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COLEGIO SO GONALO
ELETROTECNICA

PAULO MENDES DE OLIVEIRA LOPES

SEMICONDUTORES

VITRIA
2014
SUMRIO

1 INTRODUO ......................................................................................

2 CONSTITUIO QUMICA .................................................................

3 PROPRIEDADES TRMICAS ..............................................................

4 DOPAGEM ............................................................................................

4.1. SEMICONDUTOR TIPO n ................................................................

4.2. SEMICONDUTOR TIPO p ................................................................

7 BIBLIOGRAFIA .....................................................................................

1. INTRODUO
Podemos classificar os materiais em trs (03) categorias, condutores,
semicondutores e isolantes, os condutores possuem eltrons livres, como o
Cobre (Cu), os isolantes no possuem eltrons livres, por isso no podem ser
utilizados para a conduo de eletricidade, com exemplo temos a borracha. J
os semicondutores so aqueles materiais que esto em uma situao
intermediaria, ou seja, em determinada situaes so isolantes e outras no.
Os semicondutores mais utilizados so o Silcio (Si) e Germnio (Ge).
(Bisquolo)
A caracterstica de poder variar sua condutividade eltrica o torna
atrativo, para a fabricao de componentes eletrnicos. (Bisquolo)
2. CONSTITUIO QUMICA
Os semicondutores mais simples so constitudos de tomos de um
nico elemento qumico com quatro eltrons na camada de Valencia, os
tomos que exibem esta configurao so denominados tomos Tetravalentes,
esses tomos tendem a se arranjar ordenadamente segundo uma estrutura
cristalina

com

tomos

Vizinhos

compartilhando

os

tomos

vizinhos

compartilhando seus eltrons na camada de Valencia. (Wendling)

O compartilhamento de eltrons entre tomos tetravalentes em uma
estrutura cristalina chamado de ligao covalente. Nessas ligaes os
eltrons permanecem fortemente ligados ao par de ncleos interligados. Por
isso os materiais formados estruturas cristalinas puras compostas somente por
ligaes covalentes, se tornam isolantes. (Cipelli)
3. PROPRIEDADES TRMICAS

A temperatura exerce influencia direta sobre as propriedades eltricas

dos semicondutores. O aumento da temperatura do material semicondutor
facilita a liberao da ligao covalente do eltron de valncia. Cada ligao
covalente desfeita por esse processo propicia a gerao de um par de
eltrons/lacuna a mais na estrutura. (Cipelli)
O aumento de lacunas devido ao aquecimento do material semicondutor
aumenta sua condutividade, permitindo assim que se obtenha um maior fluxo
de corrente no material. (Cipelli)
4. DOPAGEM
Outra forma de aumentar a condutividade do semicondutor inserir de
maneira uniforme impurezas para alterar, de forma controlada, as propriedades
fsicas naturais do material. (Wendling)
O grau de condutividade bem como mecanismo de conduo do
semicondutor dopado ir depender dos tipos de tomo de impureza
introduzidos no material, como descrito a seguir. (Wendling)
4.1. SEMICONDUTOR TIPO n
Quando no processo de dopagem inserida na estrutura cristalina do
semicondutor uma grande quantidade de tomos contendo excesso de um
eltron de valncia relativamente ao nmero de eltrons da camada mais
externa de tomo do cristal, forma-se um semicondutor tipo n. (Wendling)
Um exemplo de um semicondutor tipo n ocorre quando tomos de arsnio
(As) so introduzidos na estrutura cristalina do silcio. Apenas quatro dos cincos
eltrons de valncia do arsnico, podem participar das ligaes covalentes com
os tomos do silcio. (Bisquolo)
O quinto eltron de valncia do tomo de arsnico no participa de
nenhuma ligao covalente, pois no existe um segundo eltron disponvel nos
tomos vizinhos que possibilite a formao dessa ligao. Esse eltron extra,
pode, ser facilmente liberado pelo tomo de arsnico, passando a transitar
livremente atravs da estrutura do cristal semicondutor. (SENAI)

Com a adio dessas impurezas, e consequentemente o aumento no

nmero de eltrons livres, o cristal que era puro e isolante, passa a ser
condutor de corrente eltrica. Embora o material tenha sido dopado, o nmero
total de eltrons permanece igual ao nmero total de eltrons permanece igual
ao numero total de prtons, sendo assim o material continua eletricamente
neutro. (SENAI)
O semicondutor dopado com tomos contendo excesso de um ou mais
eltrons na camada de valncia recebe a denominao de semicondutor tipo n,
pois nesses materiais a corrente eltrica conduzida predominantemente por
cargas negativas. Essa conduo eltrica ocorre independente da polaridade
da tenso aplicada entre as extremidades do material semicondutor. (Wendling)
4.2. SEMICONDUTOR TIPO p
Quando os tomos introduzidos na estrutura cristalina do semicondutor
exibem deficincia de um eltron de valncia relativamente ao nmero de
eltrons da camada mais externa de cada tomo do cristal, forma-se um
semicondutor tipo p. (Wendling)
O tomo de ndio, por exemplo, que tem trs eltrons na camada de
valncia, quando utilizado no processo de dopagem do silcio d origem a um
semicondutor tipo p. (Wendling)
O tomo de ndio se acomoda na estrutura cristalina, formando trs ligaes
covalentes com tomos vizinhos de silcio. Com respeito ligao com o
quarto tomo de silcio, verifica-se a ausncia do segundo eltron que
comporia o par necessrio formao daquela ligao com o tomo de ndio.
Essa ausncia de eltron de ligao denominada de lacuna. (Bisquolo)
A existncia de lacunas no semicondutor permite que haja um mecanismo
de conduo distinto daquele observado em um semicondutor tipo n. No caso
do semicondutor tipo n, os eltrons adicionais resultantes do processo de
dopagem podem transitar livremente no interior do material. Por outro lado,
quando a dopagem produz lacunas no semicondutor, um eltron proveniente

de uma ligao covalente s poder transitar para um ponto do cristal onde

haja lacuna disponvel. (Bisquolo)
Esse movimento de eltrons equivale, portanto, a um movimento de lacunas
do polo positivo para o polo negativo do material. (Cipelli)
Portanto, as lacunas em um semicondutor dopado se comportam
efetivamente como cargas positivas que podem transitar em um cristal quando
este est submetido a uma tenso externamente aplicada. (Cipelli)
O semicondutor dopado com tomos contendo deficincia de um ou mais
eltrons na camada de valncia recebe a denominao de semicondutor tipo p,
pois nesses materiais a corrente eltrica conduzida predominantemente por
lacunas que se comportam como portadores de carga positiva durante o
processo de conduo eltrica. (Wendling)
Como no processo de conduo eltrica de um semicondutor tipo n, o
movimento de lacunas em um semicondutor tipo p, submetido a uma ddp
(diferena de potencial), ocorre independentemente da polaridade da tenso
aplicada entre as extremidades do material. (Wendling)
Analisando-se as propriedades bsicas de semicondutores dopados,
nota-se que o nmero de eltrons em um semicondutor tipo n, ou lacunas em
um semicondutor tipo p, cresce com o aumento do nmero de tomos de
impurezas introduzidas no cristal. Com o aumento do nmero de portadores de
carga, aumenta a condutividade eltrica do material. Dessa forma, torna-se
possvel alterar de forma controlada a condutividade eltrica de um
semicondutor, efetuando-se a dosagem adequada da quantidade de dopagem
do cristal durante a etapa de fabricao. (Wendling)
Essa caracterstica de controle externo de condutividade possibilita o
uso de cristais semicondutores como matria prima na fabricao de
componentes eletrnicos, incluindo diodos, transistores, circuitos integrados
etc., bem como na construo de dispositivos optoeletrnicos, tais como
fotodetetores, diodos emissores de luz e lasers semicondutores. (Wendling)

5. BIBLIOGRAFIA
Paulo Augusto Bisquolo
(http://educacao.uol.com.br/disciplinas/fisica/semicondutores-tipos-maiscomuns-de-semicondutores.htm) acessado em 02/04/2014.
Marcelo Wendling
Wendling, Marcelo. Semicondutores. So Paulo, UNESP, 2009
Antonio M. Cipelli
CIPELLI, Antnio Marco Vicari & SANDRINI, Waldir Joo. Teoria e
desenvolvimento de projetos de circuitos eletrnicos. 8.a ed., So Paulo, rica,
1984.
SENAI
SENAI/DN. Reparador de circuitos eletrnicos; Eletrnica Bsica II. Rio de
Janeiro, Diviso de Ensino e Treinamento , 1979 (Coleo Bsica
SENAI,Mdulo 1).