DIODOS

SEMICONDUCTORES

INTRODUCCION
Una de las cosas notables de este campo es lo poco
que cambian los principios fundamentales con el
tiempo.
Los dispositivos que sern analizados en este curso
han estado en uso durante algn tiempo.
Los cambios ms importantes se han presentado en
la comprensin de cmo funcionan estos dispositivos
y de su amplia gama de aplicaciones.
Los textos sobre el tema escritos hace una dcada
siguen siendo buenas referencias cuyo contenido no
ha cambiado mucho.

Actualmente los sistemas son increblemente ms

pequeos.
La miniaturizacin que ha ocurrido en aos recientes
hace que sistemas completos ahora aparezcan en
obleas miles de veces ms pequeas. Por ejemplo el
procesador cudruple Intel Core 2 Extreme cuenta
con 410 millones de transistores en cada chip de
doble ncleo.
Las velocidades
extraordinarias.

de

operacin

Cada da aparecen nuevos artefactos.

actuales

son

La miniaturizacin futura parece estar limitada por

tres factores: la calidad del material semiconductor, la
tcnica de diseo y los lmites del equipo de
fabricacin.
SEMICONDUCTORES

Para entender como funcionan los diodos,

transistores y circuitos integrados es necesario
estudiar
los
materiales
semiconductores:
componentes que no se comportan ni como
conductores ni como aislantes.

MATERIALES SEMICONDUCTORES:
Ge, Si Y GaAs
La construccin de cualquier elemento electrnico
(diodos, transistores, etc. ) de estado slido o circuito
integrado, se inicia con un material semiconductor de
la ms alta calidad.

Los semiconductores son una clase especial de

elementos cuya conductividad se encuentra entre la
de un buen conductor y la de un aislante.
Los materiales semiconductores pueden ser de dos
clases: de un solo cristal (Ge, Si) y compuesto
(GaAs: Arseniuro de Galio).
y compuesto

Los diodos y transistores construidos en base de Ge

eran sensibles a los cambios de la temperatura.
En 1954 se present el primer transistor de Si y se
aplic rpidamente, pues no slo es menos sensible
a la temperatura, sino que es uno de los materiales
ms abundantes en la Tierra.
Pero el campo de la electrnica requera de
dispositivos ms veloces.
Se desarroll del primer transistor de GaAs que
operaba a velocidades hasta de cinco veces al del
Si.

En la actualidad se utiliza de manera consistente

como material base para nuevos diseos de circuitos
integrados a gran escala (VLSI, por sus siglas en
ingls) de alta velocidad.
Se siguen fabricando dispositivos de Ge, aunque
para un nmero limitado de aplicaciones, el Si tiene
el beneficio de aos de desarrollo y es el material
semiconductor lder para componentes electrnicos y
circuitos integrados.

ENLACE COVALENTE
INTRNSECOS

MATERIALES

Todo tomo se compone de tres partculas bsicas:

electrn, protn y neutrn. Los neutrones y los protones
forman el ncleo; los electrones aparecen en rbitas
fijas alrededor de ste. El modelo de Bohr de cuatro
materiales se muestra en la figura siguiente:
Capa de valencia
(Cuatro electrones de valencia)

Electrn
de valencia

Ncleo

Cinco electrones
de valencia

Tres electrones
de valencia

El Si tiene 14 electrones en rbitas, el Ge 32, el Ga 31

y el As 33.
En el Ge y el Si hay 4 electrones de valencia. El Ga
tiene 3 electrones de valencia y el As 5.
Los tomos que tienen cuatro electrones de valencia se
llaman tetravalentes, los de tres se llaman trivalentes y
los de cinco se llaman pentavalentes.
El trmino valencia se utiliza para indicar que el
potencial (potencial de ionizacin) requerido para
remover cualquiera de estos electrones de la estructura
atmica es significativamente ms bajo que el
requerido para cualquier otro electrn en la estructura.

Cuando los tomos de un material semiconductor se

combinan para formar un slido, lo hacen en una
estructura ordenada llamada cristal. En un cristal de Si
o Ge puros, los cuatro electrones de valencia de un
tomo forman un arreglo de enlace con cuatro tomos
adyacentes de tal manera que tiene 8 electrones en la
rbita de valencia.

Los electrones de valencia dejan de pertenecer a un

solo tomo y estn siendo atrados por los ncleos de
los tomos vecinos lo cual los mantiene unidos.
Este enlace de tomos, reforzado por compartir
electrones, se llama enlace covalente.
En un cristal, por ejemplo de Si, hay miles de millones
de tomos, cada uno con 8 electrones de valencia.
Estos electrones de valencia son los enlaces
covalentes que mantienen unido el cristal, dndole
solidez.

Un semiconductor intrnseco es un semiconductor puro;

en esencia, lo ms puro posible que se pueda fabricar
utilizando tecnologa actual.
Los electrones libres presentes en un material
intrnseco debido a slo causas externas se conocen
como portadores intrnsecos. El nmero de estos es
importante para sus aplicaciones, aunque tambin la
movilidad relativa (n) de los portadores libres, es decir,
la capacidad de los electrones libres de moverse por
todo el material. Esta caracterstica en el GaAs es ms
de cinco veces la de los portadores libres en el Si; un
factor que produce velocidades de respuesta con
dispositivos electrnicos de GaAs que puede ser hasta
cinco veces las de los mismos dispositivos hechos de
Si.

MATERIALES TIPO n Y TIPO p

El anlisis se realizar para semiconductores Si.
Las caractersticas de un material semiconductor puro
se pueden modificar de manera significativa con la
adicin de tomos de impureza especficos. Estas
impurezas, que son de 1 parte en 10 millones, pueden
cambiar del todo las propiedades elctricas del
material.
Un material semiconductor que ha sido sometido al
proceso de dopado se conoce como material
extrnseco.
Hay dos materiales extrnsecos de importancia en la
fabricacin
de
dispositivos
semiconductores:
materiales tipo n y tipo p.

Material tipo n
Un material tipo n se crea introduciendo elementos de
impureza que contienen cinco electrones de valencia
(pentavalentes), como el antimonio, arsnico y fsforo a un
cristal de Si o Ge puros.

Se observa que los cuatros enlaces covalentes

permanecen. Existe, sin embargo, un quinto electrn
adicional debido al tomo de impureza, el cual no est
asociado con cualquier enlace covalente particular.
Este electrn restante, enlazado de manera poco firme
a su tomo padre (antimonio), est en cierto modo libre
para moverse dentro del material tipo n recin
formado, puesto que el tomo de impureza insertado
ha donado un electrn relativamente libre a la
estructura.
Las impurezas difundidas con cinco electrones de
valencia se conocen como tomos donadores.

Material tipo p
El material tipo p se forma dopando un cristal de
germanio o silicio puro con tomos de impureza que
tienen tres electrones de valencia (boro, galio e indio).

Se observa que ahora el nmero de electrones es

insuficiente para completar las bandas covalentes de la
estructura recin formada. El vaco resultante se llama
hueco y se denota con un pequeo crculo o un signo
ms. Por lo tanto, el vaco resultante aceptar con
facilidad un electrn libre: las impurezas difundidas con
tres electrones de valencia se llaman tomos aceptores.

El efecto del hueco en la conduccin se muestra en la figura.

Si un electrn de valencia adquiere suficiente energa
cintica para romper su enlace covalente y llenar el vaco
creado por un hueco, entonces se crear un vaco o hueco
en la banda covalente que cedi el electrn. Existe, por
consiguiente, una transferencia de huecos hacia la izquierda
y de electrones hacia la derecha.

Portadores mayoritarios y minoritarios

En el estado intrnseco, el nmero de electrones libres

en Ge o Si se debe slo a los electrones en la banda de
valencia que adquirieron suficiente energa de fuentes
trmicas o luminosas para romper la banda covalente o
a las impurezas que no pudieron ser eliminadas. Los
vacos que quedan en la estructura de enlace covalente
representan una fuente muy limitada de huecos. En un
material tipo n, el nmero de huecos no cambia
significativamente con respecto a este nivel intrnseco.
El resultado neto, por consiguiente, es que el nmero
de electrones sobrepasa por mucho al de huecos. Por
eso: en un material tipo n el electrn se llama portador
mayoritario y el hueco portador minoritario.

En el material tipo p el nmero de huecos excede por

mucho al de electrones. Por consiguiente: en un
material tipo p, el hueco es el portador mayoritario y el
electrn el minoritario.
Cuando el quinto electrn de un tomo donador
abandona el tomo padre, el tomo que queda adquiere
una carga positiva neta: de ah el signo ms en la
representacin de ion donador. Por las mismas razones,
el signo menos aparece en el ion aceptor.
Los materiales tipo n y p representan los bloques de
construccin
bsicos
de
los
dispositivos
semiconductores.

Proceso de dopaje de un cristal de silicio

Primero se funde un cristal puro de Si para romper los
enlaces covalentes y pasar de slido a lquido. Luego se
aaden tomos pentavalentes al Si fundido.

Cristal de silicio luego de enfriarse y formar de nuevo el

cristal slido

Como nicamente pueden situarse 8 electrones en la

rbita de valencia, el electrn adicional queda en una
rbita mayor. Por lo tanto se trata de un electrn libre.
Cada tomo pentavalente en un cristal de Si, produce
un electrn libre. Un fabricante controla as la
conductividad de un semiconductor dopado.
Cuanto mayor impurezas se aadan mayor ser la
conductividad.
Un semiconductor dopado ligeramente tendr una
resistencia alta y uno fuertemente dopado tendr una
resistencia pequea.

DIODO
SEMICONDUCTOR

El diodo semiconductor se crea uniendo un material

tipo n a un material tipo p.
Sin polarizacin aplicada (V = 0 V).

Los semiconductores tipo n y tipo p, por s mismos,

tienen la misma utilidad que una resistencia de
carbn.
En el momento en que los dos materiales se unen,
los electrones y los huecos en la regin de la unin
se combinan y provocan una carencia de portadores
libres en la regin prxima a la unin.

La frontera fsica entre un semiconductor tipo p y uno

tipo n se llama unin pn, por lo que esta estructura se
llama tambin diodo de unin.
Debido a su repulsin mutua, los electrones libres en
el lado n tienden a dispersarse en cualquier direccin.
Algunos electrones libres atraviesan la unin.
Cuando un electrn abandona el lado n, deja un
tomo pentavalente al que le hace falta una carga
negativa; este tomo se convierte en ion positivo.
Una vez que el electrn cae en un hueco en el lado p,
el tomo trivalente que lo ha capturado se convierte
en ion negativo.

Los iones se encuentran fijos en la estructura del

cristal debido a los enlaces covalentes y no pueden
moverse como los electrones libres y los huecos.

Cada pareja de iones positivo y negativo en la unin

se llama dipolo.
Esta regin de iones positivos y negativos revelados
se llama regin de agotamiento, debido a la
disminucin de portadores libres en la regin.
Cada dipolo posee un campo elctrico entre los
iones positivo y negativo que lo forman.
La intensidad del campo elctrico aumenta con cada
dipolo que se forma y detendr la difusin de
electrones a travs de la unin.

El campo elctrico que se forma es equivalente a

una diferencia de potencial llamada barrera de
potencial. A 25C es de 0.3 V para diodos de Ge y
0.7 V para diodos de Si.
Sin ninguna polarizacin aplicada a travs de un
diodo semiconductor, el flujo neto de carga en una
direccin es cero.

Condicin de polarizacin en inversa (VD < 0 V)

En este caso, el terminal negativo de la batera se

encuentra conectado al lado p y el terminal positivo
lo est al lado n.
El nmero de iones positivos revelados en la regin
de empobrecimiento del material tipo n se
incrementar por la gran cantidad de electrones
libres atrados por el potencial positivo del voltaje
aplicado. Por las mismas razones, el nmero de
iones negativos no revelados se incrementar en el
material tipo p.

El efecto neto, por consiguiente, es una mayor apertura

de la regin de agotamiento, la cual crea una barrera
demasiado grande para que los portadores
mayoritarios la puedan superar, por lo que el flujo de
portadores mayoritarios se reduce efectivamente a
cero.

La corriente en condiciones de polarizacin en inversa

se llama corriente de saturacin en inversa y est
representada por Is.
Los diodos admiten un lmite en el voltaje de
polarizacin inversa sin que se dae el mismo y es
conocido como la tensin de ruptura.
La tensin de ruptura de un diodo depende del nivel de

dopaje del mismo. Con diodos rectificadores (el mas

comn), la tensin de ruptura suele ser mayor de 50 V.

Condicin de polarizacin en directa (VD > 0 V)

La condicin de polarizacin en directa o encendido se
establece aplicando el potencial positivo de la batera al
material tipo p y el potencial negativo al tipo n.

La batera empuja huecos y electrones libres hacia la

unin. Si la tensin de la batera es menor que la
barrera de potencial, los electrones libres no tienen
suficiente energa para atravesar la regin de
agotamiento. Cuando entran en esta zona los iones son
empujados de nuevo a la zona n. A causa de esto no
circula corriente por el diodo.

Si la tensin de la batera es mayor que la barrera de

potencial, la batera empuja de nuevo huecos y
electrones libres hacia la unin, por lo que los
electrones libres tienen suficiente energa para pasar a
travs de la zona de agotamiento y recombinarse con
los huecos de la regin p.

Mientras se incrementa la magnitud de la polarizacin

aplicada, el ancho de la regin de agotamiento
continuar reducindose hasta que un flujo de
electrones pueda atravesar la unin, lo que produce un
crecimiento exponencial de la corriente.
La escala vertical de la figura est en miliamperios y la
escala horizontal en la regin de polarizacin directa
tiene un mximo de 1 V. Por consiguiente, en general
el voltaje a travs de un diodo polarizado en directa
ser menor de 1 V. Observe tambin cuan rpido se
eleva la corriente despus de la rodilla de la curva.

Caractersticas del diodo semiconductor de silicio

Como ejemplo sigamos el flujo de un electrn a lo

largo del circuito completo.

Despus que el electrn libre abandona el terminal

negativo de la batera entra en el extremo derecho del
diodo. Viaja a travs de la regin n hasta que alcanza
la unin.
Cuando la tensin de la batera es mayor que la
barrera de potencial el electrn libre tiene la energa
suficiente para atravesar la zona de agotamiento.
Poco despus de atravesar a la regin p se recombina
con un hueco, es decir se convierte en un electrn de
valencia.

Continua su viaje hacia la izquierda pasando de un

hueco al siguiente hasta que alcanza el extremo
izquierdo del diodo apareciendo un nuevo hueco y el
proceso comienza otra vez.
Como hay miles de millones de electrones haciendo el
mismo viaje, se tiene una corriente continua a travs del
diodo.
Recordar: que la corriente circula fcilmente en un
diodo de silicio polarizado directamente. Cuando la
tensin aplicada sea mayor que la barrera de potencial
habr una gran corriente continua en el circuito. Es decir
si la tensin aplicada es mayor de 0.7 V, un diodo de
silicio produce una corriente continua en la direccin
directa.

Las caractersticas generales de un diodo semiconductor

se pueden definir mediante la ecuacin Shockley, para
las regiones de polarizacin en directa y en inversa:

Donde Is es la corriente de saturacin en inversa.

VD es el voltaje de polarizacin en directa aplicado a
travs del diodo.
n es un factor de idealidad, el cual es una funcin de las
condiciones de operacin y construccin fsica; vara
entre 1 y 2 (se supondr n = 1).
k es la constante de Boltzmann =1.38 X10-23 J/K
T es la temperatura absoluta en Kelvin = 273 + la
temperatura en C.
q es la magnitud de la carga del electrn = 1.6 X 10-19 C.

Regin Zener
Existe un punto donde la aplicacin de un voltaje
demasiado negativo producir un cambio abrupto de las
caractersticas de un diodo semiconductor.
La corriente se incrementa muy rpido en una direccin
opuesta a la de la regin de voltaje positivo.
El potencial de polarizacin en inversa que produce este
cambio dramtico de las caractersticas se llama
potencial Zener y su smbolo es VZ.

Regin Zener

El mximo potencial de polarizacin en inversa que se

puede aplicar antes de entrar a la regin Zener se llama
voltaje inverso pico (conocido como valor PIV) o voltaje
de reversa pico (denotado como valor PRV).
Si una aplicacin requiere un valor PIV mayor que el de
una sola unidad, se pueden conectar en serie varios
diodos de las mismas caractersticas. Los diodos
tambin se conectan en paralelo para incrementar la
capacidad de llevar corriente.
A una temperatura fija, la corriente de saturacin en
inversa de un diodo se incrementa con un incremento
de la polarizacin en inversa aplicada.

NIVELES DE RESISTENCIA

A medida que el punto de operacin de un diodo se

mueve de una regin a otra, su resistencia tambin
cambia debido a la forma no lineal de la curva de
caractersticas.
La resistencia del diodo en el punto de operacin se
halla determinando los niveles correspondientes de VD e
ID de la curva caracterstica y aplicando la ecuacin:

EJEMPLOS: Determine los niveles de resistencia de cd

del diodo de la figura con:
a. ID = 2 mA (bajo nivel)
b. ID = 20 mA (alto nivel)
c. VD = -10 V (polarizado en inversa)

SOLUCION:
a. Con ID = 2 mA, VD = 0.5 V (en la curva) entonces: RD
= 0.5 V/2 mA = 250

b. Con ID = 20 mA, VD = 0.8 V (en la curva) entonces:

RD = 0.8 V/20 mA = 40
c. Con VD = -10 V, ID = -IS = -1 A (en la curva)
entonces: RD = 10 V/1 A = 10 M

Efectos de la temperatura
La temperatura puede tener un marcado efecto en las
caractersticas de un diodo semiconductor como lo
demuestran las caractersticas de un diodo de silicio
mostradas en la figura:

En la regin de polarizacin en directa las

caractersticas de un diodo de silicio se desplazan a
la izquierda a razn de 2.5 mV por grado centgrado
de incremento de temperatura.
En la regin de polarizacin en inversa la corriente
de saturacin en inversa de un diodo de silicio se
duplica por cada 10C de aumento de la
temperatura.

El voltaje de saturacin en inversa de un diodo

semiconductor se incrementar o reducir con la
temperatura segn el potencial Zener.

CIRCUITOS EQUIVALENTES DEL DIODO

Un circuito equivalente es una combinacin de
elementos apropiadamente seleccionados para que
representen mejor las caractersticas terminales reales
de un dispositivo o sistema en una regin de operacin
particular.
Circuito equivalente lineal por segmentos

Circuito equivalente simplificado

En la mayora de las aplicaciones, la resistencia rprom es

lo suficientemente pequea para ser ignorada en
comparacin con los dems elementos de la red.

Circuito equivalente ideal

Para esto establezcamos que el nivel de 0.7 V con

frecuencia puede ser ignorado en comparacin con el
nivel de voltaje aplicado.

NOTACIN PARA DIODOS SEMICONDUCTORES

En la mayora de los diodos cualquier marca, ya sea un

punto o una banda aparece en el ctodo.

Ejemplos de diodos de unin

PRUEBA DE UN DIODO
La condicin de un diodo semiconductor se determina rpidamente
utilizando: 1) un multmetro digital con una funcin de verificacin
de diodo; 2) la seccin hmetro de un multmetro, o 3) un trazador
de curvas.
Funcin de verificacin de diodo (Multmetro)
En un multmetro digital se observa un pequeo smbolo de diodo.
Cuando la perilla giratoria se pone en esta posicin y se conecta
en conexin directa el diodo deber estar en el estado on
(encendido) y la pantalla indica el voltaje de polarizacin en directa
como 0.67 V (para Si). El multmetro cuenta con una fuente de
corriente constante interna (de ms o menos 2 mA) que define el
nivel de voltaje. Una indicacin OL con la conexin directa revela
un diodo abierto (defectuoso). Si se invierten los cables, aparecer
una indicacin OL debido a la equivalencia de circuito abierto del
diodo.
En general, por consiguiente, una indicacin OL en ambas
direcciones indica un diodo abierto o defectuoso.

Prueba con un hmetro

Si medimos la resistencia de un diodo con las
conexiones en directa, debemos esperar un nivel
relativamente bajo.
En polarizacin inversa la lectura deber ser bastante
alta, por lo que se requiere una escala de resistencia
alta en el medidor.
Una lectura de alta resistencia en ambas conexiones
indica una condicin abierta (dispositivo defectuoso) en
tanto que una lectura de resistencia muy baja en ambas
direcciones probablemente indique un dispositivo en
cortocircuito.

DIODOS SEMICONDUCTORES

Materiales semiconductores: Ge, Si, GaAs.

Las curvas caractersticas para los tres materiales semiconductores

Es importante comparar las curvas caractersticas de

los principales materiales semiconductores: GaAs y
Si y Ge.
La forma general de cada curva es muy semejante
aunque el punto de levantamiento vertical de las
caractersticas es diferente para cada material.

El germanio es el ms cercano al eje vertical y el

GaAs es el ms distante. Como se observa en las
curvas, el centro de la rodilla de la curva est
aproximadamente en 0.3 V para Ge, 0.7 V para Si y
1.2 V para GaAs.

En la regin de polarizacin inversa la curva tambin

es bastante parecida, pero se diferencian en las
magnitudes de las corrientes de saturacin en inversa
tpicas. Para GaAs, la corriente de saturacin en
inversa es por lo general de aproximadamente 1 pA,
comparada con 10 pA para Si y 1 A para Ge.
El GaAs en general tiene niveles de voltaje de ruptura
mximos que superan a los de los dispositivos de Si
del mismo nivel de potencia en aproximadamente
10%.
El Si tienen voltajes de ruptura que oscilan entre 50 V
y 2 kV. El germanio suele tener voltajes de ruptura de
menos de 100 V, con mximos alrededor de 400 V.

EJEMPLOS: Utilizando las curvas caractersticas de

los diodo:
a. Determinar el voltaje a travs de cada diodo con
una corriente de 1 mA.
b. Repita con una corriente de 4 mA.
c. Repita con una corriente de 30 mA.
d. Determine el valor promedio del voltaje en el diodo
para el intervalo de corrientes antes dadas.
e. Cmo se comparan los valores promedio con los
voltajes de rodilla que aparecen en la curva
correspondiente?

Solucin:

a. VD(Ge) = 0.2 V, VD(Si) = 0.6 V, VD (GaAs) = 1.1 V

b. VD(Ge) = 0.3 V, VD(Si) = 0.7 V, VD (GaAs) = 1.2 V
c. VD(Ge) = 0.42 V, VD(Si) = 0.82 V, VD (GaAs) = 1.33
V
d. Ge: Vav = (0.2 V + 0.3 V + 0.42 V)/3 = 0.307 V
Si:
Vav = (0.6 V + 0.7 V + 0.82 V)/3 = 0.707 V
GaAs: Vav = (1.1 V + 1.2 V + 1.33 V)/3 = 1.21 V
e. Muy parecidos: Ge: 0.307 V vs. 0.3 V, Si: 0.707 V
vs. 0.7 V, GaAs: 1.21 V vs. 1.2 V.

CAPACITANCIAS DE DIFUSIN Y TRANSICIN

Todo dispositivo electrnico o elctrico es sensible a la
frecuencia. Es decir, las caractersticas terminales de
cualquier dispositivo cambian con la frecuencia.
En la regin de polarizacin en inversa tenemos la
capacitancia de transicin o de regin de
empobrecimiento (CT ) en tanto que en la regin de
polarizacin en directa tenemos la capacitancia de
almacenamiento o difusin (CD ).
Los efectos de capacitancia se representan por medio
de capacitores en paralelo con el diodo ideal. Sin
embargo, en aplicaciones de baja a media frecuencia
(excepto en el rea de potencia), normalmente el
capacitor no se incluye en el smbolo de diodo.

TIEMPO DE RECUPERACIN EN INVERSA (trr).

En el estado de polarizacin en directa hay una gran
cantidad de electrones del material tipo n que avanzan a
travs del material tipo p y una gran cantidad de huecos en el
material tipo n, lo cual es un requisito para la conduccin.
Los electrones en el material tipo p y los huecos que
avanzan a travs del material tipo n establecen una gran
cantidad de portadores minoritarios en cada material.
Si el voltaje aplicado se tiene que invertir para establecer una
polarizacin en inversa, por el gran nmero de portadores
minoritarios en cada material, la corriente en el diodo se
invierte y permanece en este nivel medible durante el
intervalo ts (tiempo de almacenamiento) requerido para que
los portadores minoritarios regresen a su estado de
portadores mayoritarios en el material opuesto.

El diodo permanece en el estado de cortocircuito con

una corriente inversa determinada por los parmetros
de la red. Con el tiempo, cuando esta fase de
almacenamiento ha pasado, el nivel de la corriente se
reduce al nivel asociado con el estado de no
conduccin. Este segundo lapso est denotado por tt
(intervalo de transicin).
El tiempo de recuperacin en inversa es la suma de
estos dos intervalos: trr = ts + tt.
sta es una consideracin importante en aplicaciones
de conmutacin de alta velocidad. La mayora de los
diodos de conmutacin comerciales tienen un trr en el
intervalo de algunos nanosegundos a 1 ms. Hay
unidades disponibles, sin embargo, con un trr de slo
unos cientos de picosegundos (1012 s).

DIODOS ZENER

La curva caracterstica del diodo cae casi verticalmente

con un potencial de polarizacin en inversa denotado
V Z.
La corriente en la regin Zener tiene una direccin
opuesta a la de un diodo polarizado en directa.
La ligera pendiente de la curva en la regin Zener
revela que existe un nivel de resistencia que tiene que
ser asociado al diodo Zener en el modo de conduccin.

Regin Zener

Esta regin de caractersticas nicas se emplea en el

diseo de diodos Zener.
En el caso del diodo semiconductor el estado
encendido soportar una corriente en la direccin de
la flecha del smbolo.
Para el diodo Zener la direccin de conduccin es
opuesta a la de la flecha del smbolo.

La ubicacin de la regin Zener se controla variando los

niveles de dopado. Un incremento del dopado que
aumenta la cantidad de impurezas agregadas reducir
el potencial Zener.
Estn disponibles diodos Zener con potenciales de 1.8
V a 200 V y coeficientes de potencia de W a 50 W.
Por sus excelentes capacidades de corriente y
temperatura, el silicio es el material preferido en la
fabricacin de diodos Zener.

Caractersticas de diodo
equivalente de cada regin

Zener

con

el

modelo

El modelo equivalente de un diodo Zener en la regin

de polarizacin en inversa por debajo de VZ es un
resistor muy grande (como en el caso del diodo
estndar), esta resistencia en tan grande que puede ser
ignorada y se emplea el equivalente de circuito abierto.
Para la regin de polarizacin en directa el equivalente
por segmentos es el que se describi anteriormente.
El potencial Zener de un diodo Zener es muy sensible a
la temperatura de operacin.

La identificacin terminal y el encapsulado de varios

diodos Zener

DIODOS EMISORES DE LUZ (LED)

Como su nombre lo implica, el diodo emisor de luz es
un diodo que emite luz visible o invisible (infrarroja)
cuando se energiza.
En cualquier unin pn polarizada en directa se da,
dentro de la estructura y principalmente cerca de la
unin, una recombinacin de huecos y electrones.
Esta recombinacin requiere que la energa procesada
por los electrones libres se transforme en otro estado.
En todas las uniones pn semiconductoras una parte de
esta energa se libera en forma de calor y otra en forma
de fotones.

En diodos de Si y Ge el mayor porcentaje de la energa

convertida se disipa en forma de calor dentro de la estructura
y la luz emitida es insignificante. No se utilizan para LED.
Los diodos construidos de GaAs emiten luz en la zona
infrarroja (invisible) durante el proceso de recombinacin en
la unin pn.
Aun cuando la luz no es visible, los LED infrarrojos tienen
numerosas aplicaciones donde la luz visible no es un efecto
deseable. stas incluyen sistemas de seguridad,
procesamiento industrial, acoplamiento ptico, controles de
seguridad como abre puertas de cochera y control remoto de
centros de entretenimiento domsticos.

Mediante otras combinaciones de elementos se puede

generar una luz visible.

La construccin bsica de un LED con el smbolo

estndar utilizado para el dispositivo. La superficie
metlica conductora externa conectada al material tipo
p es ms pequea para permitir la salida del mximo de
fotones de energa luminosa cuando el dispositivo se
polariza en directa.

Rectas de carga
La recta de carga es una herramienta empleada para
hallar el valor exacto de la corriente y la tensin del
diodo.

Ejemplo: Si Vs = 2 V y Rs = 100 . Hallar la recta de

carga.

La ecuacin representa una recta. Si hacemos VD = 0 V

A este punto se llama saturacin ya que es el punto de

mxima corriente con 2 V a travs de 100 .

Ahora con VD = 2 V
A este punto se
llama de corte ya
que es el punto de
mnima corriente.
La lnea recta se
llama
recta
de
carga.
El punto Q en la
grafica es el nico
punto que funciona
a la vez para el
diodo y para el
circuito.

RESUMEN DE TEMAS ANTERIORES

1. Las caractersticas de un diodo ideal son exactamente
las de un interruptor simple, excepto por el hecho
importante de que un diodo ideal puede conducir en slo
una direccin.
2. El diodo ideal es un corto circuito en la regin de
conduccin y un circuito abierto en la regin de no
conduccin.
3. Un semiconductor es un material que tiene un nivel de
conductividad entre la de un buen conductor y la de un
aislante.
4. Un enlace de tomos, reforzado por la comparticin de
electrones entre tomos vecinos, se llama enlace
covalente.

5. El aumento de las temperaturas puede provocar un

incremento significativo del nmero de electrones libres
en un material semiconductor.
6. La mayora de los materiales semiconductores
utilizados en la industria electrnica tienen coeficientes
de temperatura negativos; es decir, la resistencia se
reduce con un aumento de temperatura.
7.
Los
materiales
intrnsecos
son
aquellos
semiconductores que tienen un nivel muy bajo de
impurezas, en tanto que los materiales extrnsecos son
semiconductores que se expusieron a un proceso de
dopado.

8. Un material tipo n se forma agregando tomos

donadores que tengan cinco electrones de valencia
para establecer un alto nivel de electrones
relativamente libres. En un material tipo n, el electrn
es el portador mayoritario y el hueco es el portador
minoritario.
9. Un material tipo p se forma agregando tomos
aceptores con tres electrones de valencia para
establecer un alto nivel de huecos en el material. En un
material tipo p, el hueco es el portador mayoritario y el
electrn el minoritario.
10. La regin cerca de la unin de un diodo que tiene
muy pocos portadores se llama regin de
empobrecimiento.

11. Sin ninguna polarizacin externa aplicada, la

corriente en el diodo es cero.
12. En la regin de polarizacin en directa, la corriente
en el diodo se incrementa exponencialmente con el
aumento del voltaje a travs del diodo.
13. En la regin de polarizacin en inversa, la corriente
en el diodo es la corriente de saturacin en inversa muy
pequea hasta que se alcanza la ruptura Zener y la
corriente fluye en la direccin opuesta a travs del
diodo.
14. La corriente de saturacin en inversa Is casi duplica
su magnitud por cada 10 veces de incremento de la
temperatura.

15. La resistencia de cd de un diodo est determinada

por la relacin del voltaje y la corriente en el diodo en el
punto de inters y no es sensible a la forma de la curva.
La resistencia de cd se reduce con el incremento de la
corriente o voltaje en el diodo.
16. El voltaje de umbral es aproximadamente de 0.7 V
para diodos de silicio y de 0.3 V para diodos de
germanio.
17. El nivel de disipacin de potencia nominal mxima
de un diodo es igual al producto del voltaje y corriente
del diodo.

18. La capacitancia de un diodo se incrementa

exponencialmente con el aumento del voltaje de
polarizacin en directa. Sus niveles mnimos ocurren en
la regin de polarizacin en inversa.

19. La direccin de conduccin de un diodo Zener se

opone a la de la flecha en el smbolo y el voltaje Zener
tiene una polaridad opuesta a la de un diodo polarizado
en directa.
20. Los diodos emisores de luz (LED) emiten luz en
condiciones de polarizacin en directa pero requieren 2
V a 4 V para una buena emisin.

APLICACIONES CON DIODOS

INTRODUCCIN

Anteriormente se presentaron la construccin, las

caractersticas
y
los
modelos
de
diodos
semiconductores.
Ahora
conoceremos
el
funcionamiento del diodo en varias configuraciones,
utilizando modelos adecuados al rea de aplicacin.
El anlisis de circuitos electrnicos puede seguir uno de
dos caminos: utilizar las caractersticas reales o aplicar
un modelo aproximado para el dispositivo.
Para el anlisis inicial del diodo se incluyen sus
caractersticas reales para mostrar cmo interactan
las caractersticas de un dispositivo y los parmetros de
la red.

ANLISIS POR MEDIO DE LA RECTA DE CARGA

El circuito siguiente servir para describir el anlisis de
un circuito con un diodo empleando sus caractersticas
reales.

Aplicando la ley de voltajes de

Kirchhoff en el sentido de las
manecillas del reloj en el circuito
tenemos:
+E - VD - VR = 0

E = VD + IDR

(1)

Las intersecciones de la recta de carga con las

caractersticas se determinan fcilmente sabiendo que
en cualquier parte del eje horizontal ID = 0 A, y que en
cualquier parte del eje vertical VD = 0 V.

Si establecemos que VD = 0 V en la ecuacin 1:

Si establecemos que ID = 0 en la ecuacin 1:

Una lnea recta trazada entre los dos puntos definir

la recta de carga como se ilustra en la figura
siguiente:

Ahora tenemos una recta de carga definida por la

curva de la red y la curva de las caractersticas
definidas por el dispositivo. El punto de interseccin
entre las dos es el punto de operacin de este circuito.

EJEMPLO 1: Para la configuracin del diodo en serie

de la figura (a), que emplea las caractersticas de la
figura (b), determine:
a. VDQ e IDQ
b. VR.

EJEMPLO 2: Repita el ejemplo anterior utilizando el

modelo
equivalente
aproximado
del
diodo
semiconductor de silicio.

EJEMPLO 3: Repita el ejemplo 1 utilizando el modelo

de diodo ideal.