DISPOSITIVOS E INDUCTORES

ELECTRNICA DE POTENCIA

JAVIER ALEJANDRO SAENZ L.

260231
ADOLFO GARCIA GONZALEZ
972124

PROFESOR:
ING. GIOVANNI BAQUERO

UNIVERSIDAD NACIONAL DE COLOMBIA

BOGOTA, 5 DE OCTUBRE DE 2007

INTRODUCCION
Desde el descubrimiento del Transistor, la elctronica ha pasado por grandes cambios a lo
largo del tiempo. Nuevas aplicaciones y necesidades han provocado el surgimiento de
nuevos dispositivos con caracteristicas diferentes, ventajosas o desventajosas. A
continuacin se muestran los margenes de potencia y frecuencia que presentan algunos de
los dispositivos en la electronica actual:

Tambien, a lo largo de este tiempo, se pueden ver nuevas tendencias en los materiales
semiconductores, as:

En donde se ve una nueva direccin hacia los dispositivos en diamante. Y la evolucion de

estos a traves del tiempo:

Y la necesidad del aumento en el manejo de la potencia a traves del tiempo

Caida de tension en conduccin de los dispositivos de potencia:

Rangos de voltaje, frecuencia y corriente de los diferentes dispositivos:

1. DIODOS DE CARBURO DE SILICIO

La Reduccin de peso y la miniaturizacin es una tendencia significativa en la electrnica.
La miniaturizacin es la principal causa del aumento en elementos porttiles, pero esta
reduccin de tamao no se debe exclusivamente a esta causa, en la mayora de los
dispositivos electrnicos porttiles el peso y el tamao de la fuente de poder es una parte
predominante de todo el sistema.
Los diodos Schottky de carburo de silicio pueden llegar a soportar voltajes en inverso de
hasta 1000V debido a las propiedades del material:

Bajas corrientes de fuga debido a que la barrera del metal-semiconductor es dos

veces mayor que las de silicio.

La resistencia en encendido de los diodos de carburo de silicio es mucho menor que

la de los de silicio.

Es posible reducir el tamao de los diodos debido a la gran densidad de corriente

que manejan (comparable con el cobre).

Comparacin de la resistencia de encendido y bloqueo de voltaje.

El diodo de carburo de silicio presenta una gran estabilidad trmica, el incremento de
las corrientes de fuga debido a la temperatura es menor que en los diodos de silicio. Lo
cual hace que estos diodos sean apropiados en implementaciones en paralelo sin el
riesgo de desbordamiento trmico.

Dependencia de las caractersticas en directo e inverso con la temperatura para un

diodo Schottky de 6A/600V de carburo de silicio (SiC)

La velocidad de conmutacin de un diodo Schottky (SiC) es mucho mayor que la de

uno de Si debido a su menor capacitancia Qc.

Comparacin de conmutacin entre los diodos de carburo de silicio y el patrn de los

diodos de silicio.

Carga capacitiva en inverso (Qc) de un diodo Schottky de 6A/600V.

2. TIRISTORES
SCR
Definicin
El tiristor (SCR, Silicon Controlled Rectifier o Rectificador Controlado de Silicio), es un
dispositivo semiconductor biestable formado por tres uniones PN con la disposicin PNPN.
Est formado por tres terminales, llamados nodo, Ctodo y Puerta. El instante de
conmutacin puede ser controlado con toda precisin actuando sobre el terminal de puerta.
Es un elemento unidireccional, conmutador casi ideal y rectificador.
En la curva caracterstica idealizada del tiristor se pueden apreciar cuatro zonas bien
diferenciadas:

a
b
c
d

El dispositivo se comporta como un circuito abierto. (Zona de bloqueo directo)

El elemento est en estado de conduccin. (Zona de conduccin)
El dispositivo equivale a un circuito abierto.(Zona de bloqueo inverso)
Zona de Resistencia negativa

Estructura y caracterstica V-I

El tiristor (SCR), est formado por cuatro capas semiconductoras P y N. Estas cuatro capas
forman 3 uniones PN: U1 (P1-N1), U2 (N1-P2) y U3 (P2-N2), que se corresponden con 3
diodos. El comportamiento de estos diodos no es independiente, ya que hay capas comunes
entre ellos, y por tanto habr interacciones que determinan el comportamiento final.

Simbolo, estructura y representacin del SCR

TIRISTOR: Caracterstica real V I

VDWM: Voltaje mximo directo de trabajo

VDRM: Voltaje mximo repetitivo directo
VRRM: Voltaje mximo repetitivo inverso
VT: Voltaje de trabajo en conduccin
IT: Corriente de trabajo en conduccin
IH: Corriente de mantenimiento
IDRM: Corriente mxima directa de trabajo
IRRM: Corriente mxima repetitiva inversa
IL: Corriente de enganche

TIRISTOR: Principio de Funcionamiento

Tensin de nodo negativa respecto a ctodo (VAK < 0):
Los diodos U1 y U3 quedan polarizados en inverso y U2 en directo. La corriente del diodo
viene dada por:

Tensin de nodo positiva respecto a ctodo (VAK > 0), sin excitacin de puerta:
Sin seal en la puerta (G), las uniones U1 y U3 estarn polarizadas en directo y U2 en
inverso. La nica corriente que circula por el dispositivo es la inversa de saturacin del
diodo formado en la unin U2. A esta corriente de saturacin la llamamos IS2.

Teniendo en cuenta que la corriente neta ha de ser la misma en todas las uniones:

y sustituyendo:

de donde:

El transistor formado por la capas P1N1P2 se encuentra en bloqueo directo, por lo que se
comporta como un circuito abierto, puesto que el valor de IA es muy pequeo. Esto supone
que 1+ 2<< 1 con lo que la expresin anterior se reduce a:

Del modelo anterior, obtenemos las siguientes expresiones:

Finalmente obtenemos: (teniendo en cuenta: IB1 = IC2)

Cuando (1+ 2) se aproxima a 1, la divisin tiende a , por lo que IA tiende a aumentar

sin lmite, pasando el dispositivo al estado ON.
Dos tipos de disparo del SCR:
1.- Por tensin suficientemente elevada aplicada entre A K, lo que provocara que ste
entrara en conduccin por efecto de "avalancha";
2.- Por intensidad positiva de polarizacin en la puerta.
Caractersticas de control:
Determinan la naturaleza del circuito de mando que mejor responde a las condiciones de
disparo.

TRIAC
El TRIAC (triode AC conductor) es un semiconductor capaz de bloquear tensin y conducir
corriente en ambos sentidos entre los terminales principales T1 y T2. Es un componente
simtrico en cuanto a conduccin y estado de bloqueo se refiere, pues la caracterstica en el
cuadrante I de la curva UT2-T1 --- iT2 es igual a la del cuadrante III. Tiene unas fugas en
bloqueo y una cada de tensin en conduccin prcticamente iguales a las de un tiristor y el
hecho de que entre en conduccin, si se supera la tensin de ruptura en cualquier sentido, lo
hace inmune a destruccin por sobretensin.

Estructura y smbolo.

Se puede considerar a un TRIAC como si fueran dos SCR conectados en antiparalelo, con
una conexin de compuerta comn. Dado que el TRIAC es un dispositivo bidireccional, no
es posible identificar sus terminales como nodo y ctodo. Si la terminal MT2 es positiva
con respecto a la terminal MT1, se activar al aplicar una seal negativa a la compuerta,
entre la compuerta y la terminal MT1. No es necesario que estn presentes ambas
polaridades en las seales de la compuerta y un TRIAC puede ser activado con una sola
seal positiva o negativa de compuerta. En la prctica, la sensibilidad vara de un cuadrante
a otro, el TRIAC normalmente se opera en el cuadrante I (voltaje y corriente de compuerta
positivos) o en el cuadrante III (voltaje y corriente de compuerta negativos).

Circuito equivalente de un TRIAC

El TRIAC puede ser disparado en cualquiera de los dos cuadrantes I y III mediante la
aplicacin entre los terminales puerta y T1 de un impulso positivo o negativo. Esto le da
una facilidad de empleo grande y simplifica mucho el circuito de disparo. A continuacin se
vern los fenmenos internos que tienen lugar en los cuatro modos de disparo posibles.
Modo I + :

Terminal T2 positiva con respecto a T1.

Intensidad de puerta entrante.

Funcionan las capas P1N1P2N2 como tiristor con emisor en corto circuito, ya que la
metalizacin del terminal del ctodo cortocircuita parcialmente la capa emisora N2 con la
P2. La corriente de puerta circula internamente hasta T1 , en parte por la unin P2N2 y en
parte a travs de la zona P2. Se produce la natural inyeccin de electrones de N2 a P2 que
es favorecida en el rea prxima a la puerta por la cada de tensin que produce en P2 la
circulacin lateral de corriente de puerta. Parte de los electrones inyectados alcanzan por
difusin la unin P2N1, que bloquea el potencial exterior, y son acelerados por ella
inicindose la conduccin.
Modo I - : Terminal T2 positivo respecto a T1.
Intensidad de puerta saliente.
El disparo es similar al de los tiristores de puerta de unin. Inicialmente conduce la
estructura auxiliar P1N1P2N3 y luego la principal P1N1P2N2.El disparo de la primera se
produce como un tiristor normal actuado T1 de puerta y P de ctodo. Toda la estructura
auxiliar se pone a la tensin positiva de T2 y polariza fuertemente la unin P2N2 que
inyecta electrones hacia el rea de potencial positivo. La unin P2N1 de la estructura
principal que soporta la tensin exterior, es invadida por electrones en la vecindad de la
estructura
auxiliar,
entrando
en
conduccin.

Modo III + : Terminal T2 negativo respecto a T1.

Intensidad de puerta entrante.
El disparo tiene lugar por el procedimiento llamado de puerta remota. Entra en conduccin
la estructura P2N1P1N4. La inyeccin de electrones de N2 a P2 es igual a la descrita en el
modo I +. Los que alcanzan por difusin la unin P2N1 son absorbidos por su potencial de
unin, hacindose ms conductora. El potencial positivo de puerta polariza ms
positivamente el rea de la unin P2N1 prxima a ella que la prxima a T1, provocndose
una inyeccin de huecos desde P2 a N1 que alcanza en parte la unin N1P1 encargada de
bloquear la tensin exterior y se produce la entrada en conduccin.
Modo III - : Terminal T2 negativo respecto a T1.
Intensidad de puerta saliente.
Tambin se dispara por el procedimiento e puerta remota, conduciendo las capas
P2N1P1N4. La capa N3 inyecta electrones en P2 que hacen ms conductora la unin P2N1.
La tensin positiva de T1 polariza el rea prxima de la unin P2N1 ms positivamente que
la prxima a la puerta. Esta polarizacin inyecta huecos de P2 a N1 que alcanzan en parte la
unin N1P1 y la hacen pasar a conduccin.
Los cuatro modos de disparo descritos tienen diferente sensibilidad. Siendo los modos I + y
III - los ms sensibles, seguidos de cerca por el I -. El modo III + es el disparo ms difcil y
debe evitarse su empleo en lo posible. El fabricante facilita datos de caractersticas
elctricas el bloqueo, conduccin y de dispar por puerta de forma similar a lo explicado
para el tiristor.

Caractersticas V-I de un TRIAC

UJT

El transistor de uni-unin (unijunction transistor) o UJT esta constituido por dos regiones
contaminadas con tres terminales externos: dos bases y un emisor.

Transistor UJT. a) Estructura fsica, b) modelo equivalente,

c) circuito equivalente y d) smbolo.

El emisor esta fuertemente dopado con impurezas p y la regin n dbilmente dopado con n.
Por ello, la resistencia entre las dos bases, RBB o resistencia interbase, es elevada (de 5 a
10K estando el emisor abierto).
El modelo equivalente representado en la figura b esta constituido por un diodo que excita
la unin de dos resistencias internas, R1 y R2, que verifican R BB=R1+R2. Cuando el diodo
no conduce, la cada de tensin en R1 (V1) se puede expresar como:

en donde VB2B1 es la diferencia de tensin entre las bases del UJT y es el factor de
divisin de tensin conocido como relacin intrnseca. El modelo de este dispositivo
utilizando transistores se muestra en la figura c, cuya estructura es muy similar a un diodo
de cuatro capas. Cuando entra en conduccin los transistores la cada de tensin en R1 es
muy baja. El smbolo del UJT se muestra en la figura d.
Funcionamiento de un UJT
El funcionamiento de un UJT es muy similar al de un SCR. En la grafica siguiente se
describe las caractersticas elctricas de este dispositivo a travs de la relacin de la tensin
de emisor (VE) con la corriente de emisor (IE). Se definen dos puntos crticos: punto de pico
o peak-point (VP, IP) y punto de valle o valley-point (VV, IV), ambos verifican la condicin
de dVE/dIE=0. Estos puntos a su vez definen tres regiones de operacin: regin de corte,
regin de resistencia negativa y regin de saturacin, que se detallan a continuacin:

Caractersticas elctricas de un UJT.

Regin de corte. En esta regin, la tensin de emisor es baja de forma que la tensin
intrnseca mantiene polarizado inversamente el diodo emisor. La corriente de emisor es
muy baja y se verifica que VE<VP e IE < IP. Esta tensin de pico en el UJT viene definida
por la siguiente ecuacin:

donde la VF varia entre 0.35 V a 0.7 V con un valor tpico de 0.5 V. Por ejemplo, para el
2N2646 es de 0.49V a 25C. El UJT en esta regin se comporta como un elemento resistivo
lineal entre las dos bases de valor RBB.
Regin de resistencia negativa. Si la tensin de emisor es suficiente para polarizar el
diodo de emisor, es decir, VE=VP entonces el diodo entra en conduccin e inyecta huecos a
B1 disminuyendo bruscamente la resistencia R1 debido a procesos de recombinacin.
Desde el emisor, se observa como el UJT disminuye su resistencia interna con un
comportamiento similar a la de una resistencia negativa (dV E/dIE < 0). En esta regin, la
corriente de emisor esta comprendida entre la corriente de pico y de valle (IP< IE< IV).
Regin de saturacin. Esta zona es similar a la zona activa de un tiristor con unas
corrientes y tensiones de mantenimiento (punto de valle) y una relacin lineal de muy baja
resistencia entre la tensin y la corriente de emisor. En esta regin, la corriente de emisor es
mayor que la corriente de valle (I E > IV). Si no se verifica las condiciones del punto de
valle, el UJT entrara de forma natural a la regin de corte.
En la figura anterior tambin se observa una curva de tipo exponencial que relaciona la V E
y la IE cuando la base B2 se encuentra al aire (IB2=0). Esta curva tiene una forma similar a
la caracterstica elctrica de un diodo y representa el comportamiento del diodo de emisor.
DIAC

El DIAC (Diode Alternative Current, Figura 1) es un dispositivo bidireccional simtrico

(sin polaridad) con dos electrodos principales: MT1 y MT2, y ninguno de control. Es un
componente electrnico que est preparado para conducir en los dos sentidos de sus
terminales, por ello se le denomina bidireccional, siempre que se llegue a su tensin de
cebado o de disparo.

Smbolo del DIAC.

Estructura bsica del DIAC

En la curva caracterstica tensin-corriente se observa que:

V(+ -) < Vb0 , el elemento se comporta como un circuito abierto.

V(+ -) > Vb0 , el elemento se comporta como un cortocircuito.

Hasta que la tensin aplicada entre sus extremos supera la tensin de disparo Vb0; la
intensidad que circula por el componente es muy pequea. Al superar dicha tensin la
corriente aumenta bruscamente, disminuyendo como consecuencia la tensin.

CARACTERSTICAS
CARACTERSTICAS GENERALES Y APLICACIONES.
Se emplea normalmente en circuitos que realizan un control de fase de la corriente del triac,
de forma que solo se aplica tensin a la carga durante una fraccin de ciclo de la alterna.
Estos sistemas se utilizan para el control de iluminacin con intensidad variable,
calefaccin elctrica con regulacin de temperatura y algunos controles de velocidad de
motores.
La forma ms simple de utilizar estos controles es empleando el circuito representado en la
siguiente figura, en que la resistencia variable R carga el condensador C hasta que se
alcanza la tensin de disparo del DIAC, producindose a travs de l la descarga de C, cuya
corriente alcanza la puerta del TRIAC y le pone en conduccin. Este mecanismo se produce
una vez en el semiciclo positivo y otra en el negativo. El momento del disparo podr ser
ajustado con el valor de R variando como consecuencia el tiempo de conduccin del
TRIAC y, por tanto, el valor de la tensin media aplicada a la carga, obtenindose un
simple pero eficaz control de potencia.

Disparo de TRIAC mediante un DIAC.

GTO
Interruptor controlado en compuerta (GTO por sus siglas en ingls). Al igual que el SCR,
tiene solamente tres terminales, en la siguiente figura se muestra su smbolo y su forma
constructiva.

El equivalente de transistor es exactamente el mismo que el del SCR y posee caractersticas

similares. Su funcionamiento es mostrado a continuacin:

La ventaja del dispositivo GTO sobre los SCR, es el hecho de poder ser encendido o
apagado aplicando el pulso adecuado a la compuerta de ctodo. Una consecuencia de esta
capacidad de apagado es un incremento en la magnitud de la corriente de compuerta
requerida para el disparo. Para un SCR y un GTO con valores similares de corriente rms
mxima, la corriente para disparo de compuerta de un SCE particular es de 30 A,
mientras que la corriente de disparo del GTO es de 20mA. La corriente de apagado de un
GTO es ligeramente mayor que la corriente de disparo requerida. La corriente rms mxima
y los valores de disipacin de los GTO fabricados actualmente estn limitados a cerca de
3A y 20W, respectivamente.
Una segunda caracterstica importante del GTO son sus mejores caractersticas de
conmutacin. El tiempo de encendido es similar al del SCR (usualmente 1 s), pero el
tiempo de apagado que es casi de la misma duracin (1 s), es mucho mas rpido que el del
SCR (de 5 a 30 s), esto permite que este dispositivo sea utilizado en aplicaciones de alta
velocidad. Otras caractersticas de este dispositivo son que tienen un control de encendido
y apagado difcil, son dispositivos muy robustos y tienen una baja frecuencia pero mayor
que los SCR.
MCT
Un tiristor controlado por MOS (MCT) combina las caractersticas de un tiristor
regenerativo de cuatro capas y una estructura de compuerta MOS. La estructura NPNP se
puede representar por un transistor NPN Q1 y con un transistor Q2. La estructura de

compuerta MOS se puede representar por un MOSFET de canal p M 1 y un MOSFET de

canal n M2.
Debido a que se trata de una estructura NPNP, en vez de la estructura PNPN de un SCR
normal, el nodo sirve como la terminal de referencia con respecto a la cual se aplican
todas las seales de compuerta. Supngase que el MCT est en estado de bloqueo directo y
se aplica un voltaje negativo VGA. Un canal, p (o una capa de inversin) se forma en el
material dopado n, haciendo que los huecos fluyan lateralmente del emisor p E 2 de Q2
(fuente S1 del MOSFET M1 del canal p) a travs del canal p hacia la base p B 1 de Ql (que es
drenaje D1 del MOSFET M1, del canal p). Este flujo de huecos forma la corriente de base
correspondiente al transistor npn Q1. A continuacin e1 emisor n+ E1 de Q1, inyecta
electrones, que son recogidos en la base n B2 (y en el colector n C 1) que hace que el emisor
p E2 inyecte huecos en la base n B2, de tal forma que se active el transistor PNP Q 2 y
engancha al MCT. En breve, un VGA de compuerta negativa activa al MOSFET M 1 canal p,
proporcionando as la corriente de base del transistor Q2.
Supngase que el MCT est en estado de conduccin, y se aplica un voltaje positivo VGA.
Se forma entonces un canal n en el material contaminado p, haciendo que fluyan
lateralmente electrones de la base n B2 de Q2 (fuente S2 del MOSFET M2 del canal n) a
travs del canal n del emisor n+ fuertemente contaminado de Ql (drenaje D2 del MOSFET
M2 del canal n+). Este flujo de electrones desva la corriente de base del transistor PNP Q 2
de tal forma que su unin base-emisor se desactiva, y ya no habr huecos disponibles para
recoleccin por la base p B1 de Q1 (y el colector p C2 de Q2). La eliminacin de esta
corriente de huecos en la base p B1, hace que se desactive el transistor NPN Q1, y el MCT
regresa a su estado de bloqueo. En breve, un pulso positivo de compuerta VGA, desva la
corriente que excita la base de Ql, desactivando por lo tanto el MCT.
El MCT se puede operar como dispositivo controlado por compuerta, si su corriente es
menor que la corriente controlable pico. Intentar desactivar el MCT a corrientes mayores
que su corriente controlable pico de especificacin, puede provocar la destruccin del
dispositivo. Para valores ms altos de corriente, el MCT debe ser conmutado como un SCR
estndar. Los anchos de pulso de la compuerta no son crticos para dispositivos de
corrientes pequeas. Para corrientes mayores, el ancho del pulso de desactivacin debe ser
mayor. Adems, durante la desactivacin, la compuerta utiliza una corriente pico. En
muchas aplicaciones, incluyendo inversores y pulsadores, se requiere, de un pulso continuo
de compuerta sobre la totalidad del perodo de encendido/apagado a fin de evitar
ambigedad en el estado.
Tiristor controlado por MOS (MCT):

Tiristor de emisor conmutado (EST):

Tiristor controlado de doble puerta (otro MCT):

Un MCT tiene como caractersticas principales:

Una baja cada de voltaje directo durante la conduccin;

Un tiempo de activado rpido, tpicamente 0.4 s, y un tiempo de desactivado
rpido, tpicamente 1.25 s, para un MCT de 300A, 500v;
Bajas perdidas de conmutacin;
Una baja capacidad de bloqueo voltaje inverso.
Una alta impedancia de entrada de compuerta, lo que simplifica mucho los circuitos
de excitacin. Es posible ponerlo efectivamente en paralelo, para interrumpir
corrientes altas, con slo modestas reducciones en la especificacin de corriente del

dispositivo. No se puede excitar fcilmente a partir de un transformador de pulso, si

se requiere de una polarizacin continua a fin de evitar ambigedad de estado.

3. TRANSISTORES DE CONMUTACION
BJT

El inters actual del Transistor Bipolar de Potencia (BJT) es muy limitado, ya que existen
dispositivos de potencia con caractersticas muy superiores aunque es necesario conocer sus
limitaciones para poder comprender el funcionamiento y limitaciones de otros dispositivos
de gran importancia en la actualidad.

Caracterstica de salida (IC frente a VCE ) del transistor NPN de potencia, para distintas
corrientes de base, IB5>IB4>...IB1 y Esquema del BJT de tipo NPN.
Valores mximos de VCE :
BVCB0>BVCE0>BVSUS
BVSUS : Continua.
BVCE0 : Para IB=0
BVCB0 : Para IE=0
Definicin de Corte:
de IC= - IE+IC0 ; -IE=IC+IB ;
se deduce:

Posibles definiciones de corte:

Por tanto se considera el transistor cortado cuando se aplica una tensin VBE ligeramente
negativa IB = -IC = -IC0
Constitucin del BJT

La anchura de la base y su dopado sern lo menores posibles para conseguir una ganancia
lo mayor posible (baja recombinacin de los electrones que atraviesan la base).

Para conseguir BV elevada, se necesita una anchura de base grande y un dopado

pequeo.
El problema surge cuando el dopado es pequeo, pues para alojar la zona de
deplexin la base debe ser muy ancha, bajando la ganancia. Es por tanto necesario
encontrar unos valores intermedios de compromiso.
Este compromiso implica que los BJT de potencia tienen una ganancia tpica de
corriente entre 5 y 10. (muy baja).

Ventajas de la estructura vertical:

Maximiza el rea atravesada por la corriente:

Minimiza resistividad de las capas
Minimiza prdidas en conduccin
Minimiza la resistencia trmica.
En la prctica, los transistores bipolares de potencia no se construyen como se ve en
esta figura, sino que se construyen en forma de pequeas celdillas como la
representada, conectadas en paralelo.

Ventajas de la estructura multiemisor:

Reduce la focalizacin de la corriente debida al potencial de la base causante de la

avalancha secundaria.
Reduce el valor de RB (disminuye prdidas y aumenta la frecuencia fT ).

Funcionamiento

En activa al subir IB, IC , VCE (=VCC - ICR ).

Simultneamente: VjCB (=VCE - ICRd ). Donde Rd es la resistencia de la capa
de expansin.
El lmite de la zona activa se alcanza cuando: VjCB=0 (VCE = ICRd ).
Si VjCB>0 (Unin directamente polarizada):
Habr inyeccin de huecos desde p a n- (Recombinacin con electrones procedentes del
emisor en n-) Desplazamiento a la derecha de la unin efectiva:

Rd Disminuye
Aumento del ancho efectivo de la base.
Disminuye

Las prdidas en corte suelen despreciarse al ser la corriente muy baja. Las prdidas en
conduccin pueden ser aproximadas por:

Las prdidas en conmutacin pueden estimarse suponiendo que la corriente y la tensin

siguen una lnea recta durante la conmutacin:

anlogamente se hace para Wf :

La potencia media disipada en el perodo T ser por tanto:

Zona de operacin segura

MOSFET
El nombre de MOSFET, viene dado por las iniciales de los elementos que lo componen:

Una fina pelcula metlica (Metal - M). Oxido de silicio (xido - O); Regin
semiconductora (Semiconductor - S) El MOSFET es un dispositivo unipolar, la conduccin
slo es debida a un tipo de portador.

Canal N: Conduccin debida a electrones

Canal P: Conduccin debida a huecos

Las aplicaciones ms tpicas de los transistores de potencia MOSFET se encuentran en la

conmutacin a altas frecuencias, troceadores, fuentes conmutadas, sistemas inversores para
controlar motores, generadores de altas frecuencia para induccin de calor, generadores de
ultrasonido, amplificadores de audio, trasmisores de radiofrecuencia, etc.
De los dos tipos existentes de MOSFET (decremental e incremental), para aplicaciones de
elevada potencia nicamente se utilizan los MOSFET de tipo incremental, preferiblemente
de canal N.
Como se puede observar en la figura el MOSFET de canal N conduce cuando VGS>0

Las caractersticas ms importantes que distinguen a los MOSFET de otros dispositivos son
las siguientes:

Alta velocidad de conmutacin, llegando a MHz.

No presentan el fenmeno de segunda ruptura por lo que el rea de trabajo seguro
(SOA) mejora con respecto del BJT
El control se realiza mediante la tensin aplicada entre los terminales de puerta y
fuente (VGS), lo que reduce considerablemente tanto la complejidad como la
potencia de los circuitos de disparo.
Las tensiones mximas de bloqueo son relativamente bajas en los MOSFET de alta
tensin (< 1000V) y las corrientes mximas moderadas (< 500A).

El modo de funcionamiento de un MOSFET de potencia es anlogo al de pequea seal.

Aplicando las tensiones apropiadas entre la puerta y la fuente (VGS) del dispositivo se
controla el ancho del canal de conduccin y en consecuencia se puede modular el flujo de
portadores de carga que atraviesa el semiconductor.

En modo de conmutacin, se aplican pulsos de tensin durante el estado ON y se retiran (o

se aplican con polaridad contraria) en el estado OFF.

CARACTERSTICAS DE UN MOSFET DE CANAL N

En principio se necesitan conocer 3 tensiones y 3 corrientes: ID, IS, IG VDS, VDG, VGS.
En la prctica basta con conocer solo 2 corrientes y dos tensiones. Normalmente se trabaja
con ID, IG, VDS y VGS.
Por supuesto las otras dos pueden obtenerse fcilmente: IS = ID + IG VDG = VDS VGS
PAPEL DE LA PUERTA (G) EN UN MOSFET DE CANAL N

Situacin de partida. No es posible la conduccin en ningn sentido

Por atraccin electrosttica la zona bajo la puerta (CANAL) se enriquece de cargas

negativas (minoritarios de la zona P).
El CANAL, as enriquecido, se comporta como una zona N (CANAL N)

Al aumentar la tensin de puerta (VGS), aumenta el canal.

La situacin es parecida al JFET, solo que ahora vamos aumentando el canal a medida que
polarizamos positivamente la puerta (G)
MOSFET DE CANAL N (Caracterstica real de salida)

Como antes, la tensin de puerta (VGS) juega el papel de la corriente de base. Se puede
decir que es un dispositivo controlado por tensin.
MOSFET DE CANAL N ( Que pasa con el substrato?)

Se observa que los diodos juegan un papel secundario en la operacin del dispositivo.
Debemos asegurar que nunca entren en operacin.
EL SUBSTRATO se conecta al punto ms negativo del circuito.
Para un solo transistor, se conecta a la FUENTE (S).
En los circuitos integrados se conectar el SUBSTRATO a la alimentacin negativa

AHORA YA NO ES UN DISPOSITIVO SIMTRICO.

MOSFET DE CANAL N (precauciones con la puerta)
La puerta (G) es muy sensible. Puede perforarse con tensiones bastante pequeas (valores
tpicos de 30 V). No debe dejarse nunca al aire y debe protegerse adecuadamente.
El Transistor MOSFET de Potencia

La curva caracterstica aporta informacin acerca de cmo vara la corriente del Dreno, I D
para una tensin dreno - fuente, VDS que se mantiene fija, variando la tensin aplicada entre
la puerta y fuente Vgs.

Regin hmica.
Esta regin se utiliza cuando acta el MOSFET como una resistencia dependiente de V GS
en estado encendido. En esta regin el valor de VDS ser:

Una definicin de la regin hmica, parte de la caracterstica que satisface la condicin

que:

Esta regin tiene una baja resistencia entre el dreno fuente, R DS(ON) un valor tpico para
un MOSFET de potencia trabajando a 500V y 10A es de 0.5 ohms.
En funcionamiento como interruptor, las prdidas de potencia durante la conduccin son:

Regin Activa (Saturacin de Canal)

En esta regin el MOSFET funciona como amplificador. Para un valor de V GS, que ser
como mnimo VGS(th) se produce el paso de corriente entre el dreno y la fuente.
En la regin activa el valor de la tensin entre puerta y fuente, VGS controla la magnitud de
la corriente de dreno, ID as como la tensin entre el dreno y fuente VDS.

Regin de Corte
Si se cierra el circuito exterior, esto no significa que se cambie el estado del dispositivo, si
la tensin aplicada entre Puerta - fuente es inferior a Vth, el dispositivo continuar en la
regin de corte. En esta regin la corriente que circula por el dreno es prcticamente nula.
En los MOSFET de potencia Vth suele ser algo mayor que 2 V.
Para esta regin se cumplen las siguientes condiciones:

CIRCUITOS DE EXCITACIN PARA MOSFET

El MOSFET es un dispositivo controlado por tensin, que resulta relativamente simple de
activar y desactivar, lo cual es una ventaja respecto al transistor bipolar de unin.
El estado de conduccin se consigue cuando la tensin puerta-fuente sobrepasa de forma
suficiente la tensin umbral, lo que forza al MOSFET a entrar en la regin de trabajo
hmica.
Normalmente, la tensin puerta-fuente del MOSFET para el estado activado en circuitos
conmutados est entre 10 y 20 V.
El estado desactivado se consigue con una tensin menor que la tensin umbral.
Las corrientes de puerta para los estados de encendido y apagado son muy bajas. Sin
embargo, es necesario cargar la capacidad de entrada parsita para poner al MOSFET en
conduccin, y descargarla para apagarlo.
Las velocidades de conmutacin vienen determinadas bsicamente por la rapidez con que la
carga se puede transferir hacia y desde la puerta.
Tendencias en MOSFET

IGBT
Insulated Gate Bipolar Transistor (Transistor de compuerta aislada)

Estructura MOSFET mas capa P+ de Colector

Caractersticas de salida

Caractersticas de transferencia

En estado de conduccin es cualitativamente similar a un bipolar controlado en voltaje.

Son preferibles voltajes de puerta altos.
El voltaje de bloqueo inverso depende de la unin p+n+. Si la zona n+ se quita VRM
aumenta.
La caracterstica por puerta es equivalente a la de un MOSFET.

Bloqueo:

Con VGS <VGS(th), no hay canal y el interruptor est abierto.

El voltaje VCE cae en la en la unin pn-.
Conduccin:

Con VGS>VGS(th) se forma canal.

VCE de saturacin cae en la unin p+n-.
La mayor parte de la corriente final va por el MOSFET.

Esta condicin es debido a la inyeccin de huecos desde p+

La cada total es menor en el IGBT para tensiones a partir de 600V. (1.6V para
1.200 Voltios)
En el mercado existen IGBTs de 600, 1.200, 1.700, 2.200 y 3.300 Voltios
Hay anunciados IGBTs de 6.500 Voltios

La corriente de cola se debe a la conmutacin ms lenta del BJT, debido a la carga

almacenada en su base (huecos en la regin n-).
Provoca prdidas importantes (corriente relativamente alta y tensin muy elevada) y limita
la frecuencia de funcionamiento.
4. DRIVERS PARA DISPARO DE TRANSISTORES
BJT

Optoacopladores
Tambin se denominan optoaisladores o dispositivos de acoplamiento ptico. Basan su
funcionamiento en el empleo de un haz de radiacin luminosa para pasar seales de un
circuito a otro sin conexin elctrica
Fundamentalmente este dispositivo est formado por una fuente emisora de luz, y un
fotosensor de silicio, que se adapta a la sensibilidad espectral del emisor luminoso.

Circuito con optoacopladores

Acopladores inductivos

Circuito equivalente

Ejemplo de acople inductivo

IGBT
Actualmente hay disponibles drivers para el disparo de dispositivos IGBT y MOSFETS,
tales como:

2ED020I12-FI
6ED003L06-F
1ED020I12-S

Las ultimas generaciones de estos chips tienen varias ventajas. Algunas caracteristicas son
especialmente un rango dinamico mas ancho, conmutacin mas rapida, menos perdidas de
conmutacin y conduccin. Unas de las desventajas podria ser que cuando se conmuta a 0V
pueden presentarse dos efectos:

Capacitancia Miller en el encendido.

Inductancias de fuga en el encendido.

Se toma como ejemplo al 2ED020I12-FI, que es un driver de alta tension alta velocidad
para el encendido de dispositivos MOSFET e IGBT. A continuacin, se presenta el
diagrama de bloques para el 2ED020I12-FI

Y la configuracin de pines

2. INDUCTORES

Tipos de ncleos:

Ncleos Laminados:

Ncleo magntico laminado utilizado en los

transformadores a fin de reducir las prdidas
de potencia por corrientes de Foucault.

Izquierda: Forma de laminacin de ncleo tipo

"E", cerrado, empleada en la construccin de
transformadores.

Derecha: Forma de intercalacin de las chapas

a fin de reducir el entrehierro y aumentar el
rendimiento magntico.

La caracterstica principal de estos ncleos es que se hacen laminados para evitar perdidas
por las corriente de Foucault, Esto se consigue integrando el ncleo magntico mediante un
conjunto de lminas delgadas de hierro, superpuestas una sobre la otra y aisladas entre s.
En la figura podemos apreciar el efecto de reduccin de las corrientes circulares. Aunque
aun existen debido a que el hierro tiene menor seccin, el valor alcanzado por las corrientes
de Foucault se ve reducido, disminuyendo en consecuencia las prdidas. En la prctica, los
transformadores se construyen con gran nmero de lminas muy delgadas de hierro silicio,
aisladas entre s y fuertemente comprimidas.

Ferritas:

Existen dos grandes tipos de ferritas

Ferritas de Manganeso-Zinc (MnZn), formadas por una mezcla de xidos de hierro,

manganeso y zinc (Fe2O3 + MnO + ZnO). La permeabilidad magntica de las
ferritas MnZn es del orden de 100 veces mayor que en las NiZn.
Ferritas de Nquel-Zinc (NiZn), formadas por una mezcla de xidos de hierro,
nquel y zinc. tienen una resistividad muy alta por lo que se usan para frecuencias
muy elevadas (desde 12 MHz a varios cientos de MHz) mientras que las MnZn se
emplean hasta 2MHz.

Estas son las principales caractersticas de las ferritas:

Alta resistividad.
Amplio rango de frecuencias de trabajo.
Bajas prdidas con alta permeabilidad.
Alta estabilidad con el tiempo y la temperatura.
Amplia seleccin de materiales.
Gran variedad de formas de ncleos.
Bajos coste y peso.
Baja conductividad trmica.
Fragilidad y poca resistencia mecnica.
Saturan a bajas densidades de flujo.

Estas son algunas de las formas de ferritas mas usadas:

Ncleo POT:

Ncleo EE:

Ncleo EC:

Ncleo ETD:

Ncleo PQ:

Diseo de Inductancias:
Procedimiento paso a paso.
Se especifican las cantidades siguientes, usando las unidades conocidas:
Resistencia

(-centmetro) del alambre

Corriente mxima
Imax
(A)
Inductancia
L
(H)
Resistencia de la bobina
R
()
Factor de llenado del bobinado
Ku
Densidad de flujo mxima del ncleo
Bmax
(T)
Las dimensiones del ncleo estn en centmetros:
rea transversal del ncleo
Ac
rea de la ventana del ncleo
WA
Longitud por vuelta
MLT
1. Se determina el tamao del ncleo

(cm2)
(cm2)
(cm)

Se debe escoger un ncleo lo suficientemente grande para que cumpa la ecuacin, los
valores estn en las tablas de datos de los ncleos.
2. Determinar la longitud del entrehierro.

3. Determinar AL.

AL es igual a la inductancia, en el mH, obtenida con una bobina de 1000 vueltas.

4. Determinar el nmero de vueltas n.

5. Determinar las perdidas:

B es el incremento de densidad de flujo mximo AC expresado en gauss y es igual

a la diferencia entre el valor de pico de la densidad de flujo y su valor medio.
k es una constante que es igual a 4.44 para onda senoidal y 4 para onda cuadrada.
E es la tensin eficaz en voltios.
Ac es la seccin transversal efectiva del ncleo en cm2 y es
aproximadamente igual a la seccin de la columna central.
N es el nmero de espiras que abrazan al ncleo.
f es la frecuencia en Hz.

Las prdidas en un ncleo de ferrita pueden estimarse (segn los fabricantes):

P es la prdida de potencia en mW/cm3.

B es la densidad de flujo mximo AC en gauss.
k, a y b son constantes dadas por los fabricantes para cada tipo de material
magntico.
Diseo de Transformadores:

Resistencia eficaz del alambre

Corriente total de la bobina (rms)
Cocientes deseados de las vueltas
Pri aplicado voltio-sec
Disipacin de energa total permitida
Factor de llenado del bobinado
Exponente de prdidas del ncleo
Coeficiente de prdidas del ncleo

(-centmetro)
ITOT
(A)
n2/n1, n3/n1...
1
(V-sec)
Ptot
(W)
Ku

Kfe
(W/cm3T )

Otras cantidades y sus dimensiones:

rea transversal del ncleo
rea de la ventana del ncleo
Longitud por vuelta
Longitud de trayectoria magntica
reas de los alambres
Densidad de flujo AC mxima

Ac
WA
MLT
le
Aw1,
Bmax

(cm2)
(cm2)
(cm)
(cm)
(cm2)
(T)

1. Determinar el tamao del ncleo.

Se debe escoger un ncleo lo suficientemente grande para que cumpa la ecuacin, los
valores estn en las tablas de datos de los ncleos.
2. Evaluar la densidad de flujo AC mxima.

Se debe verificar que el ncleo no se sature en caso de que lo haga se debe volver a escoger
el ncleo.
3. Evaluar el nmero de vueltas para el primario y el secundario:

4. Escoger los alambres.

Fraccin del rea de

asignado a cada bobina:

la

ventana
Escoja el calibre del alambre de acuerdo a:

BIBLIOGRAFIA

http://www.inele.ufro.cl/bmonteci/semic
http://www.dte.uvigo.es/recursos/potencia/dc-ac/tiristor.htm
http://woody.us.es/~leopoldo/Store/tsp_3.pdf
Notas de clase, Electrnica de Potencia, Ing. Hernando Vsquez, Universidad del
Valle, 2007.
http://www.infineon.com/dgdl/Driving+IGBTs+with+unipolar+gate+voltage+-an2006-01-gb.pdf?
folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b
40b53790783
http://www.infineon.com/dgdl/PrelSpec_V3+2.pdf?
folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b
40959d401de
FUNDAMENTALS OF POWER ELECTRONICS 2/ED., ERICKSON, ROBERT W

http://woody.us.es/~leopoldo/Store/tsp_11.pdf
http://www.amidoncorp.com