Formulario de Semiconductores

Mecnica Cuntica
Quanta de Energa E=hv

E=h

Momento de un Fotn

p=

Ecuacin de Schrdinger
2
(x,t )
2 ( x )

+V ( x ) ( x , t )= j
2
2m x
t

2 ( x ) 2m
+ 2 ( EV ( x )) ( x ) =0
x2

Teora Cuntica de Slidos

Densidad de Estados

g ( E )=

4 ( 2 m)
h3

3
2

Densidad de Estados en la Banda de Conduccin

gc ( E )=

3
2
n

4 (2 m
h

EE c

Densidad de Estados en Banda de Valencia

gv ( E )=

4 (2 m
h

3
2
p

Ev E

Probabilidad de Fermi-Dirac

N (E)
=f F ( E )=
g (E)

1
EEF
1+exp
kT

Semiconductor en Equilibrio
Distribucin de Electrones en la Capa de Conduccin

n ( E )=g c ( E ) f F (E)
Distribucin de Portadores en la Capa de Valencia

p ( E )=gc ( E ) [1f F ( E ) ]
Concentracin de Electrones en Equilibrio Trmico

n0= g c ( E ) f F ( E ) dE

n0=N c exp

( E c EF )
kT

Concentracin de Huecos en Equilibrio Trmico

p0= gc ( E ) [1f F ( E ) ]dE

p0=N V exp

( E F EV )
kT

Relacin de Funciones Efectiva de Densidad de Estados en Banda de Valencia y de

Conduccin.

N CF N VF =N C N VF

T BUSCADA
300 K

3/ 2

Concentracin de Portadores Intrnsecos en Equilibrio Trmico

ni2= pi2=N V N C exp

( EC E V )
E g
= N C N V exp
kT
kT

( )

Posicin del Nivel Fermi de Energa Intrnseco

Nv 1
mp
mp
1
1
3
3
E Fi= ( EC + EV ) + kT ln
= ( EC + E V ) + kT ln =Emidgap + kT ln
2
2
Nc 2
4
mn
4
mn

( )

( )

Energa de Ionizacin.

E=T +V =

m e 4
2 ( nh )2 (4 )2

Relacin de un Semiconductor Intrnseco con uno Extrnseco

n0=N c exp

( E c EF )

p0=N v exp

kT

( E F EV )
kT

=no p o
Probabilidad de un electrn donante

nd =

Nd
E E F
1
1+ exp d
2
kT

( )

nd =N d N d
Probabilidad de un tomo aceptante

pa =

Na
E Ea
1
1+ exp F
g
kT

pa=N aN a
Probabilidad de un electrn donante en contraste con el total.

nd
=
n0 +nd

1
N
( E c Ed )
1+ c exp
2Nd
kT

*Donde el factor

( Ec E d )

es la energa de ionizacin.

Probabilidad de un tomo aceptante en contraste con el total.

pa
=
p0 + p a

1
N
(E aE v )
1+ v exp
g Na
kT

*Donde el factor

( Ea Ev )

es la energa de ionizacin. Y

es 4 normalmente para silicio y arseniuro de galio.

Concentracin de electrones en equilibrio trmico en semiconductor compensado

tipo n

n0=

( N d N a)
+
2

N d N a 2 2
+ni
2

*Se usa cuando Nd > Na

Concentracin de huecos en equilibrio trmico en semiconductor compensado tipo

p

( N N d )
p0= a
+
2

N aN d 2 2
+ni
2

*Se usa cuando Na > Nd .

Nivel Fermi para un semiconductor extrnseco n:

Ec E F =kT ln

Nc
n0

( )
Ec E F =kT ln

E FE Fi=kT ln

Nc
Nd

( )

n0
ni

( )

Nivel Fermi para un semiconductor extrnseco p:

E FE v =kT ln

E FE v =kT ln
E FiEF =kT ln

Nv
Na

( )

p0
ni

( )

Densidad de Corriente de Deriva

J ndrf = v dn=

A
cm2

J pdrf =(e) v dp=

A
cm2

Velocidad de Deriva Promedio con Movilidad de Huecos

v dp = p E
Velocidad de Deriva Promedio con Movilidad de Electrones

Nv
p0

( )

v dn=n E
Densidad de Corriente de Deriva

J ndrf =e n nE
J pdrf =e p pE
Densidad de Corriente de Deriva Total

e ( p p+ n n ) E
J drf =
Conductividad

J drf =e ( n n+ p p ) E=E
Resistividad

1
1
= =
e ( n n+ p p ) E

El Fenmeno de Transporte de Portadores

Potencial de Barrera Integrada Vbi

V bi =| Fn|+| Fp|
V bi =

Na Nd
NaNd
kT
ln
=V t ln
2
e
ni
n2i

( )

V bi =| ( x=x n )|=
Potencial

( )

e
(N x2 + N a x 2p )
2 s d n

Fn

e Fn=E Fi E F
n0=N d=ni exp

( (ekT ) )
Fn

Fn=

Potencial

N
kT
ln d
e
ni

( )

Fn

e Fp=E Fi E F
p0=N a =ni exp

( (ekT ) )
Fp

Fp =

Campo elctrico en Regin PN

E=

e N d
( x nx ) 0 x x n
s

Na
+kT
ln
e
ni

( )

E=

e N a
( x+ x p ) x p x 0
s

Potencial a travs de las regiones

( x )=

eNd
x2 e N a 2
x n x +
x (0 x x n )
s
2
s p

(x)=

e N a
2
x+ x p ) x p x 0
(
2 s

V bi =| ( x=x n )|=

e
( N x 2 + N a x 2p )
2 s d n

Regin Espacial de Carga

{ [ ][

1
N a+ N d

{ [ ][

1
N a+ N d

2 s V bi N a
x n=
e
Nd

2 s V bi N d
x p=
e
Na

1/ 2

]}

1/ 2

]}

Regin de Agotamiento

W =x n + x p

{ [

2 s V bi N a + N d
W=
e
Na Nd

1 /2

]}

Polarizacin Inversa

V total =| Fn|+| Fp|+V R =V bi +V R

Regin de Agotamiento

bi+ V R

2 s 1 /2

W =
Campo Elctrico en Unin Metalrgica

Emax =

e N a x p e N d x n
=
s
s

V
( bi+V R ) N a N d
2e
s
N a+ N d

Emax =

Emax =

2(V bi +V R )
W

Regin Espacial de Carga

V
( bi+V R ) N a
2 s
e
Nd

x n=

[ ][

1
Na+ Nd

Capacitancia
'

C=

dQ '
d VR

d Q' =e N d d x n=e N a d x p

V
2( bi+V R )( N a+ N d )
e s Na N d

C' =
C' =

s
W

Unin de una Cara

1 /2

1/ 2

2 s (V bi +V R )
W
eNd
e s Nd
C'
2(V bi+V R )

DIODO

Concentracin de portadores minoritarios

n p 0=nn 0 exp

e V bi
kT

Polarizacin Directa

( e(VkTV ) )= n exp( ekTV ) exp( ekTV )

bi

bi

n0

n p =nn 0 exp

( ekTV )
eV
exp (
kT )

n p =n p 0 exp

pn= pn 0

Exceso de Portadores Minoritarios

[ ( ) ] ( )

pn ( x )= pn ( x ) p n 0= pn 0 exp

n p ( x )=n p ( x )n p 0=n p 0 exp

Corriente en unin PN

J Total =J p ( x n )+ J n (x p )

eV a
x x
1 exp n
(x x n )
kT
Lp

( ekTV )1] exp( x L+ x )(x x )

a

J p ( x n) =

J p (x p ) =

J Total =

[ ( ) ]
[ ( ) ]

e D p pn0
eVa
exp
1
Ln
kT

e D p np0
eVa
exp
1
Lp
kT

][ ( ) ]

e Dp np0 e D p pn0
eVa
+
exp
1
Lp
Ln
kT

[ ( ) ]

J =J s exp

eVa
1
kT

Longitudes de Difusin

L p= D p p 0
Ln = D n n 0
Transistor Bipolar
Corriente de Colector

ic =

e D n A BE
V BE
nB 0 exp
xB
Vt

( )

i c =I s exp

V BE
Vt

( )

Corriente del Emisor

i E =i E 1 +i E 2 =iC +i E=I SE exp

Ganancia de Base Comn

iC
iE

Ganancia de Emisor Comn

iC
iB

V BE
Vt

( )

Voltaje en un transistor de
manera activa

V CC =I C RC +V CB +V BE=V R +V CE

Concentracin de portadores minoritarios en la base

n B ( x ) =A exp

( +xL )+ Bexp (xL )

B

nB 0n B 0 exp
A=

( ekTV )1] exp (xL )

BE

2 sinh

xB
LB

( )

[ ( ) ] ( )

nB 0 exp
B=

e V BE
x
1 exp B + nB 0
kT
LB
2 sinh

{[

nB 0 exp
n B (x )=

xB
LB

( )

] ( ) ( )}

e V BE
x x
x
1 sinh B
sinh
kT
LB
LB

( )

2 sinh

xB
LB

( )

Concentracin de portadores minoritarios en el emisor

p E ( x ' ) =C exp

+x'
x '
+ D exp
LE
LE

( )

{[ ( ) ] ( )}

p E 0 exp
p E ( x ' )=

( )

e V BE
x x '
1 sinh E
kT
LE
sinh

xE
LE

( )

Concentracin de portadores minoritarios en el colector

( +Lx ' ' )+ H exp( xL ' ' )

x ' '
p ( x ' ' )=p exp (
L )
pC ( x ' ' ) =Gexp

C0

Densidad de Corrientes
Densidad
de
Corriente

Definicin

J nE

Debido a la difusin de electrones minoritarios en la base en x=0

J nC

Debido a la difusin de electrones minoritarios en el colector en x= xB

J RB

La diferencia entre JnE y JnC debido a la recombinacin del exceso de electrones

minoritarios con los huecos mayoritarios en la base. Esta es el flujo de huecos
hacia la base perdidos por la recombinacin.
Debido a la difusin de huecos minoritarios en el emisor en x

J pE
JR
J pc0

Debido a la recombinacin de portadores en la unin polarizada directamente

BE
Debido a la difusin de huecos minoritarios en el colector en x=0

JG

Debido a la generacin de portadores en la unin inversamente polarizada BC

Ganancia de Base Comn

0=
0=

0=

J C J nC + J G + J pc 0
=
J E J nE + J R +J pE
J nC
J nE

)( )(

J nE +J pE
= T
J nE+ J pE+ J R

es el factor de eficiencia de inyeccin.

J nE
J nE + J pE

IC
IE

es el factor de transporte de la base

es el factor de recombinacin

1
para ( x B L B ) , ( x E L E )
N B D E xB
1+
N E D B xE

1
1 xB
1+
2 LB

( )

para (x B L B)

=
1+

Jr 0
e V BE
exp
Js 0
2 kT

Expresiones adicionales

J R=

e x BE ni
e V BE
e V BE
exp
=J r 0 exp
2 0
2 kT
2 kT

J nE=J s 0

s 0=

e D BnB0
LB tanh
J

xB
LB

( )

( )
eV
exp (
2 kT )
BE

( )

MOSFETS
Capacitancia por rea de Capacitor MOS

C' =

'

'

Q =C V y V =

E
d

Potencial para capa de inversin

fp =E Fi E F
fp =V t ln

Na
ni

( )

Ancho de regin de agotamiento

2 s s
x d=
e Na

1/ 2

Ancho Mximo de Regin de Agotamiento

x dT =

4 s fp
e Na

1 /2

Mxima Densidad de Carga por Unidad de rea

Q' mT +Q ' SS=|Q SD (max)|

'

|Q' SD (max)|=e N a x dT
Voltaje de Umbral

V TN =V oxT + 2 fp + ms
V TN =

|Q' SD (max)| Q' SS +

C ox

Cox

ms

+ 2 fp =(|Q' SD (max)|Q' SS )

t ox
+ ms+ 2 fp
ox

( )

V TN

Q' SD (max)|
|
=
+V
C ox

FB

+2 fp

Potencial en el xido

V oxT =

Q ' mT
Cox

Corriente de Dren

I D =g d V DS
gd =

W
|Q' |
L n n

Voltaje de Saturacin

V DS ( sat ) =V T V GS
Corriente cuando no est en Saturacin

I D=

W n C ox
2 ( V GS V T ) V DSV DS2 ]
[
2L

Corriente en Saturacin

I D=

W n C ox
2
V GSV T ) ]
(
[
2L

Transconductancia

gm=

I D W n C OX
=
V DS
V GS
L

V
( GSV T )
I D W n C OX
gm=
=

V GS
L