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Semiconductores
Marco A. Merma Jara
http://mjfisica.net
Versin 08.2015
Contenido
El estado slido
Estructura cristalina
Redes y estructura cristalina
Enlazamiento en slidos
Bandas de energa
Semiconductores
Ejercicios
Referencias
El estado slido
Materia
Estado slido
Estado liquido
Estado gaseoso
Slido
Liquido
Gaseoso
Estructura cristalina
Base
La configuracin mas
elemental
Representacin pictrica
Red
Puntos ordenados en el
espacio
Peridicos
Una red cristalina es un
patrn repetitivo de
puntos matemticos que
se prolonga en el
espacio.
base
Red
Estructura
cristalina
Redes cbicas
La red cbica simple
SC
Simple Cubic
La red cbica
centrada en la cara
FCC,
Face-Centered Cubic
La red cbica
centrada en el cuerpo
BCC
Body-Centered Cubic
inicos
Cristales inicos
Covalentes
Cristales covalentes.
Enlace covalente
El enlace covalente
Se caracteriza por una
participacin ms
igualitaria de los dos
tomos
El enlace covalente ms
sencillo se encuentra en la
molcula de hidrgeno,
que es una estructura que
contiene dos protones y
dos electrones.
En la figura
tomo de hidrgeno H2
tomo de metano CH4
Tipos de cristales
Cristales inicos
Cristal metlico es un conjunto de iones
positivos inmersos en un mar de
electrones liberados, cuya atraccin
hacia los iones positivos mantiene unido
el cristal
Cristales covalentes.
El carbono, silicio, germanio y estao
Con estructura del diamante
Pertenecen al grupo IV de la tabla
peridica
Cada tomo tiene cuatro electrones en su
capa externa.
Cada tomo forma un enlace covalente
con cada uno de los cuatro tomos
adyacentes, en los vrtices de un
tetraedro.
Estos enlaces son muy direccionales, por
las distribuciones electrnicas
asimtricas que indica el principio de
exclusin, y el resultado es la estructura
tetradrica del diamante.
ndices:
(6 4 3)
Observacin
Los ndices de Miller no son
coordenadas
h
l
k =
h=4
l =
Enteros
100
k =
ndices de Miller
(1 0 0)
( 1 0 0)
h = 4
l =
Bandas de energa
El concepto de bandas de
energa introducido en 1928
Propuesto por Flix Bloch (19051983) en su tesis doctoral.
Fsico suizo-estadounidense
Flix Bloch
Premio Nobel de Fsica en 1952
(Aporte en fsica nuclear)
Junto con Edward Purcell,.
Flix Bloch en su Laboratorio
Bandas de energa
Supongamos que hay una gran
cantidad N de tomos
idnticos,
Suficientemente apartados
como para que sus
interacciones sean
despreciables.
Banda de conduccin
BC
Banda prohibida
(gap)
Banda de valencia
BV
Si un campo elctrico E
se aplica a un material
semiconductor puro
Los electrones de la
banda de valencia
Pueden saltar
Hacia la banda de
conduccin
Mayor probabilidad
Estados ocupados en
B.C.
BC
(gap)
BV
Eg
Aislante en el cero
absoluto. No hay
electrones en la banda de
conduccin
Concentracin de electrones
Dado la muestra de
forma cilndrica
Volumen de la muestra
V = Al = Avd
Concentracin de electrones
#e
=
V
Carga elctrica
Q = (# e)q
Q = Avd q
Corriente elctrica
I = Q / = Avd q
Densidad de corriente
J = I / A = Avd q
Ley de Ohm
Ley de Ohm
Conductividad elctrica
Resistividad elctrica
Materiales Ohmicos
V = EL
J =E
Resistencia elctrica
Para circuitos
J = E
R =V / I
L
R=
A
f (E)
La distribucin de
Maxwell-Boltzmann
Establece que el nmero
promedio de partculas en
un estado de energa E
f (E) =
E Eg
K BT
+1
2 k F2
EF =
2m
4 3
Vk = k F
3
(4 / 3) k F3
=
(2 / L)3
2 / L
kF
Energa de Fermi
2 / L
4 3
V '=
kF
3
V = L3
2
V '=
2 / L
[ ]
E
E + E
D( EF ) = d / dEF
En el cero absoluto
Se sustituye f(E)= 1 desde E = 0 hasta E = EF0
f(E)>0 para todas las dems energas.
Semiconductores
Un semiconductor tiene una resistividad elctrica
intermedia entre las de los buenos conductores y las de
los buenos aislantes.
La enorme importancia de los semiconductores en la
electrnica actual se debe
En parte, al hecho de que sus propiedades elctricas son muy
sensibles a concentraciones muy pequeas de impurezas.
Huecos e impurezas
Cuando un electrn sale de un enlace
covalente, deja tras de s una vacante. Un
electrn de un tomo vecino puede pasar
a esa vacante y el tomo vecino se queda
con la vacante. De esta forma, la vacante,
llamada hueco, puede viajar por el
material y servir como un portador
adicional de corriente.
Es como describir el movimiento de una
burbuja en un lquido.
En un semiconductor puro, o intrnseco, los
huecos en banda de valencia, y los
electrones en banda de conduccin,
siempre existen en cantidades iguales.
Dispositivos semiconductores
En las ltimas cuatro dcadas
han sido reemplazados por
dispositivos de estado slido
Transistores, diodos, circuitos
integrados y otros dispositivos
con semiconductores.
f (E) =
KB constante de
Boltzmann
E Eg
K BT
+1
f (E )
Eg Energa de la banda
prohibida (gap)
T temperatura absoluta
Un semiconductor es
intrnseco
En estado puro
Un semiconductor es
extrnseco
Contiene elementos
extraos
(contaminantes)
Es no puro
Ejercicios
Ejercicio 1: Un semiconductor en estado puro se bombardea con un campo
elctrico E= 30 V/m, si la longitud de onda incidente es 150 nm. Determinar la
energa necesaria para que un electrn llegue a la banda de conduccin.
Referencias
Fsica Universitaria, Vol II, 12va edicin, Sears, Zemansky, Young,
Fredmann, Addisson Longman, Mxico, 1999
Fsica, Vol II, Serway,Jewet, 7ma Edicin, McGraw-Hill, 2009