Apostilas de Eletrnica e Informtica

Aspctos Construtivos de Transistores

ASPECTOS CONSTRUTIVOS DE TRANSISTORES

TRANSISTORES DE JUNO POR LIGA
Os primeiros transistores encontrados comercialmente, nos primrdios
de 1950, foram feitos pelo processo de juno de liga de germnio. Neste
processo, as junes pn eram formadas pela liga de germnio com outro metal.
Nos transistores pnp, duas pelotas de ndio, que formariam as ligaes do
emissor e do coletor no transistor completo, foram colocadas sobre os lados
opostos de uma fatia de germnio monocristalino do tipo n. A fatia de germnio,
que formava a base, tinha aproximadamente 50 Pm de espessura. O conjunto
inteiro era aquecido num gabarito ou modelo a uma temperatura de cerca de
500 C, e parte do ndio era dissolvida no germnio para formar germnio tipo p
no resfriamento. Deste modo, duas junes pn eram formadas, conforme
indicado na seo transversal simplificada na Figura 8.40. Os fios de ligao
foram presos s pelotas de ndio como fios condutores do emissor e do coletor,
um tablete de nquel preso base para proporcionar a ligao da base e
montar o transistor sobre uma travessa, O transistor era depois encapsulado
num invlucro de vidro ou de metal. Os transistores NPN eram fabricados por
este processo usando germnio do tipo p para a base, e pelotas de chumboantimonio em vez de ndio. O processo de juno por liga ainda usado
atualmente em alguns transistores de potncia de audiofreqncia.
O desempenho de um transistor de juno por liga limitado pela largura
da base. Em particular, a freqncia de corte inversamente proporcional
largura da base. Se o conjunto foi aquecido durante um tempo mais longo para
permitir que mais ndio se dissolva de modo que a juno pn penetre mais na
fatia de germnio, h o risco de as junes se unirem e de no acorrer ao de
transistor, Por causa da dificuldade de controlar a largura da base com, a
preciso maior do que a da espessura da fatia original, a largura da base foi
mantida em aproximadamente l0 Pm. Isto deu aos primeiros transistores de
juno por liga uma freqncia de corte de cerca de 1 MHz, embora os
refinamentos feitos posteriormente no processo de fabricao permitissem que
esta freqncia fosse aumentada para 5 ou 10 MHz.
Durante
os
anos de 1950, outros
tipos de transistor
foram desenvolvidos
para superar as
limitaes
do
transistor tipo de
juno por liga. Um
destes
foi
o
transistor de liga
difundida.
Neste,
duas pelotas que
formavam o emissor
e a base foram
ligados do mesmo
lado de uma fatia de
germnio do tipo p
que
constitua
o
coletor. A pelota da
base
continha
impurezas do tipo n,
enquanto
que
a
pelota do emissor
continha
tanto
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impurezas do tipo p quanto do tipo n. At se aquecer o conjunto a 800 C

ocorria a liga, mas alm disso ocorria a difuso das impurezas do tipo n no
germnio do tipo p antes da liga. No resfriamento, ficava formada uma fina
camada do tipo n enlaando ambas as pelotas, com uma camada do tipo p
apenas sob a pelota do emissor, Deste modo, um transistor pnp com uma
estreita camada de base ficou formado. Em virtude da estreita camada da base,
a freqncia de corte deste tipo de transistor era de proximadamente 600 a 800
MHz. O transistor de liga difundida foi amplamente usado nas aplicaes de alta
freqncia, at que foi substitudo pelo transistor epitaxial planar de silcio.
Um outro tipo de transistor desenvolvido originalmente com germnio em
1956 foi o transistor-mesa. Este transistor foi desenvolvido para aprimorar as
caractersticas de chaveamento ou comutao e o desempenho nas altas
freqncias dos transistores ento existentes. O princpio era o ataque qumico
das bordas ou transies da estrutura do transistor para diminuir as reas da
juno e assim reduzir as capacitncias. A forma resultante era uma mesa ou
plat, conforme indicado na Figura 8.41. Os ransistores-mesa de germnio
originais eram capazes de comutar formas de onda com tempos de crescimento
de 1 ps, e tinham um desempenho nas altas freqncias comparvel ao da tipo
de liga difundida.

Figura
8.41
transversal
do

Sero
transistor mesa

O princpio da
tecnologia mesa
por
ataque
qumico usada
amplamente no momento em muitos tipos de transistores. Ele permite que as
transies do transistor sejam controladas, em particular que as transies da
juno coletor-base sejam claramente definidas. O ataque qumico mesa
tambm constitu um processo preliminar na passivao, a "vedao" das
transies de transistor para evitar a contaminao das transies da juno e
a conseqente variao das caractersticas durante o servio.
A introduo de silcio durante a dcada de 1950 proporcionou ao
fabricante de transistores um novo material com vantagens considerveis sobre
o germnio. Em particular, os transistores de silcio suportaro uma temperatura
mais alta na juno e tero correntes de fuga mais baixas do que os
transistores de germnio.
As tcnicas de liga desenvolvidas para o germnio foram aplicadas ao
silcio, Os transistores pnp de silcio foram fabricados de uma fatia de silcio do
tipo n (que formava a base) na qual as pelotas do emissor e do coletor foram
ligadas do mesmo modo que nos transistores de juno por liga de germnio. O
material usado nas pelotas da liga era alumnio.
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TRANSISTORES DIFUNDIDOS
Desde cedo compreendeu-se que as regies de impureza nos
transistores de silcio podiam ser difundidas numa fatia de material depositada
na superfcie por vaporizao, e que este processo tinha considerveis
vantagens sobre o processo de liga. Em particular, o maior controle possvel
sobre o processo tornou mais fcil fabricar dispositivos com caractersticas
superiores aos dos transistores de liga.
Um transistor NPN de silcio podia ser feito por duas difuses numa fatia
do tipo n que formaria o coletor do transistor completo. A primeira difuso,
formando a base, usava impurezas do tipo p, tais como o boro ou glio, e cobria
toda a superfcie da fatia. A segunda difuso formava o emissor, difundindo
impurezas do tipo n, tais como fsforo ou arsnico na regio da base j
difundida. As ligaes eltricas da base foram feitas fazendo-se a liga dos
contatos de retificao atravs do emissor base, Um refinamento deste
processo de fabricao usado atualmente nos transistores de silcio de alta
potncia. A descoberta de que o xido de silcio termicamente crescido sobre a
superfcie da fatia podia formar uma barreira para a difuso, e assim podia ser
usada para definir as regies de impureza, deu ensejo ao aparecimento de uma
nova tcnica de fabricao de transistores - o processo planar.
TRANSISTOR PLANAR
O processo planar revolucionou a fabricao dos transistores. Pela
primeira vez na fabricao de dispositivos eletrnicos, podiam ser aplicadas as
verdadeiras tcnicas de produo em massa. O processo permitia o controle
mais rigoroso sobre a geometria do dispositivo, melhorando assim o
desempenho. Durante os anos de 1950, o transistor havia sido primeiro uma
inovao, depois considerado como um equivalente da vlvula terminica. Com
a introduo do processo planar em 1960, o transistor estabeleceu-se como um
dispositivo com um desempenho superior ao da vlvula na eletrnica de
"propsitos gerais". A operao nas, freqncias at a regio de microondas
tornou-se possvel. Assim como ocorreu na operao dos transistores de

potncia nas radiofreqncias. E foi o processo planar que tornou o mais

importante dispositivo semicondutor dos dias de hoje - o circuito integrado.
O princpio do processo planar a difuso de impurezas nas reas de
uma fatia de silcio definidas pelas janelas numa camada de xido de cobertura.
Os vrios estgios na fabricao de um transistor NPN planar de silcio so
mostrados na Figura 8.42.
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Uma fatia de silcio monocristalino do tipo n (que formar o coletor do

transistor completo) aquecida at aproximadamente 1l00 C numa corrente de
oxignio mido. A temperatura controlada para melhor do que + - 1 grau C, e
uma camada uniforme de dixido de silcio de 0,5 Pm de espessura acrescida
- Figura 8.42 (a). a fatia revestida em rotao com uma fotorresistncia, um
material orgnico que polimeriza quando exposto luz ultravioleta, produzindo
uma camada de cerca de 1 Pm de espessura a fotorresistncia seca por
cozimento. Uma mscara que define a rea da base colocada sobre a fatia
exposta. No desenvolvimento da fotorresistncia, a rea no exposta
removida (dando acesso camada de xido), enquanto que a rea exposta
permanece e endurecida por outro cozimento para resistir ao ataque qumico.
Este ataque qumico remove o xido descoberto para determinar a rea de
difuso. A fotorresistncia remanescente dissolvida, deixando a fatia pronta
para a difuso da base - Figura 8.42 (b). O boro usado para formar o silcio
tipo p na regio da base. A fatia passada atravs de um tubo de difuso num
forno. Uma corrente de gs passada sobre a fatia que contm uma mistura de
oxignio com tribrometo de boro BBr3 ou diborano (boroetano) B2H6. O
composto de boro se decompe, e fica formado um vidro rico em boro sobre a
superfcie da fatia. A partir disto, o boro difundido no silcio atravs da janela
aberta na base. O vidro ento removido por um ataque qumico, e a fatia
aquecida numa corrente de oxignio num segundo forno. Isto faz o boro
penetrar mais na fatia, e cresce uma camada de xido de vedao sobre a
superfcie. A profundidade a que penetra o boro determinada pelo controle
cuidadoso da temperatura do forno e pelo tempo durante o qual a fatia
aquecida. A estrutura resultante mostrada na Figura 8.42 (c).
Figura 8.42 Estgios na fabricao de transistor planar NPN de silcio (a)
camada de xido crescida (b) janela da base aberta (c) base difundida, xido de
vedao crescido (d) janela de emissor aberta (e) emissor difundido, xido de
vedao crescido (f) janelas de conexo abertas (g) almofadas de conexo
formadas (h) forno de difuso tpico da fabricao de transistores (i)
encapsulamentos tpicos de transistores - fila superior, da esquerda para a
direita: TO-5 TO-72, TO-39, TO-18, TO-92, "T pack", "Lockfit"; fila inferior, da
esquerda para a direita; TO-220, TO-126, TO-3 "base grossa", TO-3 "base fina".
O prximo estgio no processo planar a difuso do emissor. A fatia
revestida com uma fotorresistncia como antes, e uma Segunda mscara
usada para definir a rea de difuso. A exposio, o desenvolvimento e o
ataque qumico so os mesmos como na difuso da base que acabamos de
descrever. A estrutura antes da difuso do emissor mostrada na Figura 8,42
(d).
O fsforo usado para formar a regio do emissor do tipo n. A corrente
de gs no forno de difuso desta vez contm oxignio e oxicloreto de fsforo
POCl3, tribrometo de fsforo PBr3 ou fosfina PH3. Fica formado um vidro rico
em fsforo, do qual o fsforo difundido para formar um silcio do tipo n na
regio da base do tipo p j difundida. Um segundo forno leva o fsforo a uma
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profundidade controlada e forma uma camada de xido de vedao, conforme

mostrado na Figura 8,42 (e).
O estgio final nesta parte do processo de fabricao consiste na
formao das ligaes para as regies da base e do emissor. Uma terceira
mscara usada para definir os contatos da base e do emissor, sendo os
processos fotogrfico e de ataque qumico os mesmos que os descritos
anteriormente - Figura 8.42 (f). A fatia est coberta com alumnio pela
evaporao sobre a superfcie para formar uma camada de espessura de cerca
de 1 Pm. Uma quarta mscara, o inverso da terceira, ento usada para definir
as reas onde o alumnio deve ser quimicamente atacado, deixando apenas as
almofadas de contato para ligaes eltricas - Figura 8.42 (g).
O processo at agora foi descrito por clareza como se apenas um
transistor estivesse sendo fabricado. Na prtica, muitos milhares de dispositivos
so fabricados ao mesmo tempo. As fatias de silcio, usadas presentemente
so de 5 cm de dimetro, contendo at 10 000 transistores, mas fatias de 7,5
cm de dimetro esto comeando a ser usadas, Mais do que 100 fatias so
processadas ao mesmo tempo num forno de difuso, Mesmo nos primeiros dias
do processo planar, quando fatias de silcio foram usadas com 2,5 cm de
dimetro contendo 2 000 transistores, o processo representava um aumento
considervel na capacidade de produo sobre o processo de juno por liga,
com uma conseqente queda do custo unitrio.
Um forno de difuso tpico mostrado na Figura 8.42 (h). Este um
forno duplo de banco triplo, e mostrado sendo carregado com lotes de fatias
de silcio para difuso.
Processos de difuso semelhantes aos descritos nos transistores NPN
podem ser usados para fabricar transistores pnp. Uma fatia de silcio do tipo p
usada, e o fsforo difundido para formar as regies da base do tipo n. Quando
as regies do emissor esto formadas, no entanto, h uma tendncia para que
o boro se concentre na camada de xido que est crescendo em vez de na
base de silcio do tipo n, e as tcnicas especiais de difuso devem ser usadas.
Da descrio dos processos de difuso ser evidente que a preciso das
mscaras usadas para definir as reas de difuso de importncia primordial.
O primeiro estgio na preparao das mscaras usa um filme opaco
descartvel em que uma forma transparente cortada. A rea transparente
representa a rea de difuso particular, a base, emissor, ou rea de contato de
um nico transistor, Um processo de reduo de 20:1 usado para reproduzir
esta forma numa chapa fotogrfica de 50 mm X 50 mm. Esta chapa chamada
um retculo. Uma cmara de passos sucessivos ou de repetio usada para
reproduzir o retculo com uma reduo de 10 :1 num arranjo predeterminado
numa segunda chapa fotogrfica. A preciso de posicionamento de cada
reproduo do retculo no dispositivo maior do que 1 Pm. A segunda chapa
fotogrfica chamada mestra, e a partir dela cpias de trabalho so feitas para
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uso nos processos de difuso. Para evitar defeitos nas mscaras, todos os
processos fotogrficos e de fabricao ocorrem nas reas de "ar puro" sob
umidade e nveis de poeira cuidadosamente controlados.
O alinhamento cuidadoso das mscaras com as fatias essencial se a
geometria do transistor deve ser recisamente controlada. O alinhamento pode
ser feito por um operador que usa um microscpio, ou no equipamento mais
recente feito automaticamente. A exposio da mscara na fatia pode ser
feita com a mscara e a fatia grampeadas juntas, ou em algum equipamento
pela projeo de uma imagem da mscara na fatia. A preciso da superposio
da mscara e das reas difundidas previamente sobre a fatia melhor do que 1
Pm. Os processos fotogrficos que precedem a difuso devem ocorrer cm
condio de "ar puro".
Os processos de fabricao depois de ter sido formado o elemento de
transistor so os mesmos tanto para transistores NPN quanto para os pnp.
Todos os transistores da fatia so individualmente testados. Isto feito por meio
de sondas que podem mover-se ao longo de uma fila de transistores sobre a
fatia testando cada um; localizar a transio da fatia, passar para a prxima fila,
e mover-se ao longo desta fila testando estes transistores. Quaisquer
transistores que no alcancem a especificao requerida so automaticamente
marcados de modo que possam ser rejeitado; num estgio posterior. A fatia
dividida em transistores individuais escrevendo com um estilete de diamante, e
quebrando a fatia em pastilhas individuais. neste estgio que os transistores
defeituosos so rejeitados, Os transistores restantes so preparados para o
encapsulamento.
A camada de xido removida do lado do coletor da pastilha, que
depois ligada a uma travessa revestida de ouro. A ao de ligadura ocorre pela
reao euttica do ouro e do silcio a 400 C. Este contato forma a ligao do
coletor. So usados fios de alumnio ou de ouro de 25 Pm de dimetro para
ligar as almofadas de contato do emissor e da base dos fios condutores de
sada na travessa. Fios mais grossos podem ser usados se o valor de regime
de corrente (contente nominal) do transistor o requerer. O estgio final da
montagem o encapsulamento, ou num invlucro hermeticamente vedado ou
cm plstico moldado, dependendo da aplicao do transistor. Encapsulamentos
tpicos de transistores so mostrados na Figura 8.42 (i).
O transistor planar possui vantagens sobre o tipo de juno por liga alm
do custo mais baixo pela fabricao de produo em massa. Durante cada
progresso da difuso, uma camada de xido crescida sobre as transies da
juno, a qual no perturbada durante os processos subseqentes de difuso
e de montagem. Assim, a juno coletor-base, uma vez que ela seja formada
vedada pela camada de xido, no pode ser facilmente contaminada pela
difuso do emissor, teste e encapsulamento, ou durante o tempo de vida do
transistor em servio. Os efeitos de carga que ocorrem nas superfcies expostas
dos dispositivos semicondutores so minimizados, dando aos transistores
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planares caractersticas estveis e mxima confiabilidade, Alm disso, a difuso

um processo que pode ser precisamente controlado, e portanto o
espaamento entre as trs regies do transistor pode ser mantido numa
tolerncia inferior a 0,1 Pm.
TRANSISTORES com estreitas larguras de base podem ser fabricados
para possibilitar a operao nas alta freqncias, bem acima de 1 GHz Uma
desvantagem do transistor planar ocorre atravs da resistividade do coletor.
Para altas tenes de ruptura, a resistividade deve ser alta. Por outro lado, para
uma alta corrente de coletor a resistividade deve ser baixa. Estes dois requisitos
conflitantes devem significar que um valor de compromisso deve ser escolhido
nos transistores prticos. O conflito pode ser resolvido, no entanto, constitui o
substrato. A fatia pode ser do tipo p ou do tipo n, de acordo com o tipo de
transistor, e um valor tpico de resistividade 1 X 10 -5 m, A camada eptaxial
crescida no substrato por deposio de vapor num reator aquecido por
radiofreqcia, o substrato senda mantido numa temperatura entre 1000 C e 1
200 C. O vapor de silcio formado pela decomposio de um composto de
silcio, tal como u tetracloreto de silcio SiCl4 com hidrognio, e as impurezas
podem ser acrescentadas ao vapor para dar camada a resistividade
requerida. Nos substratos n, as impurezas que podem ser usadas incluem o
fsforo, o arsnico e o antimnio. Desses materiais o arsnico e o antimnio
so preferidos porque eles tm baixas constantes de difuso. Nos substratos p,
as impurezas usuais do tipo p alumnio e glio no podem ser usadas porque
suas constantes de difuso so demasiado altas e as impurezas tenderiam a
migrar da camada epitaxial para dentro do substrato durante a fabricao do
transistor. Portanto, o boro usado.
Os tomos de silcio na camada epitaxial assumiro as mesmas posies
relativas que os tomos no substrato. Assim, a rede cristalina quase perfeita do
substrato de silcio mono-cristalino reproduzida na camada epitaxial. A
espessura da camada est entre 10 Pm e 12 Pm, e um valor tpico da
resistividade 1 x 10 ' Dm. Assim, a massa do coletor no transistor formada
pelo substrato de baixa resistividade.

Figura 8.43
Seo
transversal
simplificada de
transistor epitaxial
planar
A
formao do elemento transistor na camada epitaxial segue os mesmos
estgios que os do transistor planar descrito anteriormente. Uma seo
transversal simplificada do elemento transistor completo mostrada na Figura
8.43.
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FORMAS ESPECIAIS DE TRANSISTORES DE JUNO

Atualmente o fabricante de transistores tem uma variedade de tcnicas e
de materiais sua disposio. Geometrias especiais para manipulao de
grandes potncias ou operao em radiofreqncias tm sido desenvolvidas e
assim a faixa de operao do transistor foi ampliada. Alm disso, outros
processos e difuso, gravao em mesa e a escolha dos nveis de dopagem
permitem que os transistores sejam fabricados com caractersticas especiais
para satisfazer a requisitos particulares.
Os transistores de potncia de germnio foram fabricados durante o
incio da dcada de 1950 "aumentando proporcionalmente" os transistores de
juno por liga de pequenos sinais. A rea das junes foi aumentada, e a
pelota do coletor foi ligada ao invlucro para assegurar uma baixa resistncia
trmica. Tais transistores podiam dissipar 10 W, mas apresentaram uma rpida
queda no ganho para correntes acima de 1 A. No final da dcada de 1950, o
emissor de ndio era dopado com glio para aumentar a dopagem do emissor e
portanto aprimorar o ganho nas altas correntes. Os aperfeioamentos neste tipo
de transistor permitem que ele seja usado atualmente com potncias de at 30
W.
Os primeiros transistores de potncia de silcio foram introduzidos no
final de 1950, e usaram as tcnicas de difuso. As regies da base e do
emissor foram sucessivamente difundidas num lado de uma fatia de silcio do
tipo n, e a ligao eltrica base foi feita pela liga dos contatos de retificao
atravs do emissor. Este tipo de transistor apresentou um bom ganho at uma
corrente de 5 A. Os refinamentos ao processo de fabricao durante os anos de
1960 levaram ao atual transistor de potncia difundido capaz de manipular
correntes de at 30 A e potncias de at 150 W. Dois processos de fabricao
so usados para este tipo de transistor de potncia, os processos de difuso
simples e de difuso tripla.
O processo hometaxial ou de difuso simples usa uma difuso
simultnea sobre os lados opostos de uma pastilha de base homognea,
formando regies de emissor e de coletor fortemente dopadas. O emissor
gravado em mesa para permitir que a ligao eltrica seja feita com a base.
Este tipo de transistor reduz o risco de pontos quentes pelo uso de uma base
homognea, a base larga proporciona boas propriedades de segunda ruptura, e
o coletor fortemente dopado proporciona baixa resistncia eltrica e trmica.
Os transistores de potncia por difuso tripla so fabricados difundindose as regies da base e do emissor num lado de uma bolacha do coletor. A
terceira difuso forma um coletor difundido fortemente dopado sobre o outro
lado. Este tipo de transistor tem um alto valor de regime de tenso, muitas
vezes capaz de suportar tenses de 1 KV ou mais.
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O processo epitaxial planar permite que outros aprimoramentos sejam

feitos nos transistores de potncia. Em altas densidades de corrente, pode
ocorrer contrao de corrente. Esta a causa da segunda ruptura. A transio
do emissor torna-se mais polarizada diretamente do que o centro, de modo que
a corrente concentra-se ao longo da periferia do emissor. portanto necessrio
projetar estruturas de base-emissor que diferem das geometrias anular ou em
forma de pera dos transistores de pequeno sinal, e o aumento proporcional no
mais pode ser feito. Um emissor com uma longa periferia necessrio. Duas
estruturas que tm sido usadas com sucesso so a estrela e a floco de neve, os
nomes servindo para descrever a forma do emissor. Estas estruturas no
podem ter sido produzidas em transistores prticos sem a tcnica planar de
difuso atravs de uma frma na camada de xido.
Estruturas mais complexas de base-emissor podem ser produzidas para
combinar a grande rea do emissor e a periferia longa requerida para
manipulao de alta potncia com o restrito espaamento requerido para
operao de alta freqncia. Foram desenvolvidas geometrias para possibilitar
aos transistores de potncia operar nas radiofreqncias. Uma tal geometria a
estrutura interdigitalizada onde os contatos da base esto inseridos entre os
contatos do emissor. Uma outra a estrutura sobreposta onde um grande
nmero de tiras separadas do emissor so interligadas pela metalizao numa
regio de base comum. Com efeito, um grande nmero de transistores de alta
freqncia separados so conectados em paralelo para conduzir uma grande
corrente. Os transistores que usam estas estruturas podem operar nas
radiofreqncias, com potncias tpicas de 175 W a 75 MHz e 5 W a 4 GHz.
Uma outra estrutura usada em transistores de potncia a estrutura
mexa ou de base epitaxial. Uma camada epitaxial levemente dopada crescida
num coletor fortemente dopado, e uma simples difuso usada para formar o
emissor na camada de base epitaxial. A estrutura resultante gravada em
mesa. Os transistores mexa so reforados e tm baixa resistncia de coletor.
Os transistores de potncia so usualmente encapsulados em invlucros
metlicos possibilitando a montagem num dissipador de calor. Nos ltimos
anos, no entanto, tem havido certa tendncia para os encapsulamentos
plsticos. Isto tem diminudo consideravelmente o custo do encapsulamento do
transistor sem afetar o desempenho. Uma placa de metal incorporada no
invlucro plstico para garantir um bom contato trmico entre o elemento
transistor e um dissipador de calor.
Um transistor de potncia usado como transistor de sada num
amplificador geralmente requer um transistor pr-amplificador para proporcionar
potncia de entrada suficiente. Se ambos os transistores forem montados sobre
dissipadores de calor, uma considervel quantidade do volume do amplificador
ser ocupada por esses dois transistores. Um desenvolvimento recente permite
que seja economizado espao combinando-se os transistores pr-amplificador
e de sada na mesma frao de pastilha de silcio num encapsulamento. Esta
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construo o transistor de potncia Darlington, que pode ter um ganho de

corrente de at l 000 e sadas de potncia de at 150 W.

Figura
transistor

8.44
de

Diagrama de circuito do
potncia Darlington

diagrama de circuito de
um
transistor
Darlington mostrado
na Figura 8.44. Os dois transistores e os resistores de base-emissor so
formados numa frao de pastilha por difuses sucessivas usando o processo
de base epitaxial. Um dodo tambm pode ser formado atravs dos terminais de
coletor e de emissor para proteo, se requerida. Os ganhos de corrente dos
dois transistores so controlados durante a fabricao, de modo que o ganho
global varia linearmente ao longo de uma faixa da corrente de coletor. Esta
linearidade de ganho combinada com espaamentos menores do que
ocorreria com transistores discretos ligados no mesmo circuito. Estas vantagens
do transistor Darlington so combinadas com uma desvantagem: o alto valor de
VCE(sat).
Os transistores para operao em alta freqncia ou para chaveamento
rpido devem Ter espaamentos estreitos entre o emissor, a base e o coletor.
Duas geometrias so geralmente usadas: a base de anel e a base de tira ou
fita. A estrutura de base em anel "reduzida proporcionalmente" a partir da
estrutura anular usada para os transistores de baixa freqncia. A estrutura de
base em tira, que geralmente preferida para operao em freqncias mais
altas, mostrada na Figura 8.45. Muitas dessas estruturas podem ser ligadas
em paralelo para aumentar a capacidade de transporte de corrente, formando a
estrutura interdigitalizada j descrita para os transistores de potncia de RF. As
capacitncias internas do transistor, e as capacitncias esprias da montagem
e do invlucro, devem ser mantidas to baixas quanto possvel para evitar a
restrio do limite das freqncias superiores. Um processo de fabricao
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epitaxial planar deve ser usado para manter baixa a resistncia do coletor. O
nvel da dopagem escolhido para se adequar freqncia de operao e
tenso.

Figura
base
freqncia.

8.45
"para

Estruturo
"stripetransistores de alta

Na estrutura
de base em tira, duas
dimenses
so
crticas para o limite
das
freqncias
superiores. Estes so
a largura da tira do emissor (We na Figura 8.45) e a largura da base Wb. Nos
transistores da atualidade que operam at a regio de microondas, a largura do
emissor pode ser to baixa quanto 1 Pm e a largura da base 0,1 Pm.
TRANSISTOR DE UNIJUNO
Como se deduz do nome, um transistor de unijuno contm apenas
uma juno, embora ele seja um dispositivo a trs terminais. A juno
formada fazendo-se a liga da impureza tipo p num ponto ao longo do
comprimento de uma fatia de silcio do tipo n da forma de barra curta. Esta
regio do tipo p chamada emissor. Contatos de no-retificao so feitos nas
extremidades da barra para formar as ligaes da base 1 e da base 2. A
estrutura de um transistor de unijuno mostrada na Figura 8.46 (a), e o
smbolo do circuito na Figura 8.46 (b).

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figura 8.46 Transistor de unijuno: (a) estrutura simplificada (b) smbolo de

circuito
A resistncia entre as ligaes da base 1 e da base 2 ser a da barra de
silcio. Isto mostrado no circuito equivalente na Figura 8.47 como RBB, e tem
um valor tpico entre 4 k ohms e 12 k ohms. Uma tenso positiva aplicada
base, o contato da base 2 estando conectado ao terminal positivo. A base age
como um divisor de tenso, e uma proporo da tenso positiva aplicada
juno do emissor. O valor desta tenso depende da posio do emissor ao
longo da base, e est relacionada tenso na base, VBB, pela razo n
intrnseca. O valor de n determinado pelos valores relativos de RB1 e RB2, e
est geralmente entre 0,4 e 0,8.

Figura
transistor

8.47
de

Circuito equivalente de
unijuno

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Figura 8.48 Caracterstica de tenso/corrente de transistor de unijuno

A juno pn do emissor representada no circuito equivalente pelo
dodo. Quando a tenso VE do emissor for nula, o dodo ser polarizado
inversamente pela tenso nVBB. Flui apenas a pequena corrente inversa. Se a
tenso do emissor for aumentada gradualmente, alcanado um valor onde o
dodo se torna polarizado diretamente e comea a conduzir. Os buracos so
injetados do emissor para a base, e so atrados para o contato da base 1. A
injeo desses buracos reduz o valor de RB1, de modo que flui mais corrente
do emissor para a base 1, reduzindo mais o valor de RB1. O transistor de
unijuno atua portanto como uma chave comandada por tenso, variando
desde uma resistncia "desligada" alta at uma resistncia "ligada" baixa numa
tenso determinada pela tenso da base e pelo valor de n.
A caracterstica de tenso/corrente num transistor de unijuno
mostrada na Figura 8.48. Pode ser visto que depois do dispositivo ter sido
disparado ou comandado, h uma regio de resistncia negativa sobre a
caracterstica. Isto permite que o transistor de unijuno seja usado nos
circuitos osciladores, bem como em circuitos simples de disparo.
CLASSIFICAO DOS TRANSISTORES DE JUNO
Os atuais transistores de juno podem ser classificados de incio quanto
ao material semicondutor do qual eles so fabricados, germnio ou silcio. Uma
outra classificao depois quanto aos tipos NPN e pnp. Em seguida
conveniente grup-los em tipos de baixa potncia, potncia mdia e alta
potncia. As divises entre os grupos so um tanto arbitrrias, mas valores
tpicos so como segue. Nos transistores de germnio, os dispositivos de baixa
potncia tero potncias abaixo de 150 mW, os dispositivos de potncia mdia,
at 1 W, e os dispositivos de alta potncia acima de 1 W para um limite superior
tpico de 30 W. Nos transistores de silcio, os dispositivos de baixa potncia tm
potncias abaixo de 500 mW, os dispositivos de potncia mdia at 10 W, e os
dispositivos de potncia alta acima de 10 W at um limite tpico de 150 W.
TRANSISTORES DE EFEITO DE CAMPO
Um transistor de efeito de campo consiste essencialmente de um canal
de transporte de corrente formado de material semicondutor cuja condutividade
controlada por uma tenso aplicada externamente. A corrente transportada
por um tipo apenas de portador de carga; eltrons nos canais formados de
material de semicondutor do tipo n, buracos nos canais de material do tipo p.
transistor de efeito de campo portanto s vezes chamado transistor unipolar.
Isto para distingui-lo do transistor de juno, cuja operao depende de
ambos os tipos de portador de carga, e que portanto chamado transistor
bipolar. Os dois tipos de transistor de efeito de campo (FET): o FET de juno
(JFET) e o FET de porta isolada (IGFET). O FET de porta isolada mais
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comumente usado o MOSFET, as iniciais MOS significando Metal xido

Semicondutor e indicando a estrutura do transistor. O nome abreviado MOST.
A operao terica do FET foi descrita por Willaim Shockley em 1952.
Somente a partir de 1963, no entanto, que os dispositivos prticos em geral
passaram a ser encontrados. O atraso foi conseqncia do fato de que as
tcnicas de fabricao no estavam suficientemente avanadas at esta data,
sendo essencial o processo planar para a fabricao dos FETs. Isto constituiu
um exemplo de como o trabalho terico sobre dispositivos do estado slido nos
primeiros dias do transistor estava muitas vezes frente da tecnologia do
dispositivo.
ASPETOS DO FET DE JUNO
A estrutura esquemtica de um FET de juno mostrada na Figura
8.49. O dispositivo mostrado um FET de canal n, formado de uma fatia em
forma de barra de silcio monocristalino do tipo n, da qual so difundidas duas
regies do tipo p. As ligaes so feitas s extremidades do canal, a fonte e o
dreno, e s regies p, a porta.

Figura 8.49 Estrutura

transistor de juno
campo

esquemtica
por efeito

ASPETOS DO FET
ISOLADA

DE PORTA

do
de

A estrutura do FET de porta isolada difere da do FET de juno h pouco

descrito em dois aspectos: nenhum canal separado de transporte de corrente
est construdo, e a construo da porta diferente. Um canal que transporta
corrente formado pela acumulao de cargas debaixo do eletrodo porta. A
prpria porta no uma regio difundida, mas uma fina camada de metal
isolada do restante do FET por uma camada usualmente de xido. Assim, a
estrutura do FET de porta isolada constituda de sucessivas camadas de
Metal, xido, e de material Semicondutor - dando ao transistor seu nome
alternativo de MOSFET, ou, em forma abreviada, transistor MOS ou MOST. Em
virtude do material semicondutor usado presentemente ser em geral o silcio, as
iniciais MOS so muitas vezes interpretadas como Metal xido Silcio.

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Figura
8.57
simplificado do
n.

Seo transversal
MOSFET de canal

TRANSISTOR GTO
Acionamento
O tiristor GTO tem uma estrutura de gate altamente interdigitada sem
gate regenerarivo, em consequncia disso, um alto pulso de engatilhamento do
gate necessrio para acion-lo. O pulso de disparo e seus parmetros esto
descritos na figura abaixo.
Figura 1
Para garantir que o aparelho permanea em conduo durante o seu
acionamento, a corrente de gate deve ser aplicada no aparelho durante todo o
perodo de conduo. Se uma alta corrente reversa de ando passar no
circuito, ento altos valores de Ig sero necessrios.
Deve-se notar que valores menores de Ig sero necessrios quando o
aparelho j estiver esquentado.
DESLIGAMENTO
A performance de desligamento do tiristor GTO muito influenciada
pelas caractersticas dos componentes do circuito turn-off. Em consequncia
disso, muitos cuidados devem ser para ajustar as caractersticas com as
necessidades do aparelho. Os principais parmetros do aparelho no
desligamento so dados abaixo.
Figura 2

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O desligamento de gate funciona do diagrama abaixo. Onde L a resistncia

da chave sw1 ( no linear ), C um capacitor e sw2 e R3 as altas impedncias
do circuito desligado.

Figura 3
O processo de desligamento
do gate pode ser subdividido em trs perodos,
extrao da carga do
gate, o perodo avalanche Tg
(av) e a queda da
corrente. Aps a queda da corrente, o gate deveria idealmente estar
reversamente polarizado.
Transistor IGBT
IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor):
Estrutura:
A fig. 1 mostra a estrutura de um tpico canal N de um IGBT.

A estrutura muito similar a um mosfet verticalmente fundido apresentando

um dupla propagao da regio tipo N e da tipo P. A camada de inverso pode
ser formada atravs do gate aplicando a tenso certa no contato do gate como
no mosfet. A principal diferena o uso da camada P+ como dreno. O efeito
muda-lo para um aparelho Bipolar enquanto a regio tipo P injeta buracos na
regio tipo N.

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Operao:
Operao de Bloqueio: O estado ligado /desligado do aparelho controlado,
como em um mosfet, pela tenso no gate VG. Se a tenso aplicada no contato
gate, em relao ao emissor, menor que a tenso inicial, ento nenhuma
camada de inverso mosfet criada e o aparelho desligado. Quando esse o
caso, qualquer tenso aplicada ir cair atravs da juno J2 reversamente
polarizado. A nica corrente que ir fluir ser uma pequena corrente de fuso
da camada formada sobre o gate que faz um canal ligando a fonte regio drift
do aparelho. Eltrons ento so injetados da fonte para a regio drift, enquanto
ao mesmo tempo, a juno J3, que diretamente polarizada, injeta buracos
na regio drift dopada de N-.

Essa injeo causa a modulao da regio drift onde ambos buracos e

eltrons tem bem mais magnitude que a dopagem N- original. essa
modulao de condutividade que da ao IGBT sua baixa tenso de acionamento
devido a baixa resistncia da regio drift. A operao do IGBT pode ser
considerada como um transistor PNP cuja a corrente drive de base suprimida
pela corrente mosfet atravs do canal. Um circuito equivalente simples pode ser
mostrado na fig.3 a.

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A fig.3 b mostra um circuito equivalente mais completo, que inclui o transistor

parasita NPN formado pela fonte mosfet do tipo N+, pela regio tipo P e pela
regio tipo N-. Se o fluxo da corrente pela resistncia alto o suficiente, ir
produzir um aqueda de tenso que ir polarizar diretamente a juno com a
regio N+ ligando o transistor que forma parte de um tiristor. Quando isso
ocorre, h uma alta injeo de eltrons da regio N+ para a regio P e todo o
controle do gate perdido. Isso geralmente destri o aparelho.

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