LABORATORIO DE LGICA

CAPTULO V

CAPTULOV.- TIRISTORES

1.-Objetivo
El objetivo principal es desarrollar un conocimiento prctico de los dispositivos semiconductores
potencia, utilizacin y forma de emplear sus configuraciones en determinas aplicaciones.
2.- Introduccin
Un tiristor es uno de los tipos ms importantes de los dispositivos semiconductores de potencia.
Los tiristores se utilizan en forma extensa en los circuitos electrnicos de potencia. Se operan
como conmutadores vi estables, pasando de un estado no conductor a un estado conductor. Para
muchas aplicaciones se puede suponer que los tiristores son interruptores o conmutadores ideales,
aunque los tiristores prcticos exhiben ciertas caractersticas y limitaciones.
Se describir el funcionamiento de algunos componentes bsicos:
TRIAC
SCR.
DIAC
3.-Marco terico
3.1.- Tiristores:
Un tiristor es dispositivo semiconductor de cuatro capas de estructura pnpn con tres uniones pn y
con tres terminales: nodo, ctodo y compuerta. La figura 1, muestra el smbolo del tiristor y una
seccin recta de tres uniones pn. Los tiristores se fabrican por difusin.
Cuando el voltaje del nodo se hace positivo con respecto al ctodo, las uniones J1 y J3 tienen
polarizacin directa o positiva. La unin J2 tiene polarizacin inversa y solo fluir una pequea
corriente de fuga del nodo al ctodo. Se dice entonces que el tiristor est en condicin de
bloqueo directo o en estado desactivado llamndose a la corriente fuga corriente de estado
inactivo ID. Si el voltaje nodo a ctodo VAK se incrementa a un valor lo suficientemente
grande, la unin J2 polarizada inversamente entrar en ruptura. Esto se conoce como ruptura por
avalancha y el voltaje correspondiente se llama voltaje de ruptura directa VBO. Dado que las
uniones J1 y J3 ya tienen polarizacin directa, habr un movimiento libre de portadores a travs

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de las tres uniones que provocar una gran corriente directa del nodo. Se dice entonces que el
dispositivo est en estado de conduccin o activado.

Figura 1.- Smbolo del tiristor y tres uniones pn

La cada de voltaje se deber a la cada hmica de las cuatro capas y ser pequea, por lo comn
1 V. En el estado activo, la corriente del nodo est limitada por una impedancia o una resistencia
externa, RL, tal y como se muestra en la figura 2a.
La corriente del nodo debe ser mayor que un valor conocido como corriente de enganche IL, a
fin de mantener la cantidad requerida de flujo de portadores a travs de la unin; de lo contrario,
al reducirse el voltaje del nodo al ctodo, el dispositivo regresar a la condicin de bloqueo. La
corriente de enganche, IL, es la corriente del nodo mnima requerida para mantener el tiristor en
estado de conduccin inmediatamente despus de que ha sido activado y se ha retirado la seal de
la compuerta. En la figura 2b, aparece una grfica caracterstica VI comn de un tiristor.

a.)

b.)
4

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Figura 2.-Circuito tiristor y caracterstica VI

Una vez que el tiristor es activado, se comporta como un diodo en conduccin y ya no hay
control sobre el dispositivo. El tiristor seguir conduciendo, porque en la unin J2 no existe una
capa de agotamiento de vida a movimientos libres de portadores. Sin embargo si se reduce la
corriente directa del nodo por debajo de un nivel conocido como corriente de mantenimiento IH,
se genera una regin de agotamiento alrededor de la unin J2 debida al nmero reducido de
portadores; el tiristor estar entonces en estado de bloqueo. La corriente de mantenimiento es del
orden de los mA y es menor que la corriente de enganche, IL. Esto significa que IL>IH . La
corriente de mantenimiento IH es la corriente del nodo mnima para mantener el tiristor en
estado de rgimen permanente. La corriente de mantenimiento es menor que la corriente de
enganche.
Cuando el voltaje del ctodo es positivo con respecto al del nodo, la unin J2 tiene
polarizacin directa, pero las uniones J1 y J3 tienen polarizacin inversa.
Esto es similar a dos diodos conectados en serie con un voltaje inverso a travs de ellos. El
tiristor estar en estado de bloqueo inverso y una corriente de fuga inversa, conocida como
corriente de fuga inversa IR, fluir a travs del dispositivo.

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3.2.- Modelo de tiristor de dos transistores

La accin regenerativa o de enganche de vida a la retroalimentacin directa se puede demostrar
mediante un modelo de tiristor de dos transistores. Un tiristor se puede considerar como dos
transistores complementarios, un transistor PNP, Q1, y un transistor NPN, Q2, tal y como se
demuestra en la figura 3.
La corriente del colector IC de un tiristor se relaciona, en general, con la corriente del emisor IE y
la corriente de fuga de la unin colector-base ICBO, como
Ic =

IE + ICBO (1)

IIIC1 =

1 IA + ICBO1

(2)

a) Estructura bsica

b) Circuito equivalente

Figura 3.-Modelo de tiristor de dos terminales.

Donde alfa1 es la ganancia de corriente y ICBO1 es la corriente de fuga para Q1. En forma
similar para el transistor Q2, la corriente del colector IC2 es:
IC2 = 2IK + ICBO2 (3)
Donde

2 es la ganancia de corriente y ICBO2 es la corriente de fuga correspondiente a Q2. Al

combinar IC1 e IC2, se obtiene:

IA = IC1 + IC2 =

1IA + ICBO1 +

2IK + ICBO

(4)

Pero para una corriente d compuerta igual AIG, IK=IA+IG resolviendo la ecuacin anterior en
funcin de IA se tiene:
6

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IA =

CAPTULO V

2 IG + ICBO1 + ICBO2 (5)

3.3 Activacin del tiristor

Un tiristor se activa incrementando la corriente del nodo. Esto se puede llevar a cabo mediante
una de las siguientes formas.
Trmica. Si la temperatura de un tiristor es alta habr un aumento en el nmero de pares
electrn-hueco, lo que aumentar las corrientes de fuga. Este aumento en las corrientes har que 1
y 2 aumenten. Debido a la accin regenerativa (1 + 2) puede tender a la unidad y el tiristor
pudiera activarse. Este tipo de activacin puede causar una fuga trmica que por lo general se
evita.
Luz. Si se permite que la luz llegue a las uniones de un tiristor, aumentaran los pares electrnhueco pudindose activar el tiristor. La activacin de tiristores por luz se logra permitiendo que
esta llegue a los discos de silicio.
Alto voltaje. Si el voltaje directo nodo a ctodo es mayor que el voltaje de ruptura directo
VBO, fluir una corriente de fuga suficiente para iniciar una activacin regenerativa. Este tipo de
activacin puede resultar destructiva por lo que se debe evitar.
dV/dt.

Si la velocidad de elevacin del voltaje nodo-ctodo es alta, la corriente de carga de

las uniones capacitivas puede ser suficiente para activar el tiristor. Un valor alto de corriente de
carga puede daar el tiristor por lo que el dispositivo debe protegerse contra dV/dt alto. Los
fabricantes especifican el dV/dt mximo permisible de los tiristores.
Corriente de compuerta.

Si un tiristor est polarizado en directo, la inyeccin de una

corriente de compuerta al aplicar un voltaje positivo de compuerta entre la compuerta y las

terminales del ctodo activar al tiristor. Conforme aumenta la corriente de compuerta, se reduce
el voltaje de bloqueo directo, tal y como aparece en la figura 4 .

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Figura 4.- Efectos de la corriente de compuerta sobre el voltaje de bloqueo directo

3.4.- Tipos de tiristores
Los tiristores se fabrican casi exclusivamente por difusin. La corriente del nodo requiere de un
tiempo finito para propagarse por toda el rea de la unin, desde el punto cercano a la compuerta
cuando inicia la seal de la compuerta para activar el tiristor. Para controlar el di/dt, el tiempo de
activacin y el tiempo de desactivacin, los fabricantes utilizan varias estructuras de compuerta.
Dependiendo de la construccin fsica y del comportamiento de activacin y desactivacin, en
general los tiristores pueden clasificarse en nueve categoras:
a.) Tiristores de control de fase (SCR).
b.)Tiristores de conmutacin rpida (SCR).
c.) Tiristores de desactivacin por compuerta (GTO).
d.) Tiristores de trodo bidireccional (TRIAC).
e.) Tiristores de conduccin inversa (RTC).
f.) Tiristores de induccin esttica (SITH).
g.) Rectificadores controlados por silicio activados por luz (LASCR)

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h.) Tiristores controlados por FET (FET-CTH)

i.)Tiristores controlados por MOS (MCT)

3.5.- Triac
El triac (triode AC conductor) es un semiconductor capaz de bloquear tensin y conducir
corriente en ambos sentidos entre los terminales principales T1 y T2. Su estructura bsica y
smbolo aparecen en la figura 5. Es un componente simtrico en cuanto a conduccin y estado de
bloqueo se refiere, pues la caracterstica en el cuadrante I de la curva UT2-T1 --- iT2 es igual a la
del cuadrante III. Tiene unas fugas en bloqueo y una cada de tensin en conduccin
prcticamente iguales a las de un tiristor y el hecho de que entre en conduccin, si se supera la
tensin de ruptura en cualquier sentido lo hace inmune a destruccin por sobre-tensin.

Figura 5.- Triac, estructura y smbolo

3.6.- Circuito equivalente de un triac
Se puede considerar a un triac como si fueran dos SCR conectados en antiparalelo, con una
conexin de compuerta comn, como se muestra en la figura 6. Dado que el triac es un
dispositivo bidireccional, no es posible identificar sus terminales como nodo y ctodo. Si la
terminal MT2 es positiva con respecto a la terminal MT1, se activar al aplicar una seal negativa
a la compuerta, entre la compuerta y la terminal MT1.
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No es necesario que estn presentes ambas polaridades en las seales de la compuerta y un triac
puede ser activado con una sola seal positiva o negativa de compuerta. En la prctica, la
sensibilidad vara de un cuadrante a otro, el triac normalmente se opera en el cuadrante I (voltaje
y corriente de compuerta positivos) o en el cuadrante III (voltaje y corriente de compuerta
negativos).

Figura 6.- Circuito equivalente

de un triac
Modos de funcionamiento de
un triac
El triac puede ser disparado en
cualquiera de los dos cuadrantes
I y III mediante la aplicacin
entre los terminales puerta y T1 de un impulso positivo o negativo. Esto le da una facilidad de
empleo grande y simplifica mucho el circuito de disparo. A continuacin se vern los fenmenos
internos que tienen lugar en los cuatro modos de disparo posibles.
Modo I + :

Terminal T2 positiva con respecto a T1.

Intensidad de puerta entrante.

Funcionan las capas P1N1P2N2 como tiristor con emisor en corto circuito, ya que la metalizacin
del terminal del ctodo cortocircuita parcialmente la capa emisora N2 con la P2.
La corriente de puerta circula internamente hasta T1, en parte por la unin P2N2 y en parte a
travs de la zona P2. Se produce la natural inyeccin de electrones de N2 a P2 que es favorecida
en el rea prxima a la puerta por la cada de tensin que produce en P2 la circulacin lateral de
corriente de puerta. Parte de los electrones inyectados alcanzan por difusin la unin P2N1, que
bloquea el potencial exterior, y son acelerados por ella inicindose la conduccin.

Modo I - : Terminal T2 positivo respecto a T1.

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Intensidad de puerta saliente.

El disparo es similar al de los tiristores de puerta de unin. Inicialmente conduce la estructura
auxiliar P1N1P2N3 y luego la principal P1N1P2N2.
El disparo de la primera se produce como un tiristor normal actuando T1 de puerta y P de ctodo.
Toda la estructura auxiliar se pone a la tensin positiva de T2 y polariza fuertemente la unin
P2N2 que inyecta electrones hacia el rea de potencial positivo. La unin P2N1 de la estructura
principal que soporta la tensin exterior, es invadida por electrones en la vecindad de la estructura
auxiliar, entrando en conduccin.
Modo III + : Terminal T2 negativo respecto a T1.
Intensidad de puerta entrante.
El disparo tiene lugar por el procedimiento llamado de puerta remota. Entra en conduccin la
estructura P2N1P1N4.
La inyeccin de electrones de N2 a P2 es igual a la descrita en el modo I +.
Los que alcanzan por difusin la unin P2N1 son absorbidos por su potencial de unin,
hacindose ms conductora. El potencial positivo de puerta polariza ms positivamente el rea de
la unin P2N1 prxima a T1, provocndose una inyeccin de huecos desde P2 a N1 que alcanza
en parte la unin N1P1 encargada de bloquear

la tensin exterior y se produce la entrada en

conduccin.
Modo III - : Terminal T2 negativo respecto a T1.
Intensidad de puerta saliente.
Tambin se dispara por el procedimiento de puerta remota, conduciendo las capas P2N1P1N4.
La capa N3 inyecta electrones en P2 que hacen ms conductora la unin P2N1. La tensin
positiva de T1 polariza el rea prxima de la unin P2N1 ms positivamente que la prxima a la
puerta. Esta polarizacin inyecta huecos de P2 a N1 que alcanzan en parte la unin N1P1 y la
hacen pasar a conduccin.
Los cuatro modos de disparo descritos tienen diferente sensibilidad. Siendo los modo y debe
evitarse su empleo en lo posible.
El fabricante facilita datos de caractersticas elctricas el bloqueo, conduccin y de disparo
por puerta de forma similar a lo explicado para el tiristor. (ver figura 7)

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Figura 7.- Caractersticas V-I de un triac

3.8. SCR
Como su nombre lo indica, el SCR es un rectificador construido con material de silicio con un
tercer terminal para efecto de control. Se escogi el silicio debido a sus capacidades de alta
temperatura y potencia. La operacin bsica del SCR es diferente a la del diodo semiconductor de
dos capas, fundamentalmente, en que un tercer terminal, llamado compuerta, determina cundo el
rectificador conmuta del estado de circuito abierto al de circuito cerrado. No es suficiente slo la
polarizacin directa del nodo al ctodo del dispositivo. En la regin de conduccin la resistencia
dinmica el SCR es tpicamente de 0,01 a 0,1 . La resistencia inversa es tpicamente de 100 k
o ms.
El smbolo grfico para el SCR se muestra en la figura 8, y las conexiones correspondientes a la
estructura de semiconductor de cuatro capas en la figura 9.

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Figura 8: Construccin bsica del SCR

Figura 9.- Smbolo del SCR

3.9.- Caractersticas y Valores Nominales del SCR

En la figura 10, se proporcionan las caractersticas de un SCR para diversos valores de corriente
de compuerta. Las corrientes y voltajes ms usados se indican en las caractersticas.

Figura 10: Caractersticas del SCR

a) Voltaje de ruptura directo V(BR) F* es el voltaje por arriba del cual el SCR entra a la regin
de conduccin. El asterisco (*) es una letra que se agregar dependiendo de la condicin del
terminal de compuerta de la manera siguiente:
O = circuito abierto de G a K

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S = circuito cerrado de G a K
R = resistencia de G a K
V = Polarizacin fija (voltaje) de G a K
b) Corriente de sostenimiento (IH) es el valor de corriente por abajo del cual el SCR cambia del
estado de conduccin a la regin de bloqueo directo bajo las condiciones establecidas.
c.) Regiones de bloqueo directo e inverso, son las regiones que corresponden a la condicin de
circuito abierto para el rectificador controlado que bloquean el flujo de carga (corriente) del
nodo al ctodo.
d.) Voltaje de ruptura inverso, es equivalente al voltaje Zener o a la regin de avalancha del
diodo semiconductor de dos capas fundamental.
3.10 Aplicaciones del SCR
Tiene variedad de aplicaciones entre ellas estn las siguientes:
- relevador.
- Circuitos de retardo de tiempo.
- de alimentacin reguladas.
- estticos.
- Controles de motores.
- Recortadores.
- Inversores.
- Ciclo conversores.
- Cargadores de bateras.
- Circuitos de proteccin.
- Controles de calefaccin.
- Controles de fase.
En la figura 11 a, se muestra un interruptor esttico es serie de medida de media onda. Si el
interruptor est cerrado, como se presenta en la figura 11 b, la corriente de compuerta fluir
durante la parte positiva de la seal de entrada, encendiendo al SCR. La resistencia R1 limita la
magnitud de la corriente de compuerta.
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Cuando el SCR se enciende, el voltaje nodo a ctodo (VF) caer al valor de conduccin, dando
como resultado una corriente de compuerta muy reducida y muy poca prdida en el circuito de
compuerta. Para la regin negativa de la seal de entrada el SCR se apagar, debido a que el
nodo es negativo respecto al ctodo. Se incluye al diodo D1 para prevenir una inversin en la
corriente de compuerta.
Las formas de onda para la corriente y voltaje de carga resultantes se muestran en la figura 11 b.
El resultado es una seal rectificada de media onda a travs de la carga. Si se desea conduccin a
menos de 180, el interruptor se puede cerrar en cualquier desplazamiento de fase durante la parte
positiva de la seal de entrada. El interruptor puede ser electrnico, electromagntico,
dependiendo de la aplicacin.

a)

b)
Figura 11.- Interruptor esttico en serie de media onda

En la figura 12a, se muestra un circuito capaz de establecer un ngulo de conduccin entre 90 y

180. El circuito es similar al de la figura 11a, con excepcin de la resistencia variable y la
eliminacin del interruptor. La combinacin de las resistencias R y R1 limitar la corriente de
compuerta durante la parte positiva de la seal de entrada. Si R1 est en su valor mximo, la
corriente de compuerta nunca llegar a alcanzar la magnitud de encendido. Conforme R1
disminuye desde el mximo, la corriente de compuerta se incrementar a partir del mismo voltaje
de entrada.
De esta forma se puede establecer la corriente de compuerta requerida para el encendido en
cualquier punto entre 0 y 90, como se muestra en la figura 12 b. Si R1es bajo, el SCR se
disparar de inmediato y resultar la misma accin que la obtenida del circuito de la figura 12 b,
el control no puede extenderse ms all de un desplazamiento de fase de 90, debido a que la
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entrada est a su valor mximo en este punto. Si falla para disparar a ste y a menores valores del
voltaje de entrada en la pendiente positiva de la entrada, se debe esperar la misma respuesta para
la parte de pendiente negativa de la forma de onda de la seal.
A esta operacin se le menciona normalmente en trminos tcnicos como control de fase de
media onda por resistencia variable. Es un mtodo efectivo para controlar la corriente rms y, por
tanto, la potencia se dirige hacia la carga.

a)

b)

Figura 12.- Control de fase de resistencia variable de media onda

3.11.- Diac
El diac es bsicamente una combinacin paralela inversa de dos terminales de capas de
semiconductor que permite el disparo en cualquier direccin. Las caractersticas del dispositivo
presentadas en la figura 13 a, muestra claramente que hay un voltaje de ruptura en ambas
direcciones. Esta posibilidad de una condicin de encendido en cualquier direccin puede usarse
el mximo para ampliaciones en ac.

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Figura 13.- DIAC. a) caractersticas

b) construccin bsica.

En la figura 13b, se observa el acomodo bsico de las capas del semiconductor del diac,
junto con su smbolo grafico. Obsrvese que ningn terminal est mencionado como ctodo; en
vez de ello hay un nodo 1 (o elctrodo1) y un nodo 2 (electrodo 2). Cuando el nodo 1 es
positivo con respecto al nodo 2, las capas del semiconductor de inters particular son P1 N2 P2
y N3. Para el nodo 2 positivo respecto al nodo 1, las capas aplicables son P2 N2 P1 y N1. para
las unidades que aparecen en la figura 13, los voltajes de rupturas estn muy cercanos en
magnitud, pero puede variar de un mnimo de 28 VA un mximo de 42 V. Estn relacionados por
la siguiente ecuacin proporcionada en la hoja de especificaciones.

Los niveles de corriente (IBR1 e IBR2) tambin estn muy cercanos en magnitud para cada
dispositivo. Para la unidad de la figura 13, ambos niveles de corriente son de cerca de 200 A=
0,2 mA.
En la figura 14, aparece el uso de un diac en un detector de proximidad. Observe el uso del SCR
en serie con la carga y el transistor monounin programable conectado directamente con el
electrodo sensor.

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Figura 14.-Detector de proximidad o interruptor de tacto

Cuando el cuerpo humano se acerca al electrodo sensor se incrementa la capacitancia entre el
electrodo y la tierra. El UJT programable (PUT) es un dispositivo que se disparar (entra al
estado de circuito cerrado) cuando el voltaje del nodo (Va) sea al menos 0,7 V (para que el
silicio) mayor que el voltaje de compuerta (Vg). Antes del que el dispositivo programable se
encienda, el sistema es bsico como se muestra en la figura 15.
Conforme el voltaje de entrada se eleva, el voltaje del diac Vg lo seguir, como se muestra en la
figura, hasta que llegue al potencial de disparo; entonces encender, el voltaje del diac caer
drsticamente.

Figura 15.- Efecto del elemento capacitivo en el comportamiento del detectector de proximidad.
Obsrvese que el diac est en un estado de circuito abierto hasta que dispara. Antes de
que se introduzca el elemento capacitivo, el voltaje Vg ser el mismo que el de la entrada. Como
se indica en la figura, debido a que Va y Vg siguen a la entrada, Va nunca puede ser mayor que
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Vg en 0,7 V y encender al dispositivo. Sin embargo, conforme se introduce el elemento

capacitivo, el voltaje Vg comenzar atrasarse respecto al voltaje de entrada por un ngulo cada
vez mayor, como se indica en la figura. Existe, por tanto, un punto establecido donde Va puede
exceder a Vg en 0,7 V y causar que se dispare el dispositivo programable. En este punto se
establece una alta corriente a travs del PUT, elevando el voltaje Vk y encender al SCR.
entonces existir una gran corriente del SCR a travs de la carga reaccionando a la presencia de la
persona que se aproxima .
4.- Parte prctica
4.1.-Ejercicios resueltos
4.1.1 Regulador de luminosidad de una lmpara utilizando triac y diac
Este circuito es simple y demuestra el tipico empleo del triac como regulador de potencia en este
caso transformada en lumnica. La figura 16 muestra el circuito y los componentes a utilizar. En
este casso se usa la red como fuente de alimentacin, el conjunto de doble condensadores para
prevenir la histresis por efecto de la descarga en el disparo del triac, a variar el potencimetro la
lmpara ira aumentando o disminuyendo la luminosidad dependiendo del giro del mismo.

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Figura 16 Circuito Regulador de luminosidad de una lmpara

Listado de materiales:
1 resistencia de 10 k
1 potencimetro de 100 k
2 resistencia de 5 k
2 condensadores de 47 Pf
2 diac
1 potencimetro de 100 k
1 bombillo de 300 W / 110 V
4.1.2.- Regulador de luminosidad utilizando triac
Es bsicamente el mismo principio de funcionamiento del circuito de la figura 16 solo que este
circuito no posee un diac , el circuito se muestra en la figura 17.

Figura 17.- Regulador de luminosidad de una lmpara

Lista de materiales:
2 resistencias de 100
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2 condensadores de 68 Nf
1 diac BT136
1 potencimetro de50 k
1 bombillo de 300 W / 110 V

4.1.2.- Alarma para automviles con SCR.

En los automviles cuando se abre la puerta se enciende una lmpara esta lmpara esta
alimentada directamente a un positivo lo que quiere decir que cuando se abre la puerta se cierra
el circuito mediante un switch el funcionamiento del circuito es como se menciona a
continuacin: Cuando se abre la puerta llega , un cero a la compuerta NAND, esta tendr como
salida un 1 lgico cual activar al SCR, este entrar en conduccin y perder el control de la
compuerta lo que significa que aunque se cierre la puerta otra vez la alarma seguir activada, solo
se desactivar realizando un reset.
En la figura 18 se muestra la alarma para automviles con SCR en estado normal los switch en
Vcc simulan que las puertas estan cerradas y las 2 tierras simulan que cualquiera de las dos
puertas ha sido abierta.
La figura 19 muestra la alarma para automviles con SCR con una de las puertas abiertas. En esta
figura se indica que la alarma se encendio cuando se abrio una de las puertas del automvil

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Figura 18.- Alarma para automviles con SCRen estado normal

Listado de componentes.

Figura 19.- Alarma para automviles cor scr con una de las puertas abiertas

En la figura 20 se muestra que aunque se cierre la puerta la alarma seguir activada.

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Figura 20.- Alarma para automviles ya activada

En la figura 21 se muestra que la alarma esta desactiva porque se ha realizado un reset

Figura 21 Alarma para automviles desactivada al realizar un reset

.
4.1.3.-

Probador de SCR

Este circuito funciona de la siguiente manera:

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Cuando el SCR est en buen estado prender el led nmero 1 como se muestra en la figura 22 ya
que al habilitar al SCR se polariza directamente al led 1 porque entra en conduccin, se
comporta como un diodo y dejar pasar solo la parte positiva de la onda.
Cuando el SCR est daado puede

ser de dos maneras, puede estar en abierto donde no

encender ninguno de los leds y puede estar cortocircuitado en donde encendern los dos led
porque pasaran tanto las onda positiva como la negativa.

Figura 22.- Probador de SCR

Listado de materiales:
1 diodo 1N4001
1 condensador de 100 nF
3 resistencias de 1 k
1 resistencia de 100
2 diodos led
1 triac
4.2.- Ejercicios propuestos
4.2.1.- Sensor de temperatura con alarma

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En figura 23 se muestra el sensor de temperatura con alarma, el sensor es un NTC que a una
temperatura ambiente debe tener una resistencia entre 20 k y 100 k. El ajuste de la sensibilidad se
efecta en p1, el rel tiene una bobina de acuerdo con la tensin de alimentacin.

Figura 23.- Sensor de temperatura con alarma

4.2.2.- Interruptor de onda completa con SCR
El cierre de S1 permite la aplicacin de toda la potencia de la red en L1 que tiene por lmite para
el SCR, los SCR deben utilizarse con disipador de calor y la corriente en el switche viene dada
por la resistencia de 330 k es decir, pasa una corriente mnima
Listado de materiales:
1 resistencia de 120 k
1 resistencia de 220
1 resistencia de 1 k
1 tiristor BT149|B
1 potencimetro de 1 k
1 diodo 1N4148
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1 rel de 12 V
1 RTD resistencia de 120 k a 0C

Figura 24: Interruptor de onda completa con SCR

Listado de materiales:
2 tiristores BT149B
1 resistencia de 1 k
1 resistencia de 330
2 diodos 1N4009
1 swithc de contacto
1 condensador no electroltico de 100 F
1 resistencia de 100
1 fuente de 120 V alterna
1 bombillo de 10 W/12 V

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