GUA DE PRCTICA No.

9
Tema:
DISEO DE AMPLIFICADOR ES EN LA CONFIGURACIN COLECTOR
COMN.
1. Objetivos:

Verificar las caractersticas de funcionamiento del amplificador Colector Comn

diseado por el estudiante, para que cumpla con una ganancia de corriente definida.
Comparar resultados calculados, simulados y medidos.

2. Materiales y Equipos.
Materiales:
Transistores
Resistencias
Capacitores
Cables
Protoboard
Herramientas:
Multmetro
Fuente de corriente continua
Generador de seales
Osciloscopio
3. Procedimiento
3.1.1. Armar el circuito amplificador Colector Comn diseado
3.1.2. Verificar el punto de operacin.
3.1.3.Verificar la ganancia de voltaje del amplificador.
3.1.4.Verificar la ganancia de corriente del amplificador.
3.1.5.Verificar la impedancia de entrada.
3.1.6.Verificar la impedancia de salida.
3.1.7.Realizar el cuadro con los resultados obtenidos y comparar con los calculados y
simulados.
4. Bibliografa.
1* Boylestad L. Robert, Nashelsky Louis, Electrnica: Teora de circuitos y dispositivos
electrnicos, 2009, Espaol, Prentice Hall.

DEPARTAMENTO DE SISTEMAS ELECTRNICOS

ELECTRNICA I
TRABAJO PREPARATORIO
LABORATORIO No. 9
Tema de la prctica: DISEO DE AMPLIFICADORES EN LA COLECTOR COMN.
Realizado por:
1. Objetivos:
1.1 Verificar el funcionamiento del amplificador Colector Comn diseado,
1.2 Comparar resultados calculados, simulados y medidos.
2. Disear un amplificador en la configuracin Colector Comn que cumpla con una
ganancia de corriente especfica y realizar las siguientes actividades:

DATOS:
Todos los datos se obtuvieron del datasheet:

min =40
tipico=100
V CE =40 V
max

max=300

Ic max =200 mA

PCE =625 mW
max

V o=3 sen wt V
V =3 sen wt V

R L=560

f min=1 KHz

f max=20 KHz

Condiciones de diseo:

Condiciones para que no exista recorte:

1. I E ( R E R L ) Vinp
+V SAT
2.V CE Vop
3.V CE 6

De la primera condicin se tiene que:

V +
( R E R L )
I E

V +
( R E R L )
VE

RE

V +
R
( R E R L ) E
VE
Tenemos 3 posibilidades para el valor de las resistencias entonces comparamos

R E con R L :

1.

R E=R L R E =560

2.

R E R L R E=56

3.

R E R L R E=5.6 k

Con

R E=560

V +
R
( R E R L ) E
VE

VE

3V
560
(560 560 )

VE6V
Para el diseo se utilizar la condicin de tolerancia del 20%:

V E =61.2
V E =7.2 V

I E=

VE
RE

I E=

7.2 V
560

I E =12.86 mA

Con

R E=56

V +
R
( R E R L ) E
VE

VE

3V
56
(56 560 )

V E 3.3 V
Para el diseo se utilizar la condicin de tolerancia del 20%:

V E =3.3 V1.2

V E =3.96 V

I E=

VE
RE

I E=

3.96 V
56

I E =70.71mA

Con

R E=5.6 k

V +
R E
( R E R L )
VE

VE

3V
5.6 k
(560 5.6 k)

V E 33 V

Para el diseo se utilizar la condicin de tolerancia del 20%:

V E =33 V1.2

V E =39.6 V

I E=

VE
RE

I E=

39.6 V
5.6 k

I E =7.07 mA

Con

R E=56 tenemos la corriente I E muy alta.

Con

R E=5.6 k

tenemos un voltaje de emisor

VE

muy elevado lo que provoca un

V CC ms grande el cual no nos permite experimentar con las fuentes del laboratorio.
Por esta razn en el diseo se implementar la condicin

RC =R L RC =560 :

R E=560
V E =7.2 V
I E =12.86 mA
Luego:

I B 0
I E =I C
I C =12.86 mA

Para tener un divisor de tensin

I 2 I Bmax

de esta manera se logra que no dependa de los

parmetros del transistor.

I C = I B

Para que

I B sea mximo debe ser mnimo entonces usamos el min de las especificaciones

I Bmax=

IC
min

I Bmax=

12.86 mA
40

I B=321.5 A

 I 2=10I B =10321.5 A
I 2 =3.22mA
Voltaje en la Base:

V B =V BE +V E
V B =0.7 V +7.2
V B =7.9V

R B 2=

RB 2 =

VB
I2

7.9 V
3.22 mA

RB 2 =2453
Valores comerciales cercanos: 2.2k, 2.7k
En la base se toma el valor de resistencia menor para que aumente la corriente:

Analizando la malla de salida :

V CC +V CE +V E =0
V CC =V E +V CE
En la segunda condicin se tiene:

V CE V op+ V SAT
V CE 3V + 3V
V CE 6 V
V CE =1.26 V
V CE =7.2V

R B 2=2.2 k

V CC =7.2V +7.2 V
V CC =14.4 V
Necesitamos verificar que la ganancia de corriente sea igual a 3:

A I=

3=

A V Zin
RL

1Zin
1.8 K

Zin=5.4 K
Se observa que necesitamos una impedancia de entrada de 5.4K

Zin=Rth ZinT
r e +(R E |R L ) )
Zin T =( hfe+1 )
26 mV
+(1.8 K|1.8 K ) )
5.33 mA
ZinT =( 40+1 )
Zin T =37.1 K
Zin=

RthZinT
Rth + Zin T

Rth =

ZinZin T
Zin T Zin

Rth =

5.4 K37.1 K
37.1 K5.4 K

Rth=5160
Rth =

RB 1RB 2
R B 1 + RB 2

RB 1 =

R thRB 2
R B 2Rth

RB 1 =

51607744
77445160

RB 1 =15464

15 k
RB 1 =15464
18 k

Clculo de los Capacitores:

X CB =

1
2 f min C

X CB Zin
max

Zin

CB

1
2 f min C B
1
2 (1000)(5.4 K)

C B 0.0294 uF
C B=0.294 uF

Utilizaremos un capacitor comercial de 1uF.

Para mejorar la seal de salida en relacin a la de entrada utilizaremos un capacitor de 100uF.

Si

X CC R L
max

, entonces:

CC

1
2 ( 1000 Hz ) ( 1.8 K )

CC 0.0884 uF

C c 0.884 uF

Utilizaremos un capacitor comercial de 1uF.

Para mejorar la seal de salida en relacin a la de entrada utilizaremos un capacitor de 100uF.

2.1. Calcular el punto de operacin del transistor.

=161

Equivalente Thevenin

V TH =

V TH =

V ccR B 2
R B 1+ R B 2

14.4 V2.2 K
2.2 K+2.2 K

V TH =7.2 V

RTH =

R B 1R B 2
R B 1+ R B 2
RTH =

2.2 K2.2 k K
2.2 K+2.2 k K

RTH =1.1 K

V TH + I BRTH +V BE +I ER E=0
I E =I B+ I C
I E =I B+ I B
I E =I B(1+ )

V th + RthI B +V BE + R EI B(1+ )=0

I B=

I B=

V th V BE
Rth + ( 1+ )R E

7.2V 0.7 V
1.1 K +(162560 )
I B=70.8 uA
I C =I B
I C =16112.33 uA
I C =11.39 mA
I E =I B+ I C
I E =11.46 mA
V E =I ER E

V E =11.46 mA560
V E =6.41 V

V B =V E +V E
V B =1.12+ 0.7
V B =7.11 V
V C =V cc
V C =14.4 V
V CE =V C V E
V CE =19 V 6.77 V
V CE =8 V

2.2. Calcule Zin, Zo, Av, AI.

Desarr o llo del modelo deltransistor :

i c =hfe ib

i
h fe= c = =161
ib

hie =( h fe +1 ) r e

re=

26 mV
26 mV
=
=2.26
IE
11.46 mA

Ganancia de voltaje:

AV =

Vo
Vin

R E|R L )i E
V o=
RE |R L )
Vin=ibhie+ ie

R E|R L )i E

R E|R L )
ibhie+ie

A V =
R E |R L ) (hfe+ 1)

R E |R L ) (hfe+ 1)
ib( hfe+1)+ib
ib
AV =
560|560 )

560|560 )
2.26+

AV =
A V =0.99
Impedancia de entrada:

Zin=Rth ZinT
Vin
Zin T = T
T

RE |R L )

ib( hfe+1 )r e +ib( hfe+1 )

ZinT =
r e +(R E |R L ) )
Zin T =( hfe+1 )
Zin T =( 161+1 )( 2.26 +280 )
Zin T =45.72 k
Zin=Rth ZinT
Zin=1.1 k 45.72 k
Zin=1.07 K

Ganancia de corriente:

A I=

io
i

Vo
R
A I= L
Vin
Zin
Vo
Zin
Vin
A I=
RL
A I=

A V Zin
RL

A I=

0.991.07 k
560

A I =1.89

Impedancia de salida:
'

Z o =RE Z o
Z 'o =

Vo ' ibhie ib(hfe+1)

=
=
io '
ie
ib(hfe+1)

Z 'o =
Z 'o =2.26
Z o =560 2.26
Z 0 =2.25

2.3. Grafique el diagrama de voltajes.

2.4. Verifique el punto de operacin.

VB

%error=

VsimuladoVmedido
100
Vmedido

%error=

7.128.2
100
8.2

%error=9.5

VE

%error=

VsimuladoVmedido
100
Vmedido
%error=

6.397.2
100
8.2

%error=9.76

VC

%error=

VsimuladoVmedido
100
Vmedido

%error=

14.414.4
100
14.4

%error=0

VCE

%error=

VsimuladoVmedido
100
Vmedido

%error=

8.018.2
100
8.2

%error=2.3

2.5. Verifique la ganancia de voltaje del amplificador.

Vin

Vo

Comparacin

AV =
AV =

Vo
V

2.97
3

A V =0.99

Vin

Vo

AV =

Vo
V
AV =

3
3.04

A V =0.98
%error=

VsimuladoVmedido
100
Vmedido

%error=

0.990.98
100
0.98

%error=0.0032

2.6. Verifique la ganancia de corriente del amplificador.

iin

io

A i=
A i=

io
i

3.73
1.97

A i=2
iin

io

A i=
A i=

io
i

3.68
1.83

A i=2.01
%error=

VsimuladoVmedido
100
Vmedido

%error=

22.01
100
2.01

%error=0.54

2.7. Verifique la impedancia de entrada.

Sabemos que la seal de entrada tiene un pico de 3v

Conectamos en serie al primer capacitor al capacitor de la base de la siguiente forma y

medimos el voltaje sobre el circuito, vamos variando la resistencia, comprobaremos que
el voltaje se reducir a la mitad cuando el valor de la resistencia sea igual a la
impedacncia de entrada Zin

Z =1.07 K

En la practica pudimos constatar que efectivamente el voltaje se redujo a la mitad

cuando la impedancia conectada era de 1.07K

Z =1.07 K

%error=

VsimuladoVmedido
100
Vmedido

%error=

1.071.07
100
1.07

%error=0

2.8. Realizar el cuadro con los resultados obtenidos.

VOLTAJES
Valor calculado
Valor simulado
Valor medido

VE
6.41
6.39
7.2

VB
7.11
7.12
8.2

VC
14.4
14.4
14.4

VCE
8
8
8.2

Av
0.99
0.99
0.99

AI
1.89
1.89
2

Zin
1.07K
1.07K
1k

Zo
2.25
2.25
2.5