2 Edio

D I S C I P L I N A

Arquitetura Atmica e Molecular

As ligaes inicas

Autores
tom Anselmo de Oliveira
Joana DArc Gomes Fernandes

aula

11

Governo Federal
Presidente da Repblica
Luiz Incio Lula da Silva
Ministro da Educao
Fernando Haddad
Secretrio de Educao a Distncia
Ronaldo Motta

Reitor
Jos Ivonildo do Rgo
Vice-Reitora
ngela Maria Paiva Cruz
Secretria de Educao a Distncia
Vera Lucia do Amaral

Secretaria de Educao a Distncia (SEDIS)

Coordenadora da Produo dos Materiais

Clia Maria de Arajo
Coordenador de Edio
Ary Sergio Braga Olinisky
Projeto Grco
Ivana Lima
Revisores de Estrutura e Linguagem
Eugenio Tavares Borges
Marcos Aurlio Felipe

Ilustradora
Carolina Costa
Editorao de Imagens
Adauto Harley
Carolina Costa
Diagramadora
Mariana Arajo de Brito
Adaptao para Mdulo Matemtico
Thaisa Maria Simplcio Lemos

Pedro Daniel Meirelles Ferreira

Revisoras de Lngua Portuguesa
Janaina Tomaz Capistrano
Sandra Cristinne Xavier da Cmara

Diviso de Servios Tcnicos

Catalogao da publicao na Fonte. Biblioteca Central Zila Mamede UFRN

Oliveira, tom Anselmo de

Arquitetura atmica e molecular / tom Anselmo de Oliveira, Joana Darc Gomes Fernandes Natal
(RN) : EDUFRN Editora da UFRN, 2006.

280 p.

ISBN 85-7273-278-0

1. Ligaes qumicas. 2. Modelos atmicos. 3. Tabela peridica. I. Fernandes, Joana Darc

Gomes. II. Ttulo.

RN/UF/BCZM

2006/18

CDU 541
CDD 541.5

Todos os direitos reservados. Nenhuma parte deste material pode ser utilizada ou reproduzida
sem a autorizao expressa da UFRN - Universidade Federal do Rio Grande do Norte.

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Apresentao

rosseguindo com o estudo das ligaes qumicas, passaremos a discutir os

mecanismos de interao entre espcies inicas que sempre resultam na formao
de slidos cristalinos. Destes, a grande maioria de natureza inorgnica, embora
algumas espcies orgnicas tambm se liguem atravs de mecanismos semelhantes. Em
todos esses mecanismos, porm, o que se verica a unio entre ons positivos e negativos,
gerando redes tridimensionais bem organizadas.
Nesse tipo de composto, as ligaes podem ser analisadas em termos das energias
envolvidas na formao dos cristais e das relaes de tamanho entre os ons formadores de
cada substncia.
Nesta aula, daremos maior ateno aos aspectos energticos, mas, tambm, utilizaremos
dados relativos s dimenses dos ons, especialmente queles necessrios a clculos de
parmetros energticos.

Objetivos
Aps esta aula, voc dever: conhecer os mecanismos
envolvidos nas ligaes inicas, podendo descrever cada
etapa de reao; saber analisar as energias envolvidas
nesses mecanismos e realizar clculos de alguns
parmetros termodinmicos das reaes; interpretar
os fatores determinantes das diferentes geometrias
desses compostos e correlacionar as geometrias com
as energias de formao dos cristais. Alm disso, voc
poder compreender as causas de algumas propriedades
desse tipo de composto, tais como estabilidade trmica,
ponto de fuso, solubilidade e condutibilidade eltrica.

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Arquitetura Atmica e Molecular

Detalhando as ligaes inicas

s ligaes inicas so estabelecidas entre ons de cargas opostas. Esses ons so

formados mediante transferncia de eltrons entre tomos ou grupos de tomos,
conferindo-lhes determinadas cargas. Nesses processos, a espcie que ca com carga
positiva denominada ction e a que ca com carga negativa recebe o nome de nion.
Os compostos que apresentam esse tipo de ligao, ao invs de formarem molculas
isoladas, formam aglomerados de ons, assumindo a forma slida temperatura ambiente,
sendo cristalinos, duros, no condutores de eletricidade quando puros, mas bons condutores
quando em soluo.
Nos arranjos estruturais desses compostos, os ons positivos e negativos se alternam
formando estruturas tridimensionais (o cristal do composto), com alta estabilidade
termodinmica.
A ttulo de exemplo, vamos analisar a formao do cloreto de sdio em todas as suas
etapas, objetivando entender o mecanismo e as energias envolvidas na formao desse
composto que, guardadas certas peculiaridades, se assemelham de outros compostos
dessa natureza.
Inicialmente, podemos dizer que a sntese do NaCl se faz pela reao entre o sdio
metlico e o cloro gasoso, num processo que pode ser expresso na forma:
Na(s) + Cl2(g)

NaCl(s);

Hf = - 412 kJ mol-1.

A variao de entalpia observada em reaes dessa natureza (sntese a partir dos

elementos constituintes) denida como entalpia de formao ( Hf) e como, nesse caso,
o seu valor bastante negativo (-412 kJ mol-1), pode-se dizer que a sntese do cloreto de
sdio bastante exotrmica, o que indica que as ligaes entre os ons Na+ e Cl- so muito
fortes nesse composto.
interessante registrar que tais ligaes resultam da combinao de uma srie de etapas,
as quais passaremos a analisar para melhor compreender os mecanismos dessas ligaes.
Como vocs j sabem, a congurao eletrnica do sdio 1s2, 2s2, 2p6, 3s1 e a do
cloro 1s2, 2s2, 2p6, 3s2, 3p5. Assim, para que os dois assumam congurao de octeto
no nvel de valncia, basta o sdio transferir um eltron para o cloro. Porm, no estado
padro, os tomos de sdio esto ligados entre si formando um slido (Na(s)) e os tomos
de cloro esto ligados formando molculas (Cl2(g)). Portanto, para que os dois possam reagir,
necessrio que os seus tomos rompam tais ligaes. Ou seja: necessrio que ocorram
os processos:
Na(s)
Cl2(g)

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Na(g) ;

H1 entalpia de sublimao = 108 kJ mol-1;

Cl(g) ;

H2 entalpia de dissociao = 121 kJ mol-1.

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Em seguida, necessrio que haja a retirada de um eltron de um tomo de sdio

gasoso formando o ction Na+. Nessa etapa, apesar do potencial de ionizao do sdio ser
baixo, so consumidos 494,5 kJ mol-1. Ou seja:
Na(g)

Na+(g) + e-(g) ;

H1 energia de ionizao = 495kJ mol-1.

Veja que essas trs etapas so endotrmicas, portanto, desfavorveis reao. Porm, as
etapas seguintes so exotrmicas e isso que assegura a formao do composto inico (NaCl).
Destas, a primeira corresponde recepo de um eltron pelo cloro, formando o on cloreto e,
como o cloro tem uma alta anidade eletrnica, ocorre liberao de energia. Ou seja:
C l-(g) ;

Cl(g) + e-(g)

H4 anidade eletrnica = -349 kJ mol-1.

Em seguida, pode-se imaginar que os ons formados se ligam por foras eletrostticas
gerando pares inicos (molculas de NaCl) que imediatamente continuam a se ligar,
alternando ons sdio e ons cloreto, formando o retculo cristalino do cloreto de sdio num
processo tambm exotrmico, j que ocorre pela interao entre partculas com cargas
opostas.
Na+(g) + Cl-(g)

NaCl(g)

NaCl(s) ;

H5 U (energia reticular)

A determinao da variao de entalpia dessas duas etapas da formao do NaCl (ou

de qualquer outro composto inico) invivel experimentalmente. Mas, pode ser facilmente
calculada, desde que se disponha das variaes de energia das outras etapas, bem como
da reao global de formao do sal. Para isso, basta que se use a Lei de Hess. Por essa
Lei, a variao de entalpia de uma reao igual soma das entalpias de um conjunto de
reaes que reproduzam a reao que se pretende analisar. Assim, podemos dizer que, no
caso em estudo, a entalpia de formao do NaCl dada pela expresso:
Hf = H1 + H2 + H3 + H4 + U
Pode-se observar que, de fato, a soma das vrias etapas da formao do NaCl reproduz
a reao global:
Na(s)

Na(g)
Cl(g)

Cl2(g)
Na(g)

Na+(g) + e-(g)

Cl(g) + e-(g)

Cl-(g)

Na+(g) + Cl-(g)
Na(s) + Cl2(g)

H1 = 108 kJ mol-1

(Etapa 1)

H2 = 121 kJ mol-1

(Etapa 2)

H3 = 494 kJ mol-1

(Etapa 3)

H4 = - 348 kJ mol-1

(Etapa 4)

NaCl(s) H5 = -U

Lei de Hess
Germain Henry Hess,
em 1840, vericou que
a variao de entalpia
de uma reao depende
somente do estado inicial
e nal, no importando
o mecanismo da reao.
Esse importante fato cou
conhecido como Lei de
Hess.

(Etapa 5)

NaCl(s); Hf = H1 + H2 + H3 + H4 + U

Reorganizando essa equao, podemos expressar a entalpia reticular do cloreto de

sdio na forma:
U = Hf - H1 - H2 - H3 - H4

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Assim, para calcular a entalpia reticular do cloreto de sdio, basta introduzir os valores
das entalpias de cada etapa da reao global, obtendo-se a igualdade:
U = - 412 - 108 121 494 + 348
U = - 787 kJ mol-1
Esse resultado indica que a etapa de formao do retculo cristalino (etapa 5) muito
importante para a estabilidade termodinmica do composto (libera muita energia), fato que
se repete em todos os slidos inicos. J a formao dos nions (etapa 4) pode ser favorvel,
como ocorre neste caso, mas nem sempre isso acontece, o que contribui para que muitos
elementos no formem compostos inicos.
Entre as etapas desfavorveis (etapas 1, 2 e 3), a formao dos ctions (etapa 3) merece
um maior destaque, porque, com freqncia, essa etapa que, pelos seus altos valores de
energia absorvida, impede muitos elementos de formar ligaes inicas.
Os efeitos energticos da formao de um composto inico podem ser visualizados
com a utilizao de diagramas, nos quais aparecem as variaes de entalpia de cada etapa da
reao, que so denominados ciclos (ou diagramas) de Haber-Born e, no caso da formao
do cloreto de sdio, assumem a forma mostrada na Figura 1.

Na+(g) + e- + Cl(g)

H4
Na+(g) + Cl-(g)

Na (g) + Cl (g)
H2
H1

Entalpia reticular do NaCl (U)

Energia

H3

Na (g) + ,NCl 2(g)

Na (s) + ,NCl 2(g)

Hf [NaCl(s)]

NaCl(s)
Figura 1 Ciclo da Haber-Born

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Outros dados ilustrativos sobre aspectos energticos relativos sntese de compostos

inicos so apresentados no Quadro 1.
Metais

No metais

H1

Li

Na

Mg

Ca

H2

158

520

108

496

90

146

178

419

(a)

(b)

2.189

1.735

H3

Compostos
- H4

Hf

F2

158

328

LiF

- 605

1.044

Cl2

242

349

LiCl

- 410

861

Br2

193

325

LiBr

-351

818

F2

158

328

NaF

- 569

929

Cl2

242

349

NaCl

- 412

787

Br2

193

325

NaBr

- 360

751

F2

158

328

KF

- 586

826

Cl2

242

349

KCl

- 435

717

Br2

193

325

KBr

- 393

689

Cl2

242

349

MgCl2

- 640

2.524

O2

496

- 503

MgO

- 602

3.850

Cl2

242

349

CaCl2

- 469

2.670

O2

496

- 503

CaO

- 636

3.461

(b)

(b)

Quadro 1 Parmetros termodinmicos relativos formao de alguns compostos inicos

H1 = Entalpia de sublimao do metal; H3 = Entalpia de dissociao do ametal
H2 = Entalpia de ionizao do metal; H4 = Eletroanidade do ametal
Hf = Entalpia de formao do composto; U = Entalpia reticular do composto
(a)
Soma das duas primeiras energias de ionizao.
(b)
Soma das duas energias de eletroanidade.
Todos os valores de entalpia esto expressos em kJ mol-1.

Um aspecto que deve ser enfatizado o fato das ligaes inicas sempre se formarem
entre metais e no metais, uma vez que, para os primeiros, geralmente as energias de
ionizao (fator desfavorvel ao processo) so pequenas; e os no metais normalmente
apresentam anidades eletrnicas negativas, favorecendo a ocorrncia das reaes, alm do
que, quando seus valores so positivos (desfavorveis ao processo), so pequenos.
No devemos esquecer, porm, da existncia de muitos compostos inicos formados
mediante ligaes entre ons poliatmicos, como NaC2H5O2 ou NH4CL, os quais, por sua
maior complexidade, no sero discutidos nesta aula.

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Atividade 1
1

Acredito que voc j conhece a denio de muitos parmetros

termodinmicos. Mas, para revisar os mais utilizados em algumas das
nossas aulas, dena e ilustre com exemplos o que so entalpias de
formao, dissociao, sublimao, ionizao, eletroanidade e reticular.
Descreva as etapas de reao para formao do brometo de potssio
e do xido de clcio, partindo dos seus elementos constituintes.

Construa um diagrama de Haber-Born para a formao de um haleto

alcalino (que no seja o NaCl) e, usando parmetros termoqumicos,
determine a entalpia reticular do composto que voc escolheu.

Qual a etapa que mais contribui e que mais diculta a formao

dos compostos constantes no Quadro 1? Justique cada uma das
respostas.

Estruturao dos slidos inicos

Um slido inico pode ser denido como um aglomerado de ons positivos e negativos,
empacotados num arranjo estrutural regular repetitivo em que os ctions e os nions
fazem ligaes sucessivas que se propagam em trs dimenses, gerando a estrutura
cristalina correspondente a cada composto. Nessas estruturas, cada on ca rodeado por outros
de cargas opostas, cujas posies e quantidades tm como um dos fatores determinantes os
tamanhos desses ons, conforme se pode perceber observando a Figura 2.

Figura 2 Acomodao de ons num composto em funo do tamanho

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Pode-se observar que um ction pequeno no comporta muitos nions em torno dele.
J se o ction e o nion tiverem dimenses semelhantes, o nmero desses ons que se
rodeiam mutuamente pode ser maior.
Nos cristais inicos reais, o nmero de ons que ca em torno de outro de carga oposta
chamado de nmero de coordenao (NC). Assim, no cristal do cloreto de sdio, que
mostrado na Figura 3, pode-se observar que cada on sdio ca rodeado por seis ons
cloretos e cada on cloreto ca rodeado por seis ons sdio. Partindo dessa constatao,
podemos dizer que os dois ons tm nmero de coordenao 6.

Figura 3 Modelo de slido cristalino do tipo do cloreto de sdio

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A energia reticular e as estruturas

dos compostos inicos
A energia reticular denida como a energia liberada na formao de um mol do
composto na forma cristalina, no estado padro, a partir dos ons que o constituem.
Esse processo corresponde etapa 5, apresentada anteriormente para a formao do
NaCl, que de uma forma genrica, pode ser expresso pela equao:
Mm+(g) + Xn-(g)

MnXm(s);

U = energia reticular.

A determinao desse parmetro experimentalmente no uma tarefa fcil, mas, para

muitos compostos, isso pode ser feito a partir de modelos tericos com relativa facilidade e
com resultados satisfatrios.
Para tanto, pode-se denir a energia de atrao eletrosttica de um par inico do tipo
M X atravs da equao:
m+ n-

E=

(z+ e) (z e)
4

r
0 MX

(z+ z)e
4

r
0 MX

onde z+ e 2 z- so as cargas dos ons, e, a carga do eltron, rMX a distncia entre os centros
dos dois ons e 0 a permissividade do vcuo ( 0 = 8,854.10-2 C2 m-1 J-1).
Assim, para o cloreto de sdio, como as cargas dos ons sdio (1+) e cloro (1-) so
iguais, diferindo apenas pelo fato de uma ser positiva e a outra negativa, essa equao pode
ser escrita na forma:
E=

(1+) (1 )e2
4

0 NaCl

ou ainda,

E=

e2
4

0 NaCl

Porm, compostos inicos na forma de pares inicos s existem em altas temperaturas

e em baixas presses. Nas condies ambientais, tais compostos se estabilizam na forma
slida, com os ons positivos e negativos formando ligaes que se propagam nas trs
dimenses, gerando estruturas cristalinas constitudas por grandes aglomerados de ons.
Dessa maneira, cada on interage com os demais ons do cristal. Os de cargas opostas
atraindo-se, e os de cargas de mesmo sinal repelindo-se mutuamente.
Como j foi mostrado, nos cristais de cloreto de sdio cada on ca rodeado por seis ons
de carga oposta, com os seus ncleos separados por uma distncia correspondente soma do
raio do on sdio mais o raio do on cloreto. Essa distncia equivale ao comprimento de ligao
que, a partir de agora, passar a ser simbolizada por r0. Assim, a energia de ligao entre um on
sdio e os seis ons cloreto que interagem mais diretamente com ele pode ser escrita na forma:

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E=

6 e2
4

0 0

Porm, aps essa camada de cloretos vem uma camada de doze ons sdio que cam a

uma distncia igual a ro 2, sendo repelidos pelo sdio central e contribuindo negativamente

para a formao do cristal. Em seguida, a uma distncia igual a ro 3, vem uma nova camada
constituda por oito cloretos, que contribui para a estabilizao do cristal. Assim, com a
sucesso de camadas de ons positivos e negativos, ocorre a formao do cristal, nos quais
as distncias interinicas podem ser denidas por relaes trigonomtricas, como pode ser
visto na Figura 4.

Figura 4 Estrutura do cloreto de sdio mostrando as distncias interinicas

A disposio dos ons Na+ e Cl- nos cristais de cloreto de sdio faz com que a energia
de ligao do on de referncia na Figura 4, em relao aos demais, seja expressa pela
equao:

1
E=
4o

6e2
12e2
24e2
8e2
6e2
+
+ ...
ro
ro 2 ro 3 2ro
ro 5

Colocando os termos comuns dessa equao em evidncia, obtm-se:

e2
E=
4o ro

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12
8
6
24
6 + + ...
2
3 2
5

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Nessa equao, todos os termos entre parnteses so constantes, e a operao dos

mesmos gera outra constante, conhecida como constante de Madelung (M). Com isso, a
equao anterior pode ser escrita na forma:
E =

e2 M
4

0 0

Deve-se registrar que os valores da constante de Madelung independem da composio

do slido cristalino, variando com as geometrias dos compostos, como se pode perceber
analisando os dados contidos no Quadro 2. Assim, o NaCl e o CaO, que so compostos
diferentes, apresentam o mesmo valor de M. J os minerais blenda e wurtizita, apesar
de terem a mesma composio (ZnS), tm valores de M diferentes porque seus cristais
apresentam geometrias diferentes.
Frmula

Estrutura

Nmero de Coordenao

Constante de Madelung

CsCl

Cloreto de csio

(8,8)

1,763

NaCl

Cloreto de sdio

(6,6)

1,748

CaO

xido de clcio

(6,6)

1,748

ZnS

Blenda de Zinco

(4,4)

1,638

ZnS

Wurtzita

(4,4)

1,641

CaF2

Fluorita

(8,4)

2,520

TiO2

Rutilo

(6,3)

2,408

SiO2

B-cristobalita

(4,2)

2,298

Al2O3

Corndon

(6,4)

4,172

Quadro 2 Constante de Madelung de alguns retculos cristalinos mais comuns

Agora, para expressar a energia de ligao por mol de cloreto de sdio formado, basta
introduzir o nmero de Avogrado (N), obtendo-se a equao:
E =

e 2 MN
4

0 0

No se deve esquecer, porm, que na formao do retculo cristalino os ctions e os

nions cam prximos, fazendo surgir repulses entre os eltrons desses ons e gerando
uma energia de repulso eletrosttica que expressa pela equao:
Erep =

e2 BN
4rn

onde B uma constante, r a distncia entre os ons em qualquer distncia nita, e n um

termo associado compressibilidade dos ons, o qual denominado expoente de Born.

10

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Durante a formao do retculo cristalino, no instante em que as foras atrativas entre

os ons de cargas opostas se iguala s foras repulsivas (devidas principalmente s repulses
entre os eltrons desses ons), a distncia interinica (r) igual a r0 , e a energia eletrosttica
total por mol do composto formado dada pela equao:
e2 MN

Etotal = EAtrao + ERepulso =

NB

r0n

0 0

Essa energia a nossa j conhecida energia reticular (U) e corresponde energia

necessria para sublimar um mol do composto no estado padro (temperatura de 273 K e
presso de 1 bar). Assim, com um pequeno rearranjo, a equao que expressa esse parmetro
pode ser escrita na forma:

Etotal

e2 M N
=U =
4o

1
ro


+ NB

1
ron

Sublimao
Sublimao a passagem
de um composto da fase
slida para a fase gasosa
sem passar pela fase
lquida.

O uso dessa equao pode ser simplicado, eliminando-se a constante B e expressando-a

de outra forma. Para tanto, basta fazer a derivada da energia reticular (U) em funo da
distncia entre os ons (r). Como essa derivada em r = r0 igual a zero, podemos express-la
pela equao:


dU
dr

e2 M N
=
4o

1
ro2


NB

ron1


=0

Partindo dessa equao, B pode ser expresso pela igualdade:

B=

e2 M
4

r0n-1

n
0

Se agora introduzirmos o termo correspondente a B na equao que dene a energia

reticular e reorganizarmos essa equao, pode-se expressar a energia reticular de um
composto de ons de cargas unitrias (como o NaCl) na forma:
e2 M N
U =
4o ro

1
1
n

Agora, introduzindo os termos constantes universais e fazendo as operaes aritmticas

pertinentes, a equao assume uma forma mais simples, podendo ser aplicada a qualquer
composto constitudo por ons de carga unitria, bastando se conhecer a distncia interinica,
a constante de Madelung e o expoente de Born. Ou seja, U passa a ser expressa por:
M
U = 1389
ro

1
1
n

Nessa equao, o fator 1389 est dimensionado para se utilizar a distncia interinica
(r0) em angstrom ().
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Por m, pode-se reintroduzir os termos z+ e z-, tornando a equao genrica, podendo

ser utilizada para clculos de energias reticulares de compostos formados por ons com
quaisquer cargas eltricas (z+ = 1+, 2+, 3+,..., ou z- = 1-, 2-, 3- ...). Assim, a equao anterior
assume a forma:
z z+ M
U = 1389
ro

1
1
n

Essa equao conhecida como equao de Born-Land e, para se calcular a energia

reticular de qualquer composto, basta que se conheam a sua geometria e a distncia entre
os seus ons r0.
A rigor, tambm seria necessrio determinar o expoente de Born (n), o que feito
experimentalmente a partir do coeciente de compressibilidade do composto. Porm,
esse parmetro pode ser calculado teoricamente, fazendo-se a mdia dos valores n
correspondentes aos gases nobres isoeletrnicos com os ons considerados. Assim, para
o NaCl, por exemplo, cujos ons Na+ e Cl- so isoeletrnicos com o nenio e argnio,
respectivamente, o expoente de Born dado pelo cociente:
nNaCl =

nNe + nAr
2

7+9
2

=8

A diferena entre esse resultado e o valor de n obtido experimental de 1,1 unidade,

e, conforme se observa nos outros haletos alcalinos apresentados no Quadro 3, a diferena
ainda menor. Com isso, as diferenas entre as energias reticulares (U) calculadas com
valores do expoente de Born empricos e tericos so sempre inferiores a 3%, como se pode
vericar analisando os dados contidos no Quadro 3.
Composto

Valor de n experimental

Valor de n calculado

Gs nobre

Valor de n

LiF

5,9

6,0

He

LiCl

8,0

7,0

Ne

LiBr

8,7

7,5

Ar

NaCl

9,1

8,0

Kr

10

NaBr

9,5

8,5

Xe

12

Quadro 3 Valores do expoente de Born em algumas espcies qumicas

12

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Como ilustrao, aplicando-se esse mtodo de clculo para determinar a energia

reticular do cloreto de sdio, cujas cargas inicas so +1 e -1, a distncia interinica, r0,
282 pm e n igual a 9,1, a energia reticular igual a:

U = - 1389

(+1)(-1)1,748
2,82


1
1
9, 1 U = - 1389

1,748

2,82

1
1
9, 1

U = 860 95 = 765 kJ mol1

Usando agora o valor de n calculado, obtm-se:
U = 1389(+1)(1) 1,748
2,82

1
1
8


= 1389

1,748
2,82

1
1
8

U = 1389 - 108 = 752 kJ mol-1

Pode-se observar que a diferena entre a energia reticular (U) calculada com o expoente
de Born (n) experimental e o estimado teoricamente de 13 kJ mol-1, o que corresponde a
uma diferena de apenas 1,3%, de um em relao ao outro.
Comparando-se agora a energia reticular (U) determinada experimentalmente
atravs de um ciclo de Haber-Born, que igual a 787 kJ mol-1, com os resultados obtidos
teoricamente usando o expoente de Born experimental e o que estimado a partir dos gases
nobres de mesma congurao (cujos valores so 765 kJ mol-1 e 752 kJ mol-1), vericamos
que as diferenas encontradas so de, apenas, 22 kJ mol-1 e 35 kJ mol-1. Isso corresponde
a diferenas de, somente, 2,7 % e 4,4% em relao ao valor obtido experimentalmente,
demonstrando que os clculos tericos oferecem resultados de boa qualidade para qualquer
anlise sobre esse parmetro. Alm disso, os dados contidos no Quadro 4 indicam que
esse comportamento muito mais geral, podendo ser usado para os slidos inicos com
perspectivas de bons resultados.
necessrio destacar que existem outras equaes para clculos das energias reticulares
(U) dos slidos inicos. Uma delas inclui parmetros relacionados com a covalncia da
ligao (presente mesmo nos compostos inicos), com as repulses entre os eltrons dos
ons (de um on sobre o outro) e a energia do ponto zero. Outra a equao de Kapustinskii
que menos precisa, mas pode ser aplicada mesmo quando no se conhece a estrutura
cristalina do composto. Resultados pela via experimental e pelos trs modelos tericos
citados so apresentados no Quadro 4.

2 Edio

Aula 11

Energia do
ponto zero
De acordo com a mecnica
quntica, uma partcula
nunca est parada. Se isso
ocorresse, sua energia
seria zero, o que iria de
encontro ao Princpio
da Incerteza. Assim,
mesmo no zero absoluto
de temperatura, cada
partcula ainda tem certa
quantidade de energia, que
denominada energia do
ponto zero.

Kapustinskii
A.F. Kapustinskii
estabelece que a energia
reticular (U) de um
composto inico pode ser
estimada pela equao
120200z+ z
ro
1 34,5
kJ mol1
r

U =

Nessa equao, o
nmero de ons por
frmula do composto.

Arquitetura Atmica e Molecular

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Energias reticulares
Composto

Experimental

Modelos de tericos
Simples

Mais completo

Kapustinskii

1.008

1033

953

LiF

1.046

LiCl

861

811

845

804

LiBr

818

766

798

793

LiI

759

708

740

713

NaF

929

902

915

885

NaCl

787

755

778

753

NaBr

751

719

739

713

NaI

700

663

692

674

KF

826

797

813

789

KCl

717

687

709

681

KBr

689

660

679

675

KI

645

623

640

614

Quadro 4 Entalpias reticulares determinadas experimentalmente e calculadas por mtodos diferentes

Concluso
Durante esta aula, quase sempre consideramos que as ligaes inicas so estabelecidas,
apenas, por interaes de natureza eletrosttica entre ons ou esferas de cargas positivas e
negativas. Neste contexto, podemos concluir que tais ligaes so mais simples do que as
que fazem pelo modelo da covalncia.
Pela natureza dessas ligaes, os slidos cristalinos apresentam altos pontos de fuso
e so quebradios, pois como os ons se ligam em redes, ao ocorrer rompimento de ligaes,
estas ocorrem em toda a superfcie de clivagem do cristal.
No devemos esquecer que tais simplicaes feitas no tratamento das ligaes inicas
podem levar a concluses equivocadas, uma vez que, em qualquer ligao, sempre existe
alguma covalncia. De fato, existem compostos, como muitos dos haletos alcalinos, em que
o carter covalente pode ser desconsiderado para muitas das interpretaes que se deseja
fazer. Porm, em compostos formados por elementos com eletronegatividade no muito
diferentes, a covalncia tem carter mais signicativo.
Outro aspecto que dever ser registrado que as redes cristalinas nem sempre so
perfeitas. Na formao dos cristais, freqentemente ocorrem defeitos (por descontinuidade
da rede ou pela presena de impurezas) que podem fazer o composto mudar algumas das
suas propriedades, e isso possibilita diversos usos interessantes para esses materiais.

14

Aula 11

Arquitetura Atmica e Molecular

2 Edio

Atividade 2
1

Agora que voc j estudou as ligaes covalentes e inicas, faa uma

discusso sobre diferenas entre esses dois modelos de ligao.

Descreva diferenas de trs propriedades fsicas que sejam causadas

pelo tipo de ligao, presentes nos compostos.

Comente esta armao: todas as ligaes, mesmo as tidas como

inicas tpicas, sempre tm algum carter covalente.

Nesta aula, foi demonstrada a obteno da equao de BornLand, tomando como referncia o cristal do cloreto de sdio. Seria
interessante voc repetir esse procedimento, analisando cada etapa
da sua demonstrao. Para quebrar a rotina, use como referncia o
brometo de potssio, cuja geometria igual do cloreto de sdio.
Faa-o, pois assim voc car mais seguro sobre o assunto.

sua resposta

1.

2.

3.

4.

2 Edio

Aula 11

Arquitetura Atmica e Molecular

15

Resumo
As ligaes inicas so formadas entre elementos ou grupos de elementos que
apresentem grandes diferenas de eletronegatividade. Nesta aula, estudamos
os mecanismos envolvidos nessas ligaes, abordando questes relacionadas
formao dos ons e interao entre estes para gerar compostos inicos, que
sempre so slidos cristalinos. Demos maior ateno aos aspectos energticos
e estruturais, porque so esses fatores que determinam a formao dos
compostos inicos. Sobre isso, vimos que a fase que mais contribui (liberando
energia) para estabilizar tais compostos a formao do retculo cristalino e que a
geometria dos cristais formados depende das dimenses dos ons constituintes
de cada composto. Vimos, tambm, que os dois fatores (energia reticular e
geometria) so to dependentes um do outro a ponto de permitir correlaes
matemticas tericas que reproduzem resultados experimentais com grande
preciso, chegando, por vezes, a desvios da ordem aproximada de 1%.

Auto-avaliao
1

Qual a razo das ligaes entre os elementos alcalinos e halognios terem carter
predominantemente inico?

Relembrando carga nuclear efetiva, voc acha que esse parmetro tem alguma
relao com a formao de ligaes inicas? Justique.

Ordene os dois conjuntos de compostos seguintes de acordo com suas estabilidades

termodinmicas:
a) NaF, NaCl e NaBr
b)LiF, NaF e KF. Agora, comente suas repostas.

4
5
16

Aula 11

Os ons Na+ e Mg2+ so isoeletrnicos; o F- e o O2- tambm. Ento, qual a razo da

energia reticular do NaF ser 929 kJmol-1 e a do MgO ser 3.850 kJ mol-1?

Qual a razo do nmero de coordenao no NaCl ser 6:6 e no CsCl ser 8:8?

Arquitetura Atmica e Molecular

2 Edio

Quais fatores so expressos pela constante de Madelung?

Qual a razo para que o NaCl e o CaO tenham a mesma constante de Madelung?

Nos compostos inicos, quais as duas grandezas que se equivalem quando os

ctions e os nions cam separados pela distncia r0 (comprimento das ligaes
na rede cristalina)?

Estime o expoente de Born para o CsCl e, usando a equao de Born-Land, calcule

a entalpia reticular do CsCl, sabendo que a distncia de ligao CsCl igual a 3,5
e a constante de Madelung 1,763.

10

O expoente de Born experimental do KBr 8,7. Qual a percentagem de erro no

valor da energia reticular calculada, usando-se o expoente de Born estimado a
partir dos valores referentes aos gases nobres isoeletrnicos aos ons desse sal?

Referncias
ATKINS, P. W.; JONES, L. Princpios de qumica. Porto Alegre: Bookman, 2001.
BRADY, J. E.; RUSSEL, J. E.; HOLUM, J. R. Qumica: a matria e suas transformaes. 3.ed.
Rio de Janeiro: LTC, 2003. v. 1 e 2.
GARRITZ, A.; CHAMIZO, J. A. Qumica. So Paulo: Prentice Hall, 2003.
J. D. LEE. Qumica inorgnica no to concisa. 5.ed. So Paulo: Edgard Blcher LTDA, 1999.
KOTZ, J. C.; TREICHEL JR, P. Qumica e reaes qumicas. 4.ed. Rio de Janeiro: LTC, 2002.
v. 1 e 2.
MAHAN, B. M.; MYERS, R. J. Qumica: um curso universitrio. 4.ed. So Paulo: Edgard
Blcher LTDA, 1993.
SHRIVER, D. F. E ATKINS, P. W. Qumica inorgnica. 3.ed. Porto Alegre: Bookman, 2003.

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Aula 11

Arquitetura Atmica e Molecular

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Anotaes

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Anotaes

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Anotaes

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Arquitetura Atmica e Molecular INTERDISCIPLINAR

EMENTA

Estrutura atmica e periodicidade dos elementos. Estrutura molecular e as ligaes qumicas. Foras intermoleculares.
As interaes nos lquidos. Ligaes qumicas nos slidos. Qumica nuclear.

AUTORES

> tom Anselmo de Oliveira

> Joana DArc Gomes Fernandes

AULAS

01 Evoluo dos modelos atmicos de Leucipo a Rutherford

02 Quantizao de energia e o modelo de Bohr
03 Natureza ondulatria da matria
04 O Modelo atmico atual e os nmeros qunticos
05 A Congurao eletrnica dos tomos
06 Tabela peridica dos elementos
07 Propriedades peridicas dos elementos
08 Ligaes qumicas: como se formam?
09 Ligaes covalentes formas moleculares e hibridizao
10 Ligaes covalentes - teoria do orbital molecular
11 As ligaes inicas
12 Ligao metlica e a teoria das bandas
13 As foras intermoleculares
14 O estado slido
15 Radioqumica