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DiodoWikipedia,laenciclopedialibre

Diodo
DeWikipedia,laenciclopedialibre
Undiodoesuncomponenteelectrnicodedosterminalesquepermitelacirculacindelacorrienteelctricaatravs
delenunsolosentido.1Estetrminogeneralmenteseusaparareferirsealdiodosemiconductor,elmscomnenla
actualidadconstadeunapiezadecristalsemiconductorconectadaadosterminaleselctricos.Eldiododevaco(que
actualmenteyanoseusa,exceptoparatecnologasdealtapotencia)esuntubodevacocondoselectrodos:unalmina
comonodo,yunctodo.

Diodo

Deformasimplificada,lacurvacaractersticadeundiodo(IV)constadedosregiones:pordebajodeciertadiferencia
depotencial,secomportacomouncircuitoabierto(noconduce),yporencimadeellacomouncircuitocerradocon
unaresistenciaelctrica muy pequea. Debido a este comportamiento, se les suele denominar rectificadores, ya que
son dispositivos capaces de suprimir la parte negativa de cualquier seal, como paso inicial para convertir una
corriente alterna en corriente continua. Su principio de funcionamiento est basado en los experimentos de Lee De
Forest.
Los primeros diodos eran vlvulas o tubos de vaco, tambin llamados vlvulas termoinicas constituidos por dos
electrodosrodeadosdevacoenuntubodecristal,conunaspectosimilaraldelaslmparasincandescentes.Elinvento
fuedesarrolladoen1904porJohnAmbroseFleming,empleadodelaempresaMarconi,basndoseenobservaciones
realizadasporThomasAlvaEdison.
Aligualquelaslmparasincandescentes,lostubosdevacotienenunfilamento(elctodo)atravsdelcualcirculala
corriente,calentndoloporefectoJoule.Elfilamentoesttratadoconxidodebario,demodoquealcalentarseemite
electronesalvacocircundanteloscualessonconducidoselectrostticamentehaciaunaplaca,curvadaporunmuelle
doble,cargadapositivamente(elnodo),producindoseaslaconduccin.Evidentemente,sielctodonosecalienta,
nopodrcederelectrones.Poresarazn,loscircuitosqueutilizabanvlvulasdevacorequeranuntiempoparaque
lasvlvulassecalentaranantesdepoderfuncionarylasvlvulassequemabanconmuchafacilidad.

Diodoenprimerplano.Nteselaformacuadradadelcristal
semiconductor(objetonegrodelaizquierda).

Tipo

Semiconductor

Principiode
funcionamiento

EfectoEdison

Invencin

JohnAmbroseFleming
(1904)
Smboloelectrnico

Configuracin

ndice

nodoyCtodo

[editardatosenWikidata]

1 Historia
2 Diodostermoinicosydeestadogaseoso
3 Diodosemiconductor
3.1 Polarizacindirectadeundiodo
3.2 Polarizacininversadeundiodo
3.3 Curvacaractersticadeldiodo
3.4 Modelosmatemticos
4 Tiposdediodosemiconductor
5 Aplicacionesdeldiodo
6 Referencias
7 Enlacesexternos

Historia
Aunqueeldiodosemiconductordeestadoslidosepopularizantesdeldiodotermoinico,ambossedesarrollaronalmismotiempo.
En1873FrederickGuthriedescubrielprincipiodeoperacindelosdiodostrmicos.Guhtriedescubriqueunelectroscopiocargado
positivamentepodadescargarsealacercarseunapiezademetalcaliente,sinnecesidaddequestelotocara.Nosucedalomismocon
unelectroscopiocargadonegativamente,reflejandoestoqueelflujodecorrienteeraposiblesolamenteenunadireccin.
Independientemente, el 13 de febrero de 1880 Thomas Edison redescubre el principio. A su vez, Edison investigaba por qu los
filamentosdecarbndelasbombillassequemabanalfinaldelterminalpositivo.lhabaconstruidounabombillaconunfilamento
adicional y una con una lmina metlica dentro de la lmpara, elctricamente aislada del filamento. Cuando us este dispositivo,
confirmqueunacorrientefluadelfilamentoincandescenteatravsdelvacoalalminametlica,peroestoslosucedacuandola
lminaestabaconectadapositivamente.
EdisondiseuncircuitoquereemplazalabombillaporunresistorconunvoltmetrodeDC,yobtuvounapatenteparaesteinventoen
1884.Aparentementenotenausoprcticoparaesapoca.Porlocual,lapatenteeraprobablementeparaprecaucin,encasodeque
alguienencontraraunusoalllamadoEfectoEdison.
Aproximadamente20aosdespus,JohnAmbroseFleming(cientficoasesordeMarconiCompanyyantiguoempleadodeEdison)se
diocuentaqueelefectoEdisonpodrausarsecomounradiodetectordeprecisin.FlemingpatentelprimerdiodotermoinicoenGran
Bretaael16denoviembrede1904.
En 1874 el cientfico alemn Karl Ferdinand Braun descubri la naturaleza de conducir por una sola direccin de los cristales
semiconductores.Braunpatentelrectificadordecristalen1899.Losrectificadoresdexidodecobreyseleniofuerondesarrollados
paraaplicacionesdealtapotenciaenladcadadelos1930.

Diododevaco,usado
comnmentehastalainvencin
deldiodosemiconductor,este
ltimotambinllamadodiodode
estadoslido.

El cientfico indio Jagdish Chandra Bose fue el primero en usar un cristal semiconductor para detectar ondas de radio en 1894. El
detectordecristalsemiconductorfuedesarrolladoenundispositivoprcticoparalarecepcindesealesinalmbricasporGreenleafWhittierPickard, quin invent un
detectordecristaldesilicioen1903yrecibiunapatentedeelloel20denoviembrede1906.Otrosexperimentosprobaroncongranvariedaddesustancias,delascualesse
usampliamenteelmineralgalena.Otrassustanciasofrecieronunrendimientoligeramentemayor,peroelgalenafueelquemsseusporquetenalaventajadeserbarato
yfcildeobtener.Alprincipiodelaeradelaradio,eldetectordecristalsemiconductorconsistadeuncableajustable(elmuynombradobigotedegato)elcualsepoda
movermanualmenteatravsdelcristalparaasobtenerunasealptima.Estedispositivoproblemticofuerpidamentesuperadoporlosdiodostermoinicos,aunqueel
detectordecristalsemiconductorvolviausarsefrecuentementeconlallegadadeloseconmicosdiodosdegermanioenladcadade1950.
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Enlapocadesuinvencin,estosdispositivosfueronconocidoscomorectificadores.En1919,WilliamHenryEcclesacueltrminodiododelgriegodia,quesignifica
separado,yode(de),quesignificacamino.

Diodostermoinicosydeestadogaseoso
Losdiodostermoinicossondispositivosdevlvulatermoinica(tambinconocidacomotubodevaco),queconsistenenunarreglode
electrodosempacadosenunvidrioalvaco.Losprimerosmodeloseranmuyparecidosalalmparaincandescente.
Enlosdiodosdevlvulatermoinica,unacorrienteatravsdelfilamentoquesevaacalentarcalientaindirectamenteelctodo,otro
electrodointernotratadoconunamezcladeBarioyxidodeestroncio,loscualessonxidosalcalinotrreosseeligenestassustancias
porque tienen una pequea funcin de trabajo (algunas vlvulas usan calentamiento directo, donde un filamento de tungsteno acta
como calentador y como ctodo). El calentamiento causa emisin termoinica de electrones en el vaco. En polarizacin directa, el
nodo estaba cargado positivamente por lo cual atraa electrones. Sin embargo, los electrones no eran fcilmente transportados de la
superficiedelnodoquenoestabacalientecuandolavlvulatermoinicaestabaenpolarizacininversa.Adems,cualquiercorriente
enestecasoesinsignificante.
En la mayor parte del siglo XX, los diodos de vlvula termoinica se usaron en aplicaciones de seales anlogas, rectificadores y
potencia.Actualmente,losdiodosdevlvulasolamenteseusanenaplicacionesexclusivascomorectificadoresenguitarraselctricas,
amplificadoresdeaudio,ascomoequipoespecializadodealtatensin.

Diodosemiconductor

Smbolodeundiododevacoo
gaseoso.Dearribaaabajo,sus
componentesson,elnodo,el
ctodo,yelfilamento.

Undiodosemiconductormodernoesthechodecristalsemiconductorcomoelsilicioconimpurezasenlparacrearunareginque
contenga portadores de carga negativa (electrones), llamada semiconductor de tipo n, y una regin en el otro lado que contenga
portadoresdecargapositiva(huecos),llamadasemiconductortipop.Lasterminalesdeldiodoseunenacadaregin.Ellmitedentro
del cristal de estas dos regiones, llamado una unin PN, es donde la importancia del diodo toma su lugar. El cristal conduce una
corrientedeelectronesdelladon(llamadoctodo),peronoenladireccinopuestaesdecir,cuandounacorrienteconvencionalfluye
delnodoalctodo(opuestoalflujodeloselectrones).
Al unir ambos cristales, se manifiesta una difusin de electrones del cristal n al p (Je). Al establecerse una corriente de difusin,
aparecencargasfijasenunazonaaambosladosdelaunin,zonaquerecibeelnombrederegindeagotamiento.
Amedidaqueprogresaelprocesodedifusin,laregindeagotamientovaincrementandosuanchuraprofundizandoenloscristalesa
ambosladosdelaunin.Sinembargo,laacumulacindeionespositivosenlazonanydeionesnegativosenlazonap,creauncampo
elctrico(E)queactuarsobreloselectroneslibresdelazonanconunadeterminadafuerzadedesplazamiento,queseopondrala
corrientedeelectronesyterminardetenindolos.

Formacindelareginde
agotamiento,enlagrficaz.c.e.

Estecampoelctricoesequivalenteadecirqueapareceunadiferenciadetensinentrelaszonaspyn.Estadiferenciadepotencial(VD)esde0,7Venelcasodelsilicioy
0,3Vparaloscristalesdegermanio.
Laanchuradelaregindeagotamientounavezalcanzadoelequilibrio,sueleserdelordende0,5micrasperocuandounodeloscristalesestmuchomsdopadoqueel
otro,lazonadecargaespacialesmuchomayor.
Cuandosesometealdiodoaunadiferenciadetensinexterna,sedicequeeldiodoestpolarizado,pudiendoserlapolarizacindirectaoinversa.

Polarizacindirectadeundiodo
Enestecaso,labateradisminuyelabarreradepotencialdelazonadecargaespacial,permitiendoelpasodelacorrientedeelectronesa
travsdelauninesdecir,eldiodopolarizadodirectamenteconducelaelectricidad.
Paraqueundiodoestpolarizadodirectamente,sedebeconectarelpolopositivodelabateraalnododeldiodoyelpolonegativoal
ctodo.Enestascondicionespodemosobservarque:
Elpolonegativodelabaterarepeleloselectroneslibresdelcristaln,conloqueestoselectronessedirigenhacialauninpn.
Elpolopositivodelabateraatraealoselectronesdevalenciadelcristalp,estoesequivalenteadecirqueempujaaloshuecos
hacialauninpn.
Polarizacindirectadeldiodopn.
Cuando la diferencia de potencial entre los bornes de la batera es mayor que la diferencia de potencial en la zona de carga
espacial, los electrones libres del cristal n, adquieren la energa suficiente para saltar a los huecos del cristal p, los cuales
previamentesehandesplazadohacialauninpn.
Unavezqueunelectrnlibredelazonansaltaalazonapatravesandolazonadecargaespacial,caeenunodelosmltipleshuecosdelazonapconvirtindoseen
electrndevalencia.Unavezocurridoestoelelectrnesatradoporelpolopositivodelabateraysedesplazadetomoentomohastallegaralfinaldelcristalp,
desdeelcualseintroduceenelhiloconductoryllegahastalabatera.
De este modo, con la batera cediendo electrones libres a la zona n y atrayendo electrones de valencia de la zona p, aparece a travs del diodo una corriente elctrica
constantehastaelfinal.

Polarizacininversadeundiodo
Enestecaso,elpolonegativodelabateraseconectaalazonapyelpolopositivoalazonan,loquehaceaumentarlazonadecargaespacial,ylatensinendichazona
hastaquesealcanzaelvalordelatensindelabatera,talycomoseexplicaacontinuacin:
Elpolopositivodelabateraatraealoselectroneslibresdelazonan,loscualessalendelcristalnyseintroducenenelconductordentrodelcualsedesplazanhasta
llegaralabatera.Amedidaqueloselectroneslibresabandonanlazonan,lostomospentavalentesqueanteseranneutros,alversedesprendidosdesuelectrnenel
orbital de conduccin, adquieren estabilidad (8 electrones en la capa de valencia, ver semiconductor y tomo) y una carga elctrica neta de +1, con lo que se
conviertenenionespositivos.
Elpolonegativodelabateracedeelectroneslibresalostomostrivalentesdelazonap.Recordemosqueestostomosslotienen3electronesdevalencia,conlo
queunavezquehanformadolosenlacescovalentesconlostomosdesilicio,tienensolamente7electronesdevalencia,siendoelelectrnquefaltaeldenominado
hueco.Elcasoesquecuandoloselectroneslibrescedidosporlabateraentranenlazonap,caendentrodeestoshuecosconloquelostomostrivalentesadquieren
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estabilidad(8electronesensuorbitaldevalencia)yunacargaelctricanetade1,convirtindoseasenionesnegativos.
Esteprocesoserepiteunayotravezhastaquelazonadecargaespacialadquiereelmismopotencialelctricoquelabatera.
Enestasituacin,eldiodonodeberaconducirlacorrientesinembargo,debidoalefectodelatemperaturaseformarnpareselectrn
hueco(versemiconductor)aambosladosdelauninproduciendounapequeacorriente(delordende1A)denominadacorriente
inversadesaturacin.Adems,existetambinunadenominadacorrientesuperficialdefugaslacual,comosupropionombreindica,
conduceunapequeacorrienteporlasuperficiedeldiodoyaqueenlasuperficie,lostomosdesilicionoestnrodeadosdesuficientes
tomos para realizar los cuatro enlaces covalentes necesarios para obtener estabilidad. Esto hace que los tomos de la superficie del
diodo,tantodelazonancomodelap,tenganhuecosensuorbitaldevalenciaconloqueloselectronescirculansindificultadatravs
deellos.Noobstante,aligualquelacorrienteinversadesaturacin,lacorrientesuperficialdefugaesdespreciable.

Curvacaractersticadeldiodo
Tensinumbral,decodoodepartida(V).
Latensinumbral(tambinllamadabarreradepotencial)depolarizacindirectacoincideenvalorconlatensindelazonade
carga espacial del diodo no polarizado. Al polarizar directamente el diodo, la barrera de potencial inicial se va reduciendo,
incrementandolacorrienteligeramente,alrededordel1%delanominal.Sinembargo,cuandolatensinexternasuperalatensin
umbral,labarreradepotencialdesaparece,deformaqueparapequeosincrementosdetensinseproducengrandesvariaciones
delaintensidaddecorriente.
Corrientemxima(Imax).
Es la intensidad de corriente mxima que puede conducir el diodo sin fundirse por el efectoJoule. Dado que es funcin de la
cantidaddecalorquepuededisipareldiodo,dependesobretododeldiseodelmismo.
Corrienteinversadesaturacin(Is).
Eslapequeacorrientequeseestablecealpolarizarinversamenteeldiodoporlaformacindepareselectrnhuecodebidoala
temperatura,admitindosequeseduplicaporcadaincrementode10Cenlatemperatura.
Corrientesuperficialdefugas.
Eslapequeacorrientequecirculaporlasuperficiedeldiodo(verpolarizacininversa),estacorrienteesfuncindelatensin
aplicadaaldiodo,conloquealaumentarlatensin,aumentalacorrientesuperficialdefugas.
Tensinderuptura(Vr).
Eslatensininversamximaqueeldiodopuedesoportarantesdedarseelefectoavalancha.

Polarizacininversadeldiodopn.

Curvacaractersticadeldiodo.

Tericamente,alpolarizarinversamenteeldiodo,esteconducirlacorrienteinversadesaturacinenlarealidad,apartirdeundeterminadovalordelatensin,eneldiodo
normalodeuninabruptalarupturasedebealefectoavalanchanoobstantehayotrotipodediodos,comolosZener,enlosquelarupturapuededeberseadosefectos:
Efecto avalancha (diodos poco dopados). En polarizacin inversa se generan pares electrnhueco que provocan la corriente inversa de saturacin si la tensin
inversaeselevadaloselectronesseaceleranincrementandosuenergacinticadeformaquealchocarconelectronesdevalenciapuedenprovocarsusaltoalabanda
deconduccin.Estoselectronesliberados,asuvez,seaceleranporefectodelatensin,chocandoconmselectronesdevalenciayliberndolosasuvez.Elresultado
esunaavalanchadeelectronesqueprovocaunacorrientegrande.Estefenmenoseproduceparavaloresdelatensinsuperioresa6V.
EfectoZener(diodosmuydopados).Cuantomsdopadoestelmaterial,menoreslaanchuradelazonadecarga.PuestoqueelcampoelctricoEpuedeexpresarse
como cociente de la tensin V entre la distancia d cuando el diodo est muy dopado, y por tanto d sea pequeo, el campo elctrico ser grande, del orden de
3105V/cm. En estas condiciones, el propio campo puede ser capaz de arrancar electrones de valencia incrementndose la corriente. Este efecto se produce para
tensionesde4Vomenores.
Paratensionesinversasentre4y6Vlarupturadeestosdiodosespeciales,comolosZener,sepuedeproducirporambosefectos.

Modelosmatemticos
ElmodelomatemticomsempleadoeseldeShockley(enhonoraWilliamBradfordShockley)quepermiteaproximarelcomportamientodeldiodoenlamayoradelas
aplicaciones.Laecuacinquerelacionalaintensidaddecorrienteyladiferenciadepotenciales:

Donde:
Ieslaintensidaddelacorrientequeatraviesaeldiodo
VDesladiferenciadetensinentresusextremos.
ISeslacorrientedesaturacin(aproximadamente
)
n es el coeficiente de emisin, dependiente del proceso de fabricacin del diodo y que suele adoptar valores entre 1 (para el germanio) y del orden de 2 (para el
silicio).
ElVoltajetrmicoVTesaproximadamente25.85mVen300K,unatemperaturacercanaalatemperaturaambiente,muyusadaenlosprogramasdesimulacindecircuitos.
Paracadatemperaturaexisteunaconstanteconocidadefinidapor:

DondekeslaconstantedeBoltzmann,Teslatemperaturaabsolutadelauninpn,yqeslamagnituddelacargadeunelectrn(lacargaelemental).
LaecuacindediodoidealdeShockleyolaleydediodosederivadeasumirquesololosprocesosqueledancorrientealdiodosonporelflujo(debidoalcampoelctrico),
difusin,ylarecombinacintrmica.Tambinasumequelacorrientederecombinacinenlaregindeagotamientoesinsignificante.Estosignificaquelaecuacinde
Shockleynotieneencuentalosprocesosrelacionadosconlareginderupturaeinduccinporfotones.Adicionalmente,nodescribelaestabilizacindelacurvaIVen
polarizacinactivadebidoalaresistenciainterna.
Bajo voltajes negativos, la exponencial en la ecuacin del diodo es insignificante. y la corriente es una constante negativa del valor de Is. La regin de ruptura no est
modeladaenlaecuacindediododeShockley.
Paravoltajesgrandes,enlaregindepolarizacindirecta,sepuedeeliminarel1delaecuacin,quedandocomoresultado:

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Conobjetodeevitarelusodeexponenciales,enocasionesseempleanmodelosanmssimples,quemodelanlaszonasdefuncionamientodeldiodoportramosrectosson
losllamadosmodelosdecontinuaodeRamseal.Elmssimpledetodoseseldiodoideal.

Tiposdediodosemiconductor
Existenvariostiposdediodos,quepuedendiferirensuaspectofsico,impurezas,usodeelectrodos,quetienencaractersticaselctricas
particularesusadosparaunaaplicacinespecialenuncircuito.Elfuncionamientodeestosdiodosesfundamentadoporprincipiosdela
mecnicacunticayteoradebandas.
Losdiodosnormales,loscualesoperancomosedescribamsarriba,sehacengeneralmentedesiliciodopadoogermanio.Antesdel
desarrollodeestosdiodosrectificadoresdesilicio,seusabaelxidocuprosoyelselenio:subajaeficiencialediounacadadetensin
muyalta(desde1,4a1,7V)yrequerandeunagrandisipacindecalormuchomsgrandequeundiododesilicio.Lagranmayorade
losdiodospnseencuentranencircuitosintegradosCMOS,queincluyendosdiodosporpinymuchosotrosdiodosinternos.
Diodoavalancha(TVS):Diodosqueconducenendireccincontrariacuandoelvoltajeeninversosuperaelvoltajederuptura,
tambin se conocen como diodosTVS. Electricmente son similares a los diodos Zener, pero funciona bajo otro fenmeno, el
efecto avalancha. Esto sucede cuando el campo elctrico inverso que atraviesa la unin pn produce una onda de ionizacin,
similar a una avalancha, produciendo una corriente. Los diodos avalancha estn diseados para operar en un voltaje inverso
definido sin que se destruya. La diferencia entre el diodo avalancha (el cual tiene un voltaje de reversa de aproximadamente
6.2V)yeldiodozeneresqueelanchodelcanaldelprimeroexcedela"libreasociacin"deloselectrones,porloqueseproducen
colisionesentreellosenelcamino.Lanicadiferenciaprcticaesquelosdostienencoeficientesdetemperaturadepolaridades
opuestas(ladisipacindecalormximaesmayorenundiodozener,esporelloqueestosseempleanprincipalmenteencircuitos
reguladoresdetensin).Estetipodediodosseempleanparaeliminarvoltajesycorrientestransitoriosquepudieranprovocarun
malfuncionamientodeunbusdedatosqueconectedosdispositivossensiblesavoltajestransitorios.
Diodo de Silicio: Suelen tener un tamao milimtrico y, alineados, constituyen detectores multicanal que permiten obtener
espectros en milisegundos. Son menos sensibles que los fotomultiplicadores. Es un semiconductor de tipo p (con huecos) en
contacto con un semiconductor de tipo n (electrones). La radiacin comunica la energa para liberar los electrones que se
desplazanhacialoshuecos,estableciendounacorrienteelctricaproporcionalalapotenciaradiante.
Diododecristal:Esuntipodediododecontacto.Eldiodocristalconsistedeuncabledemetalafiladopresionadocontraun
cristalsemiconductor,generalmentegalenaodeunapartedecarbn.Elcableformaelnodoyelcristalformaelctodo.Los
diodosdecristaltienenunagranaplicacinenlosradioagalena.Losdiodosdecristalestnobsoletos,peropuedeconseguirse
todavadealgunosfabricantes.
Diododecorrienteconstante:RealmenteesunJFET,consucompuertaconectadaalafuente,yfuncionacomounlimitadorde
corrientededosterminalesanlogoaldiodoZener,elcuallimitaelvoltaje.Permitenunacorrienteatravsdeellosparaalcanzar
un valor adecuado y as estabilizarse en un valor especfico. Tambin suele llamarse CLDs (por sus siglas en ingls) o diodo
reguladordecorriente.

Variosdiodossemiconductores,
abajo:unpuenterectificador.En
lamayoradelosdiodos,el
terminalctodoseindicapintando
unafranjablancaonegra.

DiodotneloEsaki:Tienenunaregindeoperacinqueproduceunaresistencianegativadebidoal efectotnel,permitiendoamplificarsealesycircuitosmuy
simples que poseen dos estados. Debido a la alta concentracin de carga, los diodos tnel son muy rpidos, pueden usarse en temperaturas muy bajas, campos
magnticosdegranmagnitudyenentornosconradiacinalta.Porestaspropiedades,suelenusarseenviajesespaciales.
DiodoGunn:SimilaraldiodotnelsonconstruidosdematerialescomoGaAsoInPqueproduceunaresistencianegativa.Bajocondicionesapropiadas,lasformas
dedominiodeldipoloypropagacinatravsdeldiodo,permitiendoosciladoresdeondasmicroondasdealtafrecuencia.
DiodoemisordeluzoLEDdelacrnimoingls,lightemittingdiode:Esundiodoformadoporunsemiconductorconhuecosen
su banda de energa, tal como arseniuro de galio, los portadores de carga que cruzan la unin emiten fotones cuando se
recombinanconlosportadoresmayoritariosenelotrolado.Dependiendodelmaterial,lalongituddeondaquesepuedenproducir
varadesdeelinfrarrojohastalongitudesdeondacercanasalultravioleta.Elpotencialqueadmitenestosdiodosdependendela
longituddeondaqueellosemiten:2.1Vcorrespondealrojo,4.0Valvioleta.Losprimerosledesfueronrojosyamarillos.Los
ledesblancossonenrealidadcombinacionesdetresledesdediferentecolorounledazulrevestidoconuncentelleadoramarillo.
Los ledes tambin pueden usarse como fotodiodos de baja eficiencia en aplicaciones de seales. Un led puede usarse con un
fotodiodoofototransistorparaformarunoptoacoplador.
Diodolser:Cuandolaestructuradeunledseintroduceenunacavidadresonanteformadaalpulirlascarasdelosextremos,se
puede formar un lser. Los diodos lser se usan frecuentemente en dispositivos de almacenamiento pticos y para la
comunicacinpticadealtavelocidad.
Ledesdedistintoscolores.

Diodotrmico:Estetrminotambinseusaparalosdiodosconvencionalesusadosparamonitorearlatemperaturaalavariacin
de voltaje con la temperatura, y para refrigeradores termoelctricos para la refrigeracin termoelctrica. Los refrigeradores
termoelctricossehacendesemiconductores,aunqueellosnotienenningunauninderectificacin,aprovechanelcomportamientodistintodeportadoresdecargade
lossemiconductorestipoPyNparatransportarelcalor.
Fotodiodos:Todoslossemiconductoresestnsujetosaportadoresdecargapticos.Generalmenteesunefectonodeseado,porloquemuchosdelossemiconductores
estnempacadosenmaterialesquebloqueanelpasodelaluz.Losfotodiodostienenlafuncindesersensiblesalaluz(fotocelda),porloqueestnempacadosen
materialesquepermitenelpasodelaluzysonporlogeneralPIN(tipodediodomssensiblealaluz).Unfotodiodopuedeusarseenceldassolares,enfotometrao
encomunicacinptica.Variosfotodiodospuedenempacarseenundispositivocomounarreglolinealocomounarreglodedosdimensiones.Estosarreglosnodeben
confundirseconlosdispositivosdecargaacoplada.
Diodoconpuntasdecontacto: Funcionan igual que los diodos semiconductores de unin mencionados anteriormente aunque su construccin es ms simple. Se
fabricaunaseccindesemiconductortipon,ysehaceunconductordepuntaagudaconunmetaldelgrupo3demaneraquehagacontactoconelsemiconductor.
Algodelmetalmigrahaciaelsemiconductorparahacerunapequearegindetipopcercadelcontacto.Elmuyusado1N34(defabricacinalemana)anseusaen
receptoresderadiocomoundetectoryocasionalmenteendispositivosanalgicosespecializados.
DiodoPIN:UndiodoPINtieneunaseccincentralsindoparseoenotraspalabrasunacapaintrnsecaformandounaestructurapintrnsecan.Sonusadoscomo
interruptoresdealtafrecuenciayatenuadores.Tambinsonusadoscomodetectoresderadiacinionizantedegranvolumenycomofotodetectores.LosdiodosPIN
tambin se usan en la electrnica de potencia y su capa central puede soportar altos voltajes. Adems, la estructura del PIN puede encontrarse en dispositivos
semiconductoresdepotencia,talescomoIGBTs,MOSFETsdepotenciaytiristores.
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DiodoSchottky:EldiodoSchottkyestnconstruidosdeunmetalauncontactodesemiconductor.Tieneunatensinderupturamuchomenorquelosdiodospn.Su
tensin de ruptura en corrientes de 1mA est en el rango de 0.15V a 0.45V, lo cual los hace tiles en aplicaciones de fijacin y prevencin de saturacin en un
transistor.Tambinsepuedenusarcomorectificadoresconbajasprdidasaunquesucorrientedefugaesmuchomsaltaqueladeotrosdiodos.LosdiodosSchottky
sonportadoresdecargamayoritariosporloquenosufrendeproblemasdealmacenamientodelosportadoresdecargaminoritariosqueralentizanlamayoradelos
demsdiodos(porloqueestetipodediodostieneunarecuperacininversamsrpidaquelosdiodosdeuninpn.Tiendenatenerunacapacitanciadeuninmucho
msbajaquelosdiodospnquefuncionancomointerruptoresvelocesyseusanparacircuitosdealtavelocidadcomofuentesconmutadas,mezcladordefrecuenciasy
detectores.
Stabistor: El stabistor (tambin llamado Diodo de Referencia en Directa) es un tipo especial de diodo de silicio cuyas caractersticas de tensin en directa son
extremadamente estables. Estos dispositivos estn diseados especialmente para aplicaciones de estabilizacin en bajas tensiones donde se requiera mantener la
tensinmuyestabledentrodeunampliorangodecorrienteytemperatura.
Diodo Varicap: El diodo Varicap conocido como diodo de capacidad variable o varactor, es un diodo que aprovecha determinadas tcnicas constructivas para
comportarse,antevariacionesdelatensinaplicada,comouncondensadorvariable.Polarizadoeninversa,estedispositivoelectrnicopresentacaractersticasque
sondesumautilidadencircuitossintonizados(LC),dondesonnecesariosloscambiosdecapacidad.

Aplicacionesdeldiodo
Rectificadordemediaonda
Rectificadordeondacompleta
Rectificadorenparalelo
Dobladordetensin
EstabilizadorZener
Led
Limitador
Circuitofijador
Multiplicadordetensin
Divisordetensin

Referencias
23

1.[https:books.google.esbooks?
id=77sPBAAAQBAJ&pg=PT39&dq=Se+denominan+componentes+electr%C3%B3nicos&hl=es&sa=X&ved=0ahUKEwjW5b6395DLAhXCvBQKHeofBI4Q6AEIJTAA#v=onepage&q=Se%20den
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