Instituto Politcnico Nacional

Escuela Superior de Ingeniera Mecnica y Elctrica

Ingeniera en Sistemas Automotrices

ELECTRNICA I
Ing. Adrian Mendoza Arriaga

AISLANTES, CONDUCTORES Y
SEMICONDUCTORES.

ELECTRNICA I

AISLANTES, CONDUCTORES Y
SEMICONDUCTORES.

ELECTRNICA I

AISLANTES, CONDUCTORES Y
SEMICONDUCTORES.

Silicio

Germanio

Carbn
ELECTRNICA I

BANDAS DE ENERGA.

ELECTRNICA I

BANDAS DE ENERGA.

Silicio

Germanio

Carbn
ELECTRNICA I

SILICIO Y GERMANIO.
El silicio es, por mucho, el material ms utilizado en diodos,
transistores, circuitos integrados y otros dispositivos semiconductores.
Observe que tanto el silicio como el germanio tienen los cuatro
electrones de valencia caractersticos.

ELECTRNICA I

SILICIO Y GERMANIO.
Los electrones de valencia del germanio residen en la cuarta capa,
mientras que los del silicio estn en la tercera, ms cerca al ncleo.

Esto significa que los electrones de valencia del germanio se

encuentran a niveles de energa ms altos que aquellos en el silicio y,
por consiguiente, requieren una cantidad de energa adicional ms
pequea para escaparse del tomo.
Esta propiedad hace que el germanio sea ms inestable a altas
temperaturas, lo que produce una excesiva corriente en inversa. Por
eso el silicio es un material semiconductor ms utilizado.

ELECTRNICA I

SEMICONDUCTORES TIPO P Y TIPO N.

Los materiales semiconductores en su estado intrnseco no conducen
bien la corriente y su valor es limitado. Esto se debe al nmero
limitado de electrones libres presentes en la banda de conduccin y
huecos presentes en la banda de valencia.
El silicio intrnseco (o germanio) se debe modificar incrementando el
nmero de electrones libres o huecos para aumentar su conductividad
y hacerlo til en dispositivos electrnicos. Esto se hace aadiendo
impurezas al material intrnseco.
Dos tipos de materiales semiconductores extrnsecos (impuros), el tipo
n y el tipo p, son los bloques de construccin fundamentales en la
mayora de los tipos de dispositivos electrnicos.

ELECTRNICA I

SEMICONDUCTORES TIPO P Y TIPO N.

Los materiales semiconductores en su estado intrnseco no conducen
bien la corriente y su valor es limitado. Esto se debe al nmero
limitado de electrones libres presentes en la banda de conduccin y
huecos presentes en la banda de valencia.
El silicio intrnseco (o germanio) se debe modificar incrementando el
nmero de electrones libres o huecos para aumentar su conductividad
y hacerlo til en dispositivos electrnicos. Esto se hace aadiendo
impurezas al material intrnseco.
Dos tipos de materiales semiconductores extrnsecos (impuros), el tipo
n y el tipo p, son los bloques de construccin fundamentales en la
mayora de los tipos de dispositivos electrnicos.

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SEMICONDUCTORES TIPO P Y TIPO N.

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EL DIODO
Si se toma un bloque de silicio y se dopa una parte de l con una
impureza trivalente y la otra con una impureza pentavalente, se forma
un lmite llamado unin pn entre las partes tipo p y tipo n resultantes
y se crea un diodo bsico.
Un diodo es un dispositivo que conduce corriente en slo una
direccin. La unin pn es la caracterstica que permite funcionar a
diodos, ciertos transistores y otros dispositivos.

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REGIO DE EMPOBRECIMIENTO
Cuando se forma la unin pn, la regin n pierde electrones libres a
medida que se difunden a travs de la unin. Esto crea una capa de
cargas positivas (iones pentavalentes) cerca de la unin.
A medida que los electrones se mueven a travs de sta, la regin p
pierde huecos a medida que los electrones y huecos se combinan. Esto
crea una capa de cargas negativas (iones trivalentes) cerca de la
unin. Estas dos capas de cargas positivas y negativas forman la
regin de empobrecimiento.

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POTENCIAL DE BARRERA.
En la regin de empobrecimiento existen muchas cargas positivas y
muchas cargas negativas en los lados opuestos de la unin pn.
Las fuerzas entre las cargas opuestas forman un campo elctrico, como
se indica en la figura 1-17(b) mediante flechas entre las cargas
positivas y las cargas negativas.

Este campo elctrico es una barrera para los electrones libres en la

regin n y se debe consumir energa para mover un electrn a travs
del campo elctrico; es decir, se debe aplicar energa externa para
hacer que los electrones se muevan a travs de la barrera del campo
elctrico en la regin de empobrecimiento.
La diferencia de potencial del campo elctrico a travs de la regin de
empobrecimiento es la cantidad de voltaje requerido para mover
electrones a travs del campo elctrico. Esta diferencia de potencial se
llama potencial de barrera y se expresa en volts.
ELECTRNICA I

POTENCIAL DE BARRERA.
Expresado de otra manera, se debe aplicar una cierta cantidad de
voltaje igual al potencial de barrera y con la polaridad apropiada a
travs de una unin pn para que los electrones comiencen a fluir a
travs de la unin.
El potencial de barrera de una unin pn depende de varios factores,
incluido el tipo de material semiconductor, la cantidad de dopado y la
temperatura.
El potencial de barrera tpico es aproximadamente
de 0.7 V para el silicio y de 0.3 V para el germanio a 25C.

ELECTRNICA I

INGENIERA EN SISTEMAS AUTOMOTRICES

ACADEMIA DE AUTOTRNICA

La Tcnica al Servicio de la Patria

Atte. A. Mendoza A.
ELECTRNICA I