Universidad Tecnolgica de

Guaymas

Materiales Semiconductores

MATERIA
Estructura y propiedades de los materiales

Tcnico Superior Universitario en

Manufactura Aeronutica, rea
Maquinados de Precisin

Presenta:

Lpez Manrquez Karen Denisse

Gradilla Cervantes Jesus Daniel

Guaymas, Sonora
Introduccin

Diciembre, 2015

En esta investigacin veremos principalmente lo que son los materiales

semiconductores.
Los semiconductores son elementos que tienen una conductividad elctrica
inferior a la de un conductor metlico pero superior a la de un buen aislante para
entenderlo mejor como la misma palabra indica, no son buenos conductores, pero
tampoco son aislantes. Podemos definir los semiconductores como aquellos
materiales que se comportan como conductores, solo en determinadas
condiciones. Por eso se dice que estn en un punto intermedio entre los
conductores y los aislantes.
Por ejemplo, hay materiales que a partir de una cierta temperatura son
conductores, pero por debajo, son aislantes. En electrnica son muy importantes
los semiconductores, ya que muchos componentes se fabrican con ellos. Esta
capacidad de conducir corriente puede ser controlada mediante la introduccin en
el material de tomos diferentes al del semiconductor, denominados impurezas.
Cuando un semiconductor posee impurezas se dice que est dopado.
Pero a medida que se eleva la temperatura o bien por la adiccin de determinadas
impurezas resulta posible su conduccin.

Describir la estructura atmica de los semiconductores asignados: Silicio,

Boro y Carbono.
Silicio: Semiconductor intrnseco.
El tomo del Silicio tiene tantas cargas positivas en el ncleo, como electrones en
las orbitas que lo rodean. Estos tomos forman una red cristalina, en la que cada
tomo comparte sus cuatro electrones de valencia con los cuatro tomos vecinos,
formando enlaces covalentes. A temperatura ambiente, algunos electrones de
valencia absorben suficiente energa calorfica para librarse del enlace covalente y
moverse a travs de la red cristalina, convirtindose en electrones libres. La
estructura atmica es representada por la siguiente imagen.

Estructura del Silicio

Boro:
Es un metaloide. Mal conductor a temperatura ambiente, es trivalente, puede
formar 3 enlaces, debido a que tiene vacantes de electrones en el orbital externo,
lo que le proporciona una apetencia de electrones. El Boro forma enlaces
covalentes. La estructura atmica se muestra en la siguiente imagen.

Estructura del Boro

Carbono:
El tomo de carbono constituye el elemento esencial de toda la qumica orgnica,
y debido a que las propiedades qumicas de elementos y compuestos son
consecuencia de las caractersticas electrnicas de sus tomos y de sus
molculas, es necesario considerar la configuracin electrnica del tomo de
carbono para poder comprender su singular comportamiento qumico. Se trata del
elemento de nmero atmico Z = 6. Por tal motivo su configuracin electrnica en
el estado fundamental o no excitado es 1s 2 2s2 2p2. Su estructura atmica es
representada por la siguiente imagen.

Estructura del Carbono.

Describir las caractersticas bsicas de semiconductores extrnsecos e

intrnsecos.

Caractersticas de un semiconductor intrnsecos.

Es un semiconductor hecho por uno solo un tipo de tomo.

Se encuentra en estado puro.
Cuando se aumentan la temperatura a un semiconductor de este tipo

algunos enlaces covalentes se rompen.

A temperatura ambiente se comportan como un aislante, porque tiene

pocos electrones libres y huecos debidos a su energa trmica.

Son aquellos materiales que presentan una conductividad nula a bajas

temperaturas.
Poseen 4 electrones en su rbita de valencia.
Tienen estructura cristalina.
Caractersticas de un semiconductor extrnsecos.

Se

semiconductores puros
A estas impurezas se le llaman dopantes
Reduce enormemente la resistividad del mismo.
Posee elementos trivalentes o pentavalentes

forma

aadiendo

pequeas

cantidades

de

impurezas

los

Describir el comportamiento de los semiconductores tipo P y N.

Para mejorar la conductividad elctrica de los semiconductores, se utilizan
impurezas aadidas voluntariamente. Esta operacin se denomina dopado,
utilizndose dos tipos:
Impurezas pentavalentes. Son elementos cuyos tomos tienen cinco electrones
de valencia en su orbital exterior. Entre ellos se encuentran el fsforo, el antimonio
y el arsnico.
Impurezas trivalentes. Son elementos cuyos tomos tienen tres electrones de
valencia en su orbital exterior. Entre ellos se encuentran el boro, el galio y el indio.
Cuando un elemento con cinco electrones de valencia entra en la red cristalina del
silicio, se completan los cuatro electrones de valencia que se precisan para llegar
al equilibrio y queda libre un quinto electrn que le hace mucho mejor conductor.
De un semiconductor dopado con impurezas pentavalentes se dice que es de tipo
N.

Tipo N.

Semiconductor Tipo P

Es un semiconductor que emplea tomos trivalentes es decir que tienen 3

electrones de valencia como por ejemplo el Boro (B), indio (In) o Galio (Ga) y se
introduce este tomo en el material dejando un hueco donde debera ir un electrn
este hueco se mueve fcilmente por la estructura como si fuera un portador de
carga positiva. De un semiconductor dopado con impurezas trivalentes se dice que
es de tipo P.

Tipo P.

Describir las propiedades bsicas de los semiconductores con uniones PN

Unin PN Cuando a un material semiconductor se le introducen impurezas de tipo

P por un lado e impurezas tipo N por otro, se forma una unin PN. Los electrones
libres de la regin N ms prximos a la regin P se difunden en sta,
producindose la recombinacin con los huecos ms prximos de dicha regin.
En la regin N se crean iones positivos y en la regin P se crean iones negativos.
Por el hecho de formar parte de una red cristalina, los iones mencionados estn
interaccionados entre s y, por tanto, no son libres para recombinarse. Por todo lo
anterior, resulta una carga espacial positiva en la regin N y otra negativa en la
regin P, ambas junto a la unin. Esta distribucin de cargas en la unin establece
una barrera de potencial que repele los huecos de la regin P y los electrones de
la regin N alejndolos de la mencionada unin.

Una unin PN no conectada a un circuito exterior queda bloqueada y en equilibrio

electrnico a temperatura constante.

Unin PN.

Describir el concepto de superconductividad.

Es la capacidad intrnseca que poseen ciertos materiales para conducir corriente
elctrica con resistencia y prdida de energa cercanas a cero en determinadas
condiciones. La superconductividad es una fase de ciertos materiales que se da
normalmente a bajas temperaturas.
De una forma muy sencilla, uno puede pensar que en general la materia slida
est compuesta por una red de tomos que oscilan y que los electrones se
mueven sobre esta red, sobre todo los electrones que estn ms alejados de los
ncleos de los tomos. A altas temperaturas las oscilaciones de la red son muy
grandes y los electrones chocan continuamente con estos tomos produciendo
resistencia a su movimiento.
A medida que bajamos la temperatura las oscilaciones de los tomos disminuye y
la resistencia al movimiento tambin; y por debajo de una temperatura crtica
propia del material (Tc) los electrones ya no chocan con los tomos que forman la
red y se mueven libremente por l, es decir ya no hay ninguna resistencia a su
paso. El material se convirti en superconductor.

Describir

las caractersticas fsicas y elctricas de los materiales

superconductores.

Los superconductores son materiales que, a cierta temperatura, tienen el mximo

grado de eficiencia para conducir corriente elctrica. La mayora de las
propiedades fsicas de los superconductores varan de un material a otro, tales
como la capacidad calorfica y la temperatura crtica a la que se destruye la
superconductividad.
Por otro lado, hay una clase de propiedades que son comunes a todos ellos. Por
ejemplo, todos los superconductores tienen exactamente resistividad cero a
pequeas corrientes aplicadas cuando no hay campo magntico. La existencia de
estas propiedades implica que la superconductividad es una fase termodinmica,
y, por tanto, posee ciertas propiedades distintivas que son independientes de los
detalles microscpicos.
La aparicin del superdiamagnetismo es debida a la capacidad del material de
crear supercorrientes . stas son corrientes de electrones que no disipan energa,
de manera que se pueden mantener eternamente sin obedecer el Efecto Joule de
prdida de energa por generacin de calor.
Las corrientes crean el intenso campo magntico necesario para sustentar el
efecto Meissner. Estas mismas corrientes permiten transmitir energa sin gasto
energtico, lo que representa el efecto ms espectacular de este tipo de
materiales. Debido a que la cantidad de electrones superconductores es finita, la
cantidad de corriente que puede soportar el material es limitada. Por tanto, existe
una corriente crtica a partir de la cual el material deja de ser superconductor y
comienza a disipar energa.

Conclusin

De la investigacin que se llev a cabo para la realizacin de este tema podemos

comentar que la superconductividad es una de las mejores caractersticas que
pueda

tener

un

material

ya

que

estos

materiales,

denominados

"superconductores", cuando son sometidos a una temperatura mayor que una

cierta temperatura crtica presentan alta resistencia, por lo general mucho mayor
que un conductor normal y de esta manera decimos que el material se encuentra
en su "estado normal". Por el contrario, por debajo de la temperatura crtica
presentan un fenmeno en el cual la resistencia elctrica disminuye rpidamente
hasta llegar a cero, decimos entonces que el material se encuentra en su "estado
superconductor".
Por otra parte la corriente elctrica de un semiconductor se debe al movimiento
de huecos y electrones y como ya se sabe un semiconductor es un componente
que no es directamente un conductor de corriente, pero tampoco es un aislante.
Los semiconductores tienen una conductividad elctrica inferior a la de un
conductor metlico pero superior a la de un buen aislante.
Son materiales cuya conductividad varia con el campo elctrico o magntico, la
radiacin, la presin o la temperatura en que se encuentre, es decir slo conduce
la corriente bajo determinadas circunstancias, y evita el paso de ella en otras.
Al final un superconductor sabemos que si sube o baja la temperatura seguir
conduciendo electricidad tal vez no en la misma magnitud pero lo ara, mientras los
semiconductores solo conducirn la corriente bajo algunas circunstancias y en
otras

sabemos

semiconductores

que

estos

se

convertirn

en

aislantes.

Adems

los

generalmente a estos se le introducen tomos de otros

elementos, denominados impurezas, de forma que la corriente se deba

primordialmente a los electrones o a los huecos, dependiendo de la impureza
introducida.

Bibliografa
Teora de semiconductores. Mask ing. 2005. 10 de diciembre del 2015.
http://www.ifent.org/lecciones/semiconductor/default.as

Estructura atmica de los semiconductores. Word presa.10 diciembre del 2015

https://ticircuitosanlogicos.wordpress.com/fundamentos-de-electricidad-ymagnetismo/estructura-atomica-de-elementos-semiconductores/

Semiconductores y superconductores. Garzn Muoz Jos Luis. 6 de agosto de

2006. 10 de diciembre del 2015.
http://es.slideshare.net/elafrodiciaco/superconductores-y-semiconductores-2

Estructura atmica del silicio. Scrib. 10 de diciembre del 2015.

https://es.scribd.com/doc/77478780/Estructura-Atomica-Del-Silicio

Superconductividad. FES. 10 de diciembre del 2015

https://alojamientos.uva.es/guia_docente/uploads/2013/469/45770/1/Documento42
.pdf