1 TECNOLOGA TTL

1.1 CARACTERSTICA

Su tensin de alimentacin caracterstica se halla comprendida entre los 4,75V y

los 5,25V (como se ve, un rango muy estrecho). Normalmente TTL trabaja con 5V.

Los niveles lgicos vienen definidos por el rango de tensin comprendida entre
0,0V y 0,8V para el estado L (bajo) y los 5,4V y Vcc para el estado H (alto).

La velocidad de transmisin entre los estados lgicos es su mejor base, si bien

esta caracterstica le hace aumentar su consumo siendo su mayor enemigo. Motivo
por el cual han aparecido diferentes versiones de TTL como FAST, LS, S, etc y
ltimamente los CMOS: HC, HCT y HCTLS. En algunos casos puede alcanzar poco
ms de los 400 MHz.

Las seales de salida TTL se degradan rpidamente si no se transmiten a travs

de circuitos adicionales de transmisin (no pueden viajar ms de 2 m por cable sin
graves prdidas).

1.2 FAMILIAS
Los circuitos de tecnologa TTL se prefijan normalmente con el nmero 74 (54 en las
series militares e industriales). A continuacin un cdigo de una o varias cifras que
representa la familia y posteriormente uno de 2 a 4 con el modelo del circuito.
Con respecto a las familias cabe distinguir:

TTL: serie estndar.

TTL-L (low power): serie de bajo consumo.

TTL-S (schottky): serie rpida (usa diodos Schottky).

TTL-AS (advanced schottky): versin mejorada de la serie anterior.

TTL-LS (low power schottky): combinacin de las tecnologas L y S (es la familia

ms extendida).

TTL-ALS (advanced low power schottky): versin mejorada de la serie LSS.

TTL-F (FAST : fairchild advanced schottky).

TTL-AF (advanced FAST): versin mejorada de la serie F.

TTL-HCT (high speed C-MOS): Serie HC dotada de niveles lgicos compatibles

con TTL.
TTL-G (GHz C-MOS): GHz (From lbkj)

1.3 TECNOLOGA
La tecnologa TTL se caracteriza por tener tres etapas, siendo la primera la que le
nombra:

Etapa de entrada por emisor: se utiliza un transistor multiemisor en lugar de la

matriz de diodos de DTL.

Separador de fase: es un transistor conectado en emisor comn que produce en

su colector y emisor seales en contrafase.

Driver: est formada por varios transistores, separados en dos grupos. El

primero va conectado al emisor del separador de fase y drenan la corriente para
producir el nivel bajo a la salida. El segundo grupo va conectado al colector del
divisor de fase y produce el nivel alto.

Esta configuracin general vara ligeramente entre dispositivos de cada familia,

principalmente la etapa de salida, que depende de si son bferes o no y si son
de colector abierto, tres estados (ThreeState), etc.
Se presentan mayores variaciones entre las distintas familias: 74N, 74L y 74H que
difieren principalmente en el valor de las resistencias de polarizacin, pero los 74LS (y
no 74S) carecen del transistor multiemisor caracterstico de TTL. En su lugar llevan una
matriz de diodos Schottky (como DTL). Esto les permite aceptar un margen ms amplio
de tensiones de entrada, hasta 15V en algunos dispositivos, para facilitar su interfaz
con CMOS.
Tambin es bastante comn, en circuitos conectados a buses, colocar un transistor
PNP a la entrada de cada lnea para disminuir la corriente de entrada y as cargar
menos el bus. Existen dispositivos de interfaz que integran impedancias de adaptacin
al bus para disminuir la reflexiones o aumentar la velocidad.

2 SEMICONDUCTOR COMPLEMENTARIO DE XIDO

METLICO (CMOS)

Circuito que revierte en tecnologa CMOS.

Circuito que revierte en tecnologa CMOS.

Circuito que revierte en tecnologa CMOS.

El semiconductor complementario de xido metlico o complementary metal-oxidesemiconductor (CMOS) es una de las familias lgicas empleadas en la fabricacin
de circuitos integrados. Su principal caracterstica consiste en la utilizacin conjunta
de transistores de tipo pMOS y tipo nMOSconfigurados de forma tal que, en estado de
reposo, el consumo de energa es nicamente el debido a las corrientes parsitas,
colocado en la placa base.

En la actualidad, la mayora de los circuitos integrados que se fabrican utilizan la

tecnologa CMOS. Esto incluye microprocesadores, memorias,procesadores digitales
de seales y muchos otros tipos de circuitos integrados digitales cuyo consumo es
considerablemente bajo.
Drenador (D) conectada a tierra (Vss), con valor 0 ; el valor 0 no se propaga al surtidor
(S) y por lo tanto a la salida de la puerta lgica. El transistor pMOS, por el contrario,
est en estado de conduccin y es el que propaga valor 1 (Vdd) a la salida.
Otra de las caractersticas importantes de los circuitos CMOS es que son
regenerativos: una seal degradada que acometa una puerta lgica CMOS se ver
restaurada a su valor lgico inicial 0 1, siempre y cuando an est dentro de los
mrgenes de ruido que el circuito pueda tolerar.

2.1 CMOS ANALGICOS

Los transistores MOS tambin se emplean en circuitos analgicos, debido a dos
caractersticas importantes, a saber.

2.1.1 Alta impedancia de entrada

La puerta de un transistor MOS viene a ser un pequeo condensador, por lo que no
existe corriente de polarizacin. Un transistor, para que pueda funcionar, necesita
tensin de polarizacin.

2.1.2 Baja resistencia de canal

Un MOS saturado se comporta como una resistencia cuyo valor depende de la
superficie del transistor. Es decir, que si se le piden corrientes reducidas, la cada de
tensin en el transistor llega a ser muy reducida.
Estas caractersticas posibilitan la fabricacin de amplificadores operacionales "Rail-toRail", en los que el margen de la tensin de salida abarca desde la alimentacin
negativa a la positiva. Tambin es til en el diseo de reguladores de tensin
lineales y fuentes conmutadas

2.2 CMOS Y BIPOLAR

Se emplean circuitos mixtos bipolar y CMOS tanto en circuitos analgicos como
digitales, en un intento de aprovechar lo mejor de ambas tecnologas. En el mbito
analgico destaca la tecnologa BiCMOS, que permite mantener la velocidad y
precisin de los circuitos bipolares, pero con la alta impedancia de entrada y mrgenes
de tensin CMOS. En cuanto a las familias digitales, la idea es cortar las lneas de
corriente entre alimentacin y masa de un circuito bipolar, colocando transistores MOS.
Esto debido a que un transistor bipolar se controla por corriente, mientras que uno
MOS, por tensin.
La relevancia de estos inconvenientes es muy baja en el diseo microelectrnico actual

2.3 VENTAJAS E INCONVENIENTES

Ventajas
La familia lgica tiene una serie de ventajas que la hacen superior a otras en la
fabricacin de circuitos integrados digitales:

El bajo consumo de potencia esttica, gracias a la alta impedancia de entrada de

los transistores de tipo MOSFET y a que, en estado de reposo, un circuito CMOS
slo experimentar corrientes parsitas. Esto es debido a que en ninguno de los

dos estados lgicos existe un camino directo entre la fuente de alimentacin y el

terminal de tierra, o lo que es lo mismo, uno de los dos transistores que forman el
inversor CMOS bsico se encuentra en la regin de corte en estado estacionario.

Gracias a su carcter regenerativo, los circuitos CMOS son robustos frente a

ruido o degradacin de seal debido a la impedancia del metal de interconexin.
Los circuitos CMOS son sencillos de disear.
La tecnologa de fabricacin est muy desarrollada, y es posible conseguir
densidades de integracin muy altas a un precio mucho menor que otras
tecnologas.

Inconvenientes
Algunos de los inconvenientes son los siguientes:

Debido al carcter capacitivo de los transistores MOSFET, y al hecho de que

estos son empleados por duplicado en parejas nMOS-pMOS, la velocidad de los
circuitos CMOS es comparativamente menor que la de otras familias lgicas.

Son vulnerables a latch-up: Consiste en la existencia de un tiristor parsito en la

estructura CMOS que entra en conduccin cuando la salida supera la alimentacin.
Esto se produce con relativa facilidad debido a la componente inductiva de la red de
alimentacin de los circuitos integrados. El latch-up produce un camino de baja
resistencia a la corriente de alimentacin que acarrea la destruccin del dispositivo.
Siguiendo las tcnicas de diseo adecuadas este riesgo es prcticamente nulo.
Generalmente es suficiente con espaciar contactos de sustrato y pozos de difusin
con suficiente regularidad, para asegurarse de que est slidamente conectado a
masa o alimentacin.

Segn se va reduciendo el tamao de los transistores, las corrientes parsitas

empiezan a ser comparables a las corrientes dinmicas (debidas a la conmutacin
de los dispositivos).