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El diodo: caracterizacin de su respuesta y parmetros

de variacin (tiempo y temperatura)
Mendieta Cristian, Lpez Edward, Solanilla Juan
(ldedwarde, jdsolanillam, clmendietag)@unal.edu.co

Universidad Nacional de Colombia

Bogot, Colombia

Resumen Este informe tiene como objetivo identificar las

caractersticas bsicas de los diodos semiconductores, incluyendo
la curva de Corriente vs. Tensin (i vs. v) y el tiempo de
recuperacin inversa (trr). Primero se trabaj con una fuente
variable de 0 a 25 V en el circuito de polarizacin del diodo, al
variar la tensin de manera gradual observamos el cambio en la
corriente, se repiti el procedimiento al aumentar la temperatura en
el diodo; en la segunda parte se trabaj con dos tipos de diodos
diferentes en su respuesta al tiempo de recuperacin inversa, se
observaron las seales en el osciloscopio generadas por los dos
diodos a diferentes valores de frecuencia. Se espera encontrar
dentro de las curvas caractersticas; la tensin umbral, la corriente y
por medio de estos datos la resistencia dinmica de cada diodo.
Estos resultados servirn para determinar qu diodo es ms til
para una aplicacin especfica.
Palabras ClaveCorriente, Diodo, Tensin Umbral, Tiempo de
Recuperacin Inversa (trr)

I.

INTRODUCCIN

En las ltimas dcadas el rea de la electrnica se ha desarrollado

enormemente, este desarrollo se debe en mayor parte gracias a la
aparicin de los elementos semiconductores. Uno de estos
elementos y el ms sencillo, es el diodo. Este elemento trabaja
tericamente como un cortocircuito al ser polarizado en directo y
como un circuito abierto al ser polarizado en inverso, estas
caractersticas de este elemento son tiles en aplicaciones tales
como convertir una seal de AC a DC, recortar, sujetar y cambiar el
nivel de una seal entre otras.
En este informe iniciaremos con una breve resea sobre nuestro
elemento trabajado el diodo donde definiremos con los conceptos
bsicos como regin de agotamiento, polarizacin, corriente de
saturacin inversa, tensin umbral, explicaremos la prctica
realizada en el laboratorio desde las simulaciones, y los clculos
realizados previamente donde se expresa como se calcul la
resistencia necesaria, as como la potencia de la misma resistencia
para que al utilizar un corriente alta no se quemara, luego

expresamos brevemente los instrumentos y los equipos utilizados

con el apoyo de unas fotografas bsicas sobre los elementos
utilizados, luego de exponer estos tems, procedemos con la
explicacin de la prctica desde el montaje y conexin de los
medidores, hasta la recopilacin de los datos, y con estos
analizando el comportamiento de los diodos.

II.

MARCO TERICO

El diodo es un importante elemento electrnico no lineal, entre sus

dos terminales este presenta un comportamiento muy til para
aplicaciones tales como convertir una seal de AC a DC, recortar,
sujetar y cambiar el nivel de una seal entre otras, cuando por el
existe o pasa una corriente elctrica, este elemento de cierta manera
se comporta o asemeja a un interruptor. Bsicamente un diodo est
formado por dos tipos de materiales el tipo P en el que existe
mayoritariamente huecos y el material tipo N en el que existe una
cantidad mayor de electrones libres, estos dos materiales
generalmente son silicio o germanio.
Entre estas dos regiones se crea una regin llamada regin de
agotamiento que se presenta por la recombinacin de electrones y
huecos, dicha regin puede aumentar o disminuir dependiendo
como polarizamos el material.
La corriente que existe en un diodo est dada por la siguiente
expresin

En donde IS es la corriente de saturacin inversa, es un parmetro

constante llamado coeficiente de emisin (siempre est en entre 1 y
2), VT es el llamado voltaje trmico y es igual a K T=q, en donde
K es la constante de Boltzman (1,38X10-23 J=K), T es la
temperatura en grados Kelvin, y q es la carga del electrn (1,6 X1019
C). En la regin de conduccin, el trmino exponencial de la
ecuacin del diodo se hace mucho mayor que 1, debido a que
(Vd VT), por lo cual la anterior ecuacin puede ser aproximada
por:

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Los diodos tambin presenta una regin llamada regin zener
donde a partir de cierta tensin negativa Vr el diodo empieza a
activarse, esta regin para algunos diodos es causa de dao, pero
hay un tipo de diodo llamado diodo zener que su punto de
operacin principal es precisamente la regin zener; De acuerdo al
descrito, podemos decir que el diodo zener ha sido diseado para
trabajar con voltajes negativos (con respecto a l mismo).

A. Diodo ideal
Un diodo ideal tiene dos estados los cuales dependen de la forma
en que est polarizado; cuando polarizamos un diodo en directo
es decir aplicamos un potencial positivo al material tipo p
llamado nodo y un potencial negativo al ctodo, en esta forma
de polarizacin el diodo se comporta como un cortocircuito, por
el contrario si polarizamos un diodo en inverso es decir
aplicamos una tensin positiva al ctodo y una tensin negativa
al nodo encontramos que el diodo se comporta como un circuito
abierto.

C. Tiempo de recuperacin inversa del diodo

El tiempo de recuperacin inversa (trr) es el tiempo que tarda el
diodo en recuperar su funcin de corte despus de haber estado en
conduccin, es decir, es el tiempo que tarda la seal en rectificarse
tras el cruce por cero en el flanco negativo de la seal de entrada.
Considere que por un circuito circula una corriente IF en cual,
mediante la aplicacin de una tensin inversa, forzamos la
anulacin de la corriente con cierta velocidad di=dt, resultar que
despus del paso por cero de la corriente, existe cierta cantidad de
portadores que cambian su sentido de movimiento y permiten que
el diodo conduzca en sentido inverso durante un instante, dando
lugar a una pequea corriente inversa IR. La tensin inversa entre
el nodo y el ctodo no se establece hasta despus del tiempo ts
llamado tiempo de almacenamiento, debido a la capacidad de
difusin. La intensidad todava tarda un tiempo tf llamado tiempo
de cada, debido a la capacidad de transicin, para pasar de un valor
pico negativo a un valor despreciable, mientras van desapareciendo
el exceso de portadores.
Tiempo de almacenamiento (ts): Es el tiempo
que transcurre desde el paso por cero de la corriente hasta
llegar al pico negativo.
Tiempo de cada (tf ): Es el tiempo transcurrido
desde el momento en que la corriente empieza a tender a
cero, hasta el momento en que esta se anula totalmente.
En la prctica se suele considerar hasta el instante en que
la corriente alcanza 10%IR.
Tiempo de recuperacin inversa (trr): Es la
suma de ts y tf.

III.

Figura 1: Modelo voltaje corriente del diodo ideal

B. Diodo real
En aplicaciones prcticas las caractersticas del diodo varan a
unas caractersticas que se ajustan a un diodo real que tiene ciertas
variaciones respecto al diodo ideal ya descrito.
Estas variaciones nos muestra la necesidad de una tensin Vy
llamada tensin umbral para activarse el diodo en estado de
conduccin, esta tensin umbral es aproximadamente 0.7 voltios
para el silicio y 0.3 voltios para el germanio. Adems de ello uno
de los parmetros ms importantes en un diodo es la resistencia
dinmica, la regin o punto de operacin, este describe cual es la
resistencia que tiene asociada cada diodo y como esta vara
linealmente en el diodo.

A.

MTODO EXPERIMENTAL

Clculos y Simulaciones
Para calcular la resistencia a utilizar en el circuito nos dicen que la
corriente mxima por el mismo es de 250 miliamperios, y la fuente
llega a utilizar mximo 25 voltios dc, razn por la cual hacemos
uso de la ley de ohm que nos dice que v=ir, despejando esto
obtenemos que r=v/r, y como estos dos datos los tenemos
realizamos la operacin: r=25/0,250.
Esto es igual a 100, lo que nos da como resultado que la resistencia
es una de 100 ohmios, y al calcular la potencia es simplemente
p=vi lo que nos da una potencia de 6,25 watts.
A continuacin se muestra la primera simulacin junto con los
datos de corriente del diodo y voltaje del diodo (en la tabla) y su
curva caracterstica (en el grfico).

A continuacin se muestra la primera simulacin junto con los

datos de corriente del diodo y voltaje del diodo (en la tabla) y su
curva caracterstica (en el grfico).

El siguiente grupo de simulaciones se muestra el comportamiento

del diodo en tiempo de almacenamiento (ts) y de cada (tf).
En la simulacin que sigue se muestra un tiempo de ts
prcticamente cero y un tf de 2,5 ms aprox. Tambin se puede
apreciar que la forma de onda es confusa porque no se ve una lnea
delgada como se ver en las imgenes tomadas en el osciloscopio
sino al contrario una lnea gruesa que se va haciendo delgada con el
tiempo. Este problema est asociado al simulador.

En la siguiente simulacin la frecuencia aument a 500 Hz. El

tiempo ts es cero mientras que el tiempo tf dura 500 us.
En la ltima simulacin se puede observar que el comportamiento
de ts es cero al igual que las anteriores simulaciones y que el
tiempo tf est aproximadamente en el orden de los 100 ns.

Ahora observamos la misma configuracin pero con una frecuencia

de 20 KHz, que es muy superior. Se observa que el tiempo ts es
cero y el tiempo tf es aproximadamente 3 us.

B.

Instrumentos y Equipos Utilizados

3)
Multmetro digital: Utilizamos dos
multmetros, uno para medir la corriente, ya que la corriente
mxima del equipo era de
300 miliamperios, y
la calculada no superaba este nivel
4)
Fuente DC dual: Fuente de tensin
que como su funcin principal, la utilizamos para tener un
control sobre la tensin que se quiere aplicar al circuito de
forma gradual.
5)
Tres sondas: Utilizadas para conectar
los multmetros al circuito y de este al osciloscopio.
6)
Resistencias: 100 ohmios y 1000
ohmios.
7)
Diodos 1N4004 y 1N4148.
8)
Cautn para aumentar la temperatura
del diodo 1N4004

1)
Osciloscopio de dos canales: lo
utilizamos para visualizar el tiempo de recuperacin del diodo
1N4004 y del diodo 1N4148 a las frecuencias de 100Hz, 500
Hz, 20k Hz y 200kHz.

C.

2)
Generador de seales: lo utilizamos
para generar la seal cuadrada de 10 Vpp y variar la frecuencia
en la segunda parte de la prctica.

Desarrollo Prctica
En esta prctica se observa el comportamiento del diodo genrico
1n 4004, utilizando equipos como una fuente de tensin variable
entre 0 y 25 V, fuente de tensin que nos servir para tener un
control sobre la tensin que se quiere aplicar al circuito de forma
gradual, de esta manera al medir con un multmetro la tensin que
cae en el diodo y la corriente, podemos graficar la curva
caracterstica de los diodos y analizar su comportamiento a estas
dos variables.

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Fig. 1 Montaje del circuito en baquelita virgen
Tambin podemos observar desde qu momento empieza su
funcin como cortocircuito, para as comparar con los clculos
hechos previos a la prctica y los datasheet de los elementos, su
potencia mxima, su corriente mxima y su tensin umbral, adems
de experimentar al realizarle un cambio de temperatura al diodo,
como es su reaccin obteniendo los mismos valores medidos y
realizando la curva caracterstica para observar sus diferencias.

Fig. 3 Aumentando con la fuente la tensin gradualmente al

circuito

Fig. 2 Tomando las medidas de corriente y tensin al aumentar la

temperatura con el cautn.
En la figura 2 podemos observar el montaje en la baquelita con la
resistencia de baja potencia y la de alta potencia para las pruebas a
su vez se realiz el montaje de dos circuitos separados para no estar
desoldando y soldando los diodos

Adems en esta prctica estudiaremos y comprenderemos el

concepto de tiempo de recuperacin inversa (trr) el cual se define
como el tiempo que tarda el diodo en recuperar su funcin de corte
despus de haber estado en conduccin, lo analizaremos de dos
diferentes tipos de diodos el diodo 1N 4004 y el diodo 1N 4148, al
aplicarles una seal cuadrada de tensin 10 Vpp por medio de un
generador de seales, equipo que nos permitir poder cambiar la
frecuencia de la seal de entrada, y luego con un osciloscopio
observar las seales resultantes en un lmite de tiempo y poder
estimar el tiempo de recuperacin inversa, al obtener todos los
datos nos mostrar segn las caractersticas del diodo un
funcionamiento distinto, dndonos la posibilidad de clasificar la
utilizacin del diodo segn la funcin para la que se vaya a utilizar.

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Fig. 6 Seal generada a una frecuencia de 500 Hz.

Fig. 4 Conectando el osciloscopio y el generador de seales para

obtener la grfica de tiempo de recuperacin inversa

Fig. 7 Seal generada a una frecuencia de 20KHz.

A Continuacin presentaremos las evidencias fotogrficas de las

seales resultantes en el osciloscopio al variar la frecuencia en el
generador de seales utilizando en el circuito montado el diodo
1N4004.

Fig. 8 Seal generada a una frecuencia de 200KHz.

Fig. 5 Seal generada a una frecuencia de 100Hz.

.

A Continuacin presentaremos las evidencias fotogrficas de las

seales resultantes en el osciloscopio al variar la frecuencia en el
generador de seales utilizando en el circuito montado el diodo
1N4148, que por sus especificaciones en el datasheet es de
recuperacin rpida respecto al diodo 1N4004.

8
Fig. 9 Seal generada a una frecuencia de 100Hz.

IV.

RESULTADOS

En la siguiente tabla Curva del diodo en el laboratorio. Se

pueden apreciar los resultados de los datos obtenidos en el
laboratorio de la corriente y voltaje del diodo 1N 4004 con respecto
a la temperatura. En esta tabla es evidente que a mayor temperatura
el diodo conduce ms corriente y la tensin entre sus extremos es
menor.

Fig. 10 Seal generada a una frecuencia de 500 Hz.

Fig. 11 Seal generada a una frecuencia de 20KHz.

La siguiente grfica est asociada a la tabla anterior se observa

claramente la diferencia entre las curvas sometidas a distinta
temperatura. La lnea roja tiene que ver con el diodo trabajando a
50 aprox. y la lnea azul est relacionada con la temperatura
ambiente.

Fig. 12 Seal generada a una frecuencia de 200KHz

Al ir resultando cada una de estas seales al cambio del frecuencia

por medio de la calibracin del osciloscopio en pantalla veamos
segn las divisiones, el tiempo estimado de recuperacin, y
plasmando en las tablas los datos que presentamos a continuacin.

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l nos dice que se comportan y que la informacin all contenida es
verdica y demostrable.
La siguiente tabla estn consignados los resultados obtenidos en el
laboratorio con respecto a la prctica que consiste en someter a dos
diodos de distintas caractersticas a diferentes frecuencias. Se
puede observar que el tiempo de almacenamiento y de cada del
diodo 1N 4004 es mayor.

V.

ANLISIS DE RESULTADOS

Se presenta un anlisis de los resultados obtenidos realizando

comparaciones entre valores tericos

En el momento de aumentar la temperatura del diodo este cambio

su umbral para empezar a conducir corriente elctrica , al igual
que aumento el paso de corriente por el en comparacin con las
mediciones tomadas en temperatura ambiente, lo que nos dice que l
grfica del diodo de voltaje vs corriente que conocemos, se
desplaza hacia la izquierda, por ende podemos deducir que si el
diodo llegase a estar en una menor temperatura, su voltaje de
operacin va a ser mayor y el paso de corriente por l va a ser
menor, de aqu podemos decir que la tan veces dicha frase espere
a que caliente se puede aplicar en este tipo de dispositivos.
al realizar las mediciones con el diodo N4004, pudimos observar
que este diodo tiene menores tiempos de recuperacin, y su efecto
rodilla es mucho menor, lo que nos da a entender que este es un
diodo rpido , ya que sus tiempos se encuentran entre los
nanosegundos, pensamos que este tipo de diodos por su pronta
recuperacin pueden ser tiles en las aplicaciones de osciladores,
como interruptores electrnicos y como amplificadores con bajo
nivel de ruido.
tambin pudimos observar que los diodos N4148 son muy tiles
para la rectificacin y para aplicaciones que me exijan mayores
potencias, ya que estos diodos por su construccin permiten un
mayor paso de corriente por ellos, a diferencia de los dems que
normalmente estn diseados para una corriente mxima de 0,5
amperios.
igualmente se pudo observar el tiempo de recuperacin en ambos
tipos de diodos, a comparacin que el diodo N4148 se puede
observar en frecuencias menores a los 500 HZ, mientras que en el
diodo rpido solo se puede observar en frecuencias altas, maso
menos despus de los 2 KHZ.
como ltimo anlisis pudimos confrontar los datos obtenidos en el
laboratorio con la data chip que nos provee el fabricante, y
observamos que estos dispositivos si se comparan realmente como

VI.

CONCLUSIONES [2]

Se pudo concluir que en el momento de realizar aplicaciones en las

cuales pase por un diodo ms de 0.5 amperios, lo mejor es utilizar
diodos grandes y lentos ya que estos soportan una mayor cantidad
de corriente y ms robustos para esto mismo, ms sin embargo si el
tipo de aplicaciones es de un switcheo rpido o respuesta rpida y
en el circuito manejo bajas corrientes, hablando de menores a 500
mA lo mejor es utilizar diodos rpidos ya que me va a responder
mejor.
Pudimos aprender igualmente que es muy importante tener en
cuenta los clculos realizados antes de cada prctica, ya que una
potencia mal calculada, al igual que una corriente o una tensin,
puede resultar en el dao de dispositivos y ah mismo un problema
en el desarrollo de esta, por suerte en esta prctica tuvimos una
resistencia por debajo de la potencia calculada la cual se calent
pero no se da, pero no siempre se corre con esa suerte, y se
puede poner en riesgo la prctica.
Como ltimo siempre es importante tener en cuenta la temperatura
con la cual estamos trabajando, cuando estemos realizando trabajos
con diodos, ya que cualquier variacin en esta, hace que nos
cambie el comportamiento del diodo en cuanto a tensin y
corriente, y afectar directamente la resistencia asociada al diodo, lo
que nos cambiara el circuito y puede que no cumpla los fines para
los cuales este fue diseado.
Adems cabe notar que los valores que se presentan de diferencia
entre la simulaciones, son similares, no iguales, esto debido a la
tolerancia de la resistencia, y las resistencias internas de los
equipos, y otros factores dems.

VII.

REFERENCIAS

[1] R. E. Jhon Jairo, Modos de operacin del diodo Unin,

Departamento Ingeniera Elctrica y Electrnica Universidad
Nacional, 2007.
[2] Boylestad Robert, Teora de circuitos y dispositivos electrnicos,
dcima edicin, Pearson 2009.
[3] R.L. Boylestad y L. Nashelsky, Electrnica: Teora de circuitos y
dispositivos electrnicos 8va ed. Ed. Mjico: Pearson Prentice Hall, 2003,
pp. 33,34.
[4] Sikanews, newsletter@sicaelec.com, Diodos de Potencia, consultado el
26
de
Septiembre
de
2009.
Disponible
en:
www.paginadigital.com.ar/ARTICULOS/2002rest/2002terc/tecnologia/sica
74.html

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