POLARIZACION DEL TRANSISTOR DE EFECTO DE

CAMPO DE UNION J-FET

(JUNTION FIELD EFFECT TRANSISTOR)
TEORIA PREVIA
El transistor de efecto de campo (JFET) tiene las siguientes ventajas y desventajas con
respecto del transistor bipolar
VENTAJAS
- su impedancia de entrada es extremadamente alta (tpicamente 100M o ms).
- Su tamao fsico es aproximadamente un 20 o 30% del espacio que ocupa un BJT.
Esto lo hace idneo para su integracin en gran escala, sobre el MOSFET que es
ms pequeo que el JFET.
- Su consumo de potencia es mucho ms pequea que la del BJT.
- Su velocidad de conmutacin es mucho mayor que la del BJT.
- Es menos ruidoso que el BJT, esto lo hace idneo para amplificadores de alta
fidelidad.
- Es afectado en menor grado por la temperatura.
DESVENTAJAS
-

Su ganancia de voltaje es mucho menor que en el BJT.

Es susceptible al dao en su manejo, sobre todo el MOSFET.
Su ancho de banda o respuesta en frecuencia es menor que en el BJT.

CONSTRUCCIN

FUNCIONAMIENTO
1.- VGS = 0

VDS variable

El canal n se comporta como una resistencia cuyo valor depende del voltaje existente entre
D y S. Cuando VDS llega a ser lo suficientemente grande la corriente iDS comienza a ser
constante, VDS puede incrementarse hasta BVDS0 (punto en el que ocurre el rompimiento
por avalancha), la nomenclatura significa voltaje de ruptura entre D y S con VGS = 0.
La curva que se obtiene para cuando se mantiene en corto las terminales de Gate y Source,
mientras varia el voltaje entre Dren y Source, es la siguiente:

IDSS = Corriente entre D y S con VGS = 0.

VPO = Voltaje entre D y S a partir del cual la corriente comienza a ser constante. Aqu
comienza la regin de saturacin
BVDS0 = Voltaje de ruptura entre D y S con VGS = 0.
NOTA: Como el canal N se comporta como una resistencia a medida que se incrementa
VDS, entonces el mismo potencial presente en el canal hace que se forme una regin de

agotamiento o campo elctrico que va incrementndose en intensidad hasta que se cierra

por completo en el punto A, cualquier aumento posterior en la tensin VDS mantendr al
potencial de A con respecto de tierra constante, razn por la cual la corriente i DS comienza
a ser constante.
2.- VGS y VDS variables:
El voltaje VGS es negativo en los FET`S de canal N, esto para controlar la anchura del
canal, a medida que se incrementa VGS negativamente se origina una regin de agotamiento
entre compuerta y fuente que va reduciendo la corriente iDS gradualmente:

Denotaremos por VPX a un voltaje cualquiera producido bajo la condicin de un voltaje VGS
de valor x y en el cual la corriente comienza a hacerse constante (saturarse). La relacin
existente entre el nuevo VPX y cualquier VGS es:

VPX = Vpo + VGS

BVDSX = BVDS0 + VGS
El canal se cierra por completo cuando VGS = VGsoff, en este momento la corriente iDS es
aproximadamente cero.

CURVA DE TRANSCONDUCTANCIA
Es una grafica de la corriente de salida en funcin del voltaje de entrada.

La ecuacin que representa a esta curva es:

iDS

v
I D SS 1 GS

VGSoff

iDS

iDS = IPO

v
I PO 1 GS
VPO

donde IDSS = IPO y VGSoff = -Vpo

Algunos parmetros importantes del FET son los siguientes:
IDSS = Corriente de saturacin entre D y S con la tensin VGS = 0.
VGSoff = Voltaje que produce la oclusin o cierre del canal.
IGSS = Corriente inversa de saturacin entre G y S con VDS = 0.
BVDS0 = voltaje de ruptura entre D y S con VGS = 0.
BVGSS = Voltaje de ruptura entre G y S con VDS = 0.
YfS = Admitancia de transferencia directa para source comn con VGS = 0.

EJERCICIO:
El JFET 2N5457 tiene los siguientes parmetros:
IDSS = 5mA
VGSoff = -6V
IGSS = 1nA
BVGSS = -25V
YFS = gFS = 5000 S
1.- Obtener la ecuacin de la curva de transconductancia.
iDS

iDS

v
5mA 1 GS
6

v
5mA 1 GS
6

2.- Obtener la corriente entre drenador y fuente para los siguientes voltajes compuertafuente.
VGS
iDS

0V
5mA

-2
2.22mA

-4
.555mA

-6
0

-8
.555mA

El resultado iDS = .555mA para VGS = -8 no existe ya que para el funcionamiento del FET
es solo media parbola.

3.- Calcular la impedancia de entrada de este dispositivo cuando VGS = -15V a temperatura
ambiente y a 100 C.
Z i 25oC

VGS
15V

I GSS
1nA

Zi = 15G
I GSS 100 C Zi ( 25oC ) =2

T2-T1
10

I GSS 100 C 181.02nA

Zi (100oC )

15V
181nA

Zi (100oC ) 83M

TRANSCONDUCTANCIA EN UN PUNTO
Si derivamos la ecuacin de la curva de transconductancia se obtendr el valor de la
conductancia en un punto en particular sobre la curva llamado gm:

V
I DSS 1 GS

VGSoff

VGS

gm

iDS
VGS

gm

2 I DSS
VGSoff

VGS

VGSoff

gm indica que tanto control tiene el voltaje de entrada VGS sobre la corriente de salida:

En la figura se observa como para un mismo incremento de VGS se obtienen diferentes

amplitudes de corriente.
Q2 tiene mayor pendiente, es decir mayor conductancia, por lo tanto hay un mayor control
de iDS para el mismo VGS.

POLARIZACIN DEL JFET

Algunas de las formas tpicas de polarizacin de un JFET son las siguientes:
-

POLARIZACIN FIJA O DE COMPUERTA

AUTOPOLARIZACIN
POLARIZACION POR DIVISIN DE VOLTAJE
POLARIZACION POR FUENTE DE CORRIENTE
POLARIZACIN FIJA

Al igual que en el BJT, la malla de entrada es la que polariza al JFET, en este caso la malla
de compuerta. Cabe mencionar que para este dispositivo la corriente de reposo es fijada por
el voltaje de compuerta.
ANALISIS
El voltaje en la compuerta siempre ser negativo respcto al Terminal de Source en jun JFET
de canal N:
VGS = VG (+) VS (-)

ANLISIS EN LA MALLA DE COMPUERTA

Ley de Voltajes de Kirchoff en malla de compuerta.
+VGG + VRG + VGS = 0
Como se supone que la unin compuerta-fuente esta polarizada inversamente, entonces
significa que no existe corriente y por lo tanto VRG = 0
VGS = -VGG
Esta ecuacin representa la recta de polarizacin
Esta recta se muestra en la siguiente figura, la cual queda representada por una recta
vertical a lado izquierdo del eje de la corriente.

De la figura se observa la gran inestabilidad que puede experimentar el punto de operacin

para el caso de los posibles cambios en los parmetros que puede presentar un FET an
cuando tratndose del mismo tipo ya que las tcnicas de fabricacin no son tan perfectas
como para que IDSS y VGS off sean constantes de un dispositivo a otro.
Este tipo de polarizacin es la peor forma de polarizar a un JFET ya que el punto de
operacin (IDSQ, VDSQ) bastante es inestable.
ANLISIS EN LA MALLA DEL DREN
Por Ley de Voltajes de Kirchoff
-VDD + VRD + VDS = 0
En terminus de la corriente de Dren:
VDD = IDSRD + VDS

iDS =

VDD VDS
RD

Ecuacin de la recta de carga en C.C.

En la figura, el punto de operacin depende el punto de operacin fijado en la curva de

transconductancia.
EJEMPLO: Encontrar la variacin del punto de operacin para el circuito mostrado:

VDD = 12V
VGG = -1V
RD = 470
RG = 1M

FET 2N5486

I DSSMAX 20mA
I
DSSMIN 8mA

V
GSoff max 6V
VGSoff min 2V

SOLUCIN

IDSQmax = 20mA 1

IDSQmin = 8mA 1

13.89mA

2mA

IDSQ = 11.9mA

AUTOPOLARIZACIN

LVK en malla de compuerta

VRG VGS VRS 0
VGS RS i DS 0

iDS

VGS
RS

A esta ecuacin se le conoce como ecuacin de la recta de polarizacin. Esta recta tiene
pendiente negativa y pasa por el origen, como se observa en la siguiente figura:

La recta
representa una RS pequea y proporciona un elevado valor de g m , ideal para
una buena ganancia de corriente, la desventaja es la inestabilidad debido a los cambios en
los parmetros del JFEt, como puede observarse.
La recta
ofrece las mejores condiciones tales que no compromete la inestabilidad y los
valores de transconductancia, es decir, no se sacrifican una u otra.
La recta
produce buena estabilidad del punto de operacin, sin embargo produce
valores de g m bajos que se traducen en una baja ganancia de corriente.

Generalmente muchos diseadores optan por el tipo de polarizacin dado por la recta
Este tipo de polarizacin es mejor que la polarizacin fija ya que el punto de operacin es
ms estable.
En la recta
la RS puede llamarse ptima ya que esta recta pasa por el centro de una de
las curvas de transconductancia.
RS ptima puede calcularse:

RS

VGSoff
I DSS

Las coordenadas del punto de operacin cuando se presenta RS ptima es:

I DSQ 0.382 I DSS
VGSQ 0.382 VGSoff

Estas ecuaciones pueden demostrarse a partir del siguiente anlisis:

i DS

V
I DSS 1 GS

V
GSoff

Normalizando:

i DS
V
1 GS

I DSS
VGSoff

Si el punto de operacin esta a la mitad de la curva entonces:

i DS
VGS

K
I DSS
VGSoff

K 1 K

K 1 2K K 2
K 2 3K 1 0

Resolviendo la ecuacin cuadrtica:

K1 0.382
K 2 2.48

Como:

i DS

I DSS

i DS K1 I DSS

Y como i DS < I DSS entonces la solucin es:

K1 0.382 .

El mismo razonamiento se obtiene para VGSQ

VGSQ 0.382VGSoff

ANLISIS EN LA MALLA DE DREN

LVK en malla de compuerta

VDDVRD vDS VRS 0

VDD iDS RD RS vDS

iDS

VDD vDS
RD RS

A esta ecuacin se le conoce como ecuacin de la recta de carga en C.C.

EJERCICIO: Polarizar el FET de la figura de tal modo que el punto de operacin se ubique
a la mitad de la curva de transconductancia y a la mitad de la recta de polarizacin.
Calcular adems el valor de g m en el punto de operacin.

Solucin:
RS

VGSoff
I DSS

RS 214 220

RD

VRD
I DSQ

La coordenada del punto Q cuando se elige Rs ptima es:

I DSQ 0.382 I DSS 5.35mA

VGSQ 1.15V
RD
RD

V VDSQ VRS
VRD
DD
I DSQ
I DSQ

12 6 220 5.35mA
5.35mA

RD 900
RG se propone de un valor de tal modo que se aproveche la alta impedancia del JFET.

En este caso se propone de:

RG 1M

gm

2 I DSS
VGSoff

1 VGS

VGSoff

214mA
1.5
gm
1

3
3
g m 5768S

POLARIZACIN POR DIVISOR DE VOLTAJE

Para simplificar el anlisis en la malla de compuerta encontraremos el circuito equivalente

de Thvenin para facilitar.

LVK en malla de compuerta:

V VRG vGS VRS 0
VGG vGS RS iDS
iDS

VGG vGS
RS

Esta ecuacin representa la ecuacin de la recta de polarizacin. Esta ecuacin puede

escribirse como:
V
1
i DS
VGS GG
RS
RS
Es una recta con pendiente negativa y con la ordenada en el origen a
observa en la figura:

VGG
como se
RS

De la figura puede observarse que este tipo de polarizacin es mejor que las dos anteriores
debido a que I DSQ es menor, sin embargo para conseguir esto es necesario aplicar
valores elevados de VDD para que VGG sea lo ms grande posible y asi el punto de
operacin sea ms estable.
ANLISIS EN LA MALLA DE DREN
VDD VRD VDS VRS

VDD iDS RD RS VDS

i DS

VDD VDS
RS RD

Esta es la Ecuacin de la recta de carga

EJERCICIO: Polarizar un JFET por divisor de tensin y de tal modo que se cumplan los
siguientes datos:
Punto de operacin a la mitad de la recta de carga y a la mitad de la curva de
transconductancia, el voltaje de alimentacin VDD 12V y calcular el valor de g m en el
punto de operacin.

Solucin:
Se elige arbitrariamente VGG 2 V

I DSQ 0.382 I DSS 3.06mA

VGSQ 0.382VGSoff 1.91V
I DSQ
Rs

VGG VGSQ

Rs
VGG VGSQ
I DSQ

3.91V
3.06mA

Rs 1278
RD

VDD VDSQ VRS

I DSQ

12 6 3.91V
3.06mA

RD 683

R1

RG
V
R 1M
1 GG Eligiendo G
VDD
R1 1.2 M

R2

VDD
RG
VGG
R2 6 M

EJERCICIO: Para cada uno de los circuitos de polarizacin con FET, determinar el punto
de operacin.
a)

Solucin:
El punto de operacin se obtiene analticamente a partir de la interseccin de la curva de
transconductancia con la recta de polarizacin.

i DS
i DS

V
I DSS 1 GS

VGSoff

V VGS
GG
Rs

igualando ambas ecuaciones obtenemos el punto de operacin.

VGG VGSQ
Rs

VGG VGSQ
1
VGSoff

VGSoff

1
2

RsI
VGSoff
DSS

2VGSQ
VGSoff

VGSQ 1 0

Esta ecuacin tiene analoga con:

ax 2 bx c
donde
1
1
a

0.0625
2
16
VGSoff
b

1
2

0.604
RsI DSS VGSoff

c 1
x VGSQ

Resolviendo la ecuacin cuadratica:

I DSS 1

VGSoff

VGSQ
2

VGSQ

VGSQ

RsI DSS

VGSQ

0.604 2 4 0.0625
2 0.0625

0.604

VGSQ1 7.546V
VGSQ 2 2.12V

Este ltimo valor de VGSQ es el correcto ya que para el otro, el canal estara cerrado por
completo e I DSQ 0 .
I DSQ

VGSQ
VRS

Rs
Rs
I DSQ 1.767mA

o de otra manera
212

I DSQ 8mA 1

I DSQ 1.767mA

gm

2 I DSS
VGSoff

VGSQ

VGSoff

g m 1880S

VDSQ VDD I DSQ RD Rs

VDSQ 4.05V

b)
DATOS
VDD 12V
I DSS 6mA
VGS OFF 3V
rds 25K
R1 100 K
R2 1M
RS 1K
RD 1.6 K
La
es:

curva de

rs 50
RL 1.2 K

transconductancia

La recta de polarizacin es:

V VGS
i DS GG
Rs
igualando ambas ecuaciones para encontrar el punto de operacin:
VGG VGSQ

VGSQ

Rs

I DSS 1

VGSoff

VGG VGSQ

2VGSQ

I DSS Rs

VGSoff

VGSQ
VGSoff

2
2

Reacomodando:
1
V GSoff

V GSQ

RsI
DSS

V GSQ 1

V GSoff

V GG
I DSS R S

ax 2 bx c
1
1
a

2
9
V GSoff

1
2

0.833
RsI DSS VGSoff

c 1
VGG

VGG
I DSS Rs
R1
VDD
R1 R2

VGG 1.091
c 0.818
0.833

0.833 2 4

1
0.818
9

VGSQ

2
VGSQ1 6.338V

VGSQ 2 1.16V

I DSQ
I DSQ

VGG VGSQ

Rs
1.091 1.16

1000
I DSQ 2.25mA

VDSQ VDD I DSQ RD Rs

VDSQ 6.15V

gm

2 I DSS
VGSoff

VGSQ

VGSoff

g m 2451S