dado. En consecuencia, la capacidad de un condensador
es una medida de su capacidad para almacenar carga y energa potencial elctrica.
De la ecuacin vemos que la capacidad C, tiene la unidad del SI coulomb por volt. La unidad de capacitancia
del SI es el farad (F), en honor a Michael Faraday.
El farad es una unidad de capacidad muy grande. En la prctica, los dispositivos comunes tienen
capacidades que varan de microfarads a picofarads. Como una nota prctica, los condensadores casi
siempre se marcan con mF para microfarads y mmF para micro microfarads (picofarads).
La capacidad de un condensador depende fundamentalmente de la geometra de este. En el caso de un
condensador conformado por dos placas de rea S, separadas por una distancia d, la capacidad C en vaco
es

Donde, o es la permitividad elctrica del vaco, una constante universal cuyo valor es
o = 8,8510-12 [F/m]
Energa almacenada en un condensador
Para cargar un condensador se debe trasladar carga negativa desde una de sus placas hacia la otra. Lo
anterior implica la realizacin de un trabajo por parte del agente extreno que realiza el traslado,
generalmente este trabajo lo hace una batera. El trabajo realizado por dicha batera se acumula en el
condensador en forma de energa potencial elctrica, de tal modo que, si un condensador cuya capacidad es
C presenta una carga Q, y una diferencia de potencial V entre sus placas, la energa almacenada es:

Utilidad de los condensadores

Los condensadores se utilizan en una variedad muy amplia de circuitos elctricos. Por ejemplo:

Para sintonizar las frecuencias de receptores de radio.

Como filtros en suministros de energa elctrica.

En los computadores se usan condensadores de baja energa como conmutadores de encendido y

apagado.

La unidad de flash de una cmara fotogrfica tiene un condensador que almacena lentamente una gran
cantidad de energa y luego la libera rpidamente al emitir el destello.

Para eliminar chispas en los sistemas de encendido de automviles.

Como dispositivos de almacenamiento de energa, para lseres de laboratorios de investigacin.

Uno de los primeros condensadores que se construyeron es el condensador cilndrico conocido como botella
de Leyden; se trata de un recipente cilndrico de vidrio cuyas superficies (interna y externa) estn recubiertas
de hojas de estao.
Una botella de Leyden almacena una carga elctrica que puede liberarse, o descargarse, mediante la varilla
de descarga (izquierda).
Un condensador o capacitor es un dispositivo capaz de almacenar energa en forma de campo elctrico.
Est formado por dos armaduras metlicas paralelas (generalmente de aluminio) separadas por un material
dielctrico y aisladas electricamente una de la otra.
mF= 10-6 F
mmF= 10-12 F

Diodo
De Wikipedia, la enciclopedia libre
Saltar a navegacin, bsqueda

Tipos de diodos de estado slido

Un diodo es un dispositivo que permite el paso de la corriente elctrica
en una nica direccin. De forma simplificada, la curva caracterstica de
un diodo (I-V) consta de dos regiones, por debajo de cierta diferencia de
potencial, se comporta como un circuito abierto (no conduce), y por
encima de ella como un circuito cerrado con muy pequea resistencia
elctrica.
Debido a este comportamiento, se les suele denominar rectificadores,
ya que son dispositivos capaces de convertir una corriente alterna en
corriente continua.

Tabla de contenidos
[ocultar]
1 DIODO
o 1.1 ANEXO
2 Diodo pn o Unin pn
3 Polarizacin directa
4 Polarizacin inversa
5 Curva caracterstica del diodo
6 Modelos matemticos
7 Otros tipos de diodos semiconductores

8 Aplicaciones del diodo

9 Enlaces externos

[editar] DIODO

Diodo de alto vaco

Los primeros diodos eran vlvulas grandes en chips o tubos de
vaco, tambin llamadas vlvulas termoinicas constituidas por dos
electrodos rodeados de vaco en un tubo de cristal, con un aspecto
similar al de las lmparas incandescentes. El invento fue realizado en
1904 por John Ambrose Fleming, de la empresa Marconi, basndose en
observaciones realizadas por Thomas Alva Edison.Al igual que las lmparas incandescentes, los tubos de vaco tienen un
filamento (el ctodo) a travs del que circula la corriente, calentndolo
por efecto Joule. El filamento est tratado con xido de bario, de modo
que al calentarse emite electrones al vaco circundante; electrones que
son conducidos electrostticamente hacia una placa metlica cargada
positivamente (el nodo), producindose as la conduccin.
Evidentemente, si el ctodo no se calienta, no podr ceder electrones.
Por esa razn los circuitos que utilizaban vlvulas de vaco requeran un
tiempo para que las vlvulas se calentaran antes de poder funcionar y
las vlvulas se quemaban con mucha facilidad.

[editar] ANEXO

Diodo de alto vaco

Diodo de gas
Rectificador de mercurio

[editar] Diodo pn o Unin pn

Los diodos pn son uniones de dos materiales semiconductores
extrnsecos tipos p y n, por lo que tambin reciben la denominacin de
unin pn. Hay que destacar que ninguno de los dos cristales por
separado tiene carga elctrica, ya que en cada cristal, el nmero de
electrones y protones es el mismo, de lo que podemos decir que los dos
cristales, tanto el p como el n, son neutros. (Su carga neta es 0).

Formacin de la zona de carga espacial

Al unir ambos cristales, se manifiesta una difusin de electrones del
cristal n al p (Je).
Al establecerse estas corrientes aparecen cargas fijas en una zona a
ambos lados de la unin, zona que recibe diferentes denominaciones

como zona de carga espacial, de agotamiento, de deplexin, de

vaciado, etc.
A medida que progresa el proceso de difusin, la zona de carga espacial
va incrementando su anchura profundizando en los cristales a ambos
lados de la unin. Sin embargo, la acumulacin de iones positivos en la
zona n y de iones negativos en la zona p, crea un campo elctrico (E)
que actuar sobre los electrones libres de la zona n con una
determinada fuerza de desplazamiento, que se opondr a la corriente
de electrones y terminar detenindolos.
Este campo elctrico es equivalente a decir que aparece una diferencia
de tensin entre las zonas p y n. Esta diferencia de potencial (V0) es de
0,7 V en el caso del silicio y 0,3 V si los cristales son de germanio.
La anchura de la zona de carga espacial una vez alcanzado el equilibrio,
suele ser del orden de 0,5 micras pero cuando uno de los cristales est
mucho ms dopado que el otro, la zona de carga espacial es mucho
mayor.
Al dispositivo as obtenido se le denomina diodo, que en un caso como el
descrito, tal que no se encuentra sometido a una diferencia de potencial
externa, se dice que no est polarizado. Al extremo p, se le denomina
nodo, representndose por la letra A, mientras que la zona n, el ctodo,
se representa por la letra C (o K).

A (p)

C K (n)

Representacin simblica del diodo pn

Cuando se somete al diodo a una diferencia de tensin externa, se dice

que el diodo est polarizado, pudiendo ser la polarizacin directa o
inversa.

[editar] Polarizacin directa

En este caso, la batera disminuye la barrera de potencial de la zona de

carga espacial, permitiendo el paso de la corriente de electrones a
travs de la unin; es decir, el diodo polarizado directamente conduce la
electricidad.
Para que un diodo est polarizado directamente, tenemos que conectar
el polo positivo de la batera al nodo del diodo y el polo negativo al
ctodo. En estas condiciones podemos observar que:
El polo negativo de la batera repele los electrones libres del cristal n, con lo
que estos electrones se dirigen hacia la unin p-n.
El polo positivo de la batera atrae a los electrones de valencia del cristal p,
esto es equivalente a decir que empuja a los huecos hacia la unin p-n.
Cuando la diferencia de potencial entre los bornes de la batera es mayor
que la diferencia de potencial en la zona de carga espacial, los electrones
libres del cristal n, adquieren la energa suficiente para saltar a los huecos
del cristal p, los cuales previamente se han desplazado hacia la unin p-n.
Una vez que un electrn libre de la zona n salta a la zona p atravesando la
zona de carga espacial, cae en uno de los mltiples huecos de la zona p
convirtindose en electrn de valencia. Una vez ocurrido esto el electrn es
atrado por el polo positivo de la batera y se desplaza de tomo en tomo
hasta llegar al final del cristal p, desde el cual se introduce en el hilo
conductor y llega hasta la batera.
De este modo, con la batera cediendo electrones libres a la zona n y
atrayendo electrones de valencia de la zona p, aparece a travs del
diodo una corriente elctrica constante hasta el final.

[editar] Polarizacin inversa

En este caso, el polo negativo de la batera se conecta a la zona p y el

polo positivo a la zona n, lo que hace aumentar la zona de carga
espacial, y la tensin en dicha zona hasta que se alcanza el valor de la
tensin de la batera, tal y como se explica a continuacin:
El polo positivo de la batera atrae a los electrones libres de la zona n, los
cuales salen del cristal n y se introducen en el conductor dentro del cual se
desplazan hasta llegar a la batera. A medida que los electrones libres
abandonan la zona n, los tomos pentavalentes que antes eran neutros, al
verse desprendidos de su electrn en el orbital de conduccin, adquieren
estabilidad (8 electrones en la capa de valencia, ver semiconductor y
tomo) y una carga elctrica neta de +1, con lo que se convierten en iones
positivos.
El polo negativo de la batera cede electrones libres a los tomos trivalentes
de la zona p. Recordemos que estos tomos slo tienen 3 electrones de
valencia, con lo que una vez que han formado los enlaces covalentes con
los tomos de silicio, tienen solamente 7 electrones de valencia, siendo el
electrn que falta el denominado hueco. El caso es que cuando los
electrones libres cedidos por la batera entran en la zona p, caen dentro de
estos huecos con lo que los tomos trivalentes adquieren estabilidad (8
electrones en su orbital de valencia) y una carga elctrica neta de -1,
convirtindose as en iones negativos.

Este proceso se repite una y otra vez hasta que la zona de carga espacial
adquiere el mismo potencial elctrico que la batera.

En esta situacin, el diodo no debera conducir la corriente; sin embargo,

debido al efecto de la temperatura se formarn pares electrn-hueco
(ver semiconductor) a ambos lados de la unin produciendo una
pequea corriente (del orden de 1 A) denominada corriente inversa
de saturacin. Adems, existe tambin una denominada corriente
superficial de fugas la cual, como su propio nombre indica, conduce
una pequea corriente por la superficie del diodo; ya que en la
superficie, los tomos de silicio no estn rodeados de suficientes tomos
para realizar los cuatro enlaces covalentes necesarios para obtener
estabilidad. Esto hace que los tomos de la superficie del diodo, tanto de
la zona n como de la p, tengan huecos en su orbital de valencia con lo
que los electrones circulan sin dificultad a travs de ellos. No obstante,
al igual que la corriente inversa de saturacin, la corriente superficial de
fugas es despreciable.

[editar] Curva caracterstica del diodo

Tensin umbral, de codo o de partida (V ).

La tensin umbral (tambin llamada barrera de potencial) de polarizacin
directa coincide en valor con la tensin de la zona de carga espacial del
diodo no polarizado. Al polarizar directamente el diodo, la barrera de
potencial inicial se va reduciendo, incrementando la corriente ligeramente,
alrededor del 1% de la nominal. Sin embargo, cuando la tensin externa
supera la tensin umbral, la barrera de potencial desaparece, de forma que
para pequeos incrementos de tensin se producen grandes variaciones de
la intensidad.

Corriente mxima (Imax ).

Es la intensidad de corriente mxima que puede conducir el diodo sin
fundirse por el efecto Joule. Dado que es funcin de la cantidad de calor
que puede disipar el diodo, depende sobre todo del diseo del mismo.
Corriente inversa de saturacin (Is ).
Es la pequea corriente que se establece al polarizar inversamente el diodo
por la formacin de pares electrn-hueco debido a la temperatura,
admitindose que se duplica por cada incremento de 10 en la temperatura.
Corriente superficial de fugas.
Es la pequea corriente que circula por la superficie del diodo (ver
polarizacin inversa), esta corriente es funcin de la tensin aplicada al
diodo, con lo que al aumentar la tensin, aumenta la corriente superficial de
fugas.
Tensin de ruptura (Vr ).
Es la tensin inversa mxima que el diodo puede soportar antes de darse el
efecto avalancha.

Tericamente, al polarizar inversamente el diodo, este conducir la

corriente inversa de saturacin; en la realidad, a partir de un
determinado valor de la tensin, en el diodo normal o de unin abrupta
la ruptura se debe al efecto avalancha; no obstante hay otro tipo de
diodos, como los Zener, en los que la ruptura puede deberse a dos
efectos:
Efecto avalancha (diodos poco dopados). En polarizacin inversa se
generan pares electrn-hueco que provocan la corriente inversa de
saturacin; si la tensin inversa es elevada los electrones se aceleran
incrementando su energa cintica de forma que al chocar con electrones
de valencia pueden provocar su salto a la banda de conduccin. Estos
electrones liberados, a su vez, se aceleran por efecto de la tensin,
chocando con ms electrones de valencia y liberndolos a su vez. El
resultado es una avalancha de electrones que provoca una corriente
grande. Este fenmeno se produce para valores de la tensin superiores a
6 V.
Efecto Zener (diodos muy dopados). Cuanto ms dopado est el material,
menor es la anchura de la zona de carga. Puesto que el campo elctrico E
puede expresarse como cociente de la tensin V entre la distancia d;
cuando el diodo est muy dopado, y por tanto d sea pequeo, el campo
elctrico ser grande, del orden de 310 5 V/cm. En estas condiciones, el
propio campo puede ser capaz de arrancar electrones de valencia
incrementndose la corriente. Este efecto se produce para tensiones de 4 V
o menores.
Para tensiones inversas entre 4 y 6 V la ruptura de estos diodos
especiales, como los Zener, se puede producir por ambos efectos.

[editar] Modelos matemticos

El modelo matemtico ms empleado es el de Shockley (en honor a
William Bradford Shockley) que permite aproximar el comportamiento
del diodo en la mayora de las aplicaciones. La ecuacin que liga la
intensidad de corriente y la diferencia de potencial es:

Donde:
I es la intensidad de la corriente que atraviesa el diodo y VD la diferencia de
tensin entre sus extremos.
IS es la corriente de saturacin (aproximadamente 10 12A)
q es la carga del electrn
T es la temperatura absoluta de la unin
k es la constante de Boltzmann
n es el coeficiente de emisin, dependiente del proceso de fabricacin del
diodo y que suele adoptar valores entre 1 (para el germanio) y del orden de
2 (para el silicio).
El trmino VT = kT/q = T/11600 es la tensin debida a la temperatura, del
orden de 26 mV a temperatura ambiente (300 K 27 C).
Con objeto de evitar el uso de exponenciales (a pesar de ser uno de los
modelos ms sencillos), en ocasiones se emplean modelos ms simples
an, que modelizan las zonas de funcionamiento del diodo por tramos
rectos; son los llamados modelos de continua o de Ram-seal que se
muestran en la figura. El ms simple de todos (4) es el diodo ideal.
[editar] Otros tipos de diodos semiconductoresDiodo avalancha
Fotodiodo
Diodo Gunn
Diodo lser
Diodo LED (e IRED)
Diodo p-i-n
Diodo Schottky o diodo de barrera Schottky
Diodo Shockley (diodo de cuatro capas)
Diodo tnel o diodo Esaki
Diodo Varicap
Diodo Zener

[editar] Aplicaciones del diodo

Rectificador de media onda

Rectificador de onda completa

Rectificador en paralelo
doblador de tension
Estabilizador Zener
Recortador
Circuito fijador
Multiplicador de tensin
Divisor de tensin

TIPOS DE DIODOS.DIODOS METAL-SEMICONDUCTOR.- Los ms antiguos son los de germanio con punta de
tungsteno o de oro. Su aplicacin ms importante se encuentra en HF, VHF y UHF. Tambin se
utilizan como detectores en los receptores de modulacin de frecuencia. Por el tipo de unin que
tiene posee una capacidad muy baja, as como una resistencia interna en conduccin que
produce una tensin mxima de 0,2 a 0,3v.
El diodo Schottky son un tipo de diodo cuya construccin se basa en la unin metal conductor
con algunas diferencias respecto del anterior. Fue desarrollado por la Hewlett-Packard en USA, a
principios de la dcada de los 70. La conexin se establece entre un metal y un material
semiconductor con gran concentracin de impurezas, de forma que solo existir un movimiento
de electrones, ya que son los nicos portadores mayoritarios en ambos materiales. Al igual que el
de germanio, y por la misma razn, la tensin de umbral cuando alcanza la conduccin es de 0,2
a 0,3v. Igualmente tienen una respuesta notable a altas frecuencias, encontrando en este campo
sus aplicaciones ms frecuentes. Un inconveniente de esto tipo de diodos se refiere a la poca
intensidad que es capaz de soportar entre sus extremos.
El encapsulado de estos diodos es en forma de cilindro , de plstico o de vidrio. De configuracin
axial. Sobre el cuerpo se marca el ctodo, mediante un anillo serigrafiado.

Diodo de punta de germanio

Diodo Schottky

DIODOS RECTIFICADORES.- Su construccin est basada en la unin PN siendo su principal

aplicacin como rectificadores. Este tipo de diodos (normalmente de silicio) soportan elevadas
temperaturas (hasta 200C en la unin), siendo su resistencia muy baja y la corriente en tensin
inversa muy pequea. Gracias a esto se pueden construir diodos de pequeas dimensiones para
potencias relativamente grandes, desbancando as a los diodos termoinicos desde hace tiempo.
Sus aplicaciones van desde elemento indispensable en fuentes de alimentacin como en
televisin, aparatos de rayos X y microscopios electrnicos, donde deben rectificar tensiones
altsimas.
En fuentes de alimentacin se utilizan los diodos formando configuracin en puente (con cuatro
diodos en sistemas monofsicos), o utilizando los puentes integrados que a tal efecto se fabrican
y que simplifican en gran medida el proceso de diseo de una placa de circuito impreso.
Los distintos encapsulados de estos diodos dependen del nivel de potencia que tengan que
disipar. Hasta 1w se emplean encapsulados de plstico. Por encima de este valor el encapsulado
es metlico y en potencias ms elevadas es necesario que el encapsulado tenga previsto una

rosca para fijar este a un radiador y as ayudar al diodo a disipar el calor producido por esas altas
corrientes. Igual le pasa a los puentes de diodos integrados.
DIODO RECTIFICADOR COMO ELEMENTO DE PROTECCION.- La desactivacin de un rel
provoca una corriente de descarga de la bobina en sentido inverso que pone en peligro el
elemento electrnico utilizado para su activacin. Un diodo polarizado inversamente cortocircuita
dicha corriente y elimina el problema.
El inconveniente que presenta es que la descarga de la bobina es ms lenta, as que la
frecuencia a la que puede ser activado el rel es ms baja. Se le llama comnmente diodo
volante.
DIODO RECTIFICADOR COMO ELEMENTO DE PROTECCION DE UN DIODO LED EN
ALTERNA.- El diodo LED cuando se polariza en c.a. directamente conduce y la tensin cae
sobre la resistencia limitadora, sin embargo, cuando se polariza inversamente, toda la tensin se
encuentra en los extremos del diodo, lo que puede destruirlo.
DIODOS ZENER.- Se emplean para producir entre sus extremos una tensin constante e
independiente de la corriente que las atraviesa segn sus especificaciones. Para conseguir esto
se aprovecha la propiedad que tiene la unin PN cuando se polariza inversamente al llegar a la
tensin de ruptura (tensin de zener), pues, la intensidad inversa del diodo sufre un aumento
brusco. Para evitar la destruccin del diodo por la avalancha producida por el aumento de la
intensidad se le pone en serie una resistencia que limita dicha corriente. Se producen desde
3,3v y con una potencia mnima de 250mW.
Los encapsulados pueden ser de plstico o metlico segn la potencia que tenga que disipar.
Si quieres ver la curva caracterstica de un diodo zener, pulsa aqu,

DIODOS LED ( Light Emitting Diode).-Es un diodo que presenta un comportamiento parecido al
de un diodo rectificador sin embargo, su tensin de umbral, se encuentra entre 1,3 y 4v
dependiendo del color del diodo.
Color

Tensin en directo

Infrarrojo

1,3v

Rojo

1,7v

Naranja

2,0v

Amarillo

2,5v

Verde

2,5v

Azul

4,0v

El conocimiento de esta tensin es fundamental para el diseo del circuito en el que sea necesaria
su presencia, pues, normalmente se le coloca en serie una resistencia que limita la intensidad que
circular por el. Cuando se polariza directamente se comporta como una lamparita que emite una
luz cuyo color depende de los materiales con los que se fabrica. Cuando se polariza inversamente
no se enciende y adems no deja circular la corriente.
La intensidad mnima para que un diodo LED emita luz visible es de 4mA y, por precaucin como
mximo debe aplicarse 50mA.

Para identificar los terminales del diodo LED observaremos como el ctodo ser el terminal ms
corto, siendo el ms largo el nodo. Adems en el encapsulado, normalmente de plstico, se
observa un chafln en el lado en el que se encuentra el ctodo.
Se utilizan como seal visual y en el caso de los infrarrojos en los mandos a distancia.
Se fabrican algunos LEDs especiales:
LED bicolor.- Estn formados por dos diodos conectados en paralelo e inverso. Se suele utilizar en
la deteccin de polaridad.
LED tricolor.- Formado por dos diodos LED (verde y rojo) montado con el ctodo comn. El
terminal ms corto es el nodo rojo, el del centro, es el ctodo comn y el tercero es el nodo
verde.
Display.- Es una combinacin de diodos LED que permiten visualizar letras y nmeros. Se
denominan comnmente displays de 7 segmentos. Se fabrican en dos configuraciones: nodo
comn y ctodo comn.
Estructura de un LED bicolor

Estructura de un LED tricolor

Display

Display de ctodo comn

Display de nodo comn

Disposicin de los pines en

un display

FOTODIODO.- Son dispositivos semiconductores construidos con una unin PN, sensible a la
incidencia de la luz visible o infrarroja. Para que su funcionamiento sea correcto se polarizarn
inversamente, con lo que producirn una cierta circulacin de corriente cuando sean excitados
por la luz. Debido a su construccin se comportan como clulas fotovoltaicas, es decir, en
ausencia de tensin exterior, generan una tensin muy pequea con el positivo en el nodo y el
negativo en el ctodo. Tienen una velocidad de respuesta a los cambios bruscos de luminosidad
mayores a las clulas fotoelctricas. Actualmente, y en muchos circuitos ests ltimas se estn
sustituyendo por ellos, debido a la ventaja anteriormente citada.
DIODO DE CAPACIDAD VARIABLE (VARICAP).- Son diodos que basan su funcionamiento en
el principio que hace que la anchura de la barrera de potencial en una unin PN varia en funcin
de la tensin inversa aplicada entre sus extremos. Al aumentar dicha tensin, aumenta la
anchura de esa barrera, disminuyendo as la capacidad del diodo. De este modo se obtiene un
condensador variable controlado por tensin. Los valores de capacidad obtenidos van desde 1 a
500pF. La tensin inversa mnima tiene que ser de 1v.
La aplicacin de estos diodos se encuentra en la sintona de TV, modulacin de frecuencia en
transmisiones de FM y radio, sobre todo.

Transistor
De Wikipedia, la enciclopedia libre
Saltar a navegacin, bsqueda

Distintos encapsulados de transistores.

El transistor es un dispositivo electrnico semiconductor que cumple
funciones de amplificador, oscilador, conmutador o rectificador. El
trmino "transistor" es la contraccin en ingls de transfer resistor
("resistencia de transferencia"). Actualmente se los encuentra
prcticamente en todos los enseres domsticos de uso diario: radios,
televisores, grabadores, reproductores de audio y vdeo, hornos de
microondas, lavarropas automticos, automviles, equipos de
refrigeracin, alarmas, relojes de cuarzo, computadoras, calculadoras,
impresoras, lmparas fluorecentes, equipos de rayos X, tomgrafos,
ecgrafos, iPod, celulares, etc.
Sustituto de la vlvula termoinica de tres electrodos o triodo, el
transistor bipolar fue inventado en los Laboratorios Bell de EEUU en
diciembre de 1947 por John Bardeen, Walter Houser Brattain y William

Bradford Shockley, quienes fueron galardonados con el Premio Nobel de

Fsica en 1956.
El transistor bipolar consta de un sustrato (usualmente silicio) y tres
partes dopadas artificialmente que forman dos uniones bipolares, el
emisor que emite portadores, el colector que los recibe o recolecta y la
tercera, que est intercalada entre las dos primeras, modula el paso de
dichos portadores (base). A diferencia de las vlvulas, el transistor es un
dispositivo controlado por corriente y del que se obtiene corriente
amplificada. En el diseo de circuitos a los transistores se les considera
un elemento activo, a diferencia de los resistores, capacitores e
inductores que son elementos pasivos. Su funcionamiento slo puede
explicarse mediante mecnica cuntica.
De manera simplificada, la corriente que circula por el "colector" es
funcin amplificada de la que se inyecta en el "emisor", pero el
transistor slo grada la corriente que circula a travs de s mismo, si
desde una fuente de corriente continua se alimenta la "base" para que
circule la carga por el "colector", segn el tipo de circuito que se utilice.
El factor de amplificacin logrado entre corriente de base y corriente de
colector, se denomina Beta del transistor. Otros parmetros a tener en
cuenta y que son particulares de cada tipo de transistor son: Tensiones
de ruptura de Colector Emisor, de Base Emisor, de Colector Base,
Potencia Mxima, disipacin de calor, frecuencia de trabajo, y varias
tablas donde se grafican los distintos parmetros tales como corriente
de base, tensin Colector Emisor, tensin Base Emisor, corriente de
Emisor, etc. Los tres tipos de esquemas bsicos para utilizacin
analgica de los transistores son emisor comn, colector comn y base
comn.
Modelos posteriores al transistor descrito, el transistor bipolar
(transistores FET, MOSFET, JFET, CMOS, VMOS, etc.) no utilizan la
corriente que se inyecta en el terminal de "base" para modular la
corriente de emisor o colector, sino la tensin presente en el terminal de
puerta o reja de control y grada la conductancia del canal entre los
terminales de Fuente y Drenador. De este modo, la corriente de salida en
la carga conectada al Drenador (D) ser funcin amplificada de la
Tensin presente entre la Puerta (Gate) y Fuente (Source). Su
funcionamiento es anlogo al del triodo, con la salvedad que en el triodo
los equivalentes a Puerta, Drenador y Fuente son Reja, Placa y Ctodo.
Los transistores de efecto de campo, son los que han permitido la
integracin a gran escala que disfrutamos hoy en da, para tener una
idea aproximada pueden fabricarse varios miles de transistores
interconectados por centmetro cuadrado y en varias capas
superpuestas.

Tabla de contenidos

[ocultar]
1 Tipos de transistor
2 Transistores y electrnica de potencia
3 El transistor frente a la vlvula termoinica
4 Vase tambin

5 Enlaces externos

[editar] Tipos de transistor

Transistor de punta de contacto. Primer transistor que obtuvo ganancia,

inventado en 1947 por J. Bardeen y W. Brattain. Consta de una base de
germanio sobre la que se apoyan, muy juntas, dos puntas metlicas que
constituyen el emisor y el colector. La corriente de emisor es capaz de
modular la resistencia que se "ve" en el colector, de ah el nombre de
"transfer resistor". Se basa en efectos de superficie, poco conocidos en su
da. Es difcil de fabricar (las puntas se ajustaban a mano), frgil (un golpe
poda desplazar las puntas) y ruidoso. Sin embargo convivi con el
transistor de unin (W. Shockley, 1948) debido a su mayor ancho de banda.
Hoy da ha desaparecido.
Transistor de unin bipolar, BJT por sus siglas en ingls, se fabrica
bsicamente sobre un monocristal de Germanio, Silicio o Arseniuro de
Galio, que tienen cualidades de semiconductores, estado intermedio entre
conductores como los metales y los aislantes como el diamante. Sobre el
sustrato de cristal se contaminan en forma muy controlada tres zonas, dos
de las cuales son del mismo tipo, NPN o PNP, quedando formadas dos
uniones NP.

La zona N con elementos donantes de electrones (cargas negativas) y la

zona P de aceptadores o "lagunas" (cargas positivas), normalmente se
utilizan como elementos aceptadores P al Indio, Aluminio o Galio y
donantes N al Arsnico o Fsforo. La configuracin de uniones PN, dan
como resultado transistores PNP o NPN, donde la letra intermedia
siempre corresponde a la caracterstica de la base, y las otras dos al
emisor y al colector que, si bien son del mismo tipo y de signo contrario
a la base, tienen diferente contaminacin entre ellas.
El mecanismo que representa el comportamiento semiconductor
depender de dichas contaminaciones, de la geometra asociada y del
tipo de tecnologa de contaminacin (difusin gaseosa, epitelial, etc.) y
del comportamiento cuntico de la unin.

Fototransistor, sensible a la radiacin electromagntica, en frecuencias

cercanas a la de la luz.
Transistor de unin unipolar.
Transistor de efecto de campo, FET, que controla la corriente en funcin de
una tensin; tienen alta impedancia de entrada.
o Transistor de efecto de campo de unin, JFET, construido mediante
una unin PN.
o Transistor de efecto de campo de compuerta aislada, IGFET, en el
que la compuerta se asla del canal mediante un dielctrico.
Transistor de efecto de campo MOS, MOSFET, donde MOS
significa Metal-xido-Semiconductor, en este caso la
compuerta es metlica y est separada del canal
semiconductor por una capa de xido.

[editar] Transistores y electrnica de

potencia
Con el desarrollo tecnolgico y evolucin de la electrnica, la capacidad
de los dispositivos semiconductores para soportar cada vez mayores
niveles de tensin y corriente ha permitido su uso en aplicaciones de
potencia. Es as como actualmente los transistores son empleados en
conversores estticos de potencia, controles para motores y llaves de
alta potencia (principalmente inversores), aunque su principal uso est
basado en la amplificacin de corriente dentro de un circuito cerrado.

[editar] El transistor frente a la vlvula

termoinica
Antes de la aparicin del transistor los ingenieros utilizaban elementos
activos llamados vlvulas termoinicas. Las vlvulas tienen
caractersticas elctricas similares a la de los transistores de efecto de
campo (FET): la corriente que los atraviesa depende de la tensin en el
borne de comando, llamado rejilla. Las razones por las que el transistor
reemplaz a la vlvula termoinica son varias:
Las vlvulas termoinicas necesitan tensiones muy altas, del orden de las
centenas de voltios, tensiones que son letales para el ser humano.
Las vlvulas consumen mucha energa, lo que las vuelve particularmente
poco tiles para el uso con bateras.
Probablemente, uno de los problemas ms importantes es el peso. El
chasis necesario para alojar las vlvulas, los transformadores requeridos
para suministrar la alta tensin, todo ello sumaba un peso importante, que
iba desde algunos kilos a algunas decenas de kilos.

El tiempo medio entre fallas de las vlvulas termoinicas es muy corto

comparado al del transistor, sobre todo a causa del calor generado.

Como ejemplo de todos estos inconvenientes se puede citar a la primera

computadora digital, llamada ENIAC. Era un equipo que pesaba ms de
treinta toneladas y consuma 200 kilovatios, suficientes para alimentar
una pequea ciudad. Tena alrededor de 18.000 vlvulas, de las cuales
algunas se quemaban cada da, necesitando una logstica y una
organizacin importantes.
Cuando el transistor bipolar fue inventado en 1947, fue considerado una
revolucin. Pequeo, rpido, fiable, poco costoso, sobrio en sus
necesidades de energa, reemplaz progresivamente a la vlvula
termoinica durante la dcada de 1950, pero no del todo. En efecto,
durante los aos 60, algunos fabricantes siguieron utilizando vlvulas
termoinicas en equipos de radio de gama alta, como Collins y Drake;
luego el transistor desplaz a la vlvula de los transmisores pero no del
todo de los amplificadores de radiofrecuencia. Otros fabricantes, de
equipo de audio esta vez, como Fender, siguieron utilizando vlvulas
termoinicas en amplificadores de audio para guitarras. Las razones de
la supervivencia de las vlvulas termoinicas son varias:
El transistor no tiene las caractersticas de linearidad a alta potencia de la
vlvula termoinica, por lo que no pudo reemplazarla en los amplificadores
de transmisin de radio profesionales y de radioaficionados.
El transistor es muy sensible a los efectos electromagnticos de las
explosiones nucleares, por lo que se siguieron utilizando vlvulas
termoinicas en algunos sistemas de control-comando de cazas de
fabricacin sovitica.

[editar] Vase tambin

Transistor de punta de contacto

Transistor de base permeable
Transistor balstico
Transistor cuntico
Transistor de silicio amorfo
Fototransistor
Transistor Uniunin (UJT)
IGBT (Transistor bipolar de puerta aislada)
Transistor de aleacin
Transistor mesa
Transistor planar (Transistor plano)
Transistor lateral
Transistor vertical