LABORATORIO 5

UNIVERSIDAD NACIONAL DE SAN MARCOS

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EL AMPLIFICADOR BASE
COMUN
ALUMNO: VALQUE VILCA CESAR JESUS.
CODIGO: 12190055.
PROFEZOR:
CURSO: LABORATORIO DE CIRCUITOS
ELECTRONICOS 1.

Mircoles 11 de noviembre del 2015

LABORATORIO DE CIRCUITOS ELECTRONICOS 1

Objetivo: construir un
amplifi cador base
comn y
sus
caractersticas de
funcionamiento

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EL AMPLIFICADOR EN BASE COMN

OBJETIVO:
Construir un amplificador en base comn y comprobar
prcticamente sus caractersticas elctricas tales como Zi, Zo, Av
y Ai.
BASE COMUN
La configuracin en base comn. Esta configuracin no produce
ganancia de corriente, pero s de la tensin y adems tiene
propiedades tiles en altas frecuencias.
En la prctica, los valores de los parmetros no se obtienen
necesariamente por medio de las pendientes de las curvas.
Frecuentemente se usan valores tabulados de los parmetros, para
un punto de operacin dado. Se puede observar que para cada
parmetro se da un valor central de diseo como tambin valores
mximos y mnimos. Los intervalos de valores para cada parmetro
indican que en la prctica es razonable hacer algunas
aproximaciones. Las hojas de datos suministradas por los
fabricantes, generalmente no muestran curvas caractersticas de
entrada (Base o Emisor), pero contienen las curvas caractersticas
estticas de colector de las conexiones emisor y base comn, para
una temperatura ambiente dada.
En nuestro caso se realizarn todos los clculos apoyndonos en
nuestras curvas caractersticas del transistor a utilizar y con la
curva de transconductancia.
MODELO DEL AMPLIFICADOR EN B.C.
A continuacin se mostrar el amplificador en base comn:
IMPLEMENTANDO EL CIRCUITO NUMERO 1

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Ahora mostraremos el circuito equivalente de CC.

(Corresponde al anlisis de circuito de polarizacin por divisor de

voltaje.)
A continuacin se mostrar el circuito equivalente de CA

Figura 4.3 Circuito equivalente de C.A.

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Figura 4.4 circuito equivalente del amp. Base Comn

de CA
A continuacin se muestra la lista del material y equipo a utilizar
para esta prctica

Osciloscopio
Generador de seales
Fuente de alimentacin Vdc
La lista de valores de los componentes (resistencias y
capacitores) variar respecto a las curvas del transistor que se
utilice para realizar este amplificador (se recomienda utilizar el
transistor 2N3904).

EJEMPLO
Disear un amplificador en base comn con un transistor 2N3904,
que contenga los clculos de las impedancias y ganancias as como
el clculo de los capacitores para el buen funcionamiento del
amplificador.
Determinar los valores de los componentes para el circuito de la
figura 4.5.
Cabe aclarar que para poder calcular los componentes a utilizar en
el circuito debemos realizar lo siguiente:
Obtener con ayuda del trazador de curvas la familia de curvas
correspondiente al transistor a utilizar.

Identificar en las curvas los valores I CQ, VCEQ y hfe (vase en la

figura 4.6).
Elegiremos las siguientes condiciones de polarizacin para el
circuito de ejemplo:
Transistor 2N3904
RL = 3.3k
ri = 50

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Vcc = 12v
ICQ = 2.34mA
VCEQ = 6V
F = 10kHz
hfe = 234
VBE = 0.7v

Figura 4.5 Circuito en base comn

DESARROLLO
Se describir el procedimiento para:
Calcular los valores de los componentes que formarn el
amplificador en base comn.
Calcular los parmetros del amplificador.
Calcular adems el valor mnimo de capacitancia de cada
uno de los capacitores para el buen funcionamiento del
amplificador en una frecuencia de 10kHz.
SOLUCIN:
Como las condiciones de c.c. para obtener los siguientes parmetros
son iguales que en emisor comn entonces tendremos que:
Para determinar RE recordamos que VE
diseo:
RE

1(VCC )
por condicin de
10

VE
V
E 2.7 k
I EQ
I CQ

Ahora calcularemos Rc con VE=1.2

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RC

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VCC VCEQ VE
VRC

2.2k
I CQ
I CQ

Con hfe tendremos la resistencia de base:

RB

1
RE 63.18k
10

La VBB se determina por lo tanto:

RB

RE VBE

VBB I CQ

y R1 resultar :

R1

RB
174k
VBB
1
VCC

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tambin R2 se obtendr con:

R2

VCC
RB 98.6k (su valor comercial ser de 100k
VBB

para poder calcular nuestra Zi tendremos primero que determinar

hie:
hie hfe

25mV
2500
I CQ

Calcularemos la impedancia de entrada del amplificador de la

siguiente forma:
hfe

Zi hib

VT
I CQ

hie
V

T 10.63
1 hfe 1 hfe
I CQ
Zi hib RE hib

Para hfb y hib:

hfb

hfe
.995
1 hfe

hib

hie
10.6
1 hfe

La ganancia del circuito se obtendr as:

Av

Vcb (hfbie R2 )

Veb
ie hib

a partir de lo anterior:
hfe( RL )
hfbRc '
R '
1 hfe
Av

hfe L
hie
hib
hie
1 hfe

donde:
Rc ' Rc RL

AV

0.995( 2.2k 3.3k)

10.6

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Av =123.9

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Ahora nuestra ganancia de corriente es:

Ai

entonces:

iL ie

ie ii

iL
Rc

hfb
ii
Rc RL

por lo tanto:
ie
RE

ii
RE hib

debido a lo anterior se tiene:

Ai

RE
RC
(hfb) .3964
RE hib RC R2

Clculo de los Capacitores

Con los siguientes clculos obtendremos el valor de los capacitores
que sern de gran ayuda para nuestro amplificador.
Capacitor Ci:
RTH ri RE / hib 60.55

Xci
Ci

1( RTH )
6.05
10
1
16 F
2fXCi

Capacitor Co:

RTH = RC + RL = 5500
Xco
Co

1
RTH 550
10

1
28.9nF
2fXco

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Capacitor CB:
RTH RB hie 1 hfe ri RE 11375
X CB

1
RTH 1137 .5
10

CB = 13.9nF
SEGUIDOR DE EMISOR
Un amplificador tambin puede utilizar un transistor con el colector
conectado como terminal comn. Este circuito se denomina
generalmente con el nombre de emisor-seguidor, seguramente
porque es anlogo al seguidor catdico del tubo de vaco. Se podra
creer que el procedimiento de anlisis seria el mismo que el seguido
para las conexiones en emisor comn y en base comn, pero este
no es el caso. En este circuito, la terminal de entrada es el de la
base y la terminal de salida es el emisor. Para encontrar los
parmetros del amplificador del colector comn grficamente, se
requieren las curvas caractersticas del transistor a utilizar.
La configuracin en seguidor de emisor se caracteriza por una
ganancia de tensin ligeramente menor que la unidad, una elevada
impedancia de entrada y una baja impedancia de salida.
Generalmente se utiliza como transformador de impedancia en los
circuitos de entrada y salida de sistemas amplificadores. Cuando se
sita en el circuito de entrada, su elevada impedancia de entrada
traduce la carga aplicada a la fuente de seal. Cuando se sita en
el circuito de salida sirve para aislar de la carga la etapa precedente
del amplificador y adems, da una baja impedancia de salida.
MODELO DEL AMPLIFICADOR EN C.C.
A continuacin se mostrar el amplificador en colector comn:

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Figura 4.7. Circuito seguidor de emisor

Ahora mostraremos el circuito equivalente de CORRIENTE ALTERNA.

Figura 4.8 Circuito equivalente en CA

Impedancia de Entrada del amplificador:
Zi hie ( I hfe) RL ' RE

Impedancia de salida del amplificador:

Zo

ri hie
RE
1 hfe

donde ri=ri||RB

La ganancia de voltaje se determina por:

V
ib (1 hfe) RL '
Av CC
VbC ib hie (1 hfe) RL '
1 hfe( RL ' )
RL '
Av

hie (1 hf ) RL ' hib RL '

Generalmente hib<< RL` por lo tanto:

Av

Ganancia de corriente en el transistor:

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Ai

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ie ib (1 hfe)

ib
ib

Entonces:
Ai = 1+hfe
Ganancia de corriente del amplificador:
Ai

iL iL ie ib

ii
ib ib ii

as resultar qu:
iL
RE
i

; e 1 hfe
ie RE RL ib

y tambin tendremos qu:

iL
RE
i

; e 1 hfe
ie RE RL ib

As la ganancia de corriente estar dada por:

Ai

RE
RB
(1 hfe)

RE RL
hie (1 hfe) RL ' RB

A continuacin se muestra una lista del material y equipo a utilizar

en esta prctica:
Osciloscopio.
Generador de seales.
Fuente de alimentacin Vdc.

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La lista de valores de los componentes (resistencias y

capacitores) variar respecto a las curvas del transistor que se
utilice para realizar este amplificador (se recomienda utilizar el
transistor 2N3904).
EJEMPLO
Disear un amplificador en colector comn con un transistor
2N3904, que contenga los clculos de las impedancias y ganancias
as como l clculo de los capacitores para el buen funcionamiento
del amplificador.
Determinar los valores de los componentes para el circuito de la
figura 4.9.
Cabe aclarar que para poder calcular los componentes a utilizar en
el circuito debemos realizar lo siguiente:
Obtener con ayuda del trazador de curvas la familia de curvas
correspondiente al transistor a utilizar.
Identificar en las curvas los valores I CQ, VCEQ y hfe (vase en la
figura 4.10).
Elegiremos las siguientes condiciones de polarizacin para el
circuito de ejemplo:
Transistor 2N3904
RL = 3.3k
ri = 50
Vcc = 12v
ICQ = 2.28mA
VCEQ = 6V
F = 10kHz
hfe = 228
VBE = 0.7v
En seguida se muestra el circuito amplificador en colector comn:

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Figura 4.9 Circuito amplificador colector comn

DESARROLLO
Se describir el procedimiento para:
Calcular los valores de los componentes que formarn el
amplificador en colector comn.
Calcular los parmetros del amplificador.
Calcular adems el valor mnimo de capacitancia de cada
uno de los capacitores para el buen funcionamiento del
amplificador en una frecuencia de 10kHz.
Solucin:
Como las condiciones de c.c. para obtener los siguientes parmetros
son iguales que en emisor comn entonces tendremos que:
VCEQ = 6v
entonces VRE=6v
RE

VRE VRE

2.6k
I EQ
I CQ

Con esto deduciremos que RB es:

RB

1
RE 60k
10

Por lo tanto con RB y RE obtendremos

VEE I CQ ( RE / R E ) VBE 7.296v

Ahora calcularemos R1:

R1

RB
153k
VBB
1
VCC

Entonces:
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R2

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VCC ( RB )
98.67 K
V BB

Para l clculo de la impedancia de entrada se obtendr:

hie

hfe( 25mV )
2.5k
I CQ

Ya con esto podremos calcular la Zi:

Zi hib

hie
10.9
1 hfe

Por lo tanto la Zo ser:

Zo

ri RB hie
1 hfe

11.13

Y la ganancia de voltaje es:

Av

RE RL
6k 3.3k
RL

.992
hib RL ' hib RE RL
25 (6.6k 3.3k)

Clculo del capacitor Ci:

RTH ri Zi 60.91k

Xci 1
Ci

RTH 6.09k

1
2.61nF
2fXCi

Clculo del capacitor Co:

RTH Zo RL 3311

Xco 1 RTH 331.1

Co

1
48nF
2fXCo

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TABLA DE PARMETROS MS IMPORTANTES DE LAS TRES

CONFIGURACIONES BSICAS.

Emisor comn
Ganancia
Impedancia de
entrada
Impedancia de
salida

CONFIGURACIN
Seguidor de
emisor
Av

Ai hfb

Zi hie ( hfe 1) Re

hib

Ai hfe
hie

25 *10 hfe
3

I EQ

1 4
10
10

Base comn

Zo hib

ri '
hfe 1

hfe
1 hfe

hie
1 hfe

1
1 hfe

hob
hoe

Circuito
equivalente ms
sencillo

3.- ESTABILIDAD DE POLARIZACION:

Se encarga de medir la sensibilidad de una red a la variacin de sus
parmetros en cualquier amplificador que emplea un transistor la
corriente del colector Ic sensible a cada uno de los siguientes
parmetros:

: se incrementa con el incremento de la temperatura.

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VBE: se reduce aproximadamente 2.5mV por grado Celsius de

incremento de la temperatura.
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