Estructura y propiedades de los materiales.

Segundo departamental
El qu tan rpido o con qu tanta energa se logra un cambio de estado en un
metal depender de los materiales que lo integran. Se debe recordar que casi
nunca se utilizan metales puros. A la combinacin qumica de dos o ms
metales se le llama aleacin. Muchas de las propiedades de los metales
estn relacionadas con la estructura cristalina y tambin con el enlace
metlico, tales como:
-densidad
- dureza
- punto de fusin
- conductividad elctrica y calorfica
Ninguna propiedad depende tanto de la formacin de la estructura
cristalina como las propiedades mecnicas: la maleabilidad, ductilidad,
resistencia a la tensin, etc.
*Enlaces:
Inico: metal-nometal.
Covalente: entre dos nometales.
Metlico: entre metales.
de Van der Waals: es el ms dbil.
*Las aleaciones no necesariamente se hacen en estado lquido: en la
metalurgia de polvos, puede realizarse la aleacin por medio de vibraciones.
* Principales estructuras de los metales: Cbica Centrada en Cuerpo, Cbica
Centrada en caras y hexagonal.

Proceso de cristalizacin/solidificacin de los Metales:

1. Calentados por encima de su punto de fusin, los tomos se agrupan al azar
y son portadores de elevadas energa y movimiento
2. A medida que el lquido se enfra la energa de algunos tomos disminuye y
su movilidad dentro de la masa va ocupando una posicin ms ordenada.
Entre ms lento sea el proceso de enfriamiento, ms oportunidad le damos
a los tomos de ordenarse adecuadamente.
En cambio, si se somete a un proceso de enfriamiento brusco, por ejemplo
un tratamiento trmico de temple, ocurre una distribucin poco homognea.
Para eso existen los tratamientos trmicos. En la gran variedad de ellos
podemos manejar la temperatura de enfriamiento, sabiendo el resultado
que obtendremos.
3. Alcanzada la temperatura de solidificacin, estos grupos aislados de tomos
quedan ya orientados y enlazados como el cristal elemental, adquiriendo
una estructura rgida de orientacin los unos respecto a los otros.
4. Los tomos vecinos cuando pierden la energa trmica necesaria, se
agregan al cristal elemental formado nuevos cristales elementales unidos y

comienzan a formar redes cristalinas en crecimiento alcanzado cierto

tamao se convierten en ncleos de cristalinos.
5. La red cristalina crece en unas direcciones ms que en otras, as los
cristales adquieren una forma alargada y constituyen en los llamados
ejes de cristalizacin.
6. A partir de los primeros ejes, en direcciones perpendiculares, tiene
lugar el crecimiento de nuevos ejes. Este tipo de cristalizacin, que
recuerda a un cuerpo ramificado, se conoce como dendrtico, y el cristal
formado dendrita.
7. Los cristales entran en contacto, lo que impide la formacin de cristales
geomtricamente correctos, despus de la solidificacin completa
adquieren un carcter casual. Tales cristales se denominan granos y los
cuerpos metlicos, compuestos de un gran nmero de granos, se
denominan policristalinos.
8. Condiciones de cristalizacin/solidificacin:
Condiciones reales de Cristalizacin (muy distintas a las ideales):
a) En el metal siempre hay impurezas.
b) Las temperaturas de fusin son altas
c) Las velocidades de enfriamiento son relativamente altas.
d) La transferencia de calor de la masa fundida al medio es diferente en
diferentes direcciones.
e) Las partes ms cercanas a las paredes del molde se enfran a una
velocidad mucho mayor que las ms interiores. Cada una de estas
condiciones perturbadoras produce cambios a la red cristalina y dan
lugar a la formacin de granos.
Esquema de formacin
de granos: La
ilustracin muestra las
diversas etapas de
solidificacin de los
metales:

a) Formacin de ncleos.
b) Crecimiento de los ncleos hasta formar metales y
c) Unin de cristales para formar granos y lmite de granos asociados.
Tamao de grano fino:
Mayor resistencia a la traccin, mayor dureza, se distorsionan menos durante
el temple. Menos susceptibles al agrietamiento. Recomendado para
herramientas.
Tamao de grano grueso:

Incrementa la endurecibilidad, la cual es deseable a menudo para la

carburizacin y tambin para el acero que se someter a largos procesos de
trabajo en frio.
Los materiales de grano grueso se maquinan ms fcilmente.
Defectos en la solidificacin:
Contraccin: Durante la solidifacin el material se contrae, es decir se encoge
hasta un 7%
Porosidad gaseosa: Muchos metales en estado lquido disuelven gran cantidad
de gas. El hidrgeno excedente forma burbujas que pueden quedar atrapadas
en el metal slido, produciendo porosidad gaseosa.

Impurezas y Defectos cristalinos:

Los materiales no son homogneos por varias cuestiones:
Impurezas (en los sitios intersticiales)
Defectos cristalinos
La temperatura de enfriamiento
El medio de propagacin

DEFECTOS CRISTALINOS
Los sitios intersticiales y las vacancias son defectos en las estructuras
cristalinas.
Pero sin ellos, no podramos realizar aleaciones de materiales.
Existen tres tipos bsicos de imperfecciones en las redes cristalinas, las cuales
se pueden formar por las condiciones dadas anteriormente:
Con frecuencia se pueden crear en forma intencional los defectos para
obtener determinado conjunto de propiedades electrnicas, pticas y
mecnicas.
I.

Defectos puntuales: Son interrupciones localizadas en arreglos atmicos o

inicos que, si no fuera por ellos, seran perfectos en una estructura
cristalina. Aun cuando se les llama defectos puntuales, la alteracin afecta
una regin donde intervienen varios tomos o iones.
Estas imperfecciones se pueden introducir por el movimiento de los tomos
o iones al aumentar la energa por calentamiento durante el procesamiento
del material, por introduccin de impurezas o por dopaje. Un defecto
puntual implica en general a uno o un par de tomos o iones y en
consecuencia, es distinto de los defectos extendidos, como dislocaciones,
limites de grano, etc.

a. Vacancias: se produce cuando falta un tomo o un ion en su sitio

normal de la estructura cristalina. Esto aumenta el desorden normal o
entropa del material, lo cual aumenta la estabilidad termodinmica
de ste. A temperatura ambiente la concentracin de vacancias es
pequea pero aumenta de forma exponencial al aumento de
temperatura. Las vacancias desempean un papel importante en la
determinacin de la rapidez con que se puede mover los tomos o los
iones, es decir, difundirse, en un material slido, en especial en los
metales puros. (Es un mecanismo de difusin).
b. Defectos intersticiales: Se forman cuando se inserta un tomo o ion
adicional en estructura cristalina en una posicin normalmente
desocupada.
c. Defecto sustitucional: Se introduce un defecto sustitucional cuando
un tomo o ion es situado con un tipo distinto de tomo o ion. Los
tomos o iones sustitucionales ocupan el sitio normal en la red. Los
semiconductores que no contienen concentraciones apreciables de
dopantes o impurezas se llaman semiconductores intrnsecos. Los
semiconductores extrnsecos son los que contienen dopantes o
impurezas.
d. Defecto autointerstical: Se crea cuando un tomo idntico a los
puntos de red est en una posicin intersticial. Es ms probable
encontrar estos defectos en estructuras cristalinas que tienen bajo
factor de empaquetamiento.
e. Defecto o par de Frenkel: Es un par vacancia-intersticial que se forma
cuando un ion salta de un punto normal de red a un sitio intersticial y
deja atrs una vacancia.

Estos defectos afectan principalmente las propiedades mecnicas del

material: elasticidad, dureza, plasticidad, etc.
*Dopamiento: cuando entra un tomo diferente en la estructura de manera
controlada para cambiar sus caractersticas.

II.

Defectos Lineales (dislocaciones): Son imperfecciones lineales en un

cristal, se suelen introducir en el cristal durante la solidificacin del material
o en la deformacin plstica de ste. Aunque en todos los materiales
incluyendo cermicos y polmeros, hay dislocaciones, son especialmente

tiles para explicar la deformacin y el endurecimiento de los materiales

metlicos. Las dislocaciones estn formadas por los tomos originales del
material (no por impurezas). Debido a que el plano de tomos est
insertado en la estructura en lugares no definidos por la misma, las
dislocaciones causan la deformacin del material cercano a ellas. Las
dislocaciones se dividen en tres tipos:
a. De cua/arista/borde: Formada por un plano extra de tomos en el
cristal, el vector de Burgers es perpendicular al plano que contiene la
dislocacin y paralelo al plano de deslizamiento. Existe una
interaccin fuerte entre dislocaciones de arista de tal manera que se
pueden llegar a aniquilar.
b. De tornillo/helicoidal: Se llama as debido a la superficie espiral
formada por los planos atmicos alrededor de la lnea de dislocacin
y se forman al aplicar un esfuerzo cizallante. La parte superior de la
regin frontal del cristal desliza una unidad atmica a la derecha
respecto a la parte inferior. En este caso, el vector de Burgers es
paralelo al plano que contiene la dislocacin y perpendicular al plano
de deslizamiento.
c. Mixtas: Dislocacin formada por las dos anteriores, una de cua y una
helicoidal.

Difusin.
Es el movimiento de los tomos en un material. Los tomos se mueven de una
manera predecible, tratando de elminiar diferencias de concentracin y de
producir una composicin homognea y uniforme. El movimiento de los tomos
es necesario para muchos de los tratamientos que llevamos a cabo sobre los
materiales. Es necesaria para el tratamiento trmico de los metales, la
manufactura de los cermicos, la solidificacin de los materiales, entre otros.
La difusin es la capacidad de movilidad de los iones de un elemento dentro de
la estructura de otro; es el mecanismo por el cual la materia es transportada a
travs de la materia. Existen 2 mecanismos principales de difusin:
a. Mecanismo sustitucional o por vacantes: los iones pueden moverse en la
red cristalina de una posicin a otra si tienen suficiente energa de

activacin procedente de sus vibraciones trmicas y si existen vacancias

u otros defectos cristalinos en la red hacia los cuales los iones pueden
desplazarse.
A mayor Temp -> mayor nmero de vacantes y mayor energa
trmica, por ende, mayor difusin (mayor movilidad y mayor
espacios).
Energia de activacin: energa para formar una vacante + energa
para moverla
b. Mecanismo intersticial: la difusin de los iones tiene lugar cuando estos
se mueven de un intersticio a otro vecino, sin desplazar de manera
permanente a ninguno de los iones de la red cristalina de la matriz. De
vacantes o sustitucional.

Aplicaciones de la difusin:
Tratamientos en los materiales:

Procesos sobre toda la masa.

Procesos sobre la superficie.

Revenido
Recocido
Normalizado
Temple

Temple por llama y por lser

Difusin Termoqumica
Carbonitruracin
Cementacin
Nitruracin

Gradiente de concentracin.
Es la medida de la diferencia de la concentracin de una sustancia en dos
regiones. La velocidad de difusin es directamente proporcional al tamao de
gradiente de concentracin:
Mayor gradiente de concentracin Mayor velocidad de difusin.

Leyes de Fick para la difusin.

Primera ley de Fick.
Teorema: Cuando en un sistema termodinmico multicomponente hay una
gradiente de concentraciones, se origina un flujo irreversible de materia,
desde las altas concentraciones a las bajas. A este flujo de materia se le
llama difusin.
La difusin tiende a devolver el sistema a su estado de equilibrio, de
concentracin constante.

La Primera ley de Fick nos dice que el flujo difusivo que atraviesa una superficie
J (en

mol
cm2s ) es directamente proporcional al gradiente de concentracin. El
1

coeficiente de proporcionalidad se llama coeficiente de difusin D (en cm2s

). Para un sistema discontinuo (membrana que separa dos cmaras):

J=

D c

Donde:

es la diferencia de concentraciones molares

J=

es el espesor de la membrana

D c
x
Donde

c
x

es el gradiente de concentracin

Segunda ley de Fick.

describe el estado dinmico de la difusin de los tomos, por medio de la
ecuacin diferencial

c
d2 c
=D
t
x2

( )

La segunda ley de Fick se utiliza en la difusin no-constante, es decir, cuando

la difusin es en estado no estacionario, en los que el coeficiente de difusin es
independiente del tiempo. Esta ley establece que la velocidad de cambio de la
composicin de la muestra es igual al coeficiente de difusin por la velocidad
de cambio del gradiente de concentracin

Diagramas de equilibrio de fases.

Un diagrama de equilibrio es la representacin grfica de la temperatura en
funcin de la composicin qumica (normalmente el % en peso) de una
aleacin binaria. De manera prctica indica qu fases predominan en cada una
de las temperaturas en funcin de la composicin. Da mucha informacin de la
micro-estructura de una aleacin cuando se enfra lentamente (en equilibrio) a
temperatura ambiente.
Equilibrio: un sistema est en equilibrio si no tiene lugar cambios microscpicos
con el tiempo.

Fase: una porcin fsica homognea y diferente de un sistema material.

Sistema: una porcin del universo que ha sido aislada de tal modo que sus
propiedades pueden ser estudiadas.

Nmero de componentes de un diagrama de fases: nmero de elementos que

constituyen el sistema del diagrama de fases. Por ejemplo Fe-Ni un sistema de
dos componentes.
Sistema isomorfo: un diagrama de fases en el cual solo existe una nica fase
slida, esto es, hay solo una estructura en estado slido.
Variables de estado: Variables independientes de las cuales depende el estado
del sistema. Temperatura, presin y composicin.

Diagrama de fases.
Una aleacin binaria est formada por dos componentes. Una aleacin se
describe comenzando por los elementos que la componen y sus concentracin
%en peso(Wt%) y %atmico(At%). A esto se le conoce como diagrama de fases
binario.

Diagrama de equilibrio de las fases

Para estudiar las aleaciones: aleacin es una mezcla de un metal con otros
metales o no metales.
Un diagrama de equilibrio o ms comnmente conocido como diagrama de
fases es un diagrama de composicin vs temperatura.

Carctersticas de los sistemas binarios:

>Solubles en estado lquido y en estado slido
>Solubles en estado lquido e insolubles en estado slido
>Solubles en estado lquido y parcialmente solubles en estado slido
>Sistemas que formas compuestos intermetlicos.
Sistema binario de solubilidad total:
Al estado slido y en cualquier proporcin, nuestro sistema presentara una sola
fase. Se produce un fenmeno de homogenizacin constante debido a la
capacidad de difusin que posee el soluto.
La difusin es la capacidad de movilidad de los iones de un elemento dentro de
la estructura de otro; es el mecanismo por el cual la materia es transportada a
travs de la materia.
Existen 2 mecanismos principales de difusin:
A. mecanismo sustitucional o por vacantes: los iones pueden moverse en la red
cristalina de una posicin a otra si tienen suficiente energa de activacin
procedente de sus vibraciones trmicas y si existen vacancias u otros defectos
cristalinos en la red hacia los cuales los iones pueden desplazarse.
B. Mecanismo intersticial: la difusin de los iones tiene lugar cuando estos se
mueven de un intersticio a otro vecino, sin desplazar de manera permanente a
ninguno de los iones de la red cristalina de la matriz.

Sistema binario de insolubilidad. Estados de las fases. Formacin de

solidos:
Los elementos NO son solubles entre si y por ende hay dos fases ya que
solidificarn independientemente. Cuando la temperatura baje hasta la
temperatura de solidificacin de A, este solidificar pero B quedar atrapado
en su estructura, por lo que el cristal ser 100% A. Una vez alcanzada la
temperatura de solidificacin de B, comienza la solidificacin de ste, rodeando
los cristales de A.
Sistema binario de solubilidad parcial. Concepto de eutctico:
En los sistemas binarios de solubilidad parcial hay una aleacin compuesta
conocida como eutctico, la cual solidifica a temperatura ms baja a todas las
dems composiciones.
En el eutctico coexisten 3 fases de manera ntima y fusionadas en una sola.
Su comportamiento es de metal puro y existe una composicin y una

temperatura eutctica.