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E: Emisor. Es una regin muy dopada. Su nombre se debe a que funciona como emisor
de los portadores de carga. Cuanto ms dopaje tenga el emisor, ms cantidad de
portadores podr aportar a la corriente.
B: Base. Es la regin central, estrecha y poco dopada, que se encarga de controlar el
paso de portadores. Con estas caractersticas conseguimos que en esta zona exista poca
recombinacin, y prcticamente todos los portadores que proceden del emisor pasen al
colector. Notar que si esta en zona no es estrecha, el dispositivo podra no funcionar
como un transistor y hacerlo como si se tratase de dos diodos en oposicin.
C: Colector. Es la regin unida a la base, de extensin ms amplia. Cuyo objeto es
captar los portadores inyectados en dicha regin desde el emisor.
hfe.
NPN
NPN es uno de los dos tipos de transistores bipolares, en los cuales las letras "N" y "P" se
refieren a los portadores de carga mayoritarios dentro de las diferentes regiones del transistor.
La mayora de los transistores bipolares usados hoy en da son NPN, debido a que la movilidad
del electrn es mayor que la movilidad de los "huecos" en los semiconductores, permitiendo
mayores corrientes y velocidades de operacin.
Los transistores NPN consisten en una capa de material semiconductor dopado P (la "base")
entre dos capas de material dopado N. Una pequea corriente ingresando a la base en
configuracin emisor-comn es amplificada en la salida del colector.
PNP
El otro tipo de transistor de unin bipolar es el PNP con las letras "P" y "N" refirindose a las
cargas mayoritarias dentro de las diferentes regiones del transistor. Pocos transistores usados
hoy en da son PNP, debido a que el NPN brinda mucho mejor desempeo en la mayora de las
circunstancias.
Los transistores PNP consisten en una capa de material semiconductor dopado N entre dos
capas de material dopado P. Los transistores PNP son comnmente operados con el colector a
masa y el emisor conectado al terminal positivo de la fuente de alimentacin a travs de una
carga elctrica externa. Una pequea corriente circulando desde la base permite que una
corriente mucho mayor circule desde el emisor hacia el colector.
Al invertir las condiciones de polaridad del funcionamiento en modo activo, el transistor bipolar
entra en funcionamiento en modo inverso. En este modo, las regiones del colector y emisor
intercambian roles. Debido a que la mayora de los BJT son diseados para maximizar la
ganancia de corriente en modo activo, el parmetro beta en modo inverso es drsticamente
menor al presente en modo activo.
Regin de Corte
En este caso el voltaje entre el colector y el emisor del transistor es el voltaje de alimentacin
del circuito. (Como no hay corriente circulando, no hay cada de voltaje, ver Ley de Ohm). Este
caso normalmente se presenta cuando la corriente de base = 0 (Ib =0).
De forma simplificada, se puede decir que el la unin CE se comporta como un circuito abierto,
ya que la corriente que lo atraviesa es cero.
Regin de saturacin
Un transistor est saturado cuando: corriente de colector corriente de emisor =
corriente mxima, (Ic Ie = Imax)
En este caso la magnitud de la corriente depende del voltaje de alimentacin del circuito y de las
resistencias conectadas en el colector o el emisor o en ambos, ver Ley de Ohm. Se presenta
cuando la diferencia de potencial entre el colector y el emisor desciende por debajo del valor
umbral VCE,sat. Cuando el transistor esta en saturacin, la relacin lineal de amplificacin
Ic=Ib (y por ende, la relacin Ie=(+1)Ib ) no se cumple.
De forma simplificada, se puede decir que la unin CE se comporta como un cable, ya que la
diferencia de potencial entre C y E es muy prxima a cero.
Base Comn
A este tipo de circuitos se les aplica la entrada por el emisor y la salida se toma del colector. El
terminal comn a la entrada y a la salida es la base y est conectada a tierra.
Con un circuito de base comn no vamos a conseguir ganancia en la corriente. La corriente de
emisor, que es la corriente de entrada, est formada por la suma de la corriente de base y la de
colector: IE = IC + IB
Esto implica que la corriente de colector, es decir, la corriente de salida, sea ms
pequea que la corriente de entrada. Por lo tanto, la ganancia de corriente que es el
cociente entre la corriente de salida y la de entrada, va a ser menor que la unidad y no
vamos a obtener ganancia.
La caracterstica principal de estos circuitos es que tienen mucha ganancia de tensin,
es decir, la tensin de salida va a ser mucho mayor que la tensin de entrada.
Colector Comn
A esta configuracin se la suele llamar seguidor de emisor. Con este tipo de circuitos no vamos
a conseguir una amplificacin de tensin, pero son muy buenos amplificadores de la corriente y
de ah viene su utilidad.
La entrada de seal se produce por la base y la salida por el emisor, en vez de por el colector
como en el resto de los circuitos. El terminal comn para la entrada y la salida es el colector,
como su nombre indica. Si la unin base emisor est polarizada directamente, el transistor va a
conducir, mientras que si est inversamente polarizada no lo har.
El emisor sigue a la base, lo que quiere decir que la tensin que le apliquemos a la base va a ser
reproducida por el emisor.
Emisor Comn
Se empezaron a construir en la dcada de los 60. Existen dos tipos de transistores de efecto de
campo los JFET (transistor de efecto de campo de unin) y los MOSFET. Los transistores MOS
respecto de los bipolares ocupan menos espacio por lo que su aplicacin ms frecuente la
encontramos en los circuitos integrados.
Es un componente de tres terminales que se denominan: Puerta (G, Gate), Fuente (S, Source), y
Drenaje (D, Drain). Segn su construccin pueden ser de canal P o de canal N. La puerta es la
terminal equivalente a la base del BJT (Bipolar Junction Transistor). El transistor de efecto de
campo se comporta como un interruptor controlado por tensin, donde el voltaje aplicado a la
puerta permite hacer que fluya o no corriente entre drenaje y fuente.
El funcionamiento del transistor de efecto de campo es distinto al del BJT. En los MOSFET, la
puerta no absorbe corriente en absoluto, frente a los BJT, donde la corriente que atraviesa la
base, pese a ser pequea en comparacin con la que circula por las otras terminales, no siempre
puede ser despreciada. Los MOSFET, adems, presentan un comportamiento capacitivo muy
acusado que hay que tener en cuenta para el anlisis y diseo de circuitos.
As como los transistores bipolares se dividen en NPN y PNP, los de efecto de campo o FET son
tambin de dos tipos: canal n y canal p, dependiendo de si la aplicacin de una tensin positiva
en la puerta pone al transistor en estado de conduccin o no conduccin, respectivamente. Los
transistores de efecto de campo MOS son usados extenssimamente en electrnica digital, y son
el componente fundamental de los circuitos integrados o chips digitales.
Curva Caracterstica
Los parmetros que definen el funcionamiento de un FET se observan en la
siguiente figura:
La curva caracterstica del FET define con precisin como funciona este dispositivo. En ella
distinguimos tres regiones o zonas importantes:
Zona lineal.- El FET se comporta como una resistencia cuyo valor depende de la tensin
VGS.
Como en los transistores bipolares existen tres configuraciones tpicas: Surtidor comn (SC),
Drenador comn (DC) y Puerta comn (PC). La ms utilizada es la de surtidor comn que es la
equivalente a la de emisor comn en los transistores bipolares.
Las principales aplicaciones de este tipo de transistores se encuentran en la amplificacin de
seales dbiles.
Transistor JFET
El transistor de efecto de campo de unin (JFET) es un dispositivo electrnico notablemente
diferente del transistor bipolar. Su funcionamiento se basa en el estrechamiento de una regin de
semiconductor llamado canal, que une los electrodos de fuente (source: S) y drenador (drain:
D), debido a la formacin de una zona de vaciamiento desprovista de portadores libres en la
unin PN entre la zona de puerta (gate: G) y el canal. La zona de vaciamiento crece al
aumentarla tensin inversa aplicada a la unin puerta-canal de modo que la conduccin entre
drenador y fuente se puede controlar con la tensin entre puerta y fuente (VGS).
En el JFET la unin entre puerta y canal siempre debe estar polarizada en inversa de modo que
la corriente de puerta es extremadamente pequea y se puede despreciar en la gran mayora de
los casos. Cuando la puerta se utiliza como terminal de entrada se obtienen impedancias de
entrada del orden de cientos de M. El transistor JFET es por lo tanto un dispositivo controlado
por la tensin entre su puerta y su fuente mientras que el BJT estaba controlado por la corriente
de su base.
Funcionamiento
Es en realidad una familia de transistores que se basan en el campo elctrico para controlar la
conductividad de un "canal" en un material semiconductor. Los FET pueden plantearse como
resistencias controladas por diferencia de potencial.
Tienen tres terminales, denominadas puerta (gate), drenador (drain) y fuente (source). La puerta
es la terminal equivalente a la base del BJT. El transistor de efecto de campo se comporta como
un interruptor controlado por tensin, donde el voltaje aplicado a la puerta permite hacer que
fluya o no corriente entre drenador y fuente.
As como los transistores bipolares se dividen en NPN y PNP, los de efecto de campo o FET son
tambin de dos tipos: canal n y canal p, dependiendo de si la aplicacin de una tensin positiva
en la puerta pone al transistor en estado de conduccin o no conduccin, respectivamente.
El JFET es un transistor de efecto de campo, es decir, su funcionamiento se basa en las zonas de
deplexin que rodean a cada zona P al ser polarizadas inversamente.
Cuando aumentamos la tensin en el diodo compuerta-fuente, las zonas de deplexin se hacen
ms grandes, lo cual hace que la corriente que va de fuente a drenaje tenga ms dificultades para
atravesar el canal que se crea entre las zonas de deplexin, cuanto mayor es la tensin inversa
en el diodo compuerta-fuente, menor es la corriente entre fuente y drenaje.
Por esto, el JFET es un dispositivo controlado por tensin y no por corriente. Casi todos los
electrones que pasan a travs del canal creado entre las zonas de deplexin van al drenaje, por lo
que la corriente de drenaje es igual a la corriente de fuente I D = IS.
Curvas Caractersticas
simulacin (como SPICE) permiten hacen barridos de CD bsicos para obtener las curvas,
en base a los modelos contenidos en sus bibliotecas de componentes.
El transistor JFET, al igual que los BJT, se pueden polarizar de diversas maneras (ms
adelante se ver) para dar lugar a configuraciones de amplificadores de seal, sin
embargo no son las nicas aplicaciones, por ejemplificar algunas otras se tienen la
configuracin para formar osciladores, interruptores controlados, resistores controlados,
etc.
Transistor MOSFET
Es un transistor utilizado para amplificar o conmutar seales electrnicas. Es el transistor ms
utilizado en la industria microelectrnica, ya sea en circuitos analgicos o digitales, aunque
el transistor de unin bipolar fue mucho ms popular en otro tiempo. Prcticamente la totalidad
de los microprocesadores comerciales estn basados en transistores MOSFET.
El MOSFET es un dispositivo de cuatro terminales llamados surtidor (S), drenador (D),
compuerta (G) y sustrato (B). Sin embargo, el sustrato generalmente est conectado
internamente al terminal del surtidor, y por este motivo se pueden encontrar dispositivos
MOSFET de tres terminales.
Funcionamiento
Existen dos tipos de transistores MOSFET, ambos basados en la estructura MOS;
Modos de operacin
El funcionamiento de un transistor MOSFET se puede dividir en tres diferentes regiones de
operacin, dependiendo de las tensiones en sus terminales. En la presente discusin se utiliza un
modelo algebraico que es vlido para las tecnologas bsicas antiguas, y se incluye aqu con
fines didcticos. En los MOSFET modernos se requieren modelos computacionales que exhiben
un comportamiento mucho ms complejo.
Para un transistor NMOS de enriquecimiento se tienen las siguientes regiones:
1. Corte
Cuando VGS < Vth
Donde Vth es la tensin de umbral del transistor
De acuerdo con el modelo bsico del transistor, en esta regin el dispositivo se encuentra
apagado. No hay conduccin entre el surtidor y el drenador, de modo que el MOSFET se
comporta como un interruptor abierto.
Un modelo ms exacto considera el efecto de la energa trmica descrita por la distribucin de
Boltzmann para las energas de los electrones, en donde se permite que los electrones con alta
energa presentes en el surtidor ingresen al canal y fluyan hacia el drenador. Esto ocasiona una
corriente subumbral, que es una funcin exponencial de la tensin entre compuerta-surtidor. La
corriente subumbral sigue aproximadamente la siguiente ecuacin:
Dnde:
es la movilidad efectiva de los portadores de carga,
es la capacidad del xido por unidad de rea,
es el ancho de la compuerta,
es la longitud de la compuerta.
3. Saturacin o activa
Cuando VGS > Vth y VDS > (VGS Vth)
Cuando la tensin entre drenador y surtidor supera cierto lmite, el canal de conduccin bajo la
puerta sufre un estrangulamiento en las cercanas del drenador y desaparece. La corriente que
entra por el drenador y sale por el surtidor no se interrumpe, ya que es debida al campo elctrico
entre ambos, pero se hace independiente de la diferencia de potencial entre ambos terminales.
En esta regin la corriente de drenador se modela con la siguiente ecuacin:
Tiristor
Es un componente electrnico constituido por elementos semiconductores que utiliza
realimentacin interna para producir una conmutacin. Los materiales de los que se compone
son de tipo semiconductor, es decir, dependiendo de la temperatura a la que se encuentren
pueden funcionar como aislantes o como conductores. Son dispositivos unidireccionales porque
solamente transmiten la corriente en un nico sentido. Se emplea generalmente para el control
de potencia.
Tipo de Tiristor
Condiciones de Conmutacin
Caractersticas Generales
Es otro dispositivo tiristor y se usa normalmente para disparar a un TRIAC
Se comporta como dos Diodos Zener conectados en paralelo pero orientados en
formas opuestas. La conduccin se da cuando se ha superado el valor de la tensin
del zener que est conectado en sentido opuesto.
Normalmente no conduce, sino que tiene una pequea corriente de fuga, la
conduccin aparece cuando la tensin de disparo se alcanza.
Circuito Equivalente
TRIAC
Dnde:
IH Corriente de sostenimiento
VBO Voltaje que permite la conduccin
IG Corriente de compuerta
IMAX Corriente mxima del dispositivo
Condiciones de Conmutacin
manteniendo IH.
Polarizado directamente A1-A2 y superando a V BO
(cuadrante III), hecho esto, se debe aplicar una I G negativa
manteniendo IH.
Introduccin
Conclusiones
la energa elctrica.
En el caso de los tiristores su punto ms dbil es el circuito de puerta, ocurriendo
que la mayora de las destrucciones sean debido a la sobretensiones o sobrecorriente
Bibliografa
http://www.slideshare.net/zorro-08/fin-aplicaciones-de-tiristores
http://html.rincondelvago.com/transistor.html
http://electronicavm.files.wordpress.com/2011/04/el-tiristor.pdf
http://quegrande.org/apuntes/grado/1G/TEG/teoria/10-11/tema_7__transistores_bipolares.pdf
http://cvb.ehu.es/open_course_ware/castellano/tecnicas/electro_gen/teoria/tema-4teoria.pdf
http://es.wikipedia.org/wiki/Transistor_de_uni%C3%B3n_bipolar#Estructura
http://www.geocities.ws/pnavar2/transis2/base.html
http://picmania.garciacuervo.net/recursos/redpictutorials/electronica_basica/transistores_1.pdf
http://www.buenastareas.com/ensayos/Emisor-Base-ColectorComun/6825520.html?_p=2
http://www.virtual.unal.edu.co/cursos/ingenieria/2001771/html/cap04/04_05_01.ht
ml
http://es.wikipedia.org/wiki/Transistor_de_efecto_campo
http://www.repuestoelectronico.com/archivos/Tiristores.pdf
http://www.slideshare.net/Boytronic/tiristores-caractersticas-aplicaciones-yfuncionamiento
Realizado por:
Pedro Carneiro C.I.: 24690796
Seccin 1
PNF- ELECTRICIDAD