Fisica Estado Solido Parte III

7 SLIDOS
7.1 INTRODUO
No captulo anterior descreveu-se como a estatstica dispe de ferramentas para estudar a distribuio das
partculas nos diferentes estados. Falou-se de gases, hlio lquido e eltrons em slidos. Para compreender um
pouco melhor as foras que mantm unidos os tomos e molculas para formar os slidos sero analisados os
principais tipos de slidos: inicos, covalentes, moleculares e metlicos.
As foras que mantm os tomos unidos so eletrostticas, porm h diferenas no comportamento dos diversos
tipos de slidos, diferenas essas que provem da distribuio dos eltrons em torno dos tomos e das molculas
a da distncia que se estabelece entre eles. A classificao em quatro tipos citada acima no engloba todos os
tipos de ligaes pois pode acontecer uma mistura desses tipos. As imperfeies, atravs das distores que
introduzem, tambm influenciam o comportamento do material.
7.2 SLIDOS INICOS

De modo geral os slidos inicos so formados por uma combinao de tomos que tem a ltima camada quase
completa e de tomos que tem um s eltron na ltima camada. Imagine-se dois tomos desse tipo, ao serem
aproximados, eles tem tendncia de se acoplar de modo a ficar com a ltima camada completa e, para realizar
isso, um deles cede um eltron ao outro de modo que ambos passam a ser ons, um positivo e outro negativo,
com a ltima camada completa. Numa rede cristalina formada com esse tipo de ligao, cada on positivo
rodeado de ons negativos e vice-versa. Essa distribuio d origem a foras de interao entre os ons que os
mantm unidos formando um slido. Um exemplo comum o cloreto de sdio formado de ons positivos de
sdio e ons negativos de cloro. Esse sal quando dissolvido na gua a torna condutora pois ela passa a ter ons
dissociados que funcionam como portadores de carga e portanto de corrente.
Um cristal de cloreto de sdio ser examinado mais atentamente. O tomo de sdio tem 11 eltrons distribudos
da seguinte forma: 1s22s22p63s1, o ltimo eltron est sozinho na ltima camada, a camada 3. O tomo de cloro
tem 17 eltrons segundo a seguinte distribuio 1s22s22p63s23p5, o que indica que na ltima camada falta um
eltron para torn-la completa.
Para ionizar o tomo de sdio isolado necessrio fornecer ao eltron uma energia de 5,1 eV. O tomo de cloro
ao incorporar um eltron libera um excesso de energia no valor de 3,8 eV, denominado afinidade eletrnica.
Pode-se dizer ento que para formar os dois ons preciso gastar 1,3 eV. Essas consideraes so vlidas
supondo que se trate de um tomo de cloro ou de sdio afastados sem interao entre si ou externa, porm para
analisar a energia envolvida na formao da rede cristalina preciso avaliar a energia potencial que cada tomo
cria na posio do outro e observar o que sucede se esses tomos forem aproximados um do outro. A equao
da energia potencial que um tomo cria na posio do outro quando esto afastados do tipo:
V =
98
kq
tG 2
r
(7.1)
onde r a distncia entre os dois tomos. Essa expresso diz que quanto menor a distncia entre eles menor
ser a energia potencial do sistema formado por eles. Como qualquer sistema sempre procura ficar no estado de
energia mnimo de se imaginar que esses tomos iro se aproximar at se interpenetrarem, porm no isso
que acontece. Abaixo de uma certa distncia, que no caso do cloreto de sdio de 2,4A, comea a ser aplicvel
o princpio de excluso de Pauli, porque os dois tomos comeam a constituir um nico sistema e ento cada
eltron tem seus nveis de energias permitidos deslocados para que os dois eltrons (um de cada tomo) no
fiquem no mesmo estado. O processo de aproximao custa energia, e quanto mais prximos estiverem os
tomos, mais energia necessria, este fato tambm pode ser interpretado considerando que a energia potencial
cresce tanto que torna invivel a aproximao dos tomos abaixo de uma certa distncia. Assim, pode-se dizer
que, a aproximao dos tomos que decresce a energia potencial, a medida que distncia diminui, at um certo
ponto, ro , e a partir dele passa a aument-la. Esse comportamento est representado na fig. 7.1 que mostra a
energia potencial de um sistema de dois tomos, um de cloro e um de sdio, a medida que a distncia entre eles
diminuda.
Fig. 7.1 - Energia potencial dos ons Na+ e Cl- em funo da distncia de separao, r.
Pela figura nota-se que a distncia de equilbrio, ro, de 2,4 A. Esse valor aproximadamente igual ao
espaamento entre os tomos na rede cristalina do cloreto de sdio, 2,8 A , a diferena pode ser atribuda a
influncia dos tomos vizinhos. No grfico pode-se ver tambm que a energia que preciso fornecer ao sistema
para romper a ligao entre dois ons, a chamada energia de dissociao, vale 4,23 eV. Essa energia aquela
que falta aos tomos para se separarem.
7.3 SLIDOS COVALENTES

Num slido constitudo de tomos iguais no pode haver ligaes inicas porque para isso preciso que haja
alguns tomos com tendncia de perder eltrons e outros com tendncia de ganhar eltrons. A soluo nesse
caso o compartilhamento de um eltron por dois tomos constituindo a ligao chamada covalente. Num
slido formado por tomos com quatro eltrons na ltima camada, como o silcio e o germnio, formam-se
quatro ligaes covalentes, ou seja, quatro compartilhamentos. Essas ligaes so, de modo geral, fortes e
conferem uma grande resistncia mecnica ao material. A estrutura do silcio do tipo da do diamante cujas
ligaes covalentes esto em direes tais que formam os eixos que ligam o centro de um tetraedro aos seus
vrtices. Essa representao difcil de desenhar e para a compreenso dos fenmenos
99
eltricos, que sero descritos a seguir, ela pode ser substituda por um esquema simplificado em que as ligaes
covalente esto todas no mesmo plano, da seguinte forma:
Fig.7.2 - Representao simplificada de uma rede de silcio mostrando as ligaes covalentes

Para fazer uma anlise das ligaes covalentes entre dois tomos, usando a mecnica quntica, se iniciar
fazendo a representao do poo de potencial, da funo de onda e da densidade de probabilidade para dois
tomos de hidrognio afastados (fig. 7.3) e prximos (fig. 7.4).
Fig. 7.3 - Representao para dois tomos afastados de : (a) poo de potencial; (b) funo de onda (c)
densidade de probabilidade.
Fig. 7.4 - Representao para dois tomos prximos de : (a) poo de potencial; (b) funo de onda (c)
densidade de probabilidade
Ao se aproximar esses tomos as funes de onda e a densidade de probabilidade vo se alterando em funo
do acoplamento que vai se formando. As funes de onda podem ter um comportamento simtrico ou
antissimtrico porque a troca de um eltron entre os tomos no modifica a densidade de probabilidade que
simtrica j que os dois poos de potencial criados pelos dois ncleos so idnticos. Essa aproximao faz com
que os dois tomos deixem de ser dois sistemas isolados e passem a formar um nico sistema. O estado desse
sistema no pode ter dois eltrons com o mesmo conjunto de valores para os nmeros qunticos pois eles
devem obedecer ao Princpio de Excluso de Pauli.
100
Assim se os spins forem antiparalelos os eltrons tero funo de onda simtrica e podero estar mais
prximos; se porm os spins forem paralelos a funo de onda dever ser antissimtrica e os picos da densidade
de probabilidade esto mais afastados, o que garante que os eltrons no estaro ocupando o mesmo estado.
A figura 7.5, que mostra a variao da energia potencial do sistema de dois tomos de hidrognio, a medida que
se diminui a distncia entre eles, mostra tambm que s pode existir estado ligado quando os eltrons so
antiparalelos, ou seja, os eltrons dos dois tomos no esto no mesmo estado.
Fig. 7.5 - Energia potencial de uma molcula de H2 com spins paralelos e antiparalelos
7.4 SLIDOS MOLECULARES

Molculas que no se ligam de forma inica ou por ligaes covalentes podem se manter unidas atravs de
foras eletrostticas fracas de atrao intermolecular causadas por dipolos eltricos. H molculas que tem
momento de dipolo eltrico permanente e outras transitrio. As foras criadas desse modo so as chamadas
foras de van der Waals e aparecem nos cristais moleculares, como, por exemplo, em muitos compostos
orgnicos, gases inertes e gases comuns como oxignio, nitrognio e hidrognio no estado slido.
r
r
Um exemplo de dipolo permanente o caso das molculas de gua, em que os momentos de dipolo m 1 e m 2 ,
entre a carga eltrica do tomo de oxignio e a dos tomos de hidrognio se somam dando origem ao momento
r
de dipolo total p (fig. 7.6.a).
H molculas cujo momento de dipolo eltrico mdio nulo, mas o instantneo no o , porque ocorrem
flutuaes nas posies das cargas eltricas (fig. 7.6.b), so as que no tem momento de dipolo permanente.
Nesse caso algumas molculas induzem momentos de dipolo em suas vizinhas surgindo atrao entre elas.
As energias de ligao envolvidas nesse tipo de ligao so da ordem de 10-2 eV, portanto, bem menores que as
dos cristais inicos e covalentes, o que indica ligaes fracas . Essa caraterstica determina o comportamento
dos materiais moleculares: so deformveis, compressveis, maus condutores de eletricidade e solidificam-se
em temperaturas baixas.
Fig. 7.6 a) molculas de gua com dipolo

permanente
b) molculas sem dipolo permanente mas polarizadas

por influncias mutuas
101
7.5 SLIDOS METLICOS

Nesse tipo de slido pode-se dizer que os eltrons no so compartilhados s por dois tomos vizinhos mas por
todos os tomos da rede, ou seja, todos os eltrons pertencem a todos os tomos. Pode-se imaginar que os ons
positivos esto mergulhados num mar de eltrons que os mantm unidos atravs de foras eltricas. Esses
eltrons originam-se das subcamadas mais externas dos tomos, das quais se libertam com a energia trmica
fornecida pela rede em vibrao.
A grande quantidade de eltrons livres responsvel pelas principais caratersticas dos slidos metlicos.
Esses eltrons atuam como transportadores de carga e de energia trmica determinando que o material seja bom
condutor de eletricidade e de calor. Outro comportamento determinado pela presena dos eltrons livres que
os metais so opacos. Isso ocorre porque a radiao do espectro eletromagntico na regio do visvel
facilmente absorvida pelos eltrons j que estando livres no esto limitados a absoro de somente certas
quantidades bem definidas de energia como os eltrons ligados.
7.6 CARATERSTICAS GERAIS DOS SLIDOS

Baseando-se no que foi apresentado nas sees anteriores percebe-se que as propriedades dos diversos materiais
dependem fundamentalmente de suas ligaes atmicas e da forma de preenchimento das bandas de conduo
e de valncia.
Num cristal os eltrons tem tendncia de ocupar os nveis mais baixos de energia. Considere-se o caso da
temperatura ser baixa e portanto dos eltrons estarem ocupando os nveis fundamentais. Quando se aplica um
campo eltrico os eltrons ganham energia e podem mudar de nvel para valor mais energticos. H diversas
possibilidades para o preenchimento das bandas:
a) num material em que a banda de valncia est completa e existe um grande gap os eltrons precisam receber
uma grande quantidade de energia para passar para a banda de conduo, nesse caso poucos eltrons se
desligaro dos seus tomos, ficando a banda de valncia praticamente vazia o que caracteriza o comportamento
de um material isolante.
b) se a banda de valncia est parcialmente preenchida h duas possibilidades:
I) grande nmero de eltrons
- se o gap praticamente nulo os eltrons podem passar para um estado de maior energia ou para a banda de
conduo com pequenas energias, sendo muito fcil produzir eltrons livres, esses materiais so os
condutores.
II) pequeno nmero de eltrons
- se a banda de valncia est cheia mas o gap relativamente estreito os eltrons podem passar para a banda
de conduo ao receberem energias no muito grandes. Esses materiais comportam-se como isolantes a
baixas temperaturas e condutores em temperaturas mais altas, so os semicondutores.
- se a banda de valncia no est cheia e o gap relativamente estreito esses materiais comportam-se como
condutores a baixas temperaturas, so os semi-metais.
A figura 7.7 mostra as possveis formas de preenchimento das bandas.
102
Fig. 7.7 - Possveis preenchimentos das estruturas de bandas para um slido: a) isolante; b) condutor; c)
condutor; d) semicondutor; e) semi-metal.
A seguir segue uma tabela (Tab. 7.1) com um resumo das principais caratersticas dos diversos tipos de
materiais cristalinos, caratersticas essas que podem ser explicadas a partir da forma de preenchimento das
bandas desses materiais.
TABELA 7.1 -CARATERSTICAS DOS DIFERENTES TIPOS DE MATERIAIS CRISTALINOS
Caratersticas Covalentes
Foras
fortes provenientes de
eltrons
compartilhados por
diferentes tomos
Energias
~ 4,5 eV (para o H)
envolvidas
ComportaDuros e difceis de
mento
deformar
causada
plstico
pela
rigidez
da
estrutura eletrnica
Condutibilid. Maus condutores por
eltrica
e ausncia de eltrons
calorfica
livres
Estado fsico
Elevado ponto de
fuso
Disposio
Ligaes direcionais
que determinam o
arranjo geomtrico da
estrutura
Caratersticas Alguns
(diamante)
absorvem fnons de
infravermelho
e
ftons de ultravioleta
o que os torna
transparentes
Exemplos
diamante,
Semicondutores
Inicos
Moleculares
Metlicos
de
eltricas, fortes entre Van
de
Walls provenientes
os ons de sinais (eletrostticas fracas eltrons
opostos
causadas p/ dipolos compartilhados por
todos os tomos
eltricos)
-2
menor que de ons ~ 10 eV
separados ~ 5 eV
Duros
Facilmente
Deformveis
deformveis
Maus condutores por Maus condutores por Bons condutores de

ausncia de eltrons ausncia de eltrons eletricidade e calor
livres
livres
pois h eltrons
livres.
Elevado ponto de Baixo
ponto
de Slido a temperatura
fuso
condensao
ambiente
com Rede regular de ons
ons
positivos
e Molculas
imersos
negativos alternados distncia da ordem do positivos
tamanho da molcula num
mar
de
formando
eltrons
empilhamentos
No
absorvem
Absorvem ftons e
energia na regio do
fnons do visvel,
visvel so portanto
porisso so opacos.
transparentes
a
Os eltrons movemtemperatura ambiente
se
sob
campo
magntico
a maioria dos sais, por Gases, H2, O2
metais: Cu, Fe e
exemplo o NaCl
outros
103
REFERNCIAS BIBLIOGRFICAS
P.A.Tipler, Fsica Moderna, Rio de Janeiro: Guanabara Dois, 1981.

M.Born, P. Auger, E. Schrdinger, W. Heisenberg, Problemas da Fsica Moderna, Coleo Debates em Fsica, So Paulo : Editora
Perspectiva S.A., 1969.
R.Eisenberg, R. Resnick, Fsica Quntica - tomos, molculas, slidos, ncleos e partculas, So Paulo: Editora Campus, 1994.
H. Pohl - Introduo Fsica Quntica, So Paulo: Editora Edgard Blcher Ltda, 1973.
H. A. Mello, R.S. Biasi - Introduo Fsica dos Semicondutores, So Paulo: Editora Edgard Blcher Ltda, 1975.
R.F. Pierret - Semiconductor Fundamentals, Modular Series on Solid State Devices, Vol I, EUA: Addison-Wesley Publishing
Company, 1989
S. Datta -Quantum Phenomena in Modern Solid State , Modular Series on Solid State Devices, Vol VIII, EUA: Addison-Wesley
Publishing Company, 1989
PROBLEMAS
7.1- Explicar como o preenchimento das bandas de conduo e de valncia e qual a caraterstica da banda
proibida para os: (a) condutores; (b) isolantes; (c) semicondutores.
7.2 - Explicar o que so os slidos moleculares, inicos, covalentes e metlicos, dando as suas principais
caratersticas, explicando-as em funo do preenchimento das bandas.
7.3 - Explicar o princpio de atuao das ligaes covalentes e metlicas e justificar a diferena que os
respectivos materiais apresentam no comportamento plstico e na condutibilidade eltrica.
7.4 - Calcular a distncia ro entre os ons de K+ e Cl- no KCl, admitindo que cada on ocupa um cubo de lado ro.
O peso molecular 74,55 g/mol e a densidade de 1,984 g/cm3.
7.5 - Sabendo que a estrutura cristalina do KCl a mesma que a do NaCl calcular a energia potencial
elestrosttica de atrao do KCl, admitir ro 3,14 A.
7.6 - A distncia entre o Li e o Cl no LiCl de 2,57 A. Usar esse valor e o peso molecular de 42,4 g/mol para
calcular a densidade do LiCl.
7.7 - Calcular a densidade de eltrons livres na prata suja densidade 10,5 g/ cm3, admitindo um eltrons livre
por tomo.
104
8 SEMICONDUTORES
8.1 INTRODUO
Os materiais semicondutores podem ser constitudos por um nico elemento como o Si ou o Ge ou por
compostos formados pela associao de elementos da coluna III e da coluna V da tabela peridica (lP, AlAs,
AlSb, GaN, GaP, GaSb, InP, InAs, InSb) ou da coluna II e coluna VI (ZnO, ZnS, ZnSe, ZnTe, CdS, CdSe,
CdTe, HgS ) ou ainda podem ser ligas do tipo AlxGal-xAs, GaAsl-xPx, Hgl-xCdxTe e GaxInl-xAsl-yPy.
A figura 8.1 mostra uma parte da tabela peridica evidenciando o grupo de elementos que compe os materiais
semicondutores.
Fig. 8.1 - Parte da tabela peridica que mostra os materiais semicondutores.

O silcio foi o primeiro elemento utilizado como material semicondutor na dcada de 40 e de 50. Ele ainda
continua sendo o material mais comum por apresentar uma srie de vantagens em relao ao germnio:
largura da banda proibida mais adequada, 1,12 eV, em vez de 0,6 eV;
faixa de temperatura de operao mais larga (at 150oC);
capacidade de ser oxidado termicamente, sendo seu xido, contrariamente ao de germnio, insolvel em
gua;
a abundncia de matria prima, 25,7% da crosta terrestre;
menor custo para obteno do silcio em grau eletrnico, ou seja, de alta pureza;
menor corrente de reverso.
8.2 ELTRONS E BURACOS

Num semicondutor a uma temperatura prxima de zero todas as ligaes esto estabelecidas, pode-se dizer que
todos os eltrons esto ligados, ou seja, os eltrons so de valncia. Diz-se ento, que a banda de valncia est
completa e, como no h eltrons livres, diz-se que a banda de conduo est vazia. Apesar da banda proibida
(o gap) ser pequena esse material comporta-se como um isolante. medida que a temperatura aumentada os
eltrons comeam a adquirir energia suficiente para se desligarem do tomo dando origem, para cada eltron
livre, a uma ligao covalente rompida ou faltante.
105
O eltron livre uma carga negativa que pode migrar pelo cristal e a ligao rompida pode ser considerada
como uma carga positiva, chamada buraco, que tambm pode migrar pelo cristal. Cada eltron que sai de uma
ligao covalente indo restabelecer uma outra que estava incompleta pode ser visto como um buraco que se
deslocou no sentido contrrio ao do eltron. Daqui para frente o buraco ser tratado como uma carga positiva
mvel apesar de corresponder ao salto de diferentes eltrons movendo-se em sentido contrrio a ele. Num
semicondutor puro os eltrons livres e os buracos esto em nmeros iguais porque so sempre formados aos
pares. A criao desses elementos pode ser representada de duas formas diferentes, uma atravs do desenho da
rede cristalina e outra atravs do esquema de bandas (figura 8.2)
eltrons
buracos
Fig. 8.2 - Representao de eltrons livres e buracos utilizando dois modelos (a) rede cristalina (b) bandas.
8.3 GERAO E RECOMBINAO DE PORTADORES

Os semicondutores na temperatura de 0 K apresentam todas as ligaes covalentes intactas, porque no h
energia disponvel para produzir nenhuma ruptura. medida que a temperatura elevada a agitao trmica da
rede produz o movimento dos tomos em torno de sua posio de equilbrio o que vai modificando as distncias
e os ngulos entre os tomos. Parte da energia dos tomos transferida aos eltrons possibilitando que alguns
deles ganhem energia suficiente para se desligarem das ligaes dando origem aos pares, eltrons livres, na
banda de conduo, e buracos, na banda de valncia. Esse fenmeno denominado gerao trmica, depende
exclusivamente da temperatura do material.
medida que o nmero de eltrons livres e de buracos aumenta, cresce tambm a probabilidade de ocorrer
recombinao entre eles. Quando isso acontece significa que houve o restabelecimento de uma ligao
covalente. Esse fenmeno d-se com a liberao de uma certa quantidade de energia que pode ser emitida na
forma de ftons ou fnons que so absorvidos pela rede. A recombinao tambm funo da temperatura
aumentando com ela.
Em cada temperatura, aps o estabelecimento do equilbrio, o nmero de eltrons livres e de buracos torna-se
constante, isso no significa que cessa a criao e recombinao de portadores, mas que o nmero de pares
criados igual ao nmero de pares que se recombinam. Trata-se portanto de um equilbrio dinmico e no de
um equilbrio esttico.
Os portadores tambm podem ser criados pelo fornecimento, aos eltrons, de energia suficiente para que eles
passem da banda de valncia para a banda de conduo. Essa energia pode ser fornecida atravs da incidncia
de luz. H um processo mais complexo de gerao de portadores, envolvendo a presena de centros R-G
(recombinao-gerao) que so defeitos da rede, por exemplo a falta de um tomo. Os centros R-G facilitam a
formao de portadores pois sua presena faz com que os eltrons precisem de uma energia menor para se
libertarem. Isso pode ser descrito como se esses centros criassem, com sua presena, nveis de energia na
banda proibida, porisso funcionado como indutores desses processos.
106
8.4 MASSA EFETIVA

r
Quando se aplica um campo eltrico
E
entre duas placas, no vcuo, o eltron que estiver entre elas ser
r
acelerado por uma fora eltrica F que obedece a relao abaixo:
r
r
r
F = eE = mo a
(8.1)
Essa acelerao a que aparece quando o meio o vcuo. Porm se, em vez de estar no vcuo, o eltron
estiver num material semicondutor, encontrar em seu caminho muitos obstculos como os tomos, outros
eltrons ou defeitos e a coliso com esses elementos o desacelerar.
Aps uma certa desacelerao o eltron novamente acelerado, continuando seu caminho numa sucesso de
colises nas quais perde parte de sua energia e de aceleraes nas quais ganha-a novamente. Se se quisesse
descrever detalhadamente esse processo encontrar-se-iam muitas dificuldades pois trata-se de processos
complexos e dependentes de muitas variveis. Uma forma simples de descrever essa situao imaginar que o
eltron seja uma partcula, com outra massa, colocada no vcuo, portanto no sofrendo colises mas
apresentando os mesmos resultados macroscpicos que o eltron no semicondutor real apresenta. Essa partcula
teria a mesma velocidade final que o eltron. A massa desse eltron imaginrio chamada massa efetiva do
eltron, m . Essa uma descrio simplificada que leva em conta somente os efeitos externos do campo
n
eltrico aplicado a um material, sem considerar o que acontece a nvel microscpico sendo bastante til no
estudo dos fenmenos internos dentro de um semicondutor.
Uma imagem anloga pode ser criada para os buracos, para eles tambm a massa efetiva, mp* um valor
fictcio que d conta da descrio de seu comportamento na presena de um campo eltrico.
importante que fique claro que, ao se criar o conceito de massa efetiva, est se substituindo o complexo
conjunto de poos de potenciais existentes dentro do material, e portanto o conjunto de campos eltricos
internos, por um nico campo externo.
TABELA 8.1 - RELAO ENTRE A MASSA EFETIVA E A MASSA REAL DE PORTADORES A 300 K
Material
mp mo
mn mo
GaAs
0,52
Si
0,81
Ge
0,36
0,066
1,18
0,55
107
8.5 SEMICONDUTOR INTRNSECO

considerado semicondutor intrnseco o material puro, ou seja, aquele em que a concentrao de impurezas
no supera 10-10 cm-3. Sua caraterstica mais importante a igualdade entre o nmero de portadores positivos e
negativos, pois todos portadores so gerados termicamente, ou seja, aos pares, no h portadores gerados por
impurezas. Sero definidas as seguintes grandezas:
n = nmero de eltrons por centmetro cbico
p = nmero de buracos por centmetro cbico
ni = nmero de portadores intrnsecos por centmetro cbico
Num semicondutor intrnseco, em condies de equilbrio, vale a igualdade entre todas essas concentraes:
n = p = ni
(8.2)
damos a tabela abaixo com os valores dessa grandeza para diversos materiais:
TABELA 8.2 - CONCENTRAO DE PORTADORES INTRNSECOS A TEMPERATURA

AMBIENTE
Material
Concentrao (cm-3) = ni
GaAs
2.106
Si
1.1010
Ge
22.1013
Para se ter uma idia da ordem de grandeza desses valores faz-se a comparao entre o nmero de ligaes
covalentes da rede (que igual ao nmero de tomos normais da rede multiplicado por quatro) 5.1022 cm-3 x 4
= 2.1023 cm-3 e o nmero de ligaes rompidas (que igual concentrao de portadores intrnsecos)
temperatura ambiente. Para o silcio o resultado um fator de 2.1013, que indica que, temperatura ambiente, a
frao de ligaes rompidas, ou seja, a frao de eltrons livres em relao ao nmero de eltrons presos nas
ligaes covalentes, nfimo. porm essa frao cresce exponencialmente com a temperatura.
8.6 SEMICONDUTOR EXTRNSECO

O semicondutor extrnseco obtido atravs da introduo voluntria de impurezas num semicondutor
intrnseco. Se a impureza introduzida for um elemento trivalente, uma das ligaes covalentes, de cada tomo
de impureza, ficar incompleta dando origem a um buraco. No momento em que um eltron da rede vier
completar essa ligao ter-se- um buraco em movimento e um tomo (o da impureza) ionizado positivamente.
Semelhantemente, quando uma impureza pentavalente for introduzida, ser criado um eltron livre e um on
negativo (o tomo de impureza sem um de seus eltrons).
Assim, a introduo de impurezas num material puro altera o nmero de portadores modificando a igualdade
entre a quantidade de eltrons livres e de buracos existentes no material intrnseco. As impurezas trivalentes,
que geram buracos, so denominadas aceitadoras e as pentavalentes, que geram eltrons livres, doadoras. A
tabela 8.3 d uma relao de impurezas comunemente usadas na dopagem do silcio.
108
TABELA 8.3 - TIPOS DE IMPUREZAS COMUNEMENTE UTILIZADAS COMO DOPANTES NO

SILCIO
Impurezas
Doadores
P (o mais usado), As, Sb
Aceitadores
Boro (o mais usado), Ga, In, Al
Os doadores so elementos da coluna V da tabela peridica e os elementos aceitadores so da coluna III.

O quinto eltron da impureza doadora fica mais solto que os outros quatro eltrons da ltima camada que
participam das ligaes covalentes, isso significa que ele tem uma menor energia de ligao. Esse valor pode
ser grosseiramente calculado supondo que o tomo e os quatro eltrons da ltima camada formam um ncleo
positivo de carga +e circundado pelo quinto eltron da ltima camada. Para essa situao pode-se usar o
modelo do tomo de hidrognio corrigindo a permissividade do vcuo o para a permissividade do silcio ,
correo essa realizada multiplicando o pela constante dieltrica do silcio s (=12), e substituindo a massa do
eltron pela sua massa efetiva dentro do silcio. Com esse mtodo, denominado pseudo tomo de hidrognio,
e empregando a frmula corrigida dada abaixo (8.3) foram conseguidos bons resultados, prximos aos reais,
que esto na tabela 8.4.
m* e 4
n
2 4 h
s o
(8.3)
TABELA 8.4 - ENERGIAS DE LIGAO EB DO LTIMO ELTRON DE DIVERSAS IMPUREZAS

Impureza doadora
Sb
P
As
0,039 eV
0,045 eV
0,054 eV
Impureza aceitadora
B
Al
Ga
In
0,045 eV
0,067 eV
0,072 eV
0,16 eV
O fato de ser possvel arrancar um eltron de um tomo de impureza gastando s alguns centsimos de eV,
quando normalmente preciso fornecer uma energia de 1,12eV (a energia do gap) para arranc-lo de uma
ligao covalente entre dois tomos de silcio, pode ser representado, no modelo de banda, por um nvel
permitido dentro da banda proibida. Diz-se ento que a impureza doadora cria nveis no gap proibido,
prximos base da banda de conduo.
De modo anlogo, possvel dar origem a um buraco prximo a uma impureza aceitadora gastando muito
menos energia que para a criao desse buraco no material puro. Justifica-se esse comportamento dizendo que
as impurezas criam nveis de energia, dentro do gap proibido, prximos ao topo da banda de valncia. Uma
representao desses fatos pode ser vista na figura 8.3.
109
A ocupao desses nveis depende da temperatura, crescendo com seu aumento, esse comportamento est
esquematizado na figura 8.4. para impurezas doadoras e aceitadoras.
Ec
nveis para os eltrons
nveis para os buracos
Ev
Fig. 8.3 - Modelo de banda mostrando os nveis criados pelas impurezas no gap
O material que for dopado com impurezas doadoras ter um excesso de eltrons livres e portanto seus
portadores majoritrios sero negativos, ento ele ser denominado tipo N. Analogamente, o material dopado
com impurezas aceitadoras ser chamado de tipo P.
Ec
Ec

Ev
- -
Ec
-
Ev
T=0 K

- - -
Ev
T>0K
T = 300 K
Fig. 8.4 - Visualizao da ao da temperatura na ocupao dos nveis dentro do gap
8.7 DENSIDADE DE ESTADOS

Chegou-se a um ponto em que preciso definir quantitativamente o comportamento dos portadores dentro de
um semicondutor. J foi dito que o nmero de estados permitidos em cada banda quatro vezes o nmero de
tomo porque cada tomo fornece quatro eltrons, que devem ocupar nveis diferentes por causa do princpio
de excluso de Pauli. Agora precisa-se de uma equao que descreva como esses estados esto distribudos em
funo da energia, ou seja, precisa-se da densidade de estados. Clculos envolvendo consideraes qunticas
levam aos seguintes resultados:
g n ( E ) = mn
2m E
n
2h3
110
12
para E > Ec
(8.4)
E = m
p( )
p
2 m E
p v
2h3
12
para E < Ev
(8.5)
onde gn (E) e gp (E) informam quantos estados com energia E h na banda de conduo e de valncia
respectivamente. Se for feita uma analogia comparando os estados dos eltrons a cadeiras da arquibancada de
um campo de futebol, podemos dizer que gn(E) nos d o nmero de cadeiras existentes na fila E , com a
diferena que, no caso do estdio, E uma varivel discreta e, no caso da rede cristalina, E uma varivel
praticamente contnua.
Como o significado de gn (E) o de uma densidade, o produto gn(E) dE representa o nmero de estados
existentes, por cm3, na banda de conduo, entre a energia E e E + dE, se E > Ec. Analogamente o produto
gp(E) dE representa o nmero de estados existentes, por cm3, na banda de conduo, entre a energia E e E +
dE, se E < Ev.
O grfico apresentado na figura 8.5 mostra que na banda proibida no h estados permitidos pois gn (E) e gp
(E) no so definidos nessa faixa. No topo da banda de valncia, quando E = Ev, e na base da banda de
conduo, para E = Ec, a densidade de estados ainda nula, porm medida que se aumenta E, na banda de
conduo ( o mesmo que subir nessa banda), ou se diminui E na banda de valncia (descer nessa
banda) a densidade de estados aumenta rapidamente.
Fig. 8.5 - Grfico das densidades de estados gp e gc em funo de E
8.8 FUNO DE DISTRIBUIO DE FERMI

Agora temos uma situao qual dever ser aplicada a estatstica de Fermi-Dirac: os eltrons livres da banda de
conduo e os buracos da banda de valncia de um semicondutor. A equao (6.8), escrita abaixo, a equao
do fator de ocupao dos portadores e a figura 8.6 representa esse fator para a temperatura de 0 K e para uma
temperatura mais alta.
f (E) =
E E ) kT
F
e(
+1
Analisando-se essa expresso podem-se observar diversos fatos:

para E = EF f(E) = , por definio;
para T = 0 K, f(E) = 1 para E < EF e f(E) = 0 para E > EF;
111
(6.8)
medida que T cresce, para valores de E prximos de EF , (digamos |E - EF| < 3kT), o comportamento de f(E)
altera-se porque o termo e( EF) / no desprezvel, nem muito maior que 1. Fora da faixa de (EF - 3kT)
a (EF + 3kT) o comportamento de f(E) permanece o mesmo. Nessa faixa, f(E) comporta-se
exponencialmente como mostra a figura (8.6)
assim como f (E) descreve a probabilidade de ocupao dos estados pelos eltrons, [1- f(E) ] descreve a
probabilidade de ocupao dos estados pelos buracos.
Fig. 8.6 - Esquema da funo de ocupao da estatstica de Fermi, para temperatura T = 0K (---)
T > 0 K (-)
importante que no se pense que esse grfico significa que os nveis energticos em torno de EF esto sendo
ocupados, significa somente que, se eles existissem, poderiam ser ocupados, mas as expresses de gp e de gn
nos dizem que, nessa regio, no h estados permitidos, ou seja, no possvel a ocupao de estados.
Voltando analogia com o estdio de futebol, f(E) nos diz que as cadeiras da terceira fila, por exemplo, tem
probabilidade de 25% de estarem ocupadas e a funo g(E) nos diz quantas cadeiras h na terceira fila.
Percebe-se que a informao que tem sentido fsico, o nmero de cadeiras ocupadas, obtido a partir do
produto f(E).g(E).
8.9 DISTRIBUIO DE PORTADORES

Como foi dito no captulo anterior o nmero de eltrons na banda de conduo, ou seja, os que ocupam estados
na banda de conduo, pode ser obtido pela integrao do produto f(E).gn(E)dE ao longo da banda. Raciocnio
anlogo vale para os buracos na banda de valncia assim:
E
topo
f ( E ) g n ( E ) dE
n=
[1 f ( E )] g p ( E ) dE
p=
E
(8.6)
(8.7)
base
A figura 8.7. um resumo do que foi dito pois apresenta os grficos da densidade de estados, g(E), do fator de
ocupao, f(E), e da distribuio de portadores, g(E).f(E), para trs posies diferentes do nvel de Fermi:
prximo do topo da banda de valncia, no meio do gap e prximo base da banda de conduo. Os nmeros
totais de portadores, n e p, so numericamente iguais s reas das curvas que aparecem na quarta coluna da
figura 8.7.
112
Note-se que dependendo da posio do nvel de Fermi n maior que p (tipo N) ou vice-versa (tipo P). Fig. 8.7
Densidade de estados, gp e gn, fator de ocupao, f(E), e distribuio de portadores g(E).f(E), para trs posies
diferentes do nvel de Fermi: prximo do topo da banda de valncia, no meio do gap e prximo base da banda
de conduo.
8.10 NEUTRALIDADE DE CARGA

Os semicondutores so modificados adicionando-se ao material original, que neutro, impurezas, tambm
neutras, e isto deve apresentar como resultado uma carga eltrica total nula. As cargas presentes no material so
constitudas pelos eltrons livres, pelos buracos da banda de valncia e pelos ons que surgem com a ionizao
das impurezas. Pode-se considerar que, na temperatura ambiente, todas as impurezas esto ionizadas ento o
nmero de ons, por elas geradas por unidade de volume, igual sua concentrao.
113
Assim a densidade de carga pode ser dada pela expresso:
= q p q n + qN D q N A
(8.8)
onde NA a concentrao de impurezas aceitadoras e ND a concentrao de impurezas doadoras.

A partir dessa expresso gera-se a condio de neutralidade de carga:
p n + ND NA = 0
(8.9)
A partir dessa condio podem ser obtidas expresses para p e n, expresses essas que sero vlidas somente se
o semicondutor no for degenerado (a definio que ser dada mais adiante) e se a temperatura for tal que as
impurezas esto totalmente ionizadas, de modo que a concentrao de ons e igual concentrao de impurezas.
8.11 CONCENTRAO DE PORTADORES

As equaes (8.6) e (8.7) permitem a determinao da concentrao de ambos os tipos de portadores.
Substituindo-se as expresses de f(E) e de g(E) e fazendo-se a integral chega-se aos seguintes resultados:
n = Nce
( EF EC )/ kT
(8.10)
( EV EF )/ kT
(8.11)
p = NV e
onde
2m* kT
n
N c = 2
2
h
2m* kT
p
N V = 2
h2
32
32
(8.12)
Estas expresses foram deduzidas considerando-se o nvel de Fermi restrito seguinte condio: (Ev + 3kT) <
EF < (Ec - 3kT), ou seja, o nvel de Fermi est no gap porm no muito prximo nem do topo da banda de
conduo nem da base da banda de valncia. Essa condio, quando obedecida garante que o semicondutor no
degenerado.
Pode ser interessante determinar as expresses de n e de p em funo de outras variveis mais prticas como EF,
Ei (nvel de Fermi do semicondutor intrnseco) e ni (concentrao de portadores intrnsecos). Lembrando que
num semicondutor intrnseco n = p = ni , e que, por definio, o nvel de Fermi igual a Ei, as equaes (8.10)
e (8.11) podem ser rescritas do seguinte modo:
ni = N C e
ni = N V e
( Ei EC ) / kT
(8.13)
( EV Ei ) / kT
(8.14)
114
Obtendo-se as expresses: N c = n i e
(8.11) do:
( EC Ei ) / kT
N V = ni e
n = ni e
( Ei EV ) / kT
que substitudas nas equaes (8.10) e
( E F Ei ) / kT
(8.15)
( E E ) / kT
p = ni e i F
(8.16)
Aqui continuam sendo necessrias as condies que o semicondutor no seja degenerado, e que as impurezas
estejam ionizadas.
Fazendo o produto de n por p chega-se a uma expresso muito importante:
n p = ni2
(8.17)
Essa expresso muito cmoda porque nos permite fazer uma avaliao da concentrao de um tipo de
portadores a partir da concentrao do outro.
Outras expresses para a concentrao de portadores podem ser obtidas a partir da equao (8.17) isolando-se
p = ni2 / n e substituindo-o na expresso (8.9):
n2
i
n+ N
N =0
(8.18)
que uma equao do segundo grau em n e pode ser rescrita como:
n2 n N D N A
ni2 = 0
(8.19)
cujas solues so:
n=
N
D
N
2
N N 2
2
D
A
+
+ ni
12
( 8.20)
analogamente deduz-se:
p=
NA N
2
N N
A
D
+
12
2
+ n2
i
(8.21)
Para essa deduo s foram consideradas as razes positivas porque no h sentido, fisicamente,
concentraes negativas de portadores.
em
8.12 CASOS PARTICULARES

A adoo de valores especiais para a concentrao de impurezas permite, atravs das equaes (8.20) e (8.21),
o estudo de diversos casos particulares:
Semicondutor intrnseco - no dopado, ento NA = ND = 0. Obtm-se: n = p = ni , que exatamente a
caraterstica desse tipo de semicondutor;
115
Semicondutor dopado predominantemente com tipo de impurezas doadoras ND - NA ~ ND >> ni2 ou NA ND ~ NA >> ni2
Geralmente a ordem de grandeza de ni 1010 cm-3 e a ordem das impurezas usadas como dopantes superior a
1014 cm-3 . Usando esses valores constata-se que a concentrao de portadores foi gerada principalmente pela
presena de impurezas (portadores extrnsecos), logo, usando a (8.17), pode-se considerar que:
para tipo N
n ~ ND e
p ~ ni 2 / N D e
p ~ NA e
n ~ ni 2 / N A
para tipo P
Semicondutor dopado com os dois tipos de impurezas, ambos com concentraes semelhantes - ni >> |ND NA|; isto se d medida que a temperatura aumenta e ento ni cresce exponencialmente com T. O resultado
ento ser:
n ~ p ~ ni
Semicondutor compensado, aquele no qual a concentrao dos dois tipos de impurezas aproximadamente
igual - |ND - NA| = 0 . Nesse caso apesar de ser dopado, o semicondutor comporta-se como intrnseco : n ~
p ~ ni .
8.13 DETERMINAO DE EF
O nvel de Fermi pode estar mais prximo de uma banda ou de outra dependendo da concentrao de dopantes
introduzida . Como j definido, Ei o nvel do centro do gap, e igual ao nvel de Fermi no semicondutor
intrnseco. Inicialmente determinar-se- a posio de EF para o semicondutor intrnseco e depois para os outros
tipos de semicondutores.
Semicondutor Intrnseco
n = p o que implica, a partir das equaes (8.10) e ( 8.10), em:
N e
E
i
/ kT
=N e
E
V
E / kT
i
(8.22)
resolvendo para Ei vem:
E + EV
E = C
i
2
kT N V
+
ln
2 N
C
N
V
N
C
mas como pode ser obtido a partir das equaes (8.12):
obtm-se :
E +E
V
E = C
i
2

3 kT m p
+
ln
4
m
116
m *p
=
m n*

(8.23)
32
(8.24)
(8.25)
pode-se observar que se as massas efetivas dos eltrons e dos buracos forem iguais, Ei estar exatamente no
centro do gap proibido, seno haver um deslocamento em EF introduzido pelo fator m*p mn* . No caso do
silcio, temperatura ambiente, o desvio em relao posio mdia ser de -0.0073 eV, desprezvel diante
da largura do gap, 1,12 eV.
Semicondutor Extrnseco
A posio do nvel de Fermi para semicondutores dopados pode ser obtida a partir das expresses (8.15) e
(8.16) :
p

(8.26)
E E = kT ln n = kT ln
F
i
ni
ni
para os casos particulares de materiais dopados predominantemente com um tipo de impurezas, doadoras ou
aceitadoras, as equaes genricas (8.26) podem ser escritas como:
N
E E = kT ln D
F
i
ni
para semicondutor tipo N
(8.27)
N
E E = kT ln A
i
F
ni
para semicondutor tipo P
(8.28)
medida que ND aumenta, EF afasta-se do meio do gap e aproxima-se da banda de conduo at que quando
ln(ND/ni) da ordem de 3 o semicondutor torna-se degenerado e essas expresses j no descrevem
corretamente o comportamento do material. Analogamente, quando se aumenta NA , EF aproxima-se da banda
de valncia. Esse comportamento evidenciado pelo diagrama de bandas da figura 8.8.
Fig. 8.8 - Diagrama de bandas, do silcio, temperatura ambiente, com o nvel de Fermi variando em funo da
concentrao de impurezas, supondo-se ni = 1010 cm-3
117
8.14 DEPENDNCIA DOS PORTADORES COM A TEMPERATURA

Podemos considerar que num semicondutor h dois tipos de portadores:
aqueles originados termicamente, aos pares, pela ruptura das ligaes covalentes e
aqueles gerados pela ionizao dos tomos de impurezas, sendo positivos ou negativos conforme o tipo de
impureza.
Ser analisado agora o comportamento do silcio dopado medida que se aumenta a temperatura. Na
temperatura de 0K todas as ligaes esto intactas e quase no h portadores; na faixa de temperatura de 0K at
100K a energia trmica suficiente para ionizar os tomos de impurezas dando origem aos portadores que
estavam fracamente ligados; na faixa de 100K at 450K (regio extrnseca) o nmero de portadores fica
razoavelmente constante e igual a NA ou ND conforme o tipo de impureza; acima de 450K (regio intrnseca) h
novamente um aumento do nmero de portadores pois a energia trmica presente suficiente para romper as
ligaes covalente e gerar os portadores intrnsecos. Esse comportamento pode ser melhor compreendido
atravs do grfico abaixo que mostra a variao de n/ND em funo da temperatura, figura 8.9. Essa mesma
figura mostra a descrio desse mesmo fenmeno usando a representao de bandas.
Fig. 8.9. (a) Dependncia tpica da concentrao de portadores majoritrios num semicondutor dopado em
funo da temperatura. (b) explicao do mesmo comportamento usando o modelo de bandas.
118
R.Eisenberg, R. Resnick, Fsica Quntica - tomos, molculas, slidos, ncleos e partculas, So Paulo: Editora Campus, 1994.
Company, 1989
S. Datta -Quantum Phenomena in Modern Solid State , Modular Series on Solid State Devices, Vol VIII, EUA: Addison-Wesley
Publishing Company, 1989
PROBLEMAS
8.1.- Explicar detalhadamente o que so semicondutores tipo p e tipo n.
8.2. -Definir semicondutor extrnseco.
8.3.- Definir o processo de gerao e recombinao trmica de portadores.
8.4 - Considerando uma barra de silcio intrnseca qualquer, determinar a posio exata do nvel de Fermi entre
Ec e Ev para uma concentrao de dopantes tipo P de 1016 cm-3. Desenhar o respectivo digrama de faixas de
energia indicando os valores calculados. Dados:
ni = 1,54.1010 kT = 0,26 eV Eg = 1,1 eV.
8.5. - Considerando uma barra de silcio qualquer determinar:
a) a concentrao de dopantes para que esta barra tenha uma concentrao de eltrons de 1015 cm-3. Dizer que
dopante deve ser utilizado.
b) a posio exata do nvel de Fermi entre os nveis Ec e Ev para uma concentrao de dopantes de 1016 cm-3.
Desenhar o respectivo diagrama de bandas de energia indicando os valores calculados.
(c) que tipo ser o semicondutor se a barra for dopada com impurezas trivalentes numa concentrao de 1018cm3
e com impurezas pentavalentes numa concentrao de 1018cm-3. Justificar. Dados: kT= 0,026 eV
ni =
10
-3
1,45.10 cm e EG = 1,1 eV
8.6. - Calcular a energia de Fermi para o alumnio e para o potssio sabendo que as densidades de eltrons
livres por centmetro cbico so, respectivamente, 18,1.1022 e 1,4.1022. (Sugesto: usar a expresso 6.13).
8.7. - Calcular : (a) a energia de Fermi; (b) a temperatura de Fermi para o ouro a T =0 K.
8.8 - Lembrando que a energia mdia a energia total dividida pelo nmero de partculas e que prova-se que
E = 31 E F , determinar a energia mdia dos eltrons a T = 0 K no (a) cobre (EF = 7,03 eV) (b) Li (EF = 4,74
eV).
119
9 TRANSPORTE DE CARGAS
9.1 INTRODUO
At agora estudou-se o comportamento de partculas em repouso, ou em equilbrio e, nesse caso, no h
correntes eltricas ou fluxos de cargas.
Toda perturbao gera um desequilbrio que pode levar criao de uma corrente eltrica. Pode-se citar como
perturbaes geradoras de movimento de cargas dentro de uma amostra:
- o aumento de sua temperatura
- a existncia de um gradiente de concentrao dentro dela e
- a aplicao de um campo eltrico em suas extremidades.
Essas perturbaes geram movimento de partculas no sentido de restabelecer o equilbrio rompido. Muitas
vezes acontece mais de um desses processos simultaneamente.
9.2 AGITAO TRMICA

Partculas do tipo eltrons e buracos movimentam-se continuamente dentro da rede cristalina de acordo com a
temperatura da amostra. Quanto maior a temperatura maior sua mobilidade. Esse movimento aleatrio
mudando de direo a cada coliso da partcula com a rede. Quando no existe um fator que determina uma
direo preferencial, como um gradiente de concentrao, por exemplo, o deslocamento mdio da partcula
aps um tempo relativamente longo nulo porque os deslocamentos num sentido so igualmente provveis que
aqueles no sentido oposto. Ao se observar os movimentos gerados por outras causas dever-se- lembrar que
sempre a agitao trmica estar presente adicionada aos outros processos, apesar de no alterar o deslocamento
efetivo das partculas.
Fig. 9.1 - Movimento aleatrio das partculas causado por agitao trmica
9.3 DIFUSO
Sempre que houver uma distribuio no uniforme de partculas e essas partculas tiverem liberdade de
movimento elas se espalharo de modo a uniformizar sua concentrao em toda a regio. Como exemplo
prtico podemos lembrar que algum tempo aps abrir um vidro de perfume num ambiente fechado, ele poder
ser sentido em qualquer ponto da sala. Outro exemplo o que acontece quando se joga uma gota de tinta
dentro de um copo de gua, aps algum tempo ela est espalhada de modo uniforme na gua. Esse
comportamento descrito pela segunda lei de Fick:
120
J = D
C ( x , t )
x
(9.1)
que diz que o fluxo J gerado por um gradiente de concentrao ao longo de x, C , proporcional a esse
x
gradiente e no sentido dos pontos de maior, para os pontos de menor, concentrao.
Um modo de visualizar que essa uniformizao acontece imaginar quatro caixas uma ao lado da outra,
havendo 1024 partculas na primeira caixa e nenhuma nas outras. Considere-se que metade dessas partculas se
movem para a caixa da direita e metade para a caixa da esquerda, se de algum lado houver uma parede rgida as
partculas so rebatidas e voltam para a caixa onde estavam. A fig. 9.2 mostra como, com o passar do tempo, a
distribuio vai se homogeneizando.
to
1024
t1
512
512
t2
512
256
256
t3
384
384
128
128
t4
384
256
256
128
t5
320
320
256
192
Fig. 9.2 - Distribuio de partculas dentro de quatro caixas ao longo do tempo

No caso de semicondutores, se em algum momento houver maior concentrao de portadores num ponto do que
em outro, isso dar origem a uma corrente de difuso, cujo objetivo o de uniformizar a concentrao desses
portadores ao longo do material. Essa difuso implica no movimento de cargas e consequentemente no
aparecimento de correntes eltricas.
Imagine-se um semicondutor tipo P com uma concentrao no uniforme de buracos, como mostra a figura 9.3
(a). Afim de alcanar uma uniformizao da concentrao definida pela lei de Fick, os buracos vo se
movimentar para a direita dando origem a uma corrente de difuso Jdif , da esquerda para a direita. Uma
situao semelhante de concentrao de eltrons dar origem a um fluxo da esquerda para a direita, o que
significa uma corrente eltrica convencional em sentido contrrio porque os portadores so negativos, fig. 9.3
(b). Para que ocorra difuso preciso que o gradiente de concentrao no seja nulo, ou p 0 e n 0 .
Quanto maior for o gradiente maior ser o fluxo de portadores e portanto a corrente.
J dif
J dif
vt
....... . . .
....... . . .
....... . . .
....... . . .
....... . . .
....... . . .
n
Vt
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
,,,,,,, , , ,
,,,,,,, , , ,
,,,,,,, , , ,
,,,,,,, , , ,
,,,,,,, , , ,
,,,,,,, , , ,
gradiente de buracos
,
,
,
,
,
,
,
,
,
,
,
,
gradiente de eltrons
Fig. 9.3 - (a) corrente de buracos e (b) corrente de eltrons
121
Deseja-se agora calcular uma expresso para a corrente de difuso. Para tanto imagine-se uma superfcie de
rea A, com concentrao de portadores igual a no eqidistante de duas superfcies, a da esquerda com
concentrao n2 e a da direita com concentrao n1 de portadores do mesmo tipo. Admite-se que a distncia
entre a superfcie central e as laterais igual a d, o livre caminho mdio. Como livre caminho mdio a
distncia mdia entre duas colises consecutivas, em mdia, as partculas no devero sofrer colises no trajeto
at a superfcie central. Considerando a velocidade das partculas igual a vt e levando em conta que as
partculas da superfcie 1 se dividem igualmente para a esquerda e para a direita, podemos dizer que o nmero
de partculas vindas da superfcie 1 que alcanam a superfcie central, durante o intervalo de tempo , o
nmero das partculas contidas no cilindro de comprimento vt e seo transversal A, e portanto igual a: (n1
vt A )/2. Analogamente o nmero das que alcanam a superfcie A vindas da superfcie 2 so (n2 vt A )/2.
Assim podemos dizer que o nmero resultante efetivo de partculas que atravessam A igual a diferena desses
dois valores, j que as partculas vindas da esquerda tem sentido contrrio quelas vindas da direita (fig 9.4), ou
seja, o nmero lquido de partculas que atravessa a superfcie A, por unidade de tempo e por unidade de rea
v (n n )
S= t 2 1
2
d
(9.2)
vt
vt
vt
vt
A
n2
n0
n1
Fig. 9.4 - Fluxo de partculas numa regio com gradiente de concentrao

A variao da concentrao de partculas ao longo do eixo x pode ser descrita atravs das seguintes expresses:
n = n + d n
(9.3)
1
0
x
n = n d n
2
0
x
(9.4)
Substituindo-se as (9.3) e (9.4) na (9.1) obtm-se

S = d .v n
t x
Lembrando que a densidade de corrente eltrica (J) o fluxo de cargas e que cada portador tem carga q obtmse:
J = qdv n
t x
122
Essa expresso pode ser rescrita para cada tipo de portador:
J p = qD p
p
x
(buracos)
D = d.v
p
tp
onde
J n = qDn
D = d.v
n
tn
n
x
(eltrons)
(9.5)
(9.6)
so os coeficientes de difuso dos portadores positivos e negativos respectivamente.

Considerando uma situao em que ocorra a difuso dos dois tipos de portadores a corrente de difuso total
gerada ser:
dif
= qD
p
+ qD n
p x
n x
(9.7)
9.4 DERIVA
A deriva o movimento de partculas carregadas em resposta a um campo eltrico aplicado.
Imagine-se que uma diferena de potencial aplicada s extremidades de uma amostra de material
semicondutor. As cargas internas se movimentam de acordo com seu sinal:
0
+
+V
Fig. 9.5 - Correntes de deriva de buracos e eltrons

Para obter uma expresso da corrente de deriva consideremos os portadores que esto num cilindro de rea A e
comprimento vn (figura 9.6), aps um tempo todos os portadores tero chegado extremidade do cilindro.
Sendo n a concentrao de portadores negativos por unidade de volume
nmero de portadores existentes no cilindro ser A vn n
o nmero de portadores que atravessam a extremidade A
no intervalo de tempo ser A vn n
a quantidade de carga que chega extremidade A por
segundo, por unidade de rea, ou seja, a corrente de deriva
vn
ser q vn n.
Fig. 9.6 - Portadores contidos
no cilindro de rea A
A partir da ltima expresso possvel obter a densidade de corrente, J:
I = Jr
A
123
que aplicada a cada tipo de portador gera:
r
r
J = qnv
n
n
r
r
J = + qpv
p
p
(9.8)
Quando houver os dois tipos de portadores, a corrente de deriva total pode ser obtida pela soma dessas
expresses:
r
r
r
r
r
J
= J + J = qnv + qpv
(9.9)
der
n
p
n
p
9.5 MOBILIDADE
No caso de correntes de deriva observa-se que, para pequenos valores de campo eltrico aplicado, a velocidade
dos portadores proporcional ao campo eltrico. Essa observao permite escrever:
r
r
v = -
n
n
r
r
v =
p
p
(9.10)
onde n e p so as constantes de proporcionalidade chamadas de mobilidade dos portadores negativos e

positivos respectivamente.
Para se ter uma idia da ordem de grandeza desse parmetro apresentamos a seguir a tabela 9.1 referente a
diferentes amostras na temperatura de 300K:
TABELA 9.1. - MOBILIDADE DE ELTRONS E BURACOS EM SEMICONDUTORES, NA
TEMPERATURA DE 300K
Material
Silcio dopado com ND = 1014/cm3
Silcio dopado com NA = 1014/cm3
GaAs dopado com ND = 1015/cm3
GaAs dopado com NA = 1015/cm3
n (cm2/V s)
1360
p (cm2/V.s)
460
8000
320
9.5.1 Dependncia da mobilidade com a dopagem

A mobilidade dos portadores, a partir de um certo valor da concentrao de impurezas, decresce com o aumento
da concentrao de impurezas, como pode ser observado na figura 9.7. O comportamento da mobilidade dos
eltrons e dos buracos, nesse aspecto semelhante, apesar que, em termos absolutos, a mobilidade dos eltrons
maior.Quando a concentrao de dopagem baixa, menor que 1015/cm3, a mobilidade independe da dopagem,
porque sua influncia desprezvel diante da contribuio do espalhamento criado pela rede. Porm, medida
que ela aumenta a mobilidade diminui. Este fato ocorre porque as impurezas funcionam como centros
perturbadores aumentando o espalhamento trmico, produzido pela vibrao dos tomos da rede, e contribuindo
para dificultar o movimento das partculas, ou seja, para diminuir sua mobilidade.
124
Fig. 9.7. - Comportamento da mobilidade dos portadores no silcio, em funo a concentrao do dopante, n
refere-se a eltrons e p refere-se a buracos
9.5.2 Dependncia da mobilidade com a temperatura

A importncia do efeito da temperatura depende da concentrao de dopagem. Para dopagem em pequenas
concentraes a mobilidade muito influenciada pela temperatura. Nesse caso, quanto maior a temperatura
menor a mobilidade. Na faixa de temperaturas entre 200 e 500 K a mobilidade varia com T-2,2.
A dependncia da mobilidade com a dopagem e a temperatura pode ser observada no grfico da figura 9.8. Ele
evidencia que tanto o aumento de impurezas como o aumento de temperatura diminui a mobilidade e que a
influncia da temperatura mais marcante para baixas concentraes de impurezas. Comportamento
semelhante ocorre com os buracos.
A expresso (9.9) da corrente de deriva pode ser rescrita usando as equaes (9.10):
r
J
r
r
= qn + qp
der
n
p
125
(9.11)
Fig. 9.8. Dependncia da mobilidade dos eltrons (a) e dos buracos (b) em funo da temperatura para uma
amostra de silcio dopado com diferentes concentraes de impurezas.
9.6 RESISTIVIDADE
O comportamento eltrico de um material pode ser descrito atravs de sua resistividade. Ela relaciona entre si o
campo eltrico aplicado e a densidade de corrente eltrica resultante, ou seja, a causa ao efeito. A resistividade,
, cuja unidade (ohm.m), o inverso da condutividade, , que expressa em unidades de (mho/m).
Formalmente tem-se as seguintes expresses:
r
= 1
= J
(9.12)
que possibilitam obter, a partir da expresso (9.11), uma nova expresso para a resistividade:
1
q ( n + p )
n
p
Pode-se examinar como esta equao fica para alguns casos particulares.
126
(9.13)
Para um semicondutor tipo n, ND >> NA e ND >> ni ento n N
1
qN D
p 0 o que leva a:
(9.14)
do mesmo modo para um semicondutor tipo p, NA >> ND e NA >> ni ento p N
e n 0 o que leva
a:
1
qN A
(9.15)
Essas expresses so vlidas somente se for obedecida a condio do semicondutor no ser degenerado.
A determinao da resistividade um processo relativamente simples. Essa medida permite, atravs das
equaes acima, vir a conhecer o valor da velocidade de deriva dos diferentes tipos de portadores.
9.7 EFEITO HALL

Hall realizou uma experincia que permitiu descobrir qual o tipo de portador responsvel pela conduo numa
lmina submetida a uma diferena de potencial. Alm de permitir descobrir o sinal das cargas majoritrias num
semicondutor essa experincia tambm permite determinar o nmero de portadores por unidade de volume, ela
ser apresentada em seguida.
Considere-se uma lmina fina de um semicondutor, dopado, com espessura h. Aplica-se uma diferena de
potencial entre a extremidade esquerda e a direita de modo a produzir uma corrente eltrica i, indicada na
figura 9.9. Essa corrente tanto pode ser produzido por cargas positivas que se movem da esquerda para a direita
como por cargas negativas que se movem da direita para a esquerda. Aqui ser descrito o caso de eltrons. A
lmina imersa num campo magntico, como indicado na figura, o que faz surgir uma fora para cima atuando
sobre os eltrons. Por causa dessa fora os eltrons deslocam-se para a superfcie superior da lmina, criando a
um acmulo de cargas negativas em relao superfcie inferior. Essa diferena de cargas d origem a um
campo eltrico para cima que gera uma fora para baixo que procura compensar o efeito do campo magntico.
A situao de equilbrio ocorre quando a fora eltrica for igual magntica:
qvB= q e nesse caso as superfcies superior e inferior estaro submetidas a uma diferena de potencial,
chamada de voltagem de Hall, que vale:
VH = h = vBh
(9.16)
Se em vez de eltrons os portadores fossem constitudos de buracos o potencial da superfcie de cima seria
positivo em relao superfcie inferior.
A determinao da polaridade de VH permite conhecer o sinal dos portadores majoritrios. A sua medida
permite determinar, atravs da equao (9.16), o valor da velocidade de arrastamento, v. A medida de i fornece
o valor da densidade de corrente J e usando-se uma das expresses (9.8) pode-se obter o valor da densidade
volumtrica de portadores, n.
127
Fig. 9.9. Montagem experimental para determinao de efeito Hall, no caso em que os eltrons so os
portadores majoritrios.
9.8 ENTORTAMENTO DAS BANDAS

O diagrama de energias dos portadores dentro de um semicondutor pode ser analisado relacionando-o com as
energias: Ev do topo da bandas de valncia e Ec da base da banda de conduo.
Consideremos uma ligao covalente cujo eltron ocupa um estado do topo da banda de valncia. Se a esse
eltron for dada uma energia EG (igual a largura do gap proibido) ele pular para a banda de conduo dando
origem ao par: um eltron com energia Ec e um buraco com energia Ev, ambos sem velocidade. Se porm a
energia fornecida for superior a EG , a energia do eltron ser superior a Ec e a do buraco ser inferior a Ev , o
que significa que ambos tero alguma energia cintica. Assim pode-se dizer que a energia cintica do eltron
E - Ec e que a do buraco E - Ev (figura 9.9).
E (energia total)
Ec
E K = energia cintica dos eltrons
Ev
E K = energia cintica dos buracos
Fig. 9.9- Diagrama de bandas de energia

Usando um nvel qualquer como nvel de referncia para o potencial nulo e lembrando que a energia total a
soma da cintica e da potencial, pode-se completar o diagrama assinalando a energia potencial e a energia total
de um eltron na banda de conduo e de um buraco na banda de valncia.
128
preciso lembrar que E ref arbitrrio e pode ser escolhido convenientemente.
E
Ecin
Ec
Ec
Epot
E total
Ev
Ev
Ecin
E
Epot
Eref = 0
E total
Eref = 0
(a)
(b)
Fig. 9.10 - Diagrama de bandas de energia evidenciando a energia potencial, a energia cintica e a energia total
dos portadores : (a) eltrons (b) buracos
Considere-se agora um semicondutor sujeito a um nico elemento perturbador: um campo eltrico sem a
presena de campo magntico, de stress ou de gradiente trmico. O efeito do campo eltrico ser o de mudar
a energia potencial dos portadores. Se o campo eltrico for produzido por uma diferena de potencial V pode-se
dizer que ele gera uma energia potencial Ep = -qV que por definio tambm igual a Ec - Eref , ou seja:
Epo t = - qV
Epo t = Ec - Eref
(E
o que nos permite obter:
V =
ref
E )
c
q
(9.16)
O campo eltrico tem como efeito alterar o diagrama de energias dos portadores, e pode ser obtido a partir da
seguinte equao:
r
= U
(9.17)
r
onde o campo eltrico e U o gradiente do potencial aplicado ao semicondutor.
Observando que h um gradiente de potencial aplicado ao longo do eixo de x , pode-se relacionar o campo
eltrico com a alterao que ele provoca nos nveis Ec , Ev e Eref , atravs das seguintes expresses:
r
=1
dE
c
q dx
dE
= q1 dxv
= q1
dE
reff
dx
(9.18)
Essas equaes dizem que um campo eltrico presente dentro de um material semicondutor provoca o
entortamento das bandas de conduo e de valncia do mesmo modo que provoca o entortamento do nvel de
referncia para o potencial. Esse entortamento causado pelo gradiente de potencial existente na regio que ,
por sua vez, gerado pelo campo eltrico.
129
O mesmo efeito obtido tanto pela imposio de uma diferena de potencial quanto pela aplicao de um
campo eltrico.
9.9 JUNO PN
Quando se justape dois materiais dopados, respectivamente, com impurezas aceitadoras e doadoras, ocorrem
transformaes na regio prxima juno porque os portadores e sua concentraes diferem. Em seguida
estudar-se-o esses fenmenos.
Um material dopado neutro porque, tanto os tomos que o formam, quanto aqueles usados na dopagem, so
neutros. Porm, apesar de neutros, os tomos das impurezas tem, no ncleo e na eletrosfera, uma carga eltrica
diferente dos tomos da rede e portanto, ao substitu-los, provocam alteraes nas ligaes covalentes com seus
vizinhos.
Um tomo trivalente numa rede de silcio, por exemplo, s pode estabelecer trs pares de ligao covalente
porque tem um eltron a menos, esse fato d origem criao de um buraco. Assim, uma impureza trivalente
pode ser encarada como um ncleo negativo com uma carga positiva a sua volta, quando essa carga positiva (o
buraco) recebe energia suficiente para migrar surgem um portador positivo e um on negativo na rede.
Comportamento anlogo ocorre com as impurezas pentavalentes: cada impureza d origem formao de um
portador negativo (um eltron) e de um on positivo.
Assim as impurezas podem ser vistas como ncleos negativos com eletrosfera positiva, no caso de impurezas
trivalentes, e como ncleos positivos e eletrosfera negativa, no caso de impurezas pentavalentes, como indicado
na figura 9.11.
Fig.9.11 - Juno PN mostrando as diferenas entre os tomos das impurezas e os tomos da rede.
Essa configurao aquela que ocorre no instante da juno porm ela comea a mudar imediatamente aps a
sua formao. A presena de eltrons, em maior nmero do lado direito e de buracos em maior nmero do lado
esquerdo cria gradientes de concentrao que provocam uma movimentao de cargas no sentido de tentar
restabelecer uma uniformidade de distribuio de portadores. Esses gradientes porm no conseguem provocar
o movimento dos ons, que esto presos na rede, o que d origem a um campo eltrico, no caso, no sentido da
direita para a esquerda. Esse campo eltrico, que cresce a medida que a migrao dos buracos e eltrons
aumenta, provoca um potencial eltrico que impede a difuso dos eltrons para a esquerda e dos buracos para
a direita. Aps um certo tempo estabelece-se novo equilbrio com a criao, entre as regies P e N, de uma
regio onde h um campo eltrico presente, chamada regio de depleo.
130
Essa regio uma transio entre as regies P e N que permanecem inalteradas.

Na regio de depleo a distribuio de cargas ou portadores no uniforme, e como conseqncia aparece um
campo eltrico que gera uma diferena de potencial. Essa diferena, por sua vez, provoca o entortamento das
bandas de conduo e de valncia.
O campo eltrico gerado por uma distribuio de cargas no uniforme dado pela expresso:
x
= 1
( x )dx

s o
(9.19)
onde s a constante dieltrica relativa ao material, no caso do silcio vale 11,8, 0 a permissividade do vcuo
e
( x ) = ( n + p + N D N A )q
(9.20)
a densidade total volumtrica de carga.

A partir dessas expresses pode-se escrever a equao genrica chamada Equao de Poisson :
d = q ( n + p + N N )
dx
D
A
s
(9.21)
r
A soluo dessa equao complexa pois os valores de n e de p dependem do valor do campo eltrico, , que
desconhecido, ento interessante fazer algumas aproximaes vlidas na regio de depleo para simplificar
o problema.
9.9.1 Aproximao de depleo

Como foi dito, a equao de Poisson pode ser resolvida facilmente fazendo-se algumas aproximaes aceitveis
na regio de depleo. Uma dessas aproximaes , basicamente considerar a concentrao de portadores
intrnsecos mveis (de n e de p) pequena comparada com a concentrao de ons de impurezas doadoras e
aceitadoras. Como os resultados obtidos com essa aproximao foram confirmados experimentalmente, ela
aceitvel.
Sero examinadas separadamente as duas partes da regio de depleo:
a) para x
x 0 (fig. 9.11)
NA >> np e NA >> pp
regio P
p
onde np a concentrao de eltrons e pp a concentrao de buracos na regio P.
b) para 0 x x
ND >> nn e ND >> pn
regio N
n
onde np a concentrao de eltrons e pp a concentrao de buracos na regio N.
c) para
x x p
x xn
carga total nula no restante do material
131
Rescrevendo a equao (9.21) de Poisson:

d = qN A
x x 0
para
s 0
dx
p
d = qN D
para 0 x x
s 0
dx
n
e para
x x p e x xn
= 0
Integrando-se essas equaes e lembrando-se que ( x ) = ( x ) = 0 que uma condio de contorno,

p
n
obtm-se:
x
qN
qN
= A dx = A x + x p
para
x x 0
(9.21)
p
s 0
s 0
xp
xn
= D dx = D ( x n x)
s 0
s 0
qN
qN
para
0 x x
(9.22)
Essas duas expresses devem ter o mesmo valor para x = 0,
qN A
o que significa que:
s 0
qN D
xp =
s 0
xn
donde se obtm:
N x
A
=N x
D
(9.23)
essa importante expresso evidencia que a carga total deve ser igual nos dois lados da juno, porm a largura
da regio de depleo depende inversamente da concentrao de impurezas, ou seja, s igual nos dois lados
da juno, se as concentraes das dopagens tambm forem, N = N . Em caso contrrio, quanto maior a
A
concentrao de dopantes menor ser a largura da regio de depleo naquele tipo de semicondutor.
9.9.2 Potencial de difuso

A distribuio no uniforme de cargas gera um potencial que pode ser obtido a partir da expresso:
r
= dV
dx
(9.24)
r
Usando-se as expresses (9.21) e (9.22) de , j deduzidas, e fazendo a integral separadamente nas duas partes
da regio de depleo tem-se:
V (x)
xp
qN
qN
V = dV = A ( x + x p ) dx = A ( x2 + xx p )
s 0
s 0
132
x
x
qN A
V =
s 0
x + xp
2
para
x0
(9.25)
Repetindo para 0 x x obtm-se:

n
x qN
V
x
qN
qN
n D
0
2 n
x
D
D x x 2
V = dV =
( x x ) dx =
(x x
)
=

2
2 n
n
n
x s 0
V
s 0
s 0
x
V = V0
qN D
2 s 0
( x n x) 2
0 x x
para
Impondo novamente as condies de contorno obtm-se que, para
(9.26)
x = xn ,
V= V0.
possvel observar que o comportamento de V0 uma imagem especular do comportamento das bandas de
energia EC, EV e Ei. Enquanto as bandas entortam para baixo o potencial entorta para cima , ao se passar do tipo
P para o tipo N.
O potencial de difuso, Vo, pode ser relacionado de outra com as caratersticas do semicondutor usando-se o
diagrama de energia onde se pode observar que qV0 representa o entortamento das bandas e, portanto, igual
soma da diferena de potencial entre o energia do nvel intrnseco e o nvel de Fermi no lado P e no lado N.
Isto pode ser escrito formalmente do seguinte modo:
n
E E = kT ln( n )
F
n
i
i
do lado N
p
E E = kT ln( p )
i
n
F
i
do lado P
Est se procurando V e sabendo que

0
qV = E E
+ E E
0
i
F ladoP
F
i ladoN
pode-se obter:
n p
n p
kT
V =
ln(
)
2
q
0
n
i
(9.30)
Lembrando que podem ser feitas algumas aproximaes para se determinar a concentrao de portadores adotase que n N do lado N, e p N do lado P, ambos longe da juno e obtm-se a expresso final para
p
A
n
D
o potencial de difuso:
133
V = kT ln(
q
0
n2
i
A)
(9.31)
A determinao do potencial de difuso, tambm chamado de potencial interno, importante pois ela d
diretamente informaes sobre o entortamento da banda e indiretamente sobre a alterao da energia cintica e
potencial dos portadores que ocorre numa juno.
9.9.3 Largura da regio de depleo

Para se determinar a largura da regio de depleo impe-se s equaes (9.25) e (9.26) a condio de
contorno no ponto x = 0. Sendo a funo potencial contnua:
qN A x p2
2 s 0
Vx=0 = V0
= V0
qN D xn2
2 s 0
pode-se obter uma expresso de xp a partir da expresso (9.23) e ao substitu-la na expresso anterior conseguese uma equao que d o valor de xn.
qN A N D2 xn2
2 s 0 N A2
= V0
qN D xn2
2 s 0
xn =
2 s 0 N AV0 1/ 2
ND ( N A + ND )
(9.27)
analogamente possvel obter uma expresso para xp
xp =
2 s 0 N DV0 1/ 2
N A (N A + ND )
(9.28)
Somando-se esses valores possvel obter a largura total da regio de depleo:
W = x n ( x p ) =
W=
2 s 0 N DV0 1 / 2
qN A ( N A + N D )
] [( ) + ( )
2 s 0V0 1 / 2
( qNA + N D )
N A 1/ 2
ND
ND 1/ 2
NA
1/ 2
2 s 0 N AV0
qN D ( N A + N D )
(9.29)
A largura da regio de depleo determinada pela constante dieltrica, s , do material, pelo potencial Vo e
pela concentrao de impurezas.
Se em vez de usar a aproximao de depleo os clculos tivessem sido feitos por integrao numrica os
resultados seriam um pouco diferentes como pode ser observado pelas linhas tracejadas nos grficos se so
apresentados a seguir.
134
9.9.4 Grficos
A ttulo de ilustrao daremos em seguida os grficos da densidade de carga, do campo eltrico, do potencial e
do diagrama das bandas para o caso de se ter uma juno com as seguintes concentraes: N A=1016 cm-3 e ND
=1017 cm-3.
Fig. 9.13 . Grficos tpicos da densidade de carga, campo eltrico, potencial eltrico e o diagrama de bandas de
energia de uma juno PN.
....... juno no abrupta.
135
9.10 UMA APLICAO: O DIODO TNEL

O diodo tnel constitudo de uma juno PN em que os lado P e N so fortemente dopados
(degeneradamente). Com isto, tem-se uma regio de depleo extremamente fina, da ordem de 100 A ou
menos, o que consideravelmente menor do que uma juno PN convencional.
Por causa da dopagem degenerada, o nvel de Fermi dos materiais P e N estar posicionado na regio interna s
bandas de conduo e de valncia como mostrado na figura 9.14, que representa o diagrama de bandas de
energia. Os potenciais Vp e Vn so da ordem de alguns poucos kT.
Fig. 9.14. Diagrama de bandas de energia de um diodo tnel

A curva caraterstica est representada na figura 9.15(a). Como pode ser observado, em polarizao direta
inicialmente a corrente aumenta at um valor mximo Ip , com respectiva tenso Vp, e decresce at um valor
mnimo IV. Para tenses maiores que Vv a corrente aumenta exponencialmente com a tenso aplicada. A curva
caraterstica a resultante de trs componentes de corrente: corrente de tunelamento banda-a-banda, corrente de
excesso de portadores e corrente trmica, como evidencia a figura 9.15(b).
Fig. 9.15 - Curva caraterstica de um diodo tnel

136
A corrente de tunelamento igual a zero quando no h tenso externa aplicada. quando aplicada tenso
externa os eltrons podem tunelar da banda de valncia para a banda de conduo ou vice-versa.
As condies para que haja tunelamento so:
existncia de estados de energia ocupados no lado do qual o eltron tunelar;
existncia de estados de energia desocupados no mesmo nvel de energia dos estados ocupados no lado para
o qual os eltrons podem tunelar;
a altura da barreira do potencial de tunelamento deve ser suficientemente pequena para que haja uma
probabilidade finita de tunelamento;
o momentum deve ser conservado durante o processo de tunelamento.
A simbologia desse diodo est representada na figura 9.16
Fig. 9.16. Representao do diodo tnel. A forma (b) a mais comunemente utilizada.
As principais aplicaes desse diodo so a produo de microondas de baixa potncia, como osciladores ou
bloqueadores de freqncia.
D. Halliday, R. Resnick , Fundamentos de Fsica Vol 4 , So Paulo: Livros Tcnicos e Cientficos, 1994.
Company, 1989
G.W. Neudeck - The PN Junction Diode, Modular Series on Solid State Devices, Vol II, EUA: Addison-Wesley Publishing
Company, 1989
PROBLEMAS
9.1. - Definir corrente de deriva e corrente de difuso.
9.2. - A mobilidade dos eltrons numa amostra de silcio de 1300 cm2/V.s a temperatura ambiente, determinar
o coeficiente de difuso dos eltrons.
9.3. - Usando o diagrama de bandas de energia indicar como visualizar :
a) a existncia de um campo eltrico dentro do semicondutor; b)um eltron com energia cintica zero; c) um
buraco com energia cintica zero igual a EG/4; d) gerao trmica direta; e0 recombinao trmica direta; e)
recombinao via centros R-G.
9.4. - Dada uma barra de silcio de comprimento de 6cm e rea de seo transversal de 4 cm2 determinar:
(a) a resistividade da barra sabendo que ela foi dopada uniformemente com impurezas aceitadoras numa
16
concentrao de 10 cm-3;
137
(b) a densidade de corrente atravs da barra de silcio intrnseco sabendo-se que lhe aplicada uma diferena de
potencial de 5 V;
(c) a corrente atravs da barra se o silcio for dopado com impurezas doadoras com perfil de portadores
variando linearmente de 1019 cm-3 em uma das pontas para 1018 cm-3 na ponta oposta, sabendo-se que nenhum
campo eltrico aplicado barra e o perfil de portadores linear entre as duas pontas.
Dados : kT= 0,026 eV ni = 1,45.1010cm-3 EG = 1,1 eV n = 1350 cm2/V.s D p =35cm2/s
p = 480 cm2/V.s
D p = 12 cm2/s T = 300K
k = 1,381.102 J/K
9.5. - Uma amostra de silcio, mantida a temperatura ambiente, est uniformemente dopada com ND = 1010/
cm3. Calcular sua resistividade.
9.6. - Calcular a mobilidade dos buracos dentro de uma barra na qual a velocidade de deriva de 103cm/s resulta
quando se aplicam 2V na extremidade da barra que tem o comprimento de 1cm.
9.7. - Duas barras do mesmo material, uma tipo N e outra tipo P so uniformemente dopadas de tal modo que
ND (na barra 1) = NA (na barra 2) >> ni . Dizer qual barra apresenta maior resistividade e explicar porque.
9.8. - Para uma juno PN abrupta de silcio, em equilbrio trmico, com distribuio de cargas conforme o
grfico abaixo, pede-se:
a) desenhar o grfico do campo eltrico em funo da distncia x indicando o valor numrico do campo eltrico
mximo. Deduzir as expresses necessrias a partir da equao de Poisson.
b) determinar o valor do potencial de difuso Vo em volts. Deduzir as expresses necessrias a partir da
equao de Poisson.
9.9. - Uma juno PN abrupta no silcio tem a seguinte concentrao : ND = 5.1015cm-3 e NA = 1015cme uma rea transversal de 10-4 cm2 . Considerando a aproximao de depleo e ni = 1010cm-3 determinar :
(a) o potencial de difuso; (b) os extremos da regio de depleo; (c) a porcentagem da regio de depleo
que est na regio P; (d) o esquema da densidade de carga e do campo eltrico em funo de x.
v(E) = S(E) - S(E).f(E, EF )

9.10.- Sabendo-se que:
n(E) = f (E,EF).S(E)
onde n(E) a densidade dos estados preenchidos; v(E) a densidade dos estados vazios, S(E) a densidade dos
estados eletrnicos permitidos e f(E, EF ) a funo de distribuio de Fermi-Dirac, demonstrar que numa
juno PN em equilbrio trmico o nvel de Fermi igual dos dois lados da juno.
138
9.11. - Preencher a tabela abaixo com dados obtidos a partir do diagrama de bandas que se segue
Portador
Energia
(eV)
Energia
(eV)
Eltro
n1
Eltron
2
Eltron
3
cintica
potencial
Energia total (eV)
139
Burac
o1
Buraco
2
Buraco
3
10 ESTRUTURA CRISTALINA
10.1 INTRODUO
Desde a antigidade os homens perceberam que alguns tipos de materiais cristalinos tinham superfcies planas
bem definidas com simetrias constantes. Esse fato deu origem a idia de que cada um desses materiais seria
formado por elementos muito menores com a mesma forma, que, justapostos, dariam origem ao cristal. Essa
idia no de todo errada pois pode-se interpretar um cristal como a superposio de clulas primitivas, com a
diferena porm que as clulas primitivas no precisam ter o mesmo formato que o cristal.
10.2. REDE CRISTALINA E BASE

Para uma anlise mais conveniente interessante separar a estrutura cristalina em duas entidades: uma
geomtrica abstrata, chamada rede, que indica a simetria existente entre os elementos que a formam e outra,
chamada base, que representa os tomos ou grupos de tomos que so associados repetitivamente rede.
rede + base estrutura cristalina
A figura 10.1 mostra uma rede plana bidimensional: (a) uma base que pode ser associadas a ela (b) e a estrutura
cristalina resultante (c).
Fig. 10.1. (a) Rede plana; (b) base; (c ) estrutura cristalina resultante
A base pode ser formada por um s tomo, como numa rede metlica, mas tambm pode ser constituda de
milhares de tomos como no caso de uma substncia orgnica.
140
10.3. SISTEMAS CRISTALINOS E REDES DE BRAVAIS

Utilizando a idia de conceito de rede que independe dos tomos que esto associados a ela foi possvel fazer
uma simplificao descritiva e classificar todas as redes cristalinas em catorze tipos, que so denominadas as
redes Bravais, figura 10.2. Utilizando esse conjunto, possvel classificar qualquer material cristalino, j que
as redes representam somente a disposio obedecida pelos elementos do material e no todos os tomos que o
formam.
Fig. 10.2. - Representao das Redes de Bravais.
141
10.3.1 Clula primitiva

Partindo de um ponto da rede considerado a origem, ro, possvel reproduzir todos os outros pontos utilizando
uma base de vetores. A base de vetores formada pelos vetores que constituem a clula primitiva. O cristal
inteiro gerado pela superposio de clulas primitivas. Este conceito pode ser expresso pela seguinte equao:
r = ro + n1 a + n2 b + n3 c
(10.1)
onde n1 , n2 e n3 so inteiros positivos ou negativos e o negrito indica que se trata de vetor.

A figura abaixo mostra uma estrutura cristalina para a qual foram traadas diversas clulas primitivas. A clula
primitiva com rea (volume, para rede tridimensional) mnima chamada clula unitria. O volume da clula
pode ser obtido a partir do seguinte produto misto:
V= |a x b.c|
(10.2)
Fig. 10.3. (a) Estrutura cristalina; (b) clulas primitivas para essa estrutura; (c ) clula unitria
10.4 GRAU DE ORDEM

Diferentes tipos de materiais apresentam estrutura cristalina: os metais, os semicondutores, os cristais inicos,
porm em diferentes graus. Pode-se, simplificadamente, classificar um material de acordo com a organizao
interna dos elementos que o compe em: monocristalino, policristalino e amorfo.
Essa classificao refere-se ao grau de ordem existente no material. Quando o cristal se apresenta exatamente
da mesma forma em pontos equivalentes, trata-se da ordem a longo alcance, e nesse caso o material um
monocristal, quando a ordem a curto alcance ou em pequenas pores no material tem-se um policristal e se
no houver nenhuma ordem o material amorfo.
142
Fig. 10.4- (a) material amorfo; (b) material policristalino; (c) material monocristal.
10.5 NDICES DE MLLER

Uma ferramenta bastante til para representar qualquer plano cristalino fornecida pelos ndices de Mller, que
so trs nmeros inteiros h, k e l usados para definir planos no espao. Dado um sistema de trs eixos
ortogonais os ndices de um certo plano podem ser obtidos da seguinte forma:
a) determinam-se as intersees do plano com os eixos do sistema exprimindo-as como mltiplos inteiros dos
vetores de base;
b) obtm-se o inverso desses valores;
c) faz-se o mnimo mltiplo comum entre eles e elimina-se o denominador, obtendo-se o conjunto dos menores
inteiros que mantm entre si a mesma relao que os inversos das intersees.
Esses inteiros so os ndices de Mller do plano e so representados por (h k l).
A figura 10.5 mostra alguns planos e seus ndices de Mller.
Cristalograficamente diversos planos podem ser equivalentes, por exemplo, para o silcio uma rotao que
rebate os planos xy, yz e zx entre si no altera o material pois a simetria cbica , isso quer dizer que os planos
(100), (010), (001),(100), (010) e (001) so equivalentes. Ento para esse conjunto ser adotada a conveno
{100}.
Fig. 10.5 - Numa estrutura cristalina cbica simples: (a) o plano (632); (b) o plano (100); (c) o plano (221).
143
Os ndices de Mller tambm podem ser usados para indicar direes em vez de planos. Nesse caso as
projees da direo sobre os eixos cristalinos do origem aos ndices. Note-se que um plano ter os mesmos
ndices que a direo perpendicular a ele, porm com outra representao: < h k l > . Aqui tambm possvel
uma generalizao, o conjunto das direes equivalentes so apresentadas da seguinte forma: [ h k l ]. A figura
10.6 mostra algumas direes cristalinas.
Fig. 10.6 - Algumas direes e seus ndices de Mller
10.6 ESTRUTURA DO SILCIO

O silcio um material semicondutor em que as ligaes entre os tomos so do tipo covalente, havendo quatro
vizinhos mais prximos para cada tomo, com os quais faz quatro ligaes covalentes, ou seja, com os quais
compartilha um eltron.
O silcio tem uma rede cbica do tipo do diamante. A clula primitiva formada por uma estrutura cbica face
centrada com mais quatro tomos colocados internamente ao cubo; esses tomos esto distribudos dois em
cada um dos planos (001) que cortam a clula a e a da base de modo alternado. Veja-se a figura 10.7 (a).
A estrutura cristalina do silcio tambm pode ser interpretada como duas redes tipo face cbica centrada
interpenetradas como pode ser visto na figura 10.7 (b).
Fig. 10.7 - Estrutura de silcio (a) tipo diamante ; (b) duas estrutura fcc interpenetradas vistas de topo ao longo
de qualquer uma das direes <100>.
144
Company, 1989
J.M. Ziman - Principles of The Theory of Solids: The Syndics of The Cambridge University Press, 1965
F. C. Brown - The Physics of Solids: Ionic Crystals, Lattice Vibrations, and Imperfections; W.A. Benjamin Inc., 1967
Kittel - Physics of Solid State:
PROBLEMAS
10.1 - O cloreto de sdio tem uma clula primitiva cbica simples de lado igual a 5,63.10-8 cm. O peso atmico
do sdio 23 e a peso molecular do cloro 71. Determinar a densidade do cloreto de sdio.
10.2. - Dada a constante da rede, a = 5,65.10-8 cm, determinar o nmero de tomos de Ge por cm3
temperatura ambiente.
10.3 - Em termo da constante da rede a, qual distncia entre tomos vizinhos nas redes: a) cbica corpo
centrado; b) cbica face centrada.
10.4. - Determinar quantos tomos por clula primitiva existem nas redes : a) cbica corpo centrado; b) cbica
face centrada; c) hexagonal.
10.5. - A superfcie de uma lmina de silcio um plano (100).
a) esquematizar a localizao dos tomos de silcio na superfcie da lmina;
b) determine o nmero de tomos por cm na superfcie da lmina;
c) repetir as questes anteriores se a superfcie da lmina for o plano (110).
10.6. - Considerando um sistema cbico desenhe os seguintes planos: (a) (001); (b) (111);
(d) (110);
(e) (010);
(f) (111);
(g) (221);
(h) (010)
(c ) (123);
10.7. - Supondo uma estrutura cristalina cbica determinar os ndices de Mller dos planos esquematizados.
Indicar, na notao de Mller, os vetores perpendiculares a esses planos e apresentar os planos equivalentes
queles dados.
145
10.8 - Definir rede cristalina.

10.9 - Definir estrutura cristalina.
10.10 - Dizer quantas redes unitrias bidimensionais existem e explicar porque.
10.11 - Desenhar o plano (121) de uma estrutura ortormbica de corpo centrado.
10.12 - Determinar a densidade superficial de tomos do plano (110) de uma estrutura ortorrmbica de base centrada sabendo que a =
1A; b = 1,5 A e c = 3 A.
146

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7 SLIDOS

7.2 SLIDOS INICOS

7.3 SLIDOS COVALENTES

Fig.7.2 - Representao simplificada de uma rede de silcio mostrando as ligaes covalentes

7.4 SLIDOS MOLECULARES

Fig. 7.6 a) molculas de gua com dipolo

b) molculas sem dipolo permanente mas polarizadas

7.5 SLIDOS METLICOS

7.6 CARATERSTICAS GERAIS DOS SLIDOS

Maus condutores por Maus condutores por Bons condutores de

P.A.Tipler, Fsica Moderna, Rio de Janeiro: Guanabara Dois, 1981.

Fig. 8.1 - Parte da tabela peridica que mostra os materiais semicondutores.

8.2 ELTRONS E BURACOS

8.3 GERAO E RECOMBINAO DE PORTADORES

8.4 MASSA EFETIVA

8.5 SEMICONDUTOR INTRNSECO

TABELA 8.2 - CONCENTRAO DE PORTADORES INTRNSECOS A TEMPERATURA

8.6 SEMICONDUTOR EXTRNSECO

TABELA 8.3 - TIPOS DE IMPUREZAS COMUNEMENTE UTILIZADAS COMO DOPANTES NO

Os doadores so elementos da coluna V da tabela peridica e os elementos aceitadores so da coluna III.

TABELA 8.4 - ENERGIAS DE LIGAO EB DO LTIMO ELTRON DE DIVERSAS IMPUREZAS

nveis para os buracos

Fig. 8.4 - Visualizao da ao da temperatura na ocupao dos nveis dentro do gap

8.7 DENSIDADE DE ESTADOS

Fig. 8.5 - Grfico das densidades de estados gp e gc em funo de E

8.8 FUNO DE DISTRIBUIO DE FERMI

Analisando-se essa expresso podem-se observar diversos fatos:

8.9 DISTRIBUIO DE PORTADORES

8.10 NEUTRALIDADE DE CARGA

Assim a densidade de carga pode ser dada pela expresso:

onde NA a concentrao de impurezas aceitadoras e ND a concentrao de impurezas doadoras.

8.11 CONCENTRAO DE PORTADORES

que substitudas nas equaes (8.10) e

que uma equao do segundo grau em n e pode ser rescrita como:

cujas solues so:

8.12 CASOS PARTICULARES

resolvendo para Ei vem:

mas como pode ser obtido a partir das equaes (8.12):

para semicondutor tipo N

para semicondutor tipo P

8.14 DEPENDNCIA DOS PORTADORES COM A TEMPERATURA

9.2 AGITAO TRMICA

Fig. 9.2 - Distribuio de partculas dentro de quatro caixas ao longo do tempo

Fig. 9.3 - (a) corrente de buracos e (b) corrente de eltrons

Fig. 9.4 - Fluxo de partculas numa regio com gradiente de concentrao

Substituindo-se as (9.3) e (9.4) na (9.1) obtm-se

Essa expresso pode ser rescrita para cada tipo de portador:

so os coeficientes de difuso dos portadores positivos e negativos respectivamente.

Fig. 9.5 - Correntes de deriva de buracos e eltrons

A partir da ltima expresso possvel obter a densidade de corrente, J:

que aplicada a cada tipo de portador gera:

onde n e p so as constantes de proporcionalidade chamadas de mobilidade dos portadores negativos e

9.5.1 Dependncia da mobilidade com a dopagem

9.5.2 Dependncia da mobilidade com a temperatura

Para um semicondutor tipo n, ND >> NA e ND >> ni ento n N

do mesmo modo para um semicondutor tipo p, NA >> ND e NA >> ni ento p N

9.7 EFEITO HALL

9.8 ENTORTAMENTO DAS BANDAS

E K = energia cintica dos eltrons

Fig. 9.9- Diagrama de bandas de energia

preciso lembrar que E ref arbitrrio e pode ser escolhido convenientemente.

o que nos permite obter:

Essa regio uma transio entre as regies P e N que permanecem inalteradas.

a densidade total volumtrica de carga.