Diodes Et Transistors

DIODES et TRANSISTORS
1. LA DIODE
1.1 Principe
1.2 Caractristiques
1.3 Diodes particulires
2. ETUDE DES TRANSISTORS BIPOLAIRE, JFET et MOSFET
2.1 Transistor bipolaire jonctions
2.2 Transistor JFET
2.3 Transistor MOSFET
3 POLARISATION DES TRANSISTORS.
3.1 Ncessite d'une polarisation du transistor pour le fonctionnement
amplificateur.
3.2 Polarisation des transistors bipolaires.
3.3 Polarisation du transistor JFET.
4 COMMUTATION FAIBLE PUISSANCE A TRANSISTORS.
4.1 Transistors bipolaires.
1
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1 LA DIODE
1.1 - Principe
La diode est un composant semi-conducteur compose
de deux jonctions de dopage oppos.
Une jonction PN ne peut tre conductrice que dans un seul sens. Une
diffrence de potentiel positive applique entre K et A ne fera dplacer que
trs peu dlectrons.
1 LA DIODE
1.2 - Caractristiques
La diode possde 2 rgimes de fonctionnement :
Si VD<Vf alors la diode est bloque.
Si VD > Vf et ID > 0 alors la diode est passante.
Tension inverse
maximale ne pas
dpasser, risque de
claquage de la diode.
Courant direct maximal

ne pas dpasser,
risque de destruction de
la diode.
Tension de seuil
0,7V pour une diode
silicium
1 LA DIODE
Tensions maximales en
inverse
Courant direct
maximal
Puissance
maximale
tempratures
Tensions directes
Courants inverses
Caractristiques
dynamiques
4
1 LA DIODE
q Modles de la diode
q Applications
conversion dnergie (redresseur, hacheur, onduleur, etc),
dmodulation,
commutation
1 LA DIODE
1.3.1 - Diode Schottky
Dans les diodes Schottky, la jonction P-N est
remplace par la jonction dun mtal (anode)
avec un semi-conducteur peu dop de type N
(cathode).
q Intrt de la diode Schottky :
Elle a une tension de seuil plus faible (VF # 0,3V).
Son temps de recouvrement inverse est trs faible.
q Applications
Lorsque le temps de commutation de la diode est critique
Lorsque la tension de seuil doit tre faible.
q Critres de choix
Frquence dutilisation importante (faible recouvrement)
Chute de tension directe
6
1 LA DIODE
1.3.1 - Diode Zner
Dans le sens direct diode classique.
Dans le sens inverse VdVz lorsque IZ>0.
q Utilisation :
rfrence de tension
crtage de tension
alimentation continue de
faible puissance
q Critres de choix :
la tension stabiliser (Vz)
le courant maximal
devant traverser la diode
(Iz)
la puissance dissipe par
la diode (Pz)
7
2 ETUDE DES TRANSISTORS BIPOLAIRE, JFET ET MOSFET

2.1 Transistor bipolaire jonction
2.1.1 - Description
Le transistor bipolaire jonctions est un dispositif semi-conducteur constitu
de trois couches dopages alterns et existent en deux polarits :
q NPN ou
q PNP.
Transistor NPN
Transistor PNP
Emetteur
Base
Emetteur
Base
n
Collecteur
p
E
Collecteur
Le sens de la flche sur lmetteur indique le sens du courant.

La flche est toujours tourne vers la zone N.
8

2.1.1 - Description
q Effet transistor :
Cas du NPN (pour le PNP inverser le sens des courants, tensions et champs)
Sans polarisation de la base :
La jonction Base-Collecteur
est en inverse :
Le transistor est bloqu.
E
n
B
p
C
E
ICB0
Courant
de fuite
inverse
VCE
9

2.1.1 - Description
Cas du NPN (pour le PNP inverser le sens des courants, tensions et champs)
Avec polarisation de la base :
La jonction Base-Emetteur
est en direct :
IE
Des e- peuvent passer

de lmetteur fortement
dop la base : courant Ine
Dans la base faiblement
dope et troite, peu de- se
recombinent.
E
n
Ine
e-
BE
C
n
p
I
nc
e
IC
ICB0
IB
VBE
VCE
La majorit des e- atteignent la jonction Base-Collecteur o ils sont

acclrs par le champ E. Ils passent dans le collecteur : courant Inc
10

2.1.1 - Description
Effet transistor : =
Inc
Ine
q Relation entre les courants :

On a
: IC Inc = IE on nglige ICB0
et
: IE = IC + IB
Do
: IC = (IC + IB)
On pose : =
donc :
donc : IC =
IB
1
<1
IE
p Inc n
Ine
IC
ICB0
VBE
IB
VCE
IC = IB
est voisin de 1 donc est grand (de 20 600)

11

2.1.2 Caractristique du transistor bipolaire jonction
Cas du transistor NPN
Rc
IC
IB
VCC
VCE
Pour un transistor PNP, les

caractristiques sont identiques si lon
change les signes des courants et des
tensions.
VBE
12

2.1.2 Caractristique du transistor bipolaire jonction
Cas du transistor NPN
Rc
Caractristique
de sortie
Zone de
saturation
IC
IB
IC
Caractristique de
transfert
en courant :
IC IB
IC max
H21
ou
HFE
VBE
Pmax
IB
h22
IB
h11
VCE sat
VCC
VCE
Zone linaire
VCE > VCE sat
Le courant IC est
VCE max quasi constant
IC =
VCE
VBE
Caractristique dentre
13

2.1.3 Modle quivalent du transistor bipolaire
Deux types de modles du transistor bipolaire en fonction du type de signaux ou du

fonctionnement tudi :
q Le modle dordre 0 ou modle statique, fonctionnements en continu. Ce
modle permettra ltude de la polarisation du transistor ou son fonctionnement
lors de commutations
q Le modle dordre 1 ou modle dynamique permettra dtudier le
fonctionnement du transistor lors de rgime variables petits signaux faible
frquence.
Pour tudier ces modles de transistors, nous utiliserons le transistor de type NPN.
Les explications sont directement transposables au type PNP en changeant le sens des courants et
tensions dans le schma quivalent.
14

2.1.3.1 - Modle dordre 0 : calcul de la polarisation.
Courbe IB = f(VBE) assimil une droite :
VBE 0,6V transistor en fonctionnement linaire
VBE 0,7V transistor satur
VBE < 0.5V transistor bloqu
En entre :
La jonction base-metteur est quivalente une diode passante. On peut la
modliser par sa tension de seuil E0
E0 = 0,6V en amplification
E0 = 0,7V en commutation
En sortie :
IC = IB hors saturation
(= HFE donne constructeur)
B
VBE
IC = IB
IB
E0
C
VCE
E
15

2.1.3.1 - Modle dordre 1 : Petits signaux autour du point de repos.
On assimile la caractristique dentre IB =
f(VBE) sa tangente au point de repos :
B
vbe
ic = ib
ib
rbe
IB
IB0
C
vce
V
IB = I S exp( BE ) 1
VT
Tangente de
pente 1/rbe
VBE0
rbe =
VBE
VT
25mV
1
=
=
25C
IB0
IB0
40 IB0
q En entre :
Rsistance rbe. La tension de seuil nest pas prise en compte, elle
dj t prise en compte lors de la polarisation.
q En sortie :
ic = ib hors saturation, donne constructeur hfe HFE = h11e
16

2.2 Transistor JFET
2.1.3 Description et caractristiques
q Transistor unipolaire : courant li un seul type de porteur
canal N lectrons, canal P trous
q Transistor appauvrissement : naturellement passant, est bloqu par
une tension applique sur la grille
ID
q JFET canal N :
Source
P
Canal N
Drain G
VDS
Grille (Gate)
VGS
ID
q JFET canal P :
Source
N
Canal P
S
D
Drain G
VDS
Grille (Gate)
VGS
S
17

2.2 Transistor JFET
ID
2.1.3 Description et caractristiques
D
G
Zone ohmique
VGS
V
ID = IDSS 1 GS
VGSoff
avec IDSS = ID pour VGS = 0V

Transconductance :gm
V
gm = gm01 GS
VGSoff
IDSS
VGS + VGSoff
ID
0V
-1V
dID
i
=
= d
dVGS v gs
gm0 : gm pour ID = IDSS
VGS
<0 VGSoff
VGS
-2V
-3V
Vp
VDS
Zone Ohmique
rDSon
V
= DS =
ID
VGSoff
VGS
2.IDSS1
V
GSoff
Tension de pincement
Zone de pincement
18
VDS

2.2 Transistor JFET
2.1.4 Modle quivalent
D
Id=gm
VGS
Entre dimpdance
infinie en statique
Modlis par un
circuit ouvert.
Vgs
Rds
Vds
Rsistance de sortie
trs grande. Peut tre
nglige.
Source de courant lie VGS
V
gm = gm01 GS
VGSoff
19

Metal Oxyde Semiconductor Field Effect Transistor
Il existe quatre types de transistors MOSFET : selon le mode de construction, ils sont
appauvrissement ou enrichissement, chacun pouvant tre de type N ou P.
La flche indique le type (N ou P).
2.3.1 Caractristiques
IDI
DD
IDID
DD
appauvrissement
enrichissement
GG
VTH
VTH
VV
GS
GS
GG
appauvrissement
VGS
VGS
enrichissement
SS
SS
MOSFET
canal
appauvrissement
MOSFET canal
NN
enrichissement
ID
VTH
VTH
MOSFET canal P appauvrissement

enrichissement
IDD
>0
6V
0
4V
(VGS)
<0
2V
VDS
VDS
DS
>0
-2V
0
(VGS)4V
<0
-6V
20

Mtal Oxyde Semiconductor Field Effect Transistor
2.3.3 MOSFET canal N enrichissement (enhancement)

D
oxyde SiO2
ID
Grille
Source
Drain
------------------------------
G
VDS
VGS=0 : aucun canal entre drain et

source n'existe, ID=0 : le transistor
est bloqu.
Substrat P
VGS
ID
ID
Lieu des points tels que : VDS = VGS VTH

VGS = 4V
VGS = 3V
VGS = 2V
VGS = 1V
VGS
VTH
VDS
ID = K (VGS VTH)2
0<VGS<VTH : Les porteurs

minoritaires (lectrons) sont attirs
sous la grille mais encore en nombre
infrieur aux majoritaires. Le
transistor reste bloqu.
VGS>VTH : un canal s'tablit entre
la source et le drain et un courant ID
circule.
Si VDS > VGS VTH, le transistor est
dans une zone de saturation en
courant.
21

Mtal Oxyde Semiconductor Field Effect Transistor
2.3.4 Modle quivalent du MOSFET canal N
Entre dimpdance
infinie en statique
Modlis par un
circuit ouvert, en
dynamique on
rajoute une capacit
Cgs
ID = K (VGS VTH)2
D
G
Vgs
Cgs
Rds
Vds
Rsistance de sortie
trs grande. Peut tre
nglige.
S
ID = K (VGS VTH)2
Source de courant lie VGS
22
3 POLARISATION DES TRANSISTORS

3.1 Ncessit de la polarisation du transistor
pour le fonctionnement amplificateur
Les transistors sont des lments :

q unidirectionnels,
q non linaires.
Les transistors seuls ne peuvent donc pas amplifier des signaux alternatifs.
Solution :
q Polariser le transistor
avec une tension
continue.
q Travailler en petits
signaux autour de ce
point de polarisation.
VCE
ID0 +id
vce
VCE0
IB0 +ib
ve
Vpol
VCE0 +vce
VBE
Vpol
ve
23

3.1 Ncessit de la polarisation du transistor
pour le fonctionnement amplificateur
IC0
RC
RB IB0
B
Ve0
VBE0
IC
Vcc
VCE0
VCC/RC
Polarisation classe A
Droite de charge
VCE=VCC-RCIC
VCC VCE
24
3.2 Polarisation du transistor bipolaire
q Polarisation par source de tension

IC0
Le point de polarisation est rgl en

choisissant RB, RC et Ve0.
RC
RB IB0
B
Ve0
Vcc
VCE0
VBE0
IC0
RC
RB IB0
B
Ve0
VBE0
VCE0
Vcc
Inconvnient :
Le point de polarisation est
trs dpendant de
IC0 raction
Polarisation avec contre
par rsistance
dmetteur
:
R2
RC
Permet
IB0 de stabiliser le
point de polarisation. VCC
RE
R1
RE
0V
25
3.2 Polarisation du transistor bipolaire
q Polarisation par source de courant
Le courant dmetteur est impos par une source

de courant qui fixe le courant IE0. Par voie de
consquence cela impose IB0, VBE0 et VCE0.
IC0
RC
IB0
C
B
IE0
Vcc
Avantage : Le point de polarisation ne dpend pas

de .
IC
RC
RB
RB
I0
0V
E0
I0
E0
RP
-VCC
26
3.3 Polarisation du transistor JFET
q Polarisation par une tension ngative

VCC
ID
Vpol rgle la valeur de VGS donc celle de ID car
RD
VGS
ID = IDSS 1
V
GSOFF
RD rgle la valeur de VDS.
VDS
0V
RG
-Vpol
Inconvnient : ncessite une tension ngative.
q Polarisation automatique
VCC
ID
RD
VDS
RG
VGS
Le courant dans la grille est nul donc VGS = -VRS

On applique une tension ngative sur la grille.
Le point de polarisation dpend de RS et RD.
RS VRS
0V
27
3.3 Polarisation du transistor JFET
q Polarisation par source de tension

+VCC
La source de courant fixe ID,

RD fixe VDS.
ID
RD
T2
RG
T1
I0
I0
RS
-VCC
28

Pour raliser la commutation, on utilise ce montage :
IC
Etat bloqu : IB = 0 le transistor se

comporte comme un interrupteur ouvert
IC = 0, VCE = VCC
RC
RB
IB
Vcc
C
B
VCE
Ve
Etat satur : On applique un courant IB

suffisant, le transistor se comporte comme
un interrupteur ferm
VCE 0, IC = VCC/RC
VBE
0V
IC
ICMAX
ON
Pour tre satur il faut que :

IB IC/
Etat
satur
ou
passant
Etat
bloqu
VCE
VCESAT
OFF VCE MAX

29

q Coefficient de saturation.
Pour saturer le transistor il faut que : IBsat ICsat/
Or varie dans des proportions importantes dun transistor un autre
(mme sils sont du mme type, de 100 300 pour un 2N2222).
Pour tre sur de saturer le transistor il faut que
IBsat ICsat/min
De plus, pour tre certain de saturer le transistor, on applique en plus un
coefficient de saturation not ks et on choisi IBsat tel que :
IBsat = ks ICsat/min
Ks est compris entre 1 et 10
30

q Temps de commutation
On donne lordre au
transistor de se
td : delay time ou temps de retard,
bloquer
dpend entre autres de la tension de
On donne
lordre au
transistor
de devenir
passant
bloquage
tr : rise time ou temps de monte

ts : storage time ou temps de
dsaturation. Temps le plus long de la
commutation. Dpend des charges
excdentaires dans la base et de la
faon de les vacuer.
tf : fall time ou temps de descente
td tr
ts
tf
On dfinit le temps de fermeture :

ton td + tr
et le temps d'ouverture :
toff = ts + tf
31

q A ltat bloqu il ny a pas de pertes dans le transistor car IC = 0

q A ltat satur il y trs peu de pertes dans le transistor car 0,1<VCE<0,3
q Lors de la commutation, VCE et IC sont 0
Pertes par commutation
Commutation sur charge rsistive
Vce, Ic
Vcc
ICM
p(t)
ton
Puissance dissipe
chaque priode :
toff
t
T=1/F
32

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Le sens de la flche sur lmetteur indique le sens du courant.

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Des e- peuvent passer

La majorit des e- atteignent la jonction Base-Collecteur o ils sont

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q Relation entre les courants :

: IC Inc = IE on nglige ICB0

est voisin de 1 donc est grand (de 20 600)

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Deux types de modles du transistor bipolaire en fonction du type de signaux ou du

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2.1.3 Description et caractristiques

avec IDSS = ID pour VGS = 0V

gm0 : gm pour ID = IDSS

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Source de courant lie VGS

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Metal Oxyde Semiconductor Field Effect Transistor

MOSFET canal P appauvrissement

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Mtal Oxyde Semiconductor Field Effect Transistor

2.3.3 MOSFET canal N enrichissement (enhancement)

VGS=0 : aucun canal entre drain et

Lieu des points tels que : VDS = VGS VTH

0<VGS<VTH : Les porteurs

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Mtal Oxyde Semiconductor Field Effect Transistor

2.3.4 Modle quivalent du MOSFET canal N

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3 POLARISATION DES TRANSISTORS

Les transistors sont des lments :

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3 POLARISATION DES TRANSISTORS