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10.1.INTRODUCCIN
10.2.MECANISMOS DE TRANSFERENCIA DEL CALOR
10.2.1. Conveccin.
10.2.2. Radiacin.
10.2.3. Conduccin.
10.2.3.1. Modelo Trmico Esttico
10.2.3.2. Modelo Trmico Dinmico
10.2.3.3. Clculo de la Temperatura de la Unin en
Situaciones Transitorias
10.3.DISIPADORES. ASPECTOS PRACTICOS
10.3.1. Radiadores
10.3.1.1. Conveccin Forzada
10.3.1.2. Clculo de la Resistencia Trmica
10.3.2. Refrigeradores por lquidos
3
2
Tj=75C
TjMax=
125C
1
40 50 60 70 80 90 100 110 120
Temperatura en la unin Tj C
INTRODUCCIN
ACCIONES A TOMAR:
A
Superficie a TS
d
Flujo de aire a Ta
Cpsulas adecuadas
(Fabricante).
Pconv=1.34 A(T)1.25/d0.25
donde:
Radiadores.
Rsa ,conv
Radiadores con
ventilacin forzada.
1 d
=
1.34 A T
1/ 4
Pconv=h A T
Sistema Empleado
Gases
Conveccin Natural
Lquidos
Gases
Conveccin Forzada
Lquidos
Conveccin con Cambio Lquido+Gas (Evaporacin y
de Fase
Condensacin)
h (W m-2 K-1)
2-25
50-1.000
25-250
50-20.000
2.500-100.000
Superficie a TS
A
l
A
R =
ambiente a Ta
PD
La transferencia de calor por Radiacin se rige por la ley de Stefan Boltzmann:
Prad=
EA(Ts -Ta4)
Rsa ,rad =
T
5.7 10 8 EA(Ts4 Tas )
T1
T C
PD W ,
Q
=
= PD
Q
con
t
donde:
Prad es la potencia transferida entre la superficie del disipador y el
ambiente (W).
E es la emisividad de la superficie del disipador. Esta constante depende
del tipo de material. Para objetos oscuros, como el aluminio pintado de
negro utilizado en radiadores es 0.9.
2
A es el rea de la superficie (m ).
Ts es la temperatura de la superficie expresada en grados Kelvin.
T1> T2
T2
R =
l
A
donde:
(C*cm/W)
0.02 - 0.1
0.3
0.5
2.0
130
150
400
3000
Semiconductor Tj
Magnitud Elctrica
Diferencia de Potenciales
Intensidad
Resistencia Elctrica
Encapsulado Tc
Magnitud Trmica
Diferencia de Temperaturas
Potencia
Resistencia Trmica
Aislamiento
Disipador Ts
PD
Temperatura Ambiente Ta
donde:
mecanismos de transferencia
de calor por conduccin entre el silicio y el encapsulado del
dispositivo.
Rjc +
Rcs +
Rsa +
Tj
Tc
Ts
Ta
Estos clculos no son exactos, debido a que las resistencias trmicas varan con:
La Temperatura.
Contacto trmico entre cpsula y radiador (Montaje).
Dispersiones de fabricacin.
Efectos transitorios.
T1
Ts
=C R
C
PD
T = ( M C e )Q = C Q
T
Q
V
= C
= C PD
= C IC
t
t
t
Ts
a)
b)
T1 (t ) TS = PD R (1 e t / )
donde:
Ce
M
C
T1 (t = ) TS = PD R
T5 T4
T3 T2 T1
TS
PD
Tn
Po
Tfn
T0n
a) Sistema trmico
PD
Tn (t ) T0 n = P0 R (1 e t / )
t
a) Escaln de Potencia
b) Evolucin de la Temperatura
en el trozo n
T5
PD
T2
T3
T4
R5,4
R4,3
R3,2
C5
C4
C3
T1
R2,1
C2
R1,S
C1
Z (t ) =
T (t ) Tn 0 T (t )
=
P0
P0
Z (t ) = Z 0 (1 e t / )
Z 0
TS
b) Modelo Elctrico Equivalente
La temperatura final en un nodo debe coincidir con la obtenida con el
modelo esttico
Los fabricantes suelen dar curvas en las que se representa la impedancia trmica
transitoria para un dispositivo al que se aplica una potencia disipada tipo escaln
o ondas cuadradas peridicas, por ejemplo:
log(Z(t)/Z(t=))
D=
Impedancia Trmica
Transitoria de un
Dispositivo (incluyendo
la curva asinttica).
Impedancia
Trmica
Transitoria
0.5
Asntotas
0.2
0.1
log(t/ ))
0.05
Pulso nico, T=
t1
Notas:
10-5
Tj
1-D=t1/T
2-TjMax=TC+PDMaxZthJC
10-4
10-3
10-2
10-1
P0
0.318T
10
t1 (seg)
Curvas de la Impedancia Trmica Transitoria del transistor MOSFET IRF 330
donde la Impedancia Trmica Transitoria est parametrizada en funcin del
ciclo de trabajo del MOSFET
Puede observarse que para valores altos de D y bajos de t1 (=altas frecuencias),
las curvas se vuelven horizontales, es decir, la inercia trmica hace que la
temperatura de la unin no vare y por tanto estas curvas no sirven. En general,
para frecuencias mayores de 3kHz es suficiente trabajar con la caracterstica
esttica.
t
P0u(t1)
0.01
0.01
PD
0.02
Potencia
0.1
Tj
0.318T
t
0.09T
0.41T T/2
P0
t1=0.09T
P0
-P0u(t2)
10
En otros casos, los fabricantes dan nicamente una curva que representa la
impedancia trmica transitoria para una potencia disipada tipo escaln:
Tj
t2=0.41T
P(t)
P5
Pm
P1
t2
t3
P6
P(t)
P3
t1
t4
t5
t6
tm
P1
t j0
t1
t2
P3
P2
P4
P5
Pulso a aproximar
P7
P8
Aproximacin
Pm
t3
t4
t5
t6
t7
t8
... t m
Tj(t)
Temperatura
Tj(t)
t j0
t
Temperatura de la Unin con Pulsos de Potencia Rectangulares
Llamando Zn=Z(t=tn) y teniendo en cuenta que P2=P4=P6=...=0, se puede
escribir que la temperatura despus del pulso m es:
T j (t ) = T j 0 + P1 ( Z 1 Z 2 ) + P3 ( Z 3 Z 4 ) + P5 ( Z 5 Z 6 ) + ...... =
n
Z n +1 )
n =1, 2....
Z n ( Pn Pn 1 )
P1
P0
t
P0u(t0)
P (Z
n
n =1, 3, 5....
= T j0 +
P0
t
(P1-P0)u(t1)
T j (t ) = T j 0 + Z 1 P1 + Z 2 ( P2 P1 ) + Z 3 ( P3 P2 ) + ...... =
Pulso
tj0
= TJ 0 +
P1-P0
t0
t1
Tema 10. Control Trmico. Transparencia 16 de 22
PD
Tj
Rjc
Tc
Rcs
Ts
Rsa
Ta
Superficies
Rugosas
tpico: 1.6m
Superficies
Pandeadas
tpico: 0.1%
Entrada
de
aire
Salida 1
Salida
Salida 2
Incremento de Temperatura de la
Superficie respecto al ambiente (C)
Conveccin Natural
90
80
70
60
50
20
A2
Acon=2 A2 + n A1
10
0
25
50
75
100
125
150
175
200
225
250
Conveccin Forzada
donde:
A1 es la superficie frontal del disipador.
A2 es la superficie lateral del disipador.
n es el nmero de superficies laterales generadas por las aletas que
componen el disipador. En el caso del disipador de la figura n=16.
0.7
RSA (C/W)
b)
30
A1
a)
40
Rsa ,conv =
0.6
0.5
d 1/ 4
1
134
. Acon Fred T 1/ 4
0.4
0.3
0.2
Fred
0.1
0
100
200
300
400
500
600
700
800
900
1000
0.1
5 mm
25mm
Distancia entre aletas del disipador
Tema 10. Control Trmico. Transparencia 20 de 22
Normalmente se emplear un
circuito cerrado, y se forzar
mediante una bomba la
circulacin del lquido.
A2
A1
Arad=2 A1 + 2 A2
Entrada
de Lquido
Salida de
Lquido
donde:
Rsa ,rad
T
=
5.7 10 8 EArad (Ts4 Tas )
Refrigerador
por lquido
Proteccin
por presin
baja
Rsa =
Proteccin
por caudal
bajo
Enfriador del
lquido por aire
forzado
Bomba
Depsito
Condensacin
Retorno del
lquido
condensado
El vapor sube
Evaporacin