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Definio
Construo Fsica
O JFET de Canal N
Operao Fsica
Modos de Operao
Modo de Corte
Modo Triodo
Modo Saturao
Curvas Caractersticas
O JFET de Canal P
Operao Fsica
Modo de Corte
Modo Triodo
Modo Saturao
Resumo
Exerccios
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Definio
O Transistor de efeito de campo um dispositivo semicondutor onde a
corrente eltrica conduzida por ele controlada por um campo
eltrico.
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Definio
O Transistor de efeito de campo um dispositivo semicondutor onde a
corrente eltrica conduzida por ele controlada por um campo
eltrico.
Os dois transistores de efeito de campo mais usados so o JFET
(Junction Field-Effect Transistor ) e o MOSFET (Metal Oxide
Semicondutor Field-Effect Transistor ).
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Definio
O Transistor de efeito de campo um dispositivo semicondutor onde a
corrente eltrica conduzida por ele controlada por um campo
eltrico.
Os dois transistores de efeito de campo mais usados so o JFET
(Junction Field-Effect Transistor ) e o MOSFET (Metal Oxide
Semicondutor Field-Effect Transistor ).
Vantagens dos Transistores de Efeito de Campo
Sua operao depende apenas do fluxo de portadores majoritrios
(eltrons ou buracos), sendo considerados dispositivos unipolares.
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Definio
O Transistor de efeito de campo um dispositivo semicondutor onde a
corrente eltrica conduzida por ele controlada por um campo
eltrico.
Os dois transistores de efeito de campo mais usados so o JFET
(Junction Field-Effect Transistor ) e o MOSFET (Metal Oxide
Semicondutor Field-Effect Transistor ).
Vantagens dos Transistores de Efeito de Campo
Sua operao depende apenas do fluxo de portadores majoritrios
(eltrons ou buracos), sendo considerados dispositivos unipolares.
Transistor JFET
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Terminais do JFET
G Gate (Porta).
D Drain (Dreno).
S Source (Fonte).
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Com uma tenso VDS > 0, teremos que VGD < VGS < 0. Assim, a
regio de depleo ser mais larga nas proximidades do dreno (D) do
que nas proximidades da fonte (S).
Com o aumento de VDS , o canal sofrer um estreitamento nas
proximidades do dreno, aumentando progressivamente a resistncia
do canal. Assim, a derivada das curvas ID xVDS (condutncia) ir
diminuir
com o aumento de VDS .
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Quando a tenso VDS for elevada o suficiente para fazer com que
VGD VP < 0, o canal ser estrangulado apenas nas proximidades
do dreno (D).
Nessa situao, o campo eltrico na pequena regio onde o canal
est estrangulado ir superar o campo eltrico da regio de depleo.
Esse campo eltrico impulsiona os eltrons do canal atravs da regio
estrangulada,
mantendo a corrente ID saturada em um valor limite.
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VG VD VP
VGS VDS VP
VDS VGS VP
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Modo Saturao
Nesse modo de operao, tambm teremos VP < VGS < 0, para que o
canal esteja aberto e ID 6= 0. Entretanto, nesse modo de operao, a corrente ID estar saturada em um valor limite em virtude do estrangulamento
do canal nas proximidades do terminal de dreno. Para isso acontecer, deveremos ter VDS VGS VP .
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Modo de Corte
Modo Triodo
Condies de Operao
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Modo Triodo
Modelo Matemtico
No modo de triodo, a corrente de dreno ser dada por:
"
ID = IDSS 2 1
VGS
VP
2 #
VDS
VDS
VP
VP
Modo Saturao
Condies de Operao
Modo Saturao
O valor de saturao da corrente ID atingido quando o JFET, operando
no modo de triodo, atinge o limiar VDS = VGS VP .
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Modo Saturao
O valor de saturao da corrente ID atingido quando o JFET, operando
no modo de triodo, atinge o limiar VDS = VGS VP .
Assim, substituindo esse valor de VDS em:
"
ID = IDSS 2 1
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VGS
VP
2 #
VDS
VDS
VP
VP
Modo Saturao
O valor de saturao da corrente ID atingido quando o JFET, operando
no modo de triodo, atinge o limiar VDS = VGS VP .
Assim, substituindo esse valor de VDS em:
"
ID = IDSS 2 1
VGS
VP
2 #
VDS
VDS
VP
VP
Obteremos:
"
ID = IDSS 2 1
23 de 46
VGS
VP
2 #
VP VGS
VGS VP
VP
VP
Modo Saturao
O valor de saturao da corrente ID atingido quando o JFET, operando
no modo de triodo, atinge o limiar VDS = VGS VP .
Assim, substituindo esse valor de VDS em:
"
ID = IDSS 2 1
VGS
VP
2 #
VDS
VDS
VP
VP
Obteremos:
2 #
VP VGS
VGS VP
ID = IDSS 2 1
VP
VP
VP
"
2 #
VGS
VGS
VGS
ID = IDSS 2 1
1
1
"
VGS
VP
23 de 46
VP
VP
Modo Saturao
O valor de saturao da corrente ID atingido quando o JFET, operando
no modo de triodo, atinge o limiar VDS = VGS VP .
Assim, substituindo esse valor de VDS em:
"
ID = IDSS 2 1
VGS
VP
2 #
VDS
VDS
VP
VP
Obteremos:
2 #
VP VGS
VGS VP
ID = IDSS 2 1
VP
VP
VP
"
2 #
VGS
VGS
VGS
ID = IDSS 2 1
1
1
"
VGS
VP
VP
ID = IDSS 1
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VGS
VP
VP
2
Modo Saturao
ID = IDSS 1
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VGS
VP
2
Modo Saturao
ID = IDSS 1
25 de 46
VGS
VP
2
ID = IDSS 1
26 de 46
VGS
VP
2
ID = IDSS 1
VGS
2
VP
Assim, substituindo VGS = VDS + VP na equao da corrente de
saturao ID , obteremos a curva que define a fronteira entre os modos
de triodo e de saturao no grfico ID VDS
ID = IDSS 1
26 de 46
VDS + VP
VP
2
ID = IDSS 1
VGS
2
VP
Assim, substituindo VGS = VDS + VP na equao da corrente de
saturao ID , obteremos a curva que define a fronteira entre os modos
de triodo e de saturao no grfico ID VDS
ID = IDSS 1
VDS + VP
ID = IDSS
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VP
2
VDS
VP
2
ID = IDSS 1
VGS
2
VP
Assim, substituindo VGS = VDS + VP na equao da corrente de
saturao ID , obteremos a curva que define a fronteira entre os modos
de triodo e de saturao no grfico ID VDS
ID = IDSS 1
VDS + VP
ID = IDSS
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VP
2
VDS
VP
2
Com uma tenso VDS < 0, teremos que 0 < VGS < VGD . Assim, a
regio de depleo ser mais larga nas proximidades do dreno (D) do
que nas proximidades da fonte (S).
Com o aumento de |VDS |, o canal sofrer um estreitamento nas
proximidades do dreno, aumentando progressivamente a resistncia
do canal. Assim, a derivada das curvas ID VDS (condutncia) ir
diminuir com o aumento de |VDS |.
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Quando a tenso |VDS | for elevada o suficiente para fazer com que
VGD VP , o canal ser estrangulado apenas nas proximidades do
dreno (D).
Nessa situao, o campo eltrico na pequena regio onde o canal
est estrangulado ir superar o campo eltrico da regio de depleo.
Esse campo eltrico impulsiona os eltrons do canal atravs da regio
estrangulada, mantendo a corrente ID saturada em um valor limite.
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VG VD VP
VGS VDS VP
VDS VGS VP
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Modo de Corte
Modo Triodo
Condies de Operao
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Modo Triodo
Modelo Matemtico
No modo de triodo, a corrente de dreno ser dada por:
"
ID = IDSS 2 1
VGS
VP
2 #
VDS
VDS
VP
VP
Modo Saturao
Condies de Operao
Modo Saturao
Modelo Matemtico
No modo de saturao, a corrente de dreno ser dada por:
ID = IDSS 1
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VGS
VP
2
"
ID = IDSS 2 1
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VGS
VP
2 #
VDS
VDS
VP
VP
ID = IDSS 1
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VGS
VP
2
ID
43 de 46
= IDSS 1
VGS
VP
2
ID
ID
IDSS
43 de 46
= IDSS 1
=
VGS
VP
VGS
VP
2
2
ID
ID
IDSS
ID
IDSS
43 de 46
= IDSS 1
=
=
VGS
VGS
VP
VGS
VP
VP
2
2
ID
ID
IDSS
ID
IDSS
VGS
VP
= IDSS 1
=
=
VGS
VP
2
VP
VGS
r
= 1
VGS = VP 1
43 de 46
VGS
VP
ID
IDSS
ID
IDSS
2
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Exerccio 1, 2 e 3
45 de 46
Exerccio 1, 2 e 3
45 de 46
Exerccio 1, 2 e 3
45 de 46
46 de 46