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transferencia de masa del lado del lquido tena un valor de 0.128 cm/s y que la tasa de absorcin
era de l.42 x 10-7 mol/cm2 s. Calcular el grosor efectivo de la pelcula (a) en la fase gaseosa; (b) en
la fase lquida.
Problema 6
Clculo del tiempo de contacto en la absorcin de S02
Un experimento de absorcin de S02 de una corriente de aire en agua a 20oC y 1 atm, se lleva a
cabo en un lecho empacado. En un punto determinado de la torre, el coeficiente de transferencia de
masa del lado del lquido es 0.011 cm/s. Un valor estimado del coeficiente de difusin del so2 en
agua es 2.0 x l0-5 cm2/s. Calcular el tiempo de contacto.
Problema 7
Clculo del coeficiente de transferencia de masa a partir de la teora de la capa lmite.
En una planta se derrama benceno accidentalmente sobre la superficie de un patio y alcanza una
extensin de 5 m. Sobre el patio sopla viento a una velocidad de 4 m/s y a una temperatura de 200c.
La difusividad del benceno en aire es 0.096 cm2/s -y la viscosidad cinemtica del aire es 0.15 cm2/s.
Calcular: (a) el coeficiente de transferencia de masa promedio para la evaporacin del benceno
cuando el aire fluye en rgimen laminar; (b) el coeficiente de transferencia de masa promedio en la
zona de flujo turbulento del aire; (c) la tasa de evaporacin en la zona de flujo laminar; (d) la tasa de
evaporacin en la zona de flujo turbulento; (e) los espesores de las capas lmite de velocidad y
concentracin a la distancia a la cual ocurre la transicin de flujo laminar a turbulento.
Problema 8
Un reactor horizontal de deposicin qumica de vapor (CVD) para el crecimiento de pelculas
delgadas de arseniuro de galio (GaAs) se muestra en la figura. En este proceso, los gases arsina
(AsH3), trimetil galio (Ga (CH3)3), e hidrgeno (H2) se introducen en el reactor. En el interior del
reactor, la oblea de silicio descansa sobre una plato caliente llamado un susceptor. Los gases
reactivos fluyen paralelos a la superficie de la oblea y depositan una pelcula delgada de GaAs de
acuerdo a las reacciones simplificadas de CVD
2AsH3 (g) 2As (s) + 3H2 (g) y 2Ga(CH3)3 (g) + 3H2 (g) 2Ga (s) + 6CH4 (g)
Si el proceso se est considerablemente diluido en H2 gas, entonces la transferencia de masa de cada
especie en el hidrgeno gaseoso acarreador puede ser tratada por separado. La reaccin superficial
es muy rpida, por lo que la transferencia de masa de los reactivos gaseosos a la superficie de la
oblea limita la tasa de formacin de pelcula delgada de GaAs. En el presente proceso, el borde de
una oblea de silicio de 10 cm se coloca a 4 cm del borde del plato. La oblea est insertada dentro de
esta placa de modo que se mantiene una superficie plana. La temperatura de proceso es 800 K, y la
presin total del sistema es 101.3 kPa (1 atm). Considere un caso lmite, donde la velocidad de flujo
del gas de alimentacin rico en H2 al reactor resulta en una velocidad lineal de 100 cm/s, donde el
trimetilgalio est presente en concentracin diluida.