Instituto Tecnolgico de Santo Domingo (INTEC)

Ingeniera
Grado
Ingeniera Industrial (IND)

ANALISIS DE TRANSISTORES PNP

ELADIO MANUEL DE LEN CABRERA

ID 1065905

Santo Domingo, Repblica Dominicana

Diciembre, 2015

ndice de contenido
1.

Introduccin...................................................................................2

2.

Funcionamiento del Transistor........................................................3

Operacin de la regin activa............................................................3

3.

Configuraciones de BJT..................................................................5
Configuracin de base comn...........................................................5
Configuracin de emisor comn........................................................7
Beta ().............................................................................................9

Bibliografa.........................................................................................10

ndice de figuras
Figura
Figura
Figura
Figura
Figura
Figura
Figura
Figura

1.1
2.1
3.1
3.2
3.3
3.4
3.5
3.6

Transistores NPN Y PNP........................................................2

flujo de portadores de un transistor pnp..............................3
Transistor PNP conectado en base comn...........................5
Caracterstica de salida, transistor de en base comn........5
Caracterstica de entrada, transistor de en base comn.....6
Desarrollo del modelo equivalente......................................6
Transistor PNP conectado en emisor comn........................7
Caracterstica de salida, transistor en emisor comn..........8

1.

Introduccin

El transistor es un dispositivo electrnico semiconductor utilizado

para entregar una seal de salida en respuesta a una seal de
entrada. Cumple funciones de amplificador, oscilador, conmutador o
rectificador. El trmino transistor es la contraccin en ingls de
transfer resistor (resistor de transferencia). Actualmente se
encuentran prcticamente en todos los aparatos electrnicos de uso
diario: radios, televisores, reproductores de audio y video, relojes de
cuarzo, computadoras, lmparas fluorescentes, tomgrafos, telfonos
celulares, entre otros.

El transistor es un dispositivo semiconductor de tres capas que

consiste de dos capas de material tipo n y una capa tipo p, o bien, de
dos capas de material tipo p y una tipo n. al primero se le llama
transistor npn, en tanto al segundo transistor pnp. La operacin del
transistor pnp es exactamente la misma que si se intercambiaran las
funciones que cumplen el electrn y el hueco.

En la figura 1.1 se muestra la disposicin

simblica
de
las
terminales
que
conforman
un
transistor
BJT,
las
terminales de indican mediante las
literales E para el emisor, C para el
colector y B para la base. La abreviatura
BJT, se Transistor bipolar de unin (del
ingls, Bipolar Junction Transistor), suele
aplicarse a este dispositivo de tres terminales.
Figura 1.1 Transistores NPN Y PNP

El transistor de unin, se fabrica bsicamente sobre un monocristal de

Germanio o Silicio, que tienen cualidades de semiconductores, estado
intermedio entre conductores como los metales y los aislantes como
el diamante. Sobre el sustrato de cristal, se contaminan en forma muy
controlada tres zonas, dos de las cuales son del mismo tipo, NPN o
PNP, quedando formadas dos uniones NP.
La zona N con donantes de electrones (cargas negativas) y la zona P
de aceptadores (cargas positivas). Normalmente se utilizan como
elementos aceptadores P al Indio (In), Aluminio (Al) o Galio (Ga) y
donantes N al Arsnico (As) o Fsforo (P).

2.

Funcionamiento del Transistor

En la unin de dos semiconductores de diferente signo (unin p-n) se

produce en el equilibrio una curvatura de las bandas de energa con
una cada de voltaje Vo en la regin de carga espacial. Esta situacin
ocurre tambin en cada una de las dos uniones de un transistor.
Tpicamente el transistor se construye con una estructura no
simtrica, de forma que la concentracin de impurezas en el emisor
sea mucho ms alta que en la base, y en esta la concentracin de
impurezas sea a su vez ms elevada que en el colector.

Operacin de la regin activa

Cuando el transistor pnp se polariza en la regin activa, esto es V EB >
0 y VBC > 0, la unin de emisor queda polarizada en directo mientras
que la unin de colector esta polarizada en inverso. En la polarizacin
directa el voltaje VEB debe ser de una dcima de voltio, esto es, menor
que el potencial de contacto asociado a la unin, mientras que en
polarizacin inversa el potencial VBC puede oscilar en varias docenas
de voltio. La aplicacin de voltaje V EB significa que la barrera
emisor/base disminuye en una pequea cantidad, dada por qV EB, y la
barrera base/colector aumenta en mayor proporcin, en la cantidad
qVBC. En consecuencia, si se consideraran las uniones separadamente
debera existir una corriente elevada dominada por los portadores
mayoritarios en la unin de emisor, y simultneamente una corriente
relativamente pequea y dominada por los portadores minoritarios en
la unin de colector. Sin embargo, la proximidad de las uniones de
emisor y de colector hace que la situacin en el transistor sea muy
diferente.

Figura 2.2 flujo de portadores de un transistor

pnp

En la Figura 2.1 ambos potenciales de polarizacin se aplican a un

transistor pnp, con el flujo resultante indicado de portadores
mayoritarios y minoritarios. Los espesores de las regiones de
agotamiento que indican con claridad cual unin tiene polarizacin
directa y cual polarizacin inversa. Debido a que el material tipo n del
centro es muy delgado y tiene baja conductividad, un nmero muy
pequeo de estos portadores tomara esta trayectoria de alta
resistencia hacia la terminal de la base. La magnitud de la corriente
de base casi siempre se encuentra en el orden de los microamperios,
comparado con miliamperios para las corrientes del emisor y del
colector. La mayor cantidad de estos portadores mayoritarios se
difundir a travs de la unin con polarizacin inversa, hacia el
material tipo p conectado a la terminal del colector, segn se muestra
en la Figura 2.1.

Al aplicar la ley de corriente de Kirchhoff al transistor de la Figura 2.1,

como si fuera un solo nodo, se obtiene

(2.1)

Donde:
IE Corriente de emisor, en miliamperios (mA).
IC Corriente de colector, en miliamperios (mA).
IB Corriente de base, en microamperios (A).
Se observa que la corriente del emisor es la suma de las corrientes
del colector y de la base. Sin embargo, la corriente del colector est
formada por dos componentes: los portadores mayoritarios y
minoritarios, segn se indica en la Figura 2.1. La corriente del colector
se determina por la ecuacin (2.2).

(2.2)

Donde:

Corriente de fuga (corriente IC con la terminal del emisor

abierta), en microamperios (A).

3.

Configuraciones de BJT

Configuracin de base comn

La terminologa de la base comn se
deriva del hecho de que la base es comn
tanto a la entrada como a la salida de la
configuracin. A su vez, por lo general la
base es el terminal ms cercano, o que se
encuentra en, el potencial de tierra. Se
observa en la Figura 3.1, que se cumple la
ecuacin (2.1)

Figura
3.3
Transistor
conectado en base comn

PNP

Figura 3.4 Caracterstica de salida, transistor de en base comn

Cuando la corriente del emisor se incrementa por arriba de cero, la

corriente del colector aumenta a una magnitud en esencia igual a
aquella de la corriente del emisor, segn se determina por las
relaciones bsicas de corriente en el transistor. Las curvas indican la
relacin ente IE e IC en la regin activa est dado por:

(3.3)

Si se aplica una aproximacin lineal

a la Figura 3.3 se obtiene la Figura
3.4B. Al avanzar un paso ms e
ignorando la pendiente de la curva,
y por tanto, la resistencia asociada
con la unin con polarizacin directa
se obtendr la Figura 3.4C

Figura 3.5 Caracterstica de

transistor de en base comn

entrada,

Figura 3.6 Desarrollo del modelo equivalente

Es decir, una vez el transistor se encuentre encendido, se supone que

el voltaje base-emisor es:
(3.4)
En el modo de DC los niveles de IC e IE debidos a los portadores
mayoritarios se encuentran relacionados por una cantidad llamada
alfa y definida por la siguiente ecuacin:

(3.5)
Debido a que alfa solo puede definirse para los portadores
mayoritarios, la ecuacin (2.2) se convierte en

(3.6)
Para las caractersticas de la Figura 3.2 cuando IE = 0 mA, IC es por
consiguiente igual a ICBO . Cuando IE = 0 mA tambin parece ser que IC
tambin es de 0 mA para el rango de volumen de VCB.

Configuracin de emisor comn

Se le denomina configuracin de
emisor comn debido a que el
emisor es comn o hace referencias
a las terminales tanto de entrada
como de salida.

Figura 3.7 Transistor PNP conectado en

emisor comn

Si bien cambio la configuracin del

transistor, aun se puede aplicar las
relaciones de corriente que se
desarrollaron para la configuracin
de base comn (2.1) y (3.3)

Para la configuracin de emisor comn, las caractersticas de salida

son una grfica de la corriente de salida en funcin del voltaje de
salida. Las caractersticas de entrada son una grfica de la corriente
de entrada en funcin del voltaje de entrada (VBE).

Figura 3.8 Caracterstica de salida, transistor en emisor comn

En la Figura 3.6 la magnitud de la IB se indica en microamperios,

comparados con los miliamperios de I C. Tambin la curva de IB no son
tan horizontales como las que se obtuvieron en la configuracin de
base comn, lo cual indica que el voltaje del colector al emisor tendr
influencia sobre la magnitud de la corriente del colector.
La regin activa para la configuracin del emisor comn es la parte
del cuadrante superior derecho que tiene mayor linealidad, es decir,
la regin en la que las curvas para IB son casi rectas e igualmente
espaciadas. La regin a la izquierda de V CE se denomina regio de
saturacin. La regin de corte no estn no est tan bien definidas
como para la configuracin inversa ICO, de tal forma que en la curva IE
= 0 y el eje de los voltajes fue uno para todos los propsitos
prcticos.
La razn de esta diferencia en las caractersticas del colector puede
obtenerse a travs de las ecuaciones (3.1) y (3.4)
Sustituyendo (3.4) en (3.1):

(3.7)

Beta ()
En el modo de dc, los niveles de IC e IB se relacionan mediante una
cantidad a la que llamaremos Beta
9

(3.8)
El nombre formal para

es, factor de amplificacin de

corriente directa de emisor a comn. Debido a que por lo

general, la corriente del colector es la corriente de salida
para una configuracin de emisor comn, y la corriente de
base es la corriente de entrada.

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Bibliografa

(Albella, 1996, Boylestad and Nashelsky, 1997, Madrid and Izquierdo,

2006)

ALBELLA, J. M. 1996. Fundamentos De Electronica Fisica Y

Microelectronica.
BOYLESTAD, R. L. & NASHELSKY, L. 1997. Electrnica: Teora de
Circuitos.
MADRID, G. V. & IZQUIERDO, M. A. Z. 2006. TRANSISTORES DE UNION
BIPOLAR (BJT), Departamento de Ingeniera de la Informacin y
Comunicaciones Universidad de Murcia.

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Anexos
Listado de frmulas
(2.1)........................................................................4
(2.2)................................4
(3.1)...........5
(3.2)............................6
(3.3).............................7
(3.4).....................7
(3.5)..................8
(3.6)...........................9

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