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no Brasil
Ricardo Rivera
Ingrid Teixeira
Complexo Eletrnico
BNDES Setorial 40, p. 427-480
Ricardo Rivera
Ingrid Teixeira*
Resumo
Uma nova eletrnica se descortina com o surgimento de novos materiais
orgnicos semicondutores, a eletrnica orgnica (EO). Para fins de comparao, a EO est atualmente no estgio de desenvolvimento tecnolgico equivalente ao que a eletrnica tradicional baseada no silcio estava
h quarenta anos. Entretanto, a EO j realidade: os displays Organic
Light-Emitting Diode (OLED, Diodo Emissor de Luz Orgnico) embarcados em smartphones premium representam a primeira aplicao em massa
dessa nova tecnologia. Estados Unidos da Amrica (EUA), Europa, Japo,
Coreia e China j posicionaram seus institutos de pesquisa, empresas e
governos para aproveitarem o novo mercado a ser formado pelos dispositivos flexveis, transparentes, finos, biodegradveis e com possibilidade
de serem produzidos a baixo custo, com uso de tcnicas de impresso. O
presente artigo mostra os esforos e investimentos feitos pelo Brasil, bem
como apresenta oportunidades para o pas alcanar posio de destaque
nesse segmento da eletrnica no futuro.
*
Respectivamente, gerente setorial e engenheira do Departamento de Tecnologia da Informao e
Comunicao da rea Industrial do BNDES. Os autores agradecem ao professor Roberto Faria, do
Instituto de Fsica de So Carlos da Universidade de So Paulo (IFSC/USP), e ao professor Marco
Cremona, do Instituto de Fsica da Pontifcia Universidade Catlica do Rio de Janeiro (IF/PUC-Rio),
a receptividade durante as visitas, discusses e contribuies sobre o tema e aos revisores annimos
do texto.
428
Introduo
Por exemplo, impresso de condutores nas janelas dos carros para evitar o embaamento dos vidros.
O mercado estimado pela consultoria IDTEchEx para a EI, ou eletrnica potencialmente impressa, quer envolva os orgnicos, quer os inorgnicos, quer os compostos, de algumas centenas de bilhes de dlares
em 2025. Quando comparados com os do universo da eletrnica baseada em
silcio, os nmeros so relativamente tmidos. Mas os benefcios que essa
tecnologia oferece como baixo custo, robustez pela flexibilidade, leveza,
possibilidade de impresso em grandes reas,2 transparncia, possibilidade
de integrao de diversos componentes eletrnicos em objetos inteligentes,
benefcios ambientais e menor consumo de energia a posicionam como
uma das plataformas mais promissoras na eletrnica, com potencial de tornar-se ubqua em futuro no to longnquo.
No por menos, na Europa j existe mais de quatrocentas instituies e
empresas formando cerca de 17 clusters em 13 pases e h intenso incentivo
dos governos, que enxergam na EO e na EI uma possibilidade de reativar
suas economias e empregos [OE-A (2013)]. EUA, Japo e Coreia tambm
realizam investimentos de monta significativa.
Desde 2008, o BNDES vem tratando a EO como uma rea promissora tecnologicamente, dedicando a ela a qualidade de foco na utilizao do
BNDES Fundo de Desenvolvimento Tecnolgico (Funtec). Trata-se de uma
das mais nobres fontes de recursos do Banco, composta por parte dos lucros da instituio, destinada a focos setoriais muito especficos que possam
alavancar o desenvolvimento tecnolgico brasileiro. Desde ento, cerca de
R$ 80 milhes foram enquadrados para estruturao de operaes de financiamento do BNDES na rea de EO.
Com a crescente utilizao dos recursos no reembolsveis do Banco,
os autores julgaram pertinente dar luz ao tema (EO) e destacar a EI como
ponto de ateno para as polticas tecnolgicas na rea, com nfase especial
em dois campos aparentemente promissores para a entrada do pas em nvel competitivo globalmente para o desenvolvimento e produo de clulas
fotovoltaicas e dispositivos de iluminao. Ambas as aplicaes preveem
a produo em tecnologias de impresso no futuro, apresentando potencial
Na Europa, usa-se o termo Organic and Large Area Electronics (OLAE) em referncia eletrnica
RUJkQLFDLPSUHVVDHH[tYHO
429
Complexo Eletrnico
430
Conceitos bsicos
Semicondutores orgnicos
Os semicondutores so materiais que possuem um valor de condutividade
eltrica intermedirio entre os materiais isolantes (como o vidro) e os condutores (como o cobre). Isso se deve, em linhas resumidas, a caractersticas
desses materiais quanto ao distanciamento entre as camadas de valncia e
de conduo, que permitem o controle pelo projetista de suas propriedades
eltricas. So, portanto, muito utilizados na fabricao de componentes eletrnicos, eltricos, pticos e optoeletrnicos. Os semicondutores historicamente mais conhecidos so os inorgnicos, dentre os quais, destacam-se o
silcio, o germnio e o arsieneto de glio (GaAs).
At o incio dos anos 1970, os polmeros eram situados na faixa dos materiais isolantes, com baixssima condutividade eltrica. Em 1969, o doutor
Kawai demonstrou ser possvel gerar eletricidade por meio de um polmero
sinttico. Essa descoberta levantou interesse de pesquisa sobre a possibilidade de que outros polmeros tambm tivessem caractersticas eltricas. O
professor Shirakawa, estudando a polimerizao do acetileno, observou a
formao de um filme brilhante na superfcie da soluo em anlise. Esse
filme ainda no era condutor eltrico. A partir de 1975, Shirakawa uniu-se
a Alan Heeger e Alan MacDiarmid (EUA) e, conjuntamente, em suas investigaes sobre os polmeros, alcanaram em 1977 a produo de polmeros condutores, descoberta com enorme impacto na comunidade cientfica
mundial, atribuindo-lhes o Prmio Nobel de Qumica em 2000. Em 1987,
Isolantes
-16
10
Quartzo
-12
Semicondutores
-8
10
10
Diamante
Vidro
-4
-4
10 10
Metais
10
Silcio Germnio
Condutividade (S/m)
10
Cobre
Ferro
Prata
Principais rotas da EO
Para fins didticos, a EO pode ser dividida em duas grandes rotas, com
propsitos diferentes: a miniaturizao e a eletrnica de grandes reas.
Para fins de comparao entre os dois domnios, tome-se o referencial
dado pela Lei de Moore,3 na qual se estabeleceu que, a cada 18 ou 24 meses,
seria possvel integrar na mesma rea o dobro de transistores. Caminhando-se
no sentido da miniaturizao, na busca de mais funcionalidades, tem-se o
subdomnio do More Moore. A inovao feita a fim de atender a requisitos
de processamento, capacidade de armazenamento e comunicao intensos
em escalas reduzidas e de baixo consumo de energia. O objetivo , portanto, o de auxiliar a rota tecnolgica estabelecida a superar seus desafios,
usando-se outros materiais, como o grafeno.
Pode-se ir alm da miniaturizao dos transistores, o que se denomina
beyond CMOS4 ou beyond Si (Silcio), com o emprego de nanotecnologia
para se conseguir aumento de desempenho, em que, no limite, um tomo
3
Gordon E. Moore, cofundador da Intel Co., quem apresentou, em 1965, a tendncia de que o nmero
de transistores iria dobrar a cada 18 ou 24 meses.
4
Complementary Metal-Oxide Semiconductor (CMOS) uma tecnologia empregada na indstria de
semicondutores convencional para construir os transistores e os circuitos integrados.
431
Complexo Eletrnico
foi apresentado por C. Tang e S. VanSlyke, da Eastman Kodak, o primeiro dispositivo emissor de luz eficiente baseado nesses materiais, que ficou
conhecido por OLED. Desde ento, a cincia dos polmeros conjugados
condutores (Figura 1) tem avanado rapidamente, na chamada EO.
Domnio
Lei de Moore
Alm do
CMOS/ Si
Tecnologias
432
Nanotecnologia
nm
More Moore
More than
Moore
Materiais
Avanados
Funes
Analgicas
10s nm
mm
Sistemas
Eletrnicos em
Folha
Eletrnica Orgnica
mm x cm
Cadeia de valor
A cadeia de valor da indstria de semicondutores orgnicos pode ser
organizada conforme indicado na Figura 3.
Figura 3
Deposio
Filmes fotovoltaicos
orgnicos
Luminrias OLED
Exemplos
Componentes
orgnicos
Materiais
t Componentes
orgnicos
Polmeros e
molculas
t Solventes (gua,
qumicos)
t Substratos (vidro,
plstico, metal,
txtil, papel)
t Encapsulamento
(metal, vidro,
filmes)
Processos
produtivos
t Impresso (Ink jet, silk
screen, gravura etc.)
t Deposio (a vcuo,
laser etc.)
t Fotolitografia
t Coating
Componentes e
dispositivos
t Dispositivos
tDisplays OLED
tMdulo de
iluminao OLED
t Filmes
fotovoltaicos
orgnicos
t Componentes
eletrnicos (OTFT,
memrias,
processadores,
sensores, baterias,
supercapacitores)
Aplicaes
t Displays (celulares, TVs,
outdoors)
t Luminrias (mveis,
escritrios, carros)
t Fotovoltaicos (BIPV,
fontes de energia
mveis)
t Sistemas inteligentes
(RFID, lab-on-chip,
monitores biolgicos)
Fonte: BNDES, adaptado de OE-A (2013). Imagens CSEM Brasil, CSEM Sua e CERTI.
Embora h mais de vinte anos Europa, EUA, Japo e Leste Asitico invistam no desenvolvimento tecnolgico e industrial para dominar a cadeia
de valor, ainda h muito o que se desenvolver quanto a processos, novos
materiais e aplicaes. Por conseguinte, existe uma forte necessidade de
integrao e colaborao nessa cadeia, pois uma inovao em um dos elos
pode afetar o direcionamento de todos os outros.
433
Complexo Eletrnico
434
Semicondutor
Semicondutor
p-type n-type
Pentaceno
Fluoreno
+ V -
435
Figura 4B | OLED
Complexo Eletrnico
nodo (ITO)
Catodo (AI)
TPD (HTL)
Substrato
Luz
Figura 4C | Transistor
Eletrodos
Materiais condutores
V GS
Metais
Nanopartculas
Materiais polimricos
Dieltrico
G
Polmeros isolantes
D
Semicondutor
Polmero conjugado
V DS
Canal devido ao
campo eltrico
Poly-3-alkylthiophene (P3AT)
Substrato
Filme fino
Polister
436
Ressalta-se que na construo de dispositivos tidos como da rea da EO, como os displays OLED,
h em geral a presena de compostos inorgnicos, como o xido de ndio com estanho ITO (um
xido de metal), utilizado na camada de touch panel por apresentar alto ndice de transparncia e boa
estabilidade trmica e qumica.
Soluo-processada (impresso): a camada semicondutora orgnica depositada por processamento de soluo no substrato, via tcnicas de impresso. Apesar de disponvel para pequenas molculas,
esse processo surgiu com os polmeros, que apresentam como grande
YDQWDJHPDPDLRUH[LELOLGDGHSDUDDGLFLRQDUIXQFLRQDOLGDGHVVHP
alterar os atributos existentes, por exemplo, incorporar uma nova
molcula que absorve luminosidade em uma faixa do espectro no
absorvida pelas outras do polmero original.
A impresso pode utilizar o formato folha a folha (sheet-to-sheet ou S2S)
ou rolo a rolo (roll-to-roll ou R2R), e este ltimo tende a ser mais econmico para grandes volumes, embora de maior complexidade no controle do
processo de produo. Dado o potencial de reduo de custos pela escala
e a versatilidade de tamanhos e caractersticas que podem ser produzidos por meio de impresso R2R, as clulas Organic Photovoltaic (OPV),
baterias, sensores e outros diversos dispositivos esto tendo esse tipo de
impresso como principal rota de desenvolvimento. Inclusive os displays
podem no longo prazo convergir para tcnicas de impresso [IDTEchEx
(2013); Melnick (2012)].
As diferentes formas de impresso para EO em geral derivam de
tcnicas existentes para a produo de bens no eletrnicos e so apresentadas no Quadro 1. A EI tende a se apropriar de alguma(s) dessas
tcnicas atuais e desenvolver os ajustes para construo de dispositivos eletrnicos.
6
Muito embora o grau de aproveitamento utilizando a tcnica de Organic Vapor Physical Deposition (OVPD),
da empresa alem Aixtron AG, venha sendo aprimorado ao longo do tempo.
437
Complexo Eletrnico
438
Exemplos
Descrio
Vantagens
Desvantagens
Impresso
de grandes
reas
Silkscreen
A tinta passa
por uma
tela onde
o desenho
est feito,
os buracos
na trama
permitem a
passagem da
tinta.
No aplicvel
a filmes finos.
Resoluo atual
35 m, taxa
de produo
e interaes
em impresses
multicamadas.
Impresso
de grandes
reas
Gravura
Utilizado em
embalagens,
publicaes,
laminados.
Muito rpido,
relativamente
simples, imagens
com mais qualidade.
Resoluo
25 m-30 m.
Quantidade de
tintas, custo de
capital, tinta com
baixa viscosidade,
sem rota clara de
escalonamento
produtivo.
Impresso
de grandes
reas
Flexografia
Aplicaes
grficas para
embalagens e
publicidade.
Independncia
da espessura
do filme e da
imagem, resoluo
melhorada (30 m),
alta velocidade (500
m/min), impresso
suave.
Limitao
da espessura
do filme
(2 m-10 m),
durabilidade/
deformao dos
rolos devido aos
solventes usados.
Sem rota clara de
escalonamento
produtivo.
Impresso
digital
(impresso
sem
impacto)
Inkjet
um
processo
bastante
difundido em
uso. Permite
um controle
digital da
impresso e
customizao
a cada uso.
Rota clara de
escalonamento
produtivo,
grande base de
conhecimento
cientfico, sem
contato, controle
digital, menor
volume de lquido,
resoluo 50 m.
Deposio das
gotculas, filmes
finos, taxa
de produo,
limitao de
partculas.
Estamparia/
relevo
Estamparia a
quente folha
Transfere
por calor e
presso para
o substrato a
tinta fluida.
Alta velocidade,
independncia da
espessura do filme e
da imagem.
Limitao do
uso de substratos
devido alta
temperatura.
(Continua)
439
(Continuao)
Outros
Exemplos
Descrio
Nanolitografia o processo
mais popular
usado nas
grficas.
Livros,
revistas,
embalagens
etc.
Vantagens
Filmes finos,
resoluo e
qualidade,
experincia.
Desvantagens
Apenas em
filmes finos,
complexidade
para fabricao da
mquina, controle
e setup, limitada a
reologia grossa,
sem rota clara de
escalonamento
produtivo.
O processo de impresso pode ser subdividido, de maneira geral, nos seguintes passos: escolha da tinta, pr-dosagem e dosagem da tinta, transferncia da tinta para o substrato, dinmica do fluido no substrato e solidificao
[Drsam (2013)]. A combinao da tcnica de impresso, formato (rolo ou
folha) e as tintas determinam a capacidade e qualidade da imagem de cada
tecnologia. Por exemplo, a tcnica de silkscreen limitada pelo tamanho da
trama utilizada para a produo de imagens que no possuem a melhor definio permitida, por exemplo, pela tcnica de nanolitografia. Esta, por outro
lado, no permite o uso de maior variedade de tintas de baixa viscosidade que
o silkscreen. Inkjet pode ser compatvel com uma grande variedade de substratos e permite que cada pea seja nica, diferentemente do silkscreen e da
nanolitografia. Entretanto, a tcnica de inkjet de certa forma limitada pela
viscosidade dos fluidos, tempo de secagem e reprodutibilidade da impresso.
Figura 5 | Processo de produo em rolo de clulas OPV usando flexografia
Complexo Eletrnico
Tcnicas de
impresso
440
Essas duas camadas, conhecidas tambm por juno p-n, possibilitam a injeo de portadores e o
transporte eltrico, ao estarem submetidas a uma tenso eltrica.
8
No OLED, na camada ativa, as cargas emitidas pelos eletrodos se recombinam, emitindo luz. No
OPV, ocorre o processo inverso, na camada ativa, h absoro de energia da luz solar e h dissociao
de cargas capturadas pelos eletrodos.
441
Complexo Eletrnico
442
Aplicaes
Existentes
(2013)
Em desenvolvimento
(2014-2020)
Fotovoltaico
orgnico
Carregadores
Portticos
Eletrnicos de consumo,
fontes mveis de energia,
integrao predial para
consumo
Integrao predial
conectada rede
Displays
OLED
Displays em
pequenas
aplicaes
Iluminao
OLED
Iluminao em geral
Eletrnicos e
componentes
Baterias de
clula nica,
pequenas
memrias
Mdulos de iluminao
decorativos, mdulos
flexveis de iluminao
Baterias impressas,
etiquetas inteligentes
Sistemas
Integrados
Inteligentes
Roupas com
sensores
antifurto,
sensores
Rede de sensores,
empacotamento inteligente,
sensores sobre tecidos,
pequenos displays, RFID
impresso
Planejados
(2021+)
Desafios da EO
443
User pull
Grande
nmero de
componentes
e dispositivos
60%
Poucas empresas de
integrao ou
designers envolvidos
3%
Complexo Eletrnico
444
Design de produtos
Flexibilidade, novas geometrias e leveza dos produtos feitos com EO permitiro o desenvolvimento de novos mercados. Por exemplo, com a EO, uma
nica aplicao construda por sucessivas camadas com clulas solares em
OPV, bateria impressa e iluminao OLED totalmente integradas, ou em
grandes clulas de energia solar portteis e flexveis (em formato de rolo)
para serem transportadas, por exemplo, de helicpteros para lugares remotos ou em situao de calamidade pblica. As possibilidades de novas
luminrias OLED construdas com filmes finos permitem fontes de luz difusas aplicadas a diversos ambientes no planos, como forro do teto de aeronaves e automveis. Essa aplicao tambm no teria viabilidade com o
uso do silcio em virtude principalmente da rigidez, do peso e do custo de
produo de grandes reas.
Materiais
Transparent anode
+
Polymer
Aluminum cathode
SI
SI
SI
Eltron
Livre
Lacuna
tomo
boro
SI
SI
SI
SI
tomo
fsforo
SI
Complexo Eletrnico
SI
445
SI
Eltrons
partilhados
tomos
prximos
446
Alm de vencer os desafios de construo, o tempo de vida e a confiabilidade dos produtos devem ser prolongados. Para tanto, necessrio que o substrato e o encapsulamento possuam baixa permissividade
gua e ao oxignio, alm de resistncia elevada a variaes trmicas,
ao calor e luz ultravioleta (UV) por exemplo, no silcio amorfo, a
resistncia luz UV nas clulas solares superior a dez anos, e sua
eficincia energtica estvel ao longo desse tempo, o que ainda no
ocorre na clula OPV. Conseguir encapsulamentos flexveis e transparentes a baixo custo continua sendo um grande desafio [OE-A (2013)].
Substratos no rgidos significam produtos mais robustos. O vidro,
por mais leve que seja, apresenta trincas quando sujeito a presses mecnicas. Conseguir a substituio, por exemplo, do vidro (LCD) usado
nos displays dos smartphones, tablets e computadores pelos displays
OLED certamente ir conferir aos produtos maior resistncia a quedas.
Outros benefcios seriam: maior leveza, menor espessura, facilidade
no transporte e maior facilidade em montagem do produto acabado.
Os desafios no podem ser tratados independentemente. Melhores materiais
podem reduzir os requisitos de encapsulamento. A resoluo depende das tcnicas de produo envolvidas e da vazo necessria para atingir-se a economia de
escala na aplicao (OPV, OLED iluminao, OLED displays, etiquetas RFID
etc.). Portanto, as variveis aqui levantadas pretendem mostrar brevemente
a complexidade de buscar solues tecnolgicas para um ambiente bastante
heterogneo em rea de conhecimento que viabilizem as aplicaes de EO.
Mercado de eletrnicos
Bi US$
300
250
200
Semicondutores
150
100
Displays tela plana
Eletrnica orgnica
50
0
1980
1985
1990
1995
2000
2005
2010
2015
2020
O quadro geral indica que atualmente a EO est no ponto em que precisa superar a etapa de demonstrao da tecnologia e avanar para operaes em nvel piloto. Entretanto, tal quadro varia de acordo com o grau de
amadurecimento tecnolgico (materiais, componentes, dispositivos etc.)
em cada uma das reas de aplicao [OE-A (2013)].
O primeiro passo para o estabelecimento das cadeias produtivas foi dado
com a introduo da produo em massa de displays OLED. Todavia, para
uma consolidao da EO, necessrio desenvolver outras aplicaes matadoras (killer applications), sejam elas em substituio a outras existentes,
criando novas aplicaes, sejam elas se combinando com as existentes para
trazer melhorias funcionais ou de custo.
Existem diversas organizaes mundiais tentando realizar as previses
de mercado para EO. Porm, dado o nvel de incertezas inerentes a uma
plataforma tecnolgica emergente, h ainda muita divergncia entre essas
447
Complexo Eletrnico
448
estimativas (vide Quadro 3). Tambm pelo mesmo motivo, no h um recorte claro sobre as estatsticas, com organismos internacionais e consultorias
considerando os mercados de EO (organic electronics), EO para grandes
reas (OLAE), EI ou potencialmente impressa (printed electronics), eletrnica plstica (plastics electronics), entre outras nomenclaturas.
Quadro 3 | Estimativas de mercado global em EO
Consultoria/estudo
Curto prazo
Longo prazo
Comentrios
Smithers Printing
Industry Research
Academy (PIRA)
2013
IDTechEx 2013
US$ 16 bilhes
(2013)
US$ 77 bilhes
(2023)
Transparency
Market Research
2012
US$ 8,2
bilhes (2012)
US$ 44 bilhes
(2018)
Importante ressaltar que, apesar de diferirem muito entre si em suas estimativas nominais, h um padro de crescimento estimado do mercado da
EO, que seria lento at 2016-2017 e, a partir da, exponencial.
Segundo o relatrio Electronics CA Publications, h mais de 3 mil organizaes em atividade relacionada EO pelo mundo, entre as quais figuram lderes em outros mercados como BASF, Corning, Kodak, Merck,
OSRAM, Philips, Samsung, Seiko, TDK, Pioneer e empresas nascentes ou spin-offs de grandes multinacionais, como Aixtron, Cambridge
Display Technologies (CDT), Poly-IC, Plastic Logic, Univision Technology,
Oled Technologies & Solutions (OTS), entre outras.
Dependendo da aplicao, espera-se que, entre cinco a vinte anos, a EO
consiga comear a ter destaque na indstria eletrnica mundial. Esse horizonte de tempo importante oportunidade para o pas se posicionar como
Tempo de
desenvolvimento
2013
Displays
Displays
OLED
Quinze anos
US$ 10
bilhes
Iluminao
Iluminao
OLED
Cinco anos
US$ 15
milhes
Eletrnicos Sensores
e
componentes
Dez anos
US$ 160
milhes
Fotovoltaico Filmes
fotovoltaicos
orgnicos/
DSSC
Dez anos
Sem
dados
Rentvel
Crescimento
OLED displays
Posicionamento da tecnologia
Os displays OLED representam mais de 85% no mercado projetado para EI em 2023 [IDTEchEx (2013)]. Os fornecedores de displays
LED-LCD esto sob maior risco com a viabilidade econmica dos
displays OLED. As vantagens dos displays OLED sobre os atuais de LED
backlight LCD podem ser resumidas em: (1) melhor imagem, melhor
contraste, cores mais vivas e melhor taxa de refresh; (2) menor consumo
de energia; (3) melhor ngulo de viso; (4) possibilidade de ser construdo de forma curva, flexvel, dobrvel e em substratos transparentes,
pois no precisam do backlight; (5) mais finos e leves.
Inicialmente comercializados em massa em displays pequenos
smartphones, cmeras fotogrficas etc. , os displays OLED tendem a avanar sobre aplicaes maiores, como TVs e monitores. Os recentes investimentos anunciados pela LG para construo de uma fbrica de gerao 8,
que permitiria a produo econmica de TVs de 55 polegadas, indicam
que os principais desafios tecnolgicos vm sendo superados.
449
Complexo Eletrnico
450
Os grandes fabricantes usam processo de produo baseado na evaporao a vcuo utilizando pequenas molculas,11 no qual o desperdcio
de material e a dificuldade de escalar a produo em baixos custos so
questes ainda a serem vencidas. Alm dessas barreiras, h tambm o
desafio de garantir uma vida til do material orgnico compatvel com
o uso de dez ou mais anos de TV.
Panorama competitivo
451
Complexo Eletrnico
concorrem no mercado de displays OLED, embora ainda estejam majoritariamente focadas em displays de menor tamanho.
452
e mornas, utilizando materiais ambientalmente sustentveis,14 e principalmente, com potencial de custos extremamente reduzidos via processo de
produo em rolo (R2R).
Figura 8 | Luminria OLED
Fonte: CERTI.
/kPSDGDVXRUHVFHQWHVXWLOL]DPPHUF~ULR
O US DoE (2013) posiciona como meta a taxa de 190 lm/W para o OLED em 2025.
453
Excelente para
iluminao
externa e
interna (com
tetos altos)
Luz branca mais
semelhante
luz natural
Poluio:
utiliza
mercrio e
argnio
Alto custo para
fabricao
Maior eficcia
Excelente para
iluminao
externa
Permite
religamento
a quente da
lmpada
Monocromtica
Controle
ptico
Descarte da
lmpada
Potncia sobre
tempo de vida
Fluorescente
linear
Bastante
popular em
escritrios,
indstria
Alta eficincia
Alta eficcia em
operao em
alta frequncia
Grande
variedade de
escolha de cores
Requer o reator
Luz tem
sensibilidade
temperatura
ambiente
Utiliza
mercrio
Fluorescente
compacta
Facilidade
40-65
de uso com
a facilidade
incandescente
6.000-12.000
Tamanho
compacto
Alta eficcia
Alta CRI
Longo tempo de
vida
Excelente
manuteno do
lmen
Sensibilidade
trmica
Position
sensitive
Requer reator
(embutido)
Custo inicial
superior
incandescente
1.000
Baixo custo
inicial
Baixo custo de
dimerizao
Temperatura
da cor (alta
renderizao)
Menor eficcia
Sensvel
voltagem
Pequeno tempo
de vida
Gerao de
calor
HID (descarga
de alta
intensidade)
Metal Halide
Eficcia
luminosa
(lm/W)
Tempo de
vida (h)
Incandescente Mais
popular nas
residncias e
comrcios
50-100 10.000-16.000
5-15
(Continua)
Complexo Eletrnico
Vantagens
Descrio
454
(Continuao)
Descrio
LED
OLED
Eficcia
luminosa
(lm/W)
Tempo de
vida (h)
Vantagens
Desvantagens
Lmpadas
LED ainda
caras
Luz focada
Cor da luz
Mdulos ainda
caros
200
lmpada LED
branca
150
100
fluorescente linear
HID baixa potncia
50
fluorescente compacta
halgena
Incandescente
painel OLED
branco
0
1940
1960
1980
2020
2000
Panorama competitivo
Grfico 3 | Projeo de mercado de iluminao OLED
Bi US$
1,4
1,2
1,0
0,8
0,6
0,4
0,2
0
2013
2014
2015
2016
2017
2018
2019
2020
2021
2022
2023
455
Complexo Eletrnico
456
Espera-se que o mercado atinja US$ 1,3 bilho em 2023, quando representar ainda uma pequena frao dos US$ 25 bilhes esperados para
a tecnologia LED (Grfico 3).
O desenvolvimento da cadeia de OLED para iluminao vem se beneficiando dos investimentos realizados na indstria de displays OLED,
pois a maioria dos fabricantes mundiais dessa indstria utilizam pequenas
molculas, os SMOLEDs, o que vem reduzindo os custos de materiais e
equipamentos de produo pelo efeito da escala, com um nmero crescente de fornecedores de materiais com pureza comparvel.
Dentre as fabricantes de painis e luminrias, destacam-se as europeias Philips e OSRAM, que disputam a fronteira do desenvolvimento da tecnologia com empresas asiticas como a LG Chemicals
que j comercializa luminrias OLED com nveis de eficcia de
60 lm/W , Konica Minolta, Panasonic, Sharp, CDT/Sumitomo,16 entre
outras. Dessas, US DoE (2013) identifica que apenas a LG possui linha de produo j voltada para comercializao de produtos finais, ao
passo que as demais comercializam produtos a partir de linhas de P&D.
H uma expectativa de que o OLED para iluminao entre no mercado efetivamente entre 2018 e 2020 quando o custo total de fabricao do painel em US$/m2 deve cair de US$ 6.000/m2 em 2013 para
US$ 1.000/m2 em 2020, como funo de aumento de escala, substituio dos PhD das linhas de produo por tcnicos, reduo dos custos
dos materiais etc. Alm disso, a Conveno Mimata pacto das Naes
Unidas para limitar o uso e a emisso de mercrio internacionalmente, firmado em 2013 estabeleceu que devem ser banidas at 2020 as
lmpadas compactas fluorescentes de at 30 W, que ultrapassam 5 mg
de mercrio, e algumas lmpadas fluorescentes tubulares (halofostato
de clcio). Portanto, as luminrias OLED podem se beneficiar dessa
mudana no mercado.
Perspectivas para o Brasil
Analisando-se os diferentes elos da cadeia de valor apresentados na seo Cadeia de valor, fazem-se a seguir algumas anlises sobre possveis
oportunidades para o pas.
16
457
Complexo Eletrnico
458
Entre outros resultados, foram criadas a placa controladora da luminria living sculpture, apresentada na Euroluce 2013, em Milo, que integra
portflio da Royal Philips (Figura 8) e j recebeu encomendas pela Philips
Internacional; e a luminria para moblia undershelf light, lanada na feira
Euroshop 2014, em Dsseldorf.
Outro subproduto desse projeto foi o desenvolvimento local de um filme PDMS, que est restrito ao ambiente laboratorial atualmente, mas que
potencializa em at 36% [Vicente (2014)] a eficincia luminosa do OLED
fornecido pela Philips. Estudos realizados com parceiro tecnolgico do projeto, o Centro de Tecnologia da Informao (CTI) Renato Archer, e com
a rede CI Brasil apontam para interessantes arquiteturas da eletrnica de
acionamento e chips dedicados para agregao de funcionalidades e valor
aos OLEDs. Alm de posicionarem o pas como alternativa para a Philips
escalar a tecnologia de produo, os investimentos do projeto capacitaram
e equiparam a CERTI para desenvolvimentos futuros em produtos baseados em clulas fotovoltaicas orgnicas (OPV), tema do prximo tpico. A
seguir, no Quadro 6, uma anlise estratgica para o pas atuar no segmento
de iluminao OLED.
Quadro 6 | Anlise SWOT17 do OLED lighting para o Brasil
Foras
Fraquezas
Oportunidades
Atrao de investimentos em
OLEDs (Philips ou concorrentes)
Desenvolvimento local de
luminrias OLED e outros elos
da cadeia (ex.: drivers)
Dificuldade de reteno de
mo de obra
Dificuldade de articular projetos
existentes e concentrar recursos de P&D
Ainda que em construo, cadeia
produtiva encontra-se fora do Brasil
(principalmente Europa)
Ameaas
OLED pode no se consolidar no mercado
e atingir processo de produo R2R
Concorrentes avanam mais rapidamente
Fonte: BNDES.
17
459
Desvantagens
Vantagens
Eficincia da clula
em laboratrio
c-Si (cristalino)
a-Si
24,7%
(Panasonic)
13,4%
(LG
Electronics)
DSSC
11,4%
(NIMS)
Clulas
juno
(III-V)
GaAs (single
junction)
29%
(Alta
Devices)
Filmes finos
Orgnico
CdTe
CIGS
OPV
18,7%
(First Solar)
20,4%
(EMPA)
12%
(Heliatek)
(ILFLrQFLDDOWD 7HFQRORJLD
'LVSRQLELOLGDGH madura
de material
)iEULFDV
(cSi)
disponveis
$OWRWHPSRGH 3RVVLELOLGDGH
vida da clula
de mdulos
3URFHVVRGH
flexveis
reciclagem
6HPWR[LFLGDGH
(ILFLrQFLD
energtica
mais
imune
variao de
temperatura
%DL[RFXVWR
de produo
0yGXORV
flexveis
e pouca
espessura
8VRLQGRRU
7UDQV
parncia/
colorido
(ILFLrQ
cia alta
5HVLV
tente
radiao
UV
(uso em
satlites)
0yGXORV
de pouca
espessura
(ILFLrQFLD
mdia (12%16,5%)
)iFLO
processamento
%DL[RFXVWR
de fabricao
(ILFLrQFLD
alta (16%20,3%)
3RVVLEL
lidade de
mdulos
flexveis
%DL[RFXVWR
de produo
(ILFLrQFLDGD
taxa de converso
energtica mais
imune variao
de temperatura
(ILFLrQFLDSRXFR
afetada pela
inclinao da
incidncia solar
3RVVLELOLGDGHGH
baixo custo de
produo
0yGXORV
flexveis e pouca
espessura
8VRLQGRRU
7UDQVSDUrQFLD
(ILFLrQFLD
da taxa de
converso
energtica
varivel com
o aumento de
temperatura
4XDOLGDGH
do material
baixa (defeitos
de cristal +
impureza)
(OHWURGR
lquido
muito
suscetvel
variao de
temperatura
'HJUDGDomR
com UV
0DLV
pesado
que o
silcio
$OWR
custo de
produo
3RWHQFLDOGH
escassez da
matria-prima
$WXDOPHQWH
mdulos
rgidos apenas
7R[LFLGDGHH
reciclagem
&XVWRH
escassez
(Te, Cd)
7HFQRORJLD
complexa
'LIHUHQWHV
tecnologias
7R[LFLGDGH
e reciclagem
&XVWRH
escassez
(In, Se)
(ILFLrQFLD
ainda menor
que as demais
tecnologias, mas
evoluindo
'HJUDGDomRFRP
UV
%DL[D
eficincia
do mdulo
(10%-12,1%)
(IHLWR
degradao
induzido pela
luz
3URFHVVRGH
manufatura
de alto custo
Fonte: BNDES, adaptado de PV: research and applications (2011) e Science & Technology trends.
Complexo Eletrnico
Posicionamento da tecnologia
460
Bandgap
Estado da tecnologia
6
4
2
0
Eficincia do mdulo
(%)
Mtodo de
Impresso
Preo (US$/W)
c-Si
CIGS
Tempo de vida
CdTe
a-Si
DSSC
OPV
Comparando as diferentes tecnologias fotovoltaicas sob os aspectos de eficincia do mdulo, estado da tecnologia, tempo de vida, preo
(US$/W), flexibilidade, uso do mtodo de produo por impresso, bandgap
(vide Grfico 4), percebe-se que o OPV destaca-se por oferecer flexibilidade e possibilidade de produo por impresso e tem desafios para vencer a
eficincia e o tempo de vida da clula [IDTEchEx (2014)].
O Grfico 6 mostra a evoluo na eficincia das clulas fotovoltaicas.
Observa-se que o OPV, apesar de ainda apresentar a menor eficincia, foi
o que conseguiu elev-la de forma mais significativa nos anos recentes.
A construo de clulas orgnicas realizada utilizando-se ou a construo de multicamadas ou por meio da mistura de materiais em escala
grafico 5
Essa faixa elevada de tempo deve-se ao grau de premissas usadas a essa tecnologia em maturao.
461
Complexo Eletrnico
462
grafico 6
44%
32%
29%
25%
24%
20%
19%
20%
18%
15%
13%
12%
11%
12%
11%
3%
2000
2005
OPV
DSSC
a-Si
CdTe
2010
2013
CIGS
GaAs
c-Si
Multijuno
Panorama do mercado
Complexo Eletrnico
463
464
Fraquezas
465
(Continuao)
Fraquezas
Ainda que em construo, cadeia
produtiva encontra-se fora do Brasil
(principalmente Europa)
Ameaas
Fonte: BNDES.
O custo de componentes eletrnicos-chave (circuitos integrados, sensores, baterias etc.) tende a corresponder maior parcela do custo de todos
os componentes dos dispositivos eletrnicos, especialmente os de menor
complexidade (capacidade de processamento e armazenamento). Baterias,
memrias, processadores, sensores, transmissores (RFID) e outros circuitos em EO e EI possibilitam o desenvolvimento de sistemas integrados
inteligentes em novos substratos e em custos baixos. Roupas, embalagens e etiquetas com capacidade de interagir com o ambiente, produtos
e pessoas abrem uma gama de possibilidades, especialmente onde os dispositivos utilizados atualmente possuem mais capacidade do que a necessria para desempenhar funes simples, como em brinquedos, cartes de
embalagens etc. [Gartner (2012)].
Uma rea de aplicao com boas perspectivas j no curto prazo a de
sensores, que, apesar de madura em silcio, pode ser uma grande oportunidade para a EO e a EI em virtude de sua flexibilidade, conformidade, moldabilidade e viabilidade de construo em grandes reas. Nestas ltimas,
por exemplo, possibilita a criao de redes de sensoriamento para monitorar
as estruturas de um avio como forma de antever desgastes.
Complexo Eletrnico
Foras
466
Potencial
Barreiras atuais
Bateria
Circuitos
integrados
Performance e miniaturizao
Sensores
Biossensores, sensoreamento de
grandes reas e sistemas integrados
Apesar de grande esforo dedicado aos transistores orgnicos, as aplicaes de EO para memrias, chips e transmissores (RFID) e demais circuitos ainda precisam percorrer um longo caminho tecnolgico at chegar ao
mercado. Como comentado na introduo deste estudo, a EO est em sua
infncia, especialmente para esses dispositivos de mais alta complexidade.
Todavia, o potencial de alcanar um processo produtivo de baixo custo,
personalizvel com capacidade de impresso em superfcies no planas,
entre outros atributos, ratifica os investimentos em transistores orgnicos
(especialmente impressos), que atualmente esto mais concentrados nos
institutos de tecnologia.
As reas mais promissoras no curto prazo envolvem novas aplicaes
em sistemas inteligentes, como embalagens e etiquetas. A embalagem
inteligente consiste de impresso de memria, sensor e lgica, para a deteco de uma determinada propriedade por exemplo, a temperatura de
um alimento sensvel a variaes trmicas , e registro do dado sobre o
histrico dessa propriedade do produto para futura leitura e exibio (por
exemplo, vacinas, vinhos etc.). Aplicaes em medicina, como as etiquetas inteligentes aderentes pele que armazenam pequenas quantidades de
medicamentos e os libera ao longo do tratamento mdico, monitoramento de diversas doenas (auxiliando no diagnstico e at acompanhando o
tratamento) tambm so promissores, pois a EO possibilita o uso de substratos flexveis, transparncia, biocompatibilidade e at mesmo serem
digeridos pelo ser humano.
Dadas as barreiras iniciais a serem superadas, empresas e institutos, como
o holands Holst, tm apostado em solues hbridas, que combinam a EO
Panorama de mercado
467
Complexo Eletrnico
468
Todavia, todas essas regies esto desenvolvendo tecnologia de impresso para transistores (por estes se empregarem em diversas aplicaes
eletrnicas) e fotovoltaicos (pela questo energtica) [IDTEchEx (2013)].
Modelos de desenvolvimento
Em todos os pases citados, o papel do Estado para organizar, incentivar
e principalmente financiar os desenvolvimentos central. Os institutos de
tecnologia esto entre os principais protagonistas, uma vez que a tecnologia ainda tem muito para evoluir at atingir mercados de grandes volumes.
E o empreendedorismo outro elemento incentivado, dada a agilidade das
novas empresas em testar os nichos de mercado iniciais.
Na Europa, um modelo muito interessante o adotado pelo VTT, principal instituto de tecnologia da Finlndia, com papel central no desenvolvimento da Nokia, entre outras empresas. O instituto responsvel pelo
amadurecimento da tecnologia, com especial foco no desenvolvimento de
solues hbridas orgnica e inorgnica impressas, e tem forte interao e parceria com os demais centros de P&D no mundo, alm de realizar
a prestao de servios tecnolgicos para as empresas que orbitam o seu
ecossistema. Um grande programa para promoo de start-ups incluindo coaching, rodadas de venture foruns, acelerao etc. executado para
estimular os novos empreendedores. Em 2014, esse programa j promoveu
trs business cases com 10 mil a 100 mil peas produzidas com base em
18 empresas aceleradas.
Nos EUA, so utilizados os instrumentos tradicionais para inovao:
grants dos departamentos de energia e defesa embora relativamente tmidos [IDTEchEx (2013)] , as universidades e (em poucos casos ainda)
os fundos de venture capital.
No Japo, a organizao e articulao entre academia, institutos de pesquisa e indstria notria, tendo a Japan Advanced Printed Electronics
Technology Research Association (JAPERA), com cerca de trinta institutos
de P&D, a funo de estimular e promover as parcerias necessrias tanto
469
Complexo Eletrnico
470
das grandes quanto das pequenas empresas. Quadro semelhante encontrado na Coreia, com a Korea Printed Electronics Association (KOPEA)
realizando esse papel.
471
Complexo Eletrnico
472
23
Por exemplo: em 2007, a japonesa Sumitomo adquiriu a britnica CDT por R$ 285 milhes; a
Samsung adquiriu, em 2013, a alem Novaled por US$ 350 milhes.
24
Por exemplo: em 2013, a LG anunciou investimentos de US$ 650 milhes em fbrica de gerao
8 de displays OLED.
Processos
produtivos
Componentes
& dispositivos
Aplicaes
Displays OLED
Iluminao OLED
OPV
Componentes e
Sistemas Inteligentes
Desafio: desenvolvimento de pesquisa e fornecedores locais
Oportunidade: atrao de investimento produtivo local
Oportunidade: atrao de investimento produtivo e desenvolvimento locais
Fonte: BNDES.
473
Complexo Eletrnico
474
Instituto
de tecnologia
Institutos e
universidades
parceiras
Universidades
brasileiras
Conhecimento Tcnicas de
em materiais produo
(foco:
orgnicos e
inorgnicos impresso)
Empresas
estrangeiras
Start-ups
e Spin-offs
Tcnicas de
integrao
em novos
dispositivos
Empresas locais
(ex.: grficas)
- Pesquisa bsica
- Formao e cooperao
- Pr-competitivo
- ICT-empresa
- Seed capital
Financiamento
Fonte: BNDES. Imagens de CSEM Sua, CSEM Brasil e CERTI.
Fotovoltaicos
Sensores
Sistemas
inteligentes
Iluminao
Tal modelo seria muito importante para complementar a cesta de instrumentos de financiamento para todo o ciclo de amadurecimento tecnolgico at a chegada ao mercado. Na base, o financiamento da pesquisa
bsica em materiais, engenharia etc. deveria ser feito com nfase em formao e fortalecimento de universidades na rea por exemplo, Conselho
Nacional de Desenvolvimento Cientfico e Tecnolgico (CNPq). No extremo oposto, o financiamento para estimular parcerias entre institutos
de cincia e tecnologia e empresas por exemplo, Embrapii, BNDES
Funtec e Finep ICT-Cooperativo e Plano Inova Empresa bem como incentivo ao empreendedorismo por exemplo, Servio de Apoio s Micro
e Pequenas Empresas (Sebrae), Agncia Brasileira de Desenvolvimento
Industrial (ABDI) etc. so essenciais.
Cumpre comentar que, como em qualquer rea dependente do surgimento de novas empresas, o ambiente de negcios e a facilidade
para abrir e fechar empresas so dificuldades brasileiras estruturais
que devem ser consideradas.
Todavia, h uma importante lacuna a ser preenchida no mbito da
pesquisa pr-competitiva, realizada na Europa por instrumentos como os
frameworks FP7 e Horizon 2020. Recursos destinados pesquisa tecnolgica de longo prazo so essenciais para o amadurecimento da tecnologia.
A insero internacional por meio de parcerias com institutos tecnolgicos e o rpido acesso a insumos e componentes para pesquisa e
produo local so partes indispensveis no desenvolvimento de qualquer plataforma tecnolgica hoje no mundo.
Por fim, a formao de pessoal deve ser considerada em contexto
multidisciplinar pois envolve reas do conhecimento diversas, entre as
quais qumica, materiais, eletrnica e engenharia e internacional (por
exemplo, Cincia Sem Fronteiras), j que essa nova eletrnica est se desenvolvendo fora do Brasil.
475
Complexo Eletrnico
476
Concluses
Referncias
ASSUNO, F. Eletrnica orgnica: contexto e proposta de ao para
o Brasil. Centro de Gesto e Estudos Estratgicos, dez. 2011. Srie
Documentos Tcnicos, n. 12.
BARDSLEY, A. et al. Solid-State Lighting Research and Development.
Multi-Year Program Plan Solid-State Lighting Program. Departamento de
477
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