Departamento de Ingeniera Elctrica y Electrnica

Asignatura: IEN7220 - Electrnica III

Laboratorio I CARACTERIZACIN DE TRANSISTORES NMOS Y PMOS
Objetivo General

Materiales

Procedimiento

IEN 7220

Caracterizar transistores discretos tipo MOSFET para corroborar/complementar los modelos de

simulacin que favorecern la experimientacin en laboratorio de las unidades temticas cubiertas en
la asignatura.
Fuentes de Alimentacin
Generador de Onda
Multmetros
Resistores de 220
Transistor NMOS 2N7000 o similar
Transistor PMOS ZVP2106A o similar
Software de Simulacin LTSpice o similar
Modelos de los transistores utilizados
Obtenga de manera prctica y simulada los valores de Resistencia de Early ro, k(W/L) y voltaje de
umbral Vt de los transistores 2N7000 y ZVP2106A. Por simplicidad y usando terminologa usada en la
comunidad acadmica, el trmino kn(W/L) ser denotado como n y kp(W/L) p.

Preparado por David Vera, Jos Manjarrs y Mauricio Pardo, Enero, 2016

1.

Obtencin del Voltaje de

Umbral

Obtencin del Voltaje de Umbral del

2N7000 via simulacin

El circuito mostrado en la siguiente figura representa una configuracin bsica para establecer los
valores con los cuales se caracterizar el transistor NMOS.

220

2N7000
VG

+
-

9V

+
-

Cree un nuevo esquemtico en LTSpice y gurdelo en su carpeta de trabajo. Luego, agregue un

transistor NMOS y haciendo ctrl + click derecho sobre su smbolo, abra el editor de atributos de
componentes. Posteriormente, cambie el prefijo por una X y coloque en el campo de Value
2N7000. Copie el archivo adjunto 2N7000.LIB y pguelo en la carpeta donde est el esquemtico.
En LTSpice incluya una directiva de spice que le permita usar el archivo 2N7000.LIB. Aada las
fuentes de voltaje y el resistor como se observa en la figura anterior. Finalmente, simule usando el
anlisis DC Sweep para VG de 0 a 9V y obtenga la grfica de Id vs. Vgs.
Qu regiones observa en la grfica obtenida?
Cul es el voltaje umbral de este transistor? Justifique.
Compare el voltaje umbral obtenido con la hoja de datos adjunta. Si existe alguna diferencia
apreciable. Cules son las posibles causas de ello?
Obtencin del Voltaje de Umbral del
2N7000 via medicin

Implemente el circuito de la figura anterior usando una protoboard. Antes de energizar el circuito,
establezca el nmero de mediciones y los valores que VG tomar en cada caso. Luego, fije los
valores de VD en 9V y VG en 0V para iniciar sus mediciones. Disponga de un multmetro para medir
Vgs y otro para medir Id, y vare VG segn lo ha establecido. Para cada punto de medicin, tome
nota del valor de Id. Una vez haya terminado de tomar mediciones, haga una grfica de Id vs. Vgs.
Puede ayudarse de herramientas como Excel o Matlab.
Cul es el voltaje umbral en la prctica?
Compare el Vt obtenido con el de la simulacin y con el de la hoja de datos. Qu tan parecidos son
estos valores entre s? Calcule porcentajes de error. Si hay alguna diferencia indique cules seran
las posibles causas.

IEN 7220

Preparado por David Vera, Jos Manjarrs y Mauricio Pardo, Enero, 2016

Obtencin del Voltaje de Umbral del

ZVP2106A via simulacin

Cree un nuevo esquemtico en LTSpice y gurdelo en su carpeta de trabajo. Luego, agregue un

transistor PMOS y haciendo ctrl + click derecho sobre su smbolo, abra el editor de atributos de
componentes. Posteriormente, cambie el prefijo por una X y coloque en el campo de Value
ZVP2106A. Copie el archivo adjunto ZVP2106A.LIB y pguelo en la carpeta donde est el
esquemtico.
En LTSpice incluya una directiva de spice que le permita usar el archivo ZVP2106A.LIB. Aada las
fuentes de voltaje y el resistor como se observa en siguiente figura. Finalmente, simule usando el
anlisis DC Sweep para VG de 0 a 9V y obtenga la grfica de Id vs. Vsg.

ZVP2106A

VG

+
-

220

+
-

9V

Qu regiones observa en la grfica obtenida?

Cul es el voltaje umbral de este transistor? Justifique.
Compare el voltaje umbral obtenido con la hoja de datos adjunta. Si existe alguna diferencia
apreciable. Cules son las posibles causas de ello?
Obtencin del Voltaje de Umbral del
ZVP2106A via medicin

Implemente el circuito de la figura anterior usando una protoboard. Antes de energizar el circuito,
establezca el nmero de mediciones y los valores que VG tomar en cada caso. Luego, fije los
valores de VS en 9V y VG en 0V para iniciar sus mediciones. Disponga de un multmetro para medir
Vsg y otro para medir Id, y vare VG segn lo ha establecido. Para cada punto de medicin, tome
nota del valor de Id. Una vez haya terminado de tomar mediciones, haga una grfica de Id vs. Vsg.
Puede ayudarse de herramientas como Excel o Matlab.
Cul es el voltaje umbral en la prctica?
Compare el Vt obtenido con el de la simulacin y con el de la hoja de datos. Qu tan parecidos son
estos valores entre s? Calcule porcentajes de error. Si hay alguna diferencia indique cules seran
las posibles causas.

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Preparado por David Vera, Jos Manjarrs y Mauricio Pardo, Enero, 2016

2.

Obtencin de n y p

Obtencin de n y p via simulacin

Utilizando la expresin de la corriente de drenaje de un NMOS en la regin de saturacin, obtenga

una frmula para n que dependa de voltajes y corrientes del circuito. Posteriormente, modifique su
esquemtico en LTSpice de tal manera que el transistor opere en saturacin. Luego, identifique los
respectivos nombres de los voltajes y las corrientes de inters en su esquemtico, y grafique n vs.
Vgs en este software haciendo uso de la disponibilidad para introducir frmulas en su herramienta
graficadora. Para facilitar determinar los nodos y ramas de inters puede utilizar la herramienta de
etiquetado del software de simulacin.
Qu apreciaciones tiene de la grfica?
Cul es el n del transistor en regin de saturacin?
Compare con el datasheet, si es posible, y con la informacin del modelo spice. Hay diferencias en
los valores? Si las hay, a qu se deben?
Repita el procedimiento anterior, pero esta vez para la simulacin del ZVP2106A y grafique p vs.
Vsg. Seale caractersticas importantes de la grfica.
Cul es el p del transistor en regin de saturacin?
Compare con el datasheet si es posible y con la informacin del modelo spice. Hay diferencias en los
valores? Si las hay, a qu se deben?

Obtencin de n y p via medicin

Con las grficas experimentales de Id vs. Vgs, obtenga las grficas de n vs. Vgs y p vs. Vsg,
respectivamente.
Compare estas grficas con las obtenidas por el software.
Obtenga n y p experimentales y compare con los resultantes de las simulaciones y de los modelos
spice. Calcule porcentajes de error

3.

Obtencin de la resistencia de
Early

Obtencin de la resistencia de Early

via simulacin

IEN 7220

En la siguiente figura se puede observar la grfica de Id vs. Vds de un NMOS con la cual se puede
obtener el Voltaje y la Resistencia de Early graficando con distintos valores de Vgs. Realice las
modificaciones necesarias en sus esquemticos y en sus comandos de simulacin para obtener lo
observado en dicha figura. Una vez obtenga las grficas, calcule la Resistencia de Early y estime el
Voltaje de Early de acuerdo a lo observado.

Preparado por David Vera, Jos Manjarrs y Mauricio Pardo, Enero, 2016

Obtencin de la resistencia de Early

via medicin

Modifique los circuitos utilizados para obtener los voltajes de umbral quitando los resistores en los
drenajes. Inicialmente, establezca la cantidad de muestras que tomar para realizar cada grfica, y
calcule los valores que debe tomar el voltaje de compuerta con respecto al voltaje de umbral para
cumplir con lo observado en la figura que muestra el efecto Early. Tenga en cuenta el valor de
voltaje de umbral que obtuvo experimentalmente. Disponga de un multmetro para medir el voltaje
entre drenaje y fuente, y otro para medir la corriente de drenaje. Luego, fije el voltaje de compuerta
en cada uno de los valores previamente establecidos, y en cada caso vare el voltaje entre drenaje
y fuente, y tome nota del valor de la corriente drenaje. Obtenga las grficas necesarias. Estime VA y
calcule ro en cada caso.
Qu difiere entre la grfica experimental y la simulada?
Hay diferencias entre los valores de las grficas de un mismo transistor?
Existen diferencias significativas entre los valores de ro y VA hallados? Si las hay, a qu se deben?
Qu influencia pueden tener en los datos previamente encontrados?
Qu diferencias hay entre los valores del NMOS y los del PMOS? Si las hay, a qu se deben estas
diferencias?

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Preparado por David Vera, Jos Manjarrs y Mauricio Pardo, Enero, 2016