La Memoria:

MEMORIAS RAM

Dentro de las memorias de acceso aleatorio, lo cual quiere decir que al apagar la computadora se
perderá lo que se encuentra almacenado ahí; podemos hacer dos grandes divisiones, de acuerdo
al sistema que utilizan para mantener los datos en las celdas de memoria.
Estos dos grupos son:
1)DRAM (DINAMIC RAM)

Estos chips son los utilizados en la memoria Ram de las computadoras.

Utilizan ,lo que denominamos refresco, que consiste en lecturas y escrituras periódicas de los bits
almacenados, con el fin de mantener la información de las celdas, caso contrario perderíamos lo
que allí se encuentra.
Encontramos distintos tipos de DRAM: FPM, EDO,BEDO SDRAM.

2)SRAM (STATIC RAM)

Estos chips de memoria ,no necesitan refresco, por lo cual no se borran los datos almacenados en
las celdas, siendo el tiempo de lectura y escritura mucho mas rápido. Son mas caros que los chips
DRAM y se utilizan en la memoria CACHE.

Memorias DRAM (UTILIZADAS EN LA RAM)

Las celdas están compuestas por transistores y capacitores de tamaño microscópico.

Los capacitores son componentes electrónicos, que pueden presentar dos estados, cargados
electrónicamente o descargados, por lo tanto podemos asimilar el estado de carga a un bit de valor
uno y el estado de descarga al valor de un bit de valor cero.
Los capacitores permanecen cargados durante un cierto tiempo y después pierden su carga (en
este caso se perdería la información contenida en ella.
Para evitar esto, debe volver a cargarse los datos periódicamente, a este proceso de recarga se lo
llama refresco (refreshing, cada 10 a 20 milisegundos), y lo efectuarán circuitos electrónicos
especiales incluidos en la memoria.
Esta recarga se produce constantemente mientras la computadora está encendida, de ahí el
nombre de dinámicas. Por eso cuando la apagamos perdemos el contenido (información) que está
en la memoria RAM, quedando todas las celdas en cero, de ahí el nombre de volátiles.
Podemos encontrar este tipo de memoria en impresoras y placas de video.
De acuerdo a la evolución tecnológica de estos chips de memoria Dram, los podemos clasificar de
la siguiente manera:
1)FPM (fast page mode)

Deriva de los primeros chips utilizados en las computadoras 286,y se basa en un método de
“página rápida”, consiste en eliminar algunas de las operaciones que se realizan en el acceso a las
celdas. Tiene un tiempo de refresco de 60 a 70 nanosegundos.(Un nanosegundo es una
millónesima parte de un segundo).
Se utilizó en los SIMM de 30 contactos.

2)EDO (Enhanced o Extended Data Output)

Son una evolución de las FPM y se diferencia de ésta, en que permite ingresar datos nuevos,
mientras los anteriores no salieron totalmente, aunque en la práctica su mejora no superó el 10%.
Estos chips , los encontramos en los SIMM de 72 contactos, con un tiempo de acceso de 50 a 60
nanosegundos.
3)BEDO(Burst Edo)

Se pensaron como una mejora de las EDO, pero su desarrollo se abandonó, por las memorias
SDRAM.
4)SDRAM (Synchronic DRAM)

Funciona de manera sincronizada con la velocidad de clock del bus del sistema.
Comúnmente las conocemos como PC 66,Pc 100 y Pc133.
Los primeros corren a 66 MHz. En módulos DIMM y los encontramos en equipos Pentium
MMX,AMD K6 y Celeron.
Con la evolución de estas memorias, salieron al mercado PC 100 (100 MHz.) y PC 133 (133
MHz),logrando una tasas de transferencia de datos de aprox. 800 MB/seg. (100 MHz. por 8 bytes),
para las primeras y de 1GB/seg. Para las segundas.
Algunas de las características generales de estos chips DRAM son :
A) Tiempo de acceso promedio entre 8 y 15 nanosegundos.
B) Soportan un modo de transferencia denominado BURST (Transferencia de datos en forma de
avalancha o de golpe)
C) Puede leeer dos datos al mismo tiempo.

Algunas memorias cuentan con capacidad para detectar errores en los datos, llamando a esto
Paridad ,y otros para detectarlos y corregirlos, llamando a esto último ECC (Error conecting Code)

Paridad

Como dijimos la paridad es un chequeo, que permite detectar errores en la transmisión de datos,
para esto se deben agregar chips, ya que se necesitan bits adicionales para implementarla.
La paridad detecta, pero no corrige errores.
Como ejemplo podemos citar lo sig.:
SIMM 30 contactos,9 bits, 8 de datos y 1 de paridad.
SIMM 72 contactos,36 bits, 32 bits de datos y 4 de paridad.
DIMM 168 contactos, 72 bits,64 bits de datos y 8 bits de paridad.
Como podemos observar, se ha agregado 1 bit adicional por cada Byte, que se utiliza para
chequear la integridad de los datos en la memoria. A este chequeo lo llamamos paridad.
Debido al alto costo de las memorias con control de paridad, y al gran avance tecnológico, lo cual
hace que la probabilidad de error sea bajísimo, los fabricantes han decidido, eliminar estos chips
excedentes, presentando igualmente las memorias, un excelente funcionamiento.

ECC

Una memoria que tiene capacidad para detectar errores y corregirlos, se la conoce con la
nomenclatura ECC , y es siempre aprovechada siempre y cuando el chipset también cuente con
esta función.

Todos estos chips arriba mencionados , formaban parte de los llamados módulos de memoria
RAM, siendo los mismos:

Módulos SIP

Se usaron en algunos equipos AT 286 y fueron rápidamente reemplazados. Solo los nombraremos
a título informativo. Eran módulos de 30 pines alineados que se insertaban en un zócalo especial
para ellos. La mayor desventaja era la falta de rigidez de los pines, los cuales se doblaban con
mucha facilidad.
Manejaban 8 bits. De datos y capacidades de 256K a 1MB.

Módulos SIMM
Podemos clasificarlos de acuerdo a su evolución en dos tipos:
SIMM de 30 contactos
SIMM de 72 contactos

SIMM de 30 contactos

Formado por contactos planos laterales, también poseen 8 bits de datos y fueron utilizados en
equipos 286,386 y en algunos módulos de 486,con capacidades desde 256k hasta 4MB.
Este módulo siempre lo encontraremos de a pares, ya que se debe emparejar el ancho del bus del
microprocesador .
Para un microprocesador de un ancho de bus de 16 bits, necesitaremos dos módulos de memoria.
Estos dos módulos formarán un Banco.
Si el micro fuera de 32 bits de ancho del bus ,necesitaríamos 4 módulos y así se formaría un
banco.
Por este motivo jamás podíamos encontrar un módulo SIMM de 30 contactos solo.
Uno de los motivos de la migración de la memoria SIMM de 30 contactos a SIMM de 72 contactos,
fue la evolución de microprocesadores con un ancho de bus de datos de 64 bits ya que esto
obligaba a tener un motherboard con una gran cantidad de zócalos para alojar memoria.
En algunos motherboard podíamos llegar a encontrar zócalos para ambos tipos de memoria.
Tanto los módulos SIMM de 30 ctos., como los SIMM de 72 ctos. Se insertaban en el Zócalo en
forma diagonal a 45%,abriendo las trabas laterales , las cuales, una vez puesto el módulo le
otorgaban rigidez a la memoria, impidiendo cualquier movimiento.
Primero se colocaban en diagonal y luego se iban empujando hasta quedar en posición vertical.
Los zócalos SIMM de 30 contactos los encontrábamos generalmente de color blanco.
Estos zócalos son asimétricos , ya que poseen un pequeño tope en uno de sus extremos, lo que
impide la colocación invertida del SIMM.
Poseen una muesca, que identifica el pin 1,coincidiendo esta muesca con el tope del zócalo.

SIMM de 72 Contactos

A los módulos de memoria SIMM de 30 contactos, le sucedieron los módulos SIMM de 72

contactos.
Estos módulos manejaban 32 bits de datos , en lugar de los 8 bits de los SIMM de 30 contactos.
Los contactos 21 y 72 vienen numerados para facilitar su colocación , presentan una muesca en
uno de sus lados , lo que impediría que se los pueda colocar de forma invertida en el zócalo o slot
de memoria.
Se colocaban exactamente igual que los de 30 contactos, Se usaron en motherboards para
microprocesadores 486 y Pentium, siendo sus capacidades desde 1MB a 64 MB, siendo los de 8 y
16 MB, los mas difundidos; o sea que al manejar 32 bits de datos, con aquellos
microprocesadores de 32 bits de bus de datos, con un solo módulo resolvíamos el problema, que
antes nos hubiera llevado dos bancos completos (1 banco=2 módulos de SIMM 30 ctos ).
Al aparecer microprocesadores Pentium de 64 bits , hizo falta dos módulos SIMM 72 ctos. Para
formar un banco, con la complicación que trae aparejado la expansión de memoria.
Ante esta dificultad, aparecen en el mercado nuevos módulos de memoria, llamados DIMM , los
cuales manejan 64 bits de datos, solucionando el problema planteado con los SIMM:

DIMM

Poseen 168 pines, y los encontramos asociados a los microprocesadores Pentium, Celeron,
Pentium II, Pentium III de Intel, los K5, K6, Atlhon y Duron de AMD y los Cyrix de IBM.
Estos módulos DIMM vienen con las siguientes capacidades: 16, 32, 64, 128, 256 y 512 MB,
siendo los mas usuales en su comienzo 16 y 32 MB., luego los de 64 y hoy de acuerdo ala relación
costo por MB., convendría comprar directamente un módulo de 128 o 256 MB:
A diferencia de los módulos SIMM , el DIMM tiene los contactos de una cara aislados de los
contactos de la cara opuesta.
Los módulos DIMM son asimétricos, ya que poseen dos ranuras o muescas , las cuales impiden
ques e coloquen en forma invertida dentro del zócalo DIMM presente en el motherboard
La colocación de los mismos en sus respectivos zócalos, es mas sencillo que con los módulos
SIMM, ya que se colocan directamente en forma vertical, ajustándose gracias a dos orejas o trabas
de plástico, en las cuales no debemos hacer ningún tipo de fuerza para que queden enganchados
al modulo; estando abiertos al momento de colocar el módulo.
Generalmente estos zócalos DIMM, son de color negro o marrón.
Las dos muescas que poseen los DIMM , las encontramos, una en el centro del módulo y la otra
hacia uno de los costados.
La ranura o muesca lateral determina el tipo de DIMM y la ranura central nos dará la tensión de
trabajo del mismo.
Los primeros módulos DIMM , utilizaron una tensión de alimentación de 5v, pero después se
comenzaron a desarrollar de 3.3 v.
Si los contactos vecinos a la muesca central, son simétricos, con respecto a esta muesca, estamos
en presencia de un módulo de 3.3.v, caso contrario serán 5v
De acuerdo a la ranura lateral ,nos encontramos con memoria DIMM con buffer o sin buffer.
Si los contactos con respecto a la muesca están centrados ,hablaremos de DIMM con buffer ,caso
contrario será sin buffer.
El objetivo del buffer, fue de disminuir la carga de trabajo a las memorias instaladas en equipos de
alta performance, como ser servidores. El módulo tiene la capacidad de manejar en forma directa
el direccionamiento a la memoria, logrando que solo se acceda a la posición de DIMM necesaria
cuando se lee o escribe en ella.
El DIMM sin buffer es mas económico y de uso mas frecuente.
Podemos encontrar en algunos motherboard, los módulos de SIMM de 72 contactos y DIMM
conviviendo ambos, dándonos la posibilidad de ampliar una memoria SIMM agregando un módulo
DIMM llamado DIMM PC 66.
Si bien esto tecnológicamente puede realizarse , recomendamos en la práctica, disponer del
motherboard en el momento de realizar la compra, ya que existe incompatibilidad de memorias
entre si, no solo de SIMM a DIMM , sino de SIMM y DIMM entre si respectivamente.
Los módulos SIMM, a partir de mediados de 1996,estan formados por chips SDRAM (Synchronous
DRAM,DRAM sincrónicos).Con esta tecnología logramos hasta un 400% mas de velocidad que la
DRAM convencional.
Esta memoria trabaja en forma sincronizada con la velocidad del bus que comunica con el
microprocesador, evitando tiempos de espera. También incorpora modos de transferencia de datos
continuos en ráfaga, lo cual acelera los accesos a datos en posiciones contiguas, y asu vez
permite comenzara acceder a otro dato en paralelo.
Deberemos configurar la tensión de trabajo de los DIMM ,en 3,3 o 5 v. Según corresponda.(manual
o automáticamente)
Así como antes dijimos que la inserción de estos módulos en el zócalo correspondiente se hace
de manera muy sencilla, lo mismo ocurrirá con la remoción de los mismos, ya que deberemos
desplazar hacia los costados y hacia abajo , los ganchos o trabas de sujeción laterales, y
podremos retirar el módulo sin realizar ningún tipo de esfuerzo.

RIMM

También llamada Rambus o RDRAM (Rambus Direct Dram), posee 184 contactos,en lugar de los
168 característicos de los DIMM.
Utilizan chips de memoria con tecnología denominada RAMBUS .Estos chips por la alta concentra-
ción de los componentes ,poseen una temperatura superior a los DRAM convencionales, por esto
encontramos a los módulos RIMM recubiertos por un disipador de temperatura, cuyo objetivo es
bajar la temperatura de estos chips.
Lo que la distingue de otras memorias, es que ofrece un acceso mas inteligente de los datos
almacenados , ya que considera a las direcciones de memoria como unidades, las cuales pueden
accederse en forma selectiva. Esto es manejado por la memoria y libera al microprocesador de
algunas tareas referente al direccionamiento.
Trabajan con tensiones de 2.5v pudiendo controlar que no sean alimentadas las porciones de
memoria que no estén siendo utilizadas.
Todos los slots RIMM deben estar llenos. Si ocupamos un solo zócalo con esta memoria, en los
otros slots debemos colocar unos módulos especiales (de bajo costo), conocidos como “RIMMS de
conectividad.
Pueden trabajar a frecuencias de 600,700 y 800 Mhz., pudiendo llegar a lograr una tasa de
transferencia de datos de 1.6 GB/seg.(800 millones de ciclos por segundo, por 16 bits).
Esta tecnología , en conjunto con el chipset Intel i840 , al trabajar con dos canales de datos, eleva
la tasa de transferencia de datos a 3,2 GB/seg., utilizándose en estaciones de videos juegos como
Nintendo.
Sin embargo, debido a lo oneroso de esta tecnología , la misma se ha reemplazado por otra
llamada DDR, pot lo cual encontraremos pocos motherboard que soporten RIMM.

DDR (Double Data Rate ) (Doble tasa de Datos)

Este tipo de memoria DRAM sincrónica, logra el doble de velocidad de transferencia que la
SDRAM convencional, utilizando la misma frecuencia de clock,gracias a que aprovecha para
transmitir datos, tanto el flanco creciente como el decreciente en un pulso del clock,mientras que el
SDRAM utiliza solo el flanco creciente.
Posee 184 contactos y trabajan con una tensión de 2,5 voltios. Poseen una sola muesca
Los módulos DDRAM, al principio se los conocieron como Pc100 y PC266, para los que operan a
100 MHZ o 133 MHZ ,esto trajo confusión ,ya que no es que trabajan a 200 y 266MHZ, sino que
aprovechan ambos flancos.
La confusión continuó ,ya que los módulos RIMM se los conocieron como Pc600, 700 y
800,dándonos una falsa idea ,de que las memorias RIMM eran mas rápidas que las DDR.
En la actualidad, a las memorias DDR ,las encontramos con la siguiente nomenclatura Pc1600 y
Pc2100, 2700, 3200 y 4000 las cuales nos remiten directamente a la tasa de transferencia.
Se ha utilizado mucho estos chips de memoria , como memoria RAM en las placas de video,
siendo el fabricante NVIDIA de los primeros en emplearla ,encontrándola como ejemplo en la placa
de video GeForce 3D 32MB/DDR AGP 4x/2x.
Algunos fabricantes llaman a la memoria DDR como DIMM o DDR DIMM ,lo cual si bien puede
confundirnos . no debemos olvidar que la memoria DIMM posee 168 contactos y la DDR 184
contactos
También encontramos memorias DDR del tipo Buffered o Unbuffered ,aunque esta última es
llamada registred.
.
CONVENCIÓN DE NOMBRES DE DDR

Velocidad Convención de Ancho de banda pico Convención de

de datos nombres de chip del módulo de memoria nombres del
de memoria por segundo módulo de
memoria
1,600MB/segundo ó
200 MHz DDR200 PC1600
1.6GB/segundo
2,128MB/segundo ó
266 MHz DDR266 PC2100
2.1GB/segundo
2,664MB/segundo ó
333 MHz DDR333 PC2700
2.7GB/segundo
2,128MB/segundo ó
400 MHz DDR400 PC3200
3.2GB/segundo
CONSIDERACIONES ESPECIALES DE DDR
• Un Sistema DDR400 de un solo canal tiene un ancho de banda de memoria pico de 3.2
GB/s, ya que el módulo de memoria único se lee o se escribe en una operación de
memoria.

• Un Sistema DDR400 de doble canal con pares correspondientes de módulos DDR400

tendrá el doble de ancho de banda de memoria pico, ya que cada par de módulos de
memoria se leerá o se escribirá en una operación de memoria, dando como resultado un
ancho de banda pico de 6.4 GB/s (2 x 3.2 GB/s).

TECNOLOGÍAS DDR DE SIGUIENTE GENERACIÓN

La familia DDR de tecnologías de memoria está creciendo, con JEDEC trabajando en chips y
módulos de memoria DDR2 que tendrán una mejora en 2004 y memoria DDR3 que se espera en la
última parte de esta década

Memoria Cache (O memoria anticipativa)

El objetivo de la memoria cache , es guardar la mayor cantidad de datos e instrucciones, que se

supone serán utilizados inmediatamente por el microprocesador.
De esta manera, el micro, en lugar de buscarlo en la memoria RAM (Chip SDRAM), lo busca
primero en la memoria cache (Chip SRAM), lográndose una mayor velocidad de obtención de
datos, un menor tiempo de búsqueda, debido a que:
1) Los chips SRAM (cache) tienen un tiempo de acceso mucho mas importante que los DRAM de
la RAM.
2) Esta memoria cache es mas pequeña que la RAM, siendo el tiempo de búsqueda menor.
El método que se utiliza para guardar datos en cache, es el de predicción, basado en
algoritmos, con lo cual guardaremos las últimas instrucciones ejecutadas por el
microprocesador y aquellos que serán utilizados próximamente en base a predicción.
Estadísticamente podemos decir, que la predecibilidad de datos ronda el 90 %, y que el
microprocesador utiliza información de la cache entre el 80 y 90 % de las veces.
Podemos dividir la memoria cache en dos niveles conocidos como L1 y L2.
L1 (Cache de nivel Primario)

Se desarrolló para estar dentro de los circuitos del microprocesador. Su capacidad oscila dentro de
los 16 a 32 KB, trabaja directamente con la frecuencia del clock del micro.
Suele dividirse en cache de datos y de instrucciones , de acuerdo a la operación que realice.
L2 (Cache de nivel secundario )

Cuando se supera la capacidad de L1 , se pasa a guardar en L2, de ahí el nombre de cache

secundario, es de mayor capacidad que L1, pero mas lenta. Sus capacidades oscilan entre los 64
KB y los 512 KB.
Podemos encontrar la memoria cache L2 de tres maneras distintas.

1)Chips montados n el motherboard (386 Dx,486)

Son chips del tipo DIP y rara vez llegaron a verse en los primeros Pentium. El cache L2 se divide
en::
A)Area de almacenamiento de datos: Es la memoria física ,donde realmente residen los datos del
cache.
B)Tagram: Es un área de memoria utilizada p/el cache a modo de índice.
2)Módulos verticales en el motherboard:

La memoria cache, comenzó a colocarse verticalmente, en un slot específicamente diseñado para

este,en forma de módulos similares a los de 72 contactos, ubicado casi siempre cerca del
microprocesador.
Este módulo se usaba verticalmente, de manera similar a un DIMM.

3)Incluido en los microprocesadores (en la actualidad, es la manera en que se encuentra

presente)
La cache L2, incluida en los microprocesadores, trabaja a la misma frecuencia del clock del micro.

Tabla comparativa de Cache

D e s d e s ie m p r e , la c a c h e d e lo s P C ’s s e h a d iv id id o e n 2 n iv e le s : la c a c h e d e p r im e r
n iv e l ( L 1 ) y la d e s e g u n d o n iv e l ( L 2 ) .
L a L 1 s ie m p r e h a s id o in t e r n a d e l p r o c e s a d o r , y e s t á d iv id id a p o r la m it a d . U n a m it a d
s e e n c a r g a d e la s in s t r u c c io n e s y la o t r a m it a d d e lo s d a t o s .
L a L 2 h a s id o la q u e m á s p r o b le m a s h a d a d o a lo s fa b r ic a n t e s y u s u a r io s , m á s a d e la n t e
v e r e m o s p o r q u é .

E c h e m o s u n v is t a z o a e s t a t a b la c o n la e v o lu c ió n d e la C a c h e :

Procesador Cache 1 nivel (L1) Cache de 2 nivel (L2) Cache de 3

nivel (L3)

Intel Pentium Tamaño: 8KB // 8KB Tamaño: depende de la placa No tiene.

Reloj: Velocidad procesador.
Política consistencia: La cache de
datos es configurable a paso a través o
escritura atrás.
La de instrucciones es de solo lectura
y no necesita esta política.
Política de reemplazo: pseudo-LRU.
madre donde se instala el chip,
varia desde 256KB chipset FX,
256-512KB chipset VX, en este
caso es pipelined burst.
Reloj: Velocidad placa madre
(50Mhz o 66Mhz).
Situación: Placa madre

Bus externo: 64 bits.

Intel Pentium Tamaño: 8KB // 8KB Tamaño: 512KB-1MB No tiene.

Pro
Reloj: Velocidad procesador. Reloj: Velocidad procesador.

Política consistencia: La cache de Situación: Dentro del procesador

datos es configurable a paso a través o
escritura atrás.

La de instrucciones es de solo lectura

y no necesita esta política.

Política de reemplazo: pseudo-LRU.

Bus externo: 64 bits.

Intel Pentium II Tamaño: 16KB // 16KB Tamaño: 512KB. No tiene.

 Reloj: Velocidad procesador.
Política consistencia: La cache de
datos es de escritura atrás.
La de instrucciones es de solo lectura
y no necesita esta política.
Política de reemplazo: pseudo-LRU.
Bus externo: 64 bits.
Intel Pentium II Tamaño: 16KB // 16KB
Xeon
Reloj: Velocidad procesador.
Política consistencia: La cache de
datos es de escritura atrás.
La de instrucciones es de solo lectura
y no necesita esta política.
Política de reemplazo: pseudo-LRU.
Bus externo: 64 bits.
Intel Pentium III Tamaño: 16KB // 16KB
Reloj: Velocidad procesador.
Política consistencia: La cache de
datos es de escritura atrás.
La de instrucciones es de solo lectura
y no necesita esta política.
Política de reemplazo: pseudo-LRU.
Procesador Cache 1 nivel (L1)
MEMORIA VIRTUAL (RAM VIRTUAL)
Se trata de una simulación ,que se obtiene utilizando un espacio del disco rígido como memoria
RAM ,el cual es un medio mucho mas lento que los módulos de RAM .Esto no se realiza con el
Reloj: Mitad de la velocidad del
procesador.
Bus: Tiene un bus dedicado para
su acceso, separado del bus de
acceso a memoria principal
(DIB: Dual Independent Bus).
Situación: En el cartucho del
procesador, justo al lado.
Tamaño: 512KB – 2MB. No tiene.
Reloj: Velocidad procesador.
Bus: Tiene un bus dedicado para
su acceso, separado del bus de
acceso a memoria principal
(DIB: Dual Independent Bus).
Situación: En el cartucho del
procesador, justo al lado.
Versión 0.25: No tiene.
Tamaño: 512 KB
Reloj:Mitad velocidad
procesador.
Situación: En el cartucho del
procesador, justo al lado.
Bus: DIB.
Versión 0.18 (Coppermine):
Tamaño: 256KB
Reloj: Velocidad procesador
Bus: DIB de 256 bits ancho
Situación: Dentro del
procesador.
Cache de 2 nivel (L2)
objetivo, de aumentar velocidad ,sino que es una manera de aumentar la capacidad global de
memoria , cuando se estan ejecutando varias aplicaciones en forma simultánea.
Si podríamos agregar, que cuanto mas rápido sea el disco rígido ´mas eficiente será el
funcionamiento de la Ram virtual en una Pc. Cuando el sistema agota los recursos de la Ram
Física, utiliza un espacio reservado en el disco por el sistema operativo ,para escribir y leer datos.
Este espacio reservado en disco rígido para la memoria virtual corresponde a un archivo que se
denomina Archivo de intercambio, y se halla dentro de la carpeta de windows , con el nombre de
win 386.swp. Swp proviene de swap (intercambiar).
Si quisiéramos configurarlo en forma manual (no se recomienda), lo podríamos hacer ingresando
en propiedades del sistema y en la solapa rendimiento (Windows 98), encontraremos un boton
“Memoria virtual” y al hacer click sobre él , encontraríamos dos opciones:
Administración automática
Permitir especificar la configuración de memoria virtual, al seleccionar ésta última , se habilitarán
los cuadros donde nos informa la capacidad total del disco,y la capacidad mínima y máxima
posible del archivo de intercambio.
Si tuviéramos poco espacio libre en disco rígido (menos del 10%),por lo menos tendríamos que
fijar un valor no menor al doble de la Ram instalada.
También podríamos en el caso de tener mas de un disco, cambiar la ubicación física de la Ram
virtual, esto lo haríamos en la misma solapa en el ítem opcíon de disco duro.
El espacio en disco para la memoria virtual, es importante, ya que si un disco eta trabajando al
límite de su capacidad, se pueden produce errores o cuelgues del sistema, debido a que Windows
Pretenderá aumentar el tamaño del archivo de intercambio y no tendrá el espacio suficiente para
hacerlo.

MEMORIA ROM (Read Only Memory)

Memoria de solo lectura , no volátil, o sea que una vez que los datos se graban en ella, no podrán
ser modificados. Esto era así en u principio ,ya que actualmente existen ROM progamables que se
denominan genéricamente PROMS, las cuales pueden ser rescribidles por medio de
procedimientos específicos
En general el contenido de la ROM corresponde a programas permanentes que han sido grabados
por el fabricante .
El hecho de que la ROM sea no volátil , implica que los datos guardados en ella,no se pierden en
ausencia de la alimentación eléctrica. La memoria ROM en la PC se encuentra en un chip ,que
viene instalado en el motherboard, insertado en un zócalo ,y cuya ubicación dependerá del diseño
del motherboard.
El programa de arranque grabado en la ROM, incluye las verificaciones iniciales sobre el hardware
básico del equipo y genera la carga del sistema operativo, esto se realiza en forma automática sin
intervención del usuario.
Este programa es conocido como firmware de arranque, boot firmware o simplemente BIOS:
Firmware es una conjunción que involucra al hardware y al software, y consiste en programas
instalados en forma permanente o semipermanente en chips de memoria ROM , de manera firme ,
de ahí el concepto de firm.
Hablamos de programas instalados en forma permanente o semipermanentes, ya que en la
actualidad , todos los chips ROM corresponden a un tipo especial de memoria ROM programable,
denominada Flash ROM, que puede ser actualizada mediante un software brindado por el
fabricante.

DISTINTOS TIPOS DE CHIPS ROM

EPROM (ERASE PROGRAMABLE ROM) (ROM PROGRAMABLE Y BORRABLE)

Fueron utilizadas en las primeras computadoras, poseen una pequeña ventana que se utiliza para
borrar su contenido mediante la exposición a la luz ultravioleta, protegida con una etiqueta no
traslucida.
EEPROM (ELLECTRICALLY ERASABLE PROGRAMABLE ROM) (ROM ELECTRICAMENTE
PROGRAMABLE Y BORRABLE)

Su contenido puede ser reprogramado ,sin ser removido físicamente del motherboard.
Se escribe y borra mediante señales eléctricas, no necesitando la ventana de borrado como en las
EPROM.
Este tipo de memoria ,no pueden ser regrabadas, en forma selectiva, sino que deben ser borradas
completamente y reescritos con el nuevo programa.

FLASH ROM

Es considerada como una variante de la EEPROM , ya que puede ser borrada y reprogramada en
unidades de memoria denominadas bloques. El objetivo de la actualización del contenido de la
rom,serían los siguientes.

a)Brindar soporte del motherboard a nuevo hardware.

b)Solucionar problemas con versiones anteriores del BIOS.
c)Dar soporte a nuevas versiones de sistemas operativos.