UNIVERSIDAD DE EL SALVADOR

FACULTAD DE INGENIERIA Y ARQUITECTURA

ESCUELA DE INGENIERIA ELECTRICA

ELECTRONICA I
TAREA 1
FUNCIONAMIENTO FISICO DE LOS DIODOS
CATEDRATICO:

INTEGRANTE:
PG08017

ING. JOSE RAMOS LPEZ

PAIZ GARCIA, GUSTAVO EMMANUEL

Lunes 4/10/2015

CUESTIONARIO

1.
n?

Cundo no se aplica polarizacin externo, los electrones se mueven a travs de la unin p-

S, porque los electrones y los aceptadores estn en movimiento a travs de la unin, pero las corrientes
de difusin y la de desplazamiento son iguales y se establece el equilibrio dinmico.
2.

En qu direccin se difunden los electrones en la unin p-n?

Del lado n al lado p, porque en cualquier momento alguno electrones sern energizados lo suficiente para
oponerse al campo elctrico y difundirse a travs de la regin de agotamiento desde el lado n hacia el lado
p, sea teniendo en cuenta que el proceso se da en ambos lados y esto se llama corriente de difusin.
3.

En cul direccin se desplazan los electrones en la unin p-n?

Del lado p al lado n debido al que el lado n contiene algunas vacantes generados trmicamente al igual
que el lado p que posee electrones generados por calor, ya que la minora de portadores producir un
barrido a lo largo del campo elctrico de la regin de agotamiento. Y esto se denomina corriente de
difusin
4.

Qu efecto tiene polarizacin directa en el ancho de regin de agotamiento?

La reduce, ya que al hacer el lado p ms positivo que el lado n se reduce la regin de agotamiento y el
campo elctrico que la compone decrece e incrementa la corriente de difusin, llamando esto polarizacin
directa
5.

Qu efecto tiene la polarizacin directa en la corriente de desplazamiento?

Con la polarizacin directa aumenta la corriente de difusin, desde que haya ms electrones y aceptantes
pueden superar el campo elctrico y esto no afecta la corriente de desplazamiento.
6.

Qu efecto tiene la polarizacin en reversa en la corriente de difusin?

Reduce la corriente de difusin ya que el campo elctrico aumenta y produce la corriente de saturacin
inversa

PARTE II.

Para una unin p-n abrupta de silicio (ni =1010 cm-3) consiste de una regin tipo p conteniendo 1016
cm-3 atomos aceptadores y una regin tipo n conteniendo 5x 1016 cm-3 tomos donadores.

a- Calcular el potencial integrado de la unin p-n

Vo=VTln

( NAND )
2

10
10
( 10)2
( 16 cm3)(5 x 1016 cm3 )

Vo=(25.9 x 103 V ) ln
Vo=0.757 V
Vo=0.76 V

b- calcular el ancho total de la regin de agotamiento si el voltaje aplicado Va es igual a 0, 0.5 y -2.5
V.

Wagot=

2 s 1
1
+
(VoVa)
q NA ND

2(1.04 x 1012 ) 1
1
Wagot=
+
(0.760)
19
16
1.60 x 10
10
5 x 10 16

Wagot=0.344 m

2(1.04 x 1012) 1
1
Wagot=
+
(0.760.5)
19
16
1.60 x 10
10 5 x 10 16
Wagot=0.20 m

Wagot=

2(1.04 x 1012) 1
1
+
(0.76+2.5)
19
16
1.60 x 10
10 5 x 10 16

Wagot=0.711 m

c- calcular el campo elctrico mximo en la regin de agotamiento en 0, 0.5 y -2.5 V.

( x=0 )=

2(VoVa)
w

( x=0 )=

2(0.760)V
34.4 x 106 cm

( x=0 )=44.18 k V /cm

( x=0.5 ) =

2(0.760.5)V
20 x 106 cm

( x=0.5 ) =26 k V /cm

( x=2.5 )=

2(0.76+2.5)V
71.1 x 106 cm

( x=2.5 )=91.7 k V /cm

d- calcular el potencial a travs de la regin de agotamiento en el semiconductor tipo n en 0, 0.5 y

-2.5 V

n=

q ND Xn2
2 s

xn=w

NA
NA+ ND

n=

( VoVa ) NA
NA+ ND

10
10
( 16 cm3)+(5 x 1016 cm3 )
( 16 cm3)
( 0.760 ) V

n=
n=0.127V

10
10
5 x 10 16 cm3
( 16 cm3 )+

( 16 cm3 )
( 0.760.5 ) V

n=
n=0.043V
10
10
5 x 1016 cm3
( 16 cm3 )+

( 16 cm3)
( 0.76+2.5 ) V

n=
n=0.543V
2. Una unin p-n abrupta de silicio (ni =1010 cm-3) (NA =1016 cm-3 tomos aceptadores y ND = 5x 1016
cm-3 tomos donadores) es polarizada con Va = 0.6V. Calcular la corriente ideal del diodo
asumiendo que la regin n es mucho menor que la longitud de difusin con wn=1 um y asumiendo
una regin tipo p larga. Usar un = 1000 cm2/V-s y up = 200 cm2/V-s. El tiempo de vida de portadores
minoritarios es 10 us y el rea del diodo es 10 um por 100 um.

Va

Dn Np 0 Dp Pn0 Vt
I =qA
+
( e 1)
ln
wn
Dn=n Vt =1000 x 0.0258=25.8

Dp=p Vt=200 x 0.0258=5.16

cm2
V s

cm2
V s

2
10 20

Np0=
= 16 =10 4 cm3
NA 10

2
1020
Pn0= =
=2000 cm3
ND 5 x 1016

ln= Dn n= 25.8 x 105 =160.6 m

wn =1 m
Sustituyendo valores:

I =( 1.6 x 10

19

0.6

( 25.8 )(104 ) ( 5.16 ) (2000) 25.8 x 10

) (1 x 10 )
+
(e
1)
160.6 x 106
1 x 106
9

I =0.024 A

3. Considerar un diodo p-n abrupto con Na = 1018 cm-3 and Nd = 1016 cm-3. Calcular la
capacitancia a polarizacin cero. El rea del diodo es igual a 10-4 cm2.
Potencial integrado en la unin p-n:

Vo=VTln

( NAND )
2

10
10
( 10)2
( 18 cm3)(1016 cm3)

Vo=(25.9 x 103 V )ln

Vo=0.83V
La anchura de la capa de agotamiento en cero es igual a:

Wagot=

2 s(Vo0)
qND

Wagot=

2(1.04 x 10 )(0.830)
( 1.60 x 1019) (1016)

12

Wagot=0.33 m
Y la capacidad de la unin en polarizacin cero es igual a:

Cj 0=

s A
Wagot
12

Cj 0=

(1.04 x 10 )( 10 )
33 x 106

Cj 0=3.15 x 1012 F

4. (a) calcular la capacitancia de difusin para el mismo diodo del problema 3 a polarizacin cero.
Usar mn = 1000 cm2/V-s, mp = 300 cm2/V-s, wp' = 1 m y wn' = 1 mm. El tiempo de vida de
portadores minoritarios es igual a 0.1 ms.

Cd , 0=

Is , p p Is , n r , n
+
Vt
Vt
20

2
10
Np0= = 18 =100 cm3
NA 10

20

2
10
4
3
Pn0= = 16 =10 cm
ND 10

cm2
Dn=n Vt =1000 x 0.0258=25.8
V s
2

Dp=p Vt=300 x 0.0258=7.75

cm
V s

Lp= Dp p= 7.75 x 104=278.4 m

4 2

(1 x 10 )
r , n=
=
=193 x 1012 s
2 Dn
2( 25.8)

Is , p=q

( 104 )

APno Dp
Lp

10
( 4) 7.75
3

27.84 x 10
19
Is, p=(1.6 x 10 )
17

Is. p=4.454 x 10

Is , n=q

ANpo Dn

Is , n=(1.6 x 10

19

( 104 ) (100 ) 25.8

1 x 10

Is , n=4.128 x 1016 A

Calculando la capacitancia de difusin:

Cd , 0=

( 4.454 x 1017 ) ( 0.1 x 103) ( 4.128 x 1016 ) (193 x 1012 )

Vt

Vt

Cd , 0=1.73 x 1019 F

(b) para el mismo diodo encontrar el voltaje para el cual la capacitancia de la unin es igual a la
capacitancia de difusin.
Va

Cj 0
=C d , 0 e Vt
Va
1
Vo

Despejando Va:
Va = 0.442 V

5. una celda solar de 1 cm2 tiene una corriente de saturacin de 10-12 A y es iluminada por luz solar
produciendo una fotocorriente de cortocircuito de 25 mA Calcular la eficiencia de la celda solar y el
factor de relleno (fill factor)
La potencia mxima se genera para:

Vm

Vm

dP
Vm
=0=Is e Vt 1 Ip h+
Is e Vt
dVa
Vt

Donde el voltaje, Vm, es la correspondiente a la tensin punto de mxima potencia. Esta tensin se
obtiene mediante la resolucin de la siguiente ecuacin

Iph
Is
Vm=Vt ln
Vm
1+
Vt
1+

Uso de iteracin y un valor inicial de 0,5 V, se obtiene el tras sucesivos valores de Vm:
Vm = 0.5, 0.542, 0.540 V

y la eficiencia es igual a:

| |

n=

Vm 0.54 x 0.024
=
=13
Pin
0.1

La corriente Im, correspondiente a la tensin, Vm, se calcul usando la siguiente ecuacin y la energa
del sol se asumi 100 mW/cm2. El factor de relleno es igual a:

Fill factor =

Vm 0.54 x 0.024
=
=83
Voc Isc 0.62 x 0.025

SIMULACION DEL CIRCUITO

Para el circuito anterior se realizarn 3 simulaciones variando el inductor L2 en 1mH, 2mH y 3mH, lo que
se mostrara a continuacin:

PARA L=1mH
a) Grafica de tensin de entrada, corriente, tensin de salida

b) Grafica de corriente

c) Grafica de corriente aplicando transformada rpida de Fourier (FFT)

PARA L= 2mH
a) Grafica de tensin de entrada, corriente, tensin de salida.

b) Grafica de corriente.

c) Grafica de corriente aplicando la transformada rpida de Fourier (FFT).

PARA L= 3mH
a) Grafica de tensin de entrada, corriente, tensin de salida.

b) Grafica de corriente.

c) Grafica de corriente aplicando la transformada rpida de Fourier (FFT).

ANEXO

Ilustracin 1 DE LA PREGUNTA 1

Ilustracin 2 DE LA PREGUNTA 2

Ilustracin 3 DE LA PREGUNTA 3

Ilustracin 4 DE LA PREGUNTA 4

Ilustracin 5 DE LA PREGUNTA 5

Ilustracin 6 DE LA PREGUNTA 6

BIBLIOGRAFA

http://www-g.eng.cam.ac.uk/mmg/teaching/linearcircuits/

http://ecee.colorado.edu/~bart/book/book/index.html
http://www.scribd.com/doc/80300204/Tutorial-OrCAD-9-2#scribd
Sedra. Circuitos Microelectrnicos, Quinta edicin. McGraw-Hill Interamericana, 2006.