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Tlcom Bretagne
En habilitation conjointe avec lUniversit de Bretagne Occidentale
Ecole Doctorale sicma
Thse de Doctorat
Mention : Sciences et Technologies de linformation et de la Communication
Prsente par Amar Adane
Dpartement : Micro-ondes
Laboratoire : Lab-STICC Ple : Micro-Ondes et Matriaux (MOM)
Jury :
Rapporteurs
Mohamed Himdi Professeur, Universit de Rennes 1, IETR
Cyril Luxey - Professeur, Universit de Nice Sophia Antipolis, LEAT
Examinateurs
Cedric Quendo Professeur, Universit de Bretagne Occidentale, LabSTICC
Daniela Dragomirescu Matre de confrences, LAAS-CNRS - Groupe MINC
Christian Person - Professeur, Telecom Bretagne, Lab-STICC
Franois Galle - Matre de confrences, Telecom Bretagne, Lab-STICC
Invit
Florent Christophe - Ingnieur R&D, ONERA DEMR, Toulouse
REMERCIEMENTS
Ce travail de thse a t ralis au sein du Laboratoire Microondes de Tlcom-bretagne et
a contribu au projet LIMA effectu en collaboration avec LAAS (Toulouse) et financ par la
Fondation de Recherche en Aronautique et Spatiale (FRAE).
Je tiens tout dabord remercier Monsieur Christian Person, mon directeur de thse, pour
de multiples raisons, et en particulier, pour m'avoir offert l'opportunit de travailler sur un
sujet de thse passionnant. Jai surtout apprci la confiance quil a plac en moi durant mes
annes de recherche o j'tais sous sa direction.
Je remercie trs chaleureusement Monsieur Franois Galle qui grce la qualit de son
encadrement, son esprit critique et le niveau de son raisonnement scientifique ont fait que jai
progress dans mes travaux de recherches.
J'exprime toute ma gratitude au Chef de Dpartement Monsieur Patrice Pajusco qui m'a
chaleureusement accueilli au sein du Laboratoire Microondes Tlcom-bretagne
Je remercie vivement les deux rapporteurs de ma thse, MM. Cyril Luxey et Mohamed
Himdi, pour la grande qualit de leur rapport et la pertinence de leurs observations, ainsi que
les autres membres du jury, MM. Cedric Quendo, Prsident de Jury, et Florent Christophe,
Invit, qui m'ont honor de leur prsence lors de la soutenance ma thse. En les ctoyant, j'ai
pu apprcier la richesse de leurs interventions, leur humilit et leur extrme gentillesse.
Mes plus vifs remerciements vont nos collaborateurs du LAAS, Mme Daniela
Dragomirescu, examinatrice, Mr Vincent. Puyal, Mme Christina Villeneuve, et Mr Gatan
Prigent, pour la pertinence de leurs remarques et leur aide non ngligeable. Ils s'adressent
aussi aux techniciens du Lab-STICC, MM. Raymond Jzquel, Serge Pinel, Guy Chuiton et
Pascal Coant, pour leur efficacit et leur grande disponibilit lorsque je les avais sollicits.
J'exprime mes profonds remerciements et ma sincre amiti mes collgues Faicel Ouasli,
Walid El Hajj, Chafik Merkak, Mohamed Rabie Oularbi, Jean Michel Denoual, Nicolas
Picard, Sylvain Chenu, Ling Yan Zhang, Nolwenn Caillet, Arij Farhat, Christophe Calvez,
Julien Boucher, et Gaton Guevel.
Pour finir, je voudrais remercier tous ceux qui ont t l pour moi durant ces annes de
thse, et surtout toute ma famille pour m'avoir apport tout le temps un soutien sans faille,
dont mon pre qui m'a clair par ses prcieux conseils, ainsi que ma mre et ma femme qui
en plus de leur rconfort permanent, m'ont aid dans la prparation du pot.
Glossaire
TVHD: TlVision Haute Dfinition
GPS: Global Positioning System
LIMA: LIaison Millimtrique Adaptative
UMTS: Universal Mobile Telecommunications System
VOIP: Voice Over Internet Protocol)
MPEG: Moving Picture Experts Group
WLAN: Wireless Local Area Network
BER: Bit error ratio
OLOS: Obscur Line Of Sight
LOS: Line Of Sight
NLOS: No Line Of Sight
RF: Radio Frquence
QAM: Quadrature amplitude modulation
MIMO: Multiple-Input Multiple-Output
OFDM: Orthogonal Frequency Division Modulation
U.I.T: Union Internationale des Tlcommunications
PIRE: Puissance Isotrope Rayonne Equivalente
FCC: Federal Communication Commission
WPAN: Wireless Personal Area Network
IBM: International Business Machines
NEC: Nippon Electric Company
NICT: National Institution of Information and Communication Technology
SC: Single Carier
HSI: High-speed interface
AV: Audio / vido
BPSK: Binary Phase-shift Keying
QPSK: Quadrature Phase-shift Keying
PSK: Phase-shift Keying
MSK: Minimum-shift keying
DAMI: Dual Alternate Mark Inversion
HRP: High Rate PHY
Introduction
Cette thse sinscrit dans un contexte de communications RF haut dbit pour des
applications aronautiques. Nos travaux scientifiques reports dans celle-ci, ont t
dvelopps au laboratoire LabSTICC UMR3192-Brest dans le cadre dun projet de recherche
en collaboration avec le laboratoire LAAS CNRS Toulouse, intitul LIMA (Liaisons
MIllimtriques Adaptatives). Ce projet et par consquent, le sujet de thse portent un intrt
particulier, dune part, aux liaisons radiofrquences (RF) dans la gamme des ondes
millimtriques, et dautre part, aux liaisons antennaires dites adaptatives ou reconfigurables
bases sur la formation de faisceau (ou beamforming). Notre principale proccupation s'est
focalise sur la conception de fonctions antennaires qui vont quiper un dispositif RF complet
en bande millimtrique dans le cas de transmissions sans fil l'intrieur d'un avion.
Pour identifier les caractristiques dsires de nos antennes, nos travaux se sont
attachs, tout dabord, tudier et dvelopper une solution de rseau de tlcommunications
en bande millimtrique pour des applications trs haut dbit bord davions de ligne,
utilisables par le personnel et les passagers. Les applications vises sont illustres par la figure
ci-aprs:
Ce sont des applications sans fil essentiellement destines au grand public, comme la
tlphonie mobile, lInternet haut dbit, voire des applications trs haut dbit telles que la
TVHD (Tlvision Haute Dfinition). Elles ont l'intrt de rendre plus confortables et plus
agrables les vols de longue dure. Avec ce type de liaison, les challenges auxquels nous
sommes confronts sont:
Pour rpondre toutes ces exigences, notre manuscrit de thse a t structur en cinq
chapitres.
Dans le Chapitre I, un tat de lart et une analyse prliminaire sont effectus sur les
rseaux de communication dans les moyens de transport et en particulier lintrieur des
avions. Ensuite, des possibilits de liaisons point point et point-multipoint haut dbit sont
identifies en sappuyant sur les solutions technologiques connues dans la bande
millimtrique. Finalement, un scnario complet est adopt et un cahier des charges est fix
pour la mise en place d'un rseau sans fil dans la bande des 60 GHz, capable dtablir des
communications haut dbit au profit des passagers d'un avion.
Le Chapitre II dcrit larchitecture du front-end radio retenu pour la mise en uvre de
notre scnario. La liaison se faisant par formation de faisceau, la partie antennaire de ce frontend est un rseau dantennes commandes par des dphaseurs lectroniques. C'est une
architecture dantenne reconfigurable, choisie suivant les spcificits de la norme
IEEE 802.15.3c 60 GHz. Aprs un tat de l'art, la commande lectronique est identifie en
recherchant les meilleures performances et la simplicit de ralisation. Pour limiter les
problmes dinterconnexion, tous les composants du front-end radio doivent tre intgrs sur
Silicium. Dans ces conditions, les antennes planaires implantes sur un substrat en Silicium et
fonctionnant en bande millimtrique, ainsi que les techniques d'intgration sur Silicium, ont
aussi fait l'objet d'un tat de l'art. Lantenne patch ralise suivant la technologie de la
membrane sur Silicium, est alors choisie, car offrant le meilleur compromis en termes de
caractristiques de rayonnement, de bande passante, de simplicit de mise en uvre, de
compacit et de facilit de mise en rseau.
Dans le Chapitre III, sont prsents les outils de modlisation et de mesure en bande
millimtrique, ncessaires la mise au point de modules lmentaires comme les antennes et
les lignes de transmission 60 GHz. Ce chapitre met surtout laccent sur les contraintes
physiques imposes par le support en Silicium et les risques de perturbations dues
l'apparition de modes dordre suprieur dans cette gamme de frquence. Des solutions sont
alors proposes pour rduire l'influence de tels modes ou pour les liminer.
Le chapitre IV est consacr la conception dune antenne planaire dpose sur une
membrane dilectrique, possdant des caractristiques de rayonnement quivalentes celles
d'une antenne patch et tant tout aussi compacte pour faciliter sa mise en rseau. Pour
accrotre la bande passante, ce type d'antenne associ des lments parasites, est considr.
Puis, le patch aliment par une ligne microruban avec terminaison en T ou en U via une fente
dilectrique, est tudi. Ces configurations particulires ont l'intrt de former des antennes
couvrant les 7 GHz de la bande alloue 60 GHz, avec le mme encombrement que celui de
l'antenne patch.
Le chapitre V porte sur la mise en rseau d'antennes patchs excites par des
alimentations microrubans en forme de U et sur leur association des dphaseurs de type
MEMS-RF, appropris la ralisation de la commande par beamforming. Ces antennes sont
graves sur une membrane en Silicium et leurs dphaseurs RF, implants sur le Silicium
massif. Ce chapitre met ainsi en vidence limpact rel quant lexploitation des dphaseurs
lectroniques dans un dispositif RF exploitant des rseaux dantennes planaires dphases, et
donne les orientations considrer pour raliser le systme antennaire complet ncessaire
notre application.
Dans la conclusion de cette thse, les principaux rsultats de nos activits scientifiques
sont rsums et des perspectives sont offertes, notamment concernant le dveloppement de
rseaux de communication WPAN dans un environnement indoor, suivant la future norme des
60 GHz, savoir IEEE.802.15.3c.
CHAPITRE I
Les rseaux de communications dans les aronefs
Rsum:
L'tude prsente dans ce chapitre, porte essentiellement sur les rseaux de
communications 60 GHz, destins aux transmissions trs haut dbit pour le personnel et
les passagers d'un avion de ligne. A travers cette tude, lobjectif est de dfinir un cahier des
charges du systme antennaire qui permettra de raliser une transmission haut dbit. A cet
effet, nous dbutons par un tat de lart sur les rseaux de communication quipant les
moyens de transport et en particulier, lintrieur des avions. Ensuite, en se rfrant des
travaux publis dans la littrature, nous mettons en vidence les avantages quoffre
lexploitation de la bande des 60 GHz. Pour apprcier les performances dune liaison sans fil
exploitant cette bande de frquence, une revue des dispositifs de communications 60 GHz
existant actuellement un peu partout dans le monde, est galement effectue. Cette tude va
permettre, par la suite, de dterminer les grandeurs considrer pour la ralisation d'un
dispositif RF oprant dans cette gamme de frquence. Puis, elle doit aboutir la dfinition
dun scnario complet pour la mise en place de lapplication vise, c'est--dire rendre
disponible la connexion par Internet, la transmission de donnes TV et les communications
par tlphone mobile dans les avions de ligne. Ainsi, en montrant lapport des rseaux de
communications 60 GHz, on peut alors dfinir une liaison sans fil qui soit capable de
produire de hauts dbits d'information dans la gamme millimtrique. En particulier, nous
avons constat que la technique du beamforming pouvait contribuer accrotre notablement
de tels dbits. Finalement, cette liaison tant adapte aux applications multimdia dans les
avions, nous pouvons dfinir les antennes utiliser et fixer leurs principales caractristiques
en fonction des exigences d'une telle transmission.
1.2.1. Rseaux de communications internet IEEE. 802. 11b dans les avions
Comme nous lavons spcifi prcdemment, deux grands projets ont permis la mise
en place de ce type de rseaux dans les avions :
UMTS
Dbit
Max
Typique
(Mb/s)
(kb/s)
144
Bande
passante
Gamme de
frquence
(MHz)
(GHz)
5, 10, 20
Puissante
Tx (dBm)
Modulation
20
QPSK (dl)
(Application
mobile)
BPSK (ul)
Bluetooth
728
2,4
IEEE 802.
11
6500
26
2,4
20
11b
GFSK
Dpend du
dbit
Figure 1.2. Rpartition des points daccs Wi-Fi dans un Boeing 747 [11].
Le Tableau. I.2 donne les caractristiques des diffrents rseaux tudis. Il indique
aussi les principaux services assurs par les deux sortes de projets ( savoir lInternet et la
tlphonie mobile) suivant leur norme respective. Notons que le projet WirelessCabin dfinit
dautres applications [8-9]. Cependant, pour des besoins de comparaison entre les deux
projets, nous nous sommes limits celles cites dans ce Tableau.
La capacit de ces rseaux est dtermine en fonction du:
Nombre maximum de passagers que le rseau peut simultanment connecter pour une
application donne.
Dbit / application
Dbit / passagers.
Tableau I.2. tude comparative entre les rseaux de tlcommunication dans les avions.
Rseaux
WirelessCabin
Connexion by
Boeing
Avion
A380
Boeing 747
Bande L
(UL) : 144 kb/s
(DL) : 432 kb/s
Tlphonie mobile,
Internet
Bande Ku
(UL) : 1 Mb/s
(DL) : 40 Mb/s
Liaison Satellitaire
Caractristique
du rseau
Capacit
du rseau
Applications vises
Internet, VOIP
Norme de lapplication
UMTS
IEEE
802.11b
IEEE 802.11b
Nombre de passagers
connects
simultanment
23
80
Capacit du rseau /
application
57,6 kb/s
37 kb/s
25 Mb/s
Dbit / passagers
9,6 kb/s
1,6 kb/s
312 kb/s
Anne
2000-2006
2000-2006
Rfrences
[9]
[11]
Rsolution (pixel)
352x288
720x576
1440x1152
1920x1152
Dbit max
4 Mb/s
15 Mb/s
60 Mb/s
80 Mb/s
Etant donns les dbits indiqus dans le Tableau I.3, il faudrait assurer, au maximum,
un dbit de 80 Mb/s chaque passager. Compte tenu d'un tel dbit, il est clair que le rseau
doit tre convenablement dimensionn pour assurer la capacit dsire.
10
Gamme de
frquence
Bande passante
Dbit
Rfrence
IEEE.802.11g
2,4 GHz
20 MHz
20 Mb/s
[21]
IEEE.802.11n
5 GHz
40 MHz
100 Mb/s
[21]
60 GHz
7 GHz
2 Gb/s
[22]
Typique
Si comme dans notre cas, on doit assurer un dbit de plusieurs dizaines de Mb/s par
passagers dans un avion de ligne et si on considre les dbits typiques du Tableau I.4, il parait
vident que la norme de la bande des 60 GHz (IEEE.802.15.3c) est la plus intressante et la
mieux adapte notre besoin. Aussi, nous avons choisi de travailler dans cette gamme des
ondes millimtriques pour raliser notre rseau de communication dans les avions.
Dans ce contexte, depuis 2008 ce jour, des tudes comme celles menes par Peter et
al. Fraunhofer-Institut fr Nachrichtentechnik et Heinrich-Hertz-Institut, ont consist voir
comment exploiter la gamme des ondes millimtriques vers 60 GHz [13-16]. Entre autres,
limpact vis par ces tudes, est la mise en uvre lintrieur dun avion, dun systme de
communication WLAN fonctionnant dans cette bande de frquence et capable de fournir de
hauts dbits d'information aux passagers.
1.2.2.2. Rseaux de tlcommunication 60 GHz (IEEE. 802. 15c) dans les avions
Les travaux raliss par Peter et al., ont le double objectif de montrer, d'une part, la
faisabilit dune couverture RF tablie suivant la norme de la bande 60 GHz (57 64 GHz)
dans un espace confin tel que lintrieur dun avion et, d'autre part, lintrt dexploiter cette
11
12
Caractristique
Du rseau
Capacit
Du rseau
bre
Paramtres
Valeurs
Application
Tlchargement de donnes
Bande de frquences
57-64 GHz
Gain dantenne
Tx : 10 dBi, Rx : 0 dBi
Modulation
OFDM-16QAM
Puissance Tx
9,5 dBm
dutilisateurs connects au
rseau
100
Utilisateurs / (Cell)
32
Dbit / utilisateur
Liaison
OLOS
10
Rfrences
[16]
-3
13
(I-1)
Bande de
frquence
(GHz)
Puissance
lmission Tx
(dBm)
PIRE (dBm)
Europe
9 (57-66)
13
57
30
USA et Canada
7 (57-64)
27
43
33
(si Tx = 10 dBm)
Australie
3.5 (59,4-62,9)
10
51,7
41,8
Japon
7 (59-66)
10
58
47
Core
7 (59-66)
10
27
17
En comparant les diffrents critres figurant dans ce Tableau, on voit que lEurope
englobe lensemble des bandes de frquences alloues chaque continent et que lEurope et
le Japon imposent la plus grande PIRE (puissance isotrope rayonne quivalente), savoir
14
4d
)
(I-2)
La figure 1.5 met ainsi en vidence les fortes pertes en espace libre lorsquon travaille
60 GHz. Un autre aspect important est labsorption des ondes de la bande des 60 GHz par
loxygne de latmosphre. La figure 1.6 donne les courbes de lattnuation exprime en
dB/km, due labsorption par les molcules doxygne et deau dans la gamme millimtrique.
Elle montre aussi que lattnuation atmosphrique dcrot avec laltitude. D'aprs cette figure,
la bande des 60 GHz est pratiquement centre sur le pic d'absorption de loxygne et
contribue une attnuation denviron 15 dB / km, en plus des pertes en espace libre [29].
En conjuguant les phnomnes lis l'attnuation atmosphrique, savoir les pertes
en espace libre et labsorption par loxygne, on voit que les ondes millimtriques se prtent
plutt bien la ralisation de liaisons courte porte et des applications indoor et large
bande. Ces phnomnes conduisent aussi un bon isolement des metteurs car ils permettent
de minimiser les problmes dinterfrences avec des rseaux voisins et de rflexions parasites
par les obstacles de lenvironnement, ce qui est dun avantage certain pour les rseaux de
communications scuriss [30]. Cependant, on constate que comparativement aux pertes en
espace libre, les pertes lies labsorption par loxygne sont, en ralit, ngligeables.
15
Figure 1.7. Exemple de liaison pour des rseaux WPAN et WLAN 60 GHz.
La norme IEEE 802.15.3c a dfini trois modes pour les applications WPAN 60 GHz :
16
Le mode Porteuse unique (SC : Single Carier), optimis pour une faible puissance et
pour des architectures de moindre complexit.
Le mode Interface haute vitesse (HSI), optimis pour de faibles temps de rponse
et pour le transfert bidirectionnel de donnes.
Le mode Audio / vido (AV), optimis pour le transfert de donnes non compresses,
pour la vido haute dfinition.
Figure 1.8. Canaux dfinis par la norme IEEE 802.15c pour les applications WPAN [26].
Tableau I.7. Division de la bande 57-65GHz en canaux HRP [32].
Canal
Bande de frquence
f (GHz)
Frquence centrale
(GHz)
Occupation
spectrale(GHz)
Capacit du canal
(Gsymboles/s)
59,40 - 57,24
58,320
1,76
2,538
61,56 - 59,40
60,480
1,76
2,538
63,72 - 61,56
62,640
1,76
2,538
65,88-63,72
64,800
1,76
2,538
Le mode SC est une liaison qui transmet linformation grce une porteuse unique et
prend en charge un large panel de modulations, tels que /2 BPSK (Binary Phase-shift
Keying), /2 QPSK (Quadrature Phase-shift Keying), /2 8-PSK (PSK : Phase-shift Keying),
/2 16-QAM (QAM : Quadrature amplitude modulation), MSK (Minimum-shift keying),
GMSK, OOK (On-off keying) et DAMI (Dual Alternate Mark Inversion). Ce mode est prvu
pour des applications courte porte et trs haut dbit, de prs de 5 Gb/s. Ainsi, parmi les
applications envisages, citons le modle Kiosque qui a t conu pour couvrir une distance
de 1 m avec un dbit de 1,5 Gb/s [32]. Cependant, selon le type de modulation utilise, la
liaison peut tre plus ou moins sensible aux trajets multiples et la prsence dobstacles. Dans
ce cas, pour limiter linfluence des rflexions multiples, il est possible demployer la
technique du beamforming car cette dernire permet doptimiser en permanence le faisceau
17
18
Canal
Frquence centrale
92 MHz
[fc(HRP) + 49 MHz]
- [fc(HRP) - 49 MHz]
fc(HRP)
92 MHz
92 MHz
Capacit du canal
317,25 Msymbole/s
317,25 Msymbole/s
317,25 Msymbole/s
Le mode HSI est dfini dans le WPAN pour tous les dispositifs bidirectionnels trs
hauts dbits utiliss dans des applications comme lInternet, la vido confrence ou, de
manire gnrale, pour le transfert de donnes. Il permet dexploiter la bande des 60 GHz
suivant la division des canaux dfinie au Tableau. I.7 et la figure 1.8. Pour ses applications,
ce mode slectionne les modulations OFDM-QPSK, OFDM-16QAM, ou OFDM-64QAM ,
selon les dbits dsirs [32].
En rsum, le Tableau I.9 regroupe les principales caractristiques des trois modes de
fonctionnement dfinis par la norme IEEE.802.15c.
Tableau I.9. Principales spcifications techniques de la norme IEEE.802.15c [32]
SC
HSI
AV
Modulation
BPSK, (G)MSK,
QPSK, 8PSK, 16QAM,
OOK, DAMI.
QPSK, 16QAM
BPSK (LRP)
Dbit
BP par canal
OFDM
Non
Oui
Oui
Beamforming
Oui
Oui
Oui
Rfrences
[32]
Notons que pour les applications de notre liaison 60 GHz dans les avions, le mode
HSI est celui qui nous intresse car il est spcialement dfini pour des applications multiutilisateurs.
Cependant, afin dapprcier la capacit relle dune liaison RF exploitant la bande des
60 GHz, nous ralisons, ci-aprs, une tude systme portant sur les performances de
19
20
Brivement, lmission, le signal utile est achemin via une frquence porteuse, en
passant par un modulateur. Le signal modul est mlang avec le signal de frquence (fos)
dlivr par un oscillateur local. Il est, ensuite, transpos une frquence plus leve qui
deviendra la nouvelle porteuse du signal. Aprs amplification par ltage de puissance (PA :
Power Amplifier), ce signal est transmis vers lespace libre via lantenne dmission (Tx). Les
ondes hertziennes qui en rsultent, sont ensuite captes par lantenne de rception (Rx) qui
transmet le signal reu lamplificateur dentre (LNA :Low Noise Amplifier). Aprs
amplification, ce signal effectue le chemin inverse de celui suivi dans la chane dmission de
faon restituer le signal utile.
La qualit de ce type de transmission est lie laptitude de la liaison RF restituer
fidlement le signal transmis. Elle est value suivant la valeur du rapport signal sur bruit
(C/N). Ce dernier est donc lvaluation de la puissance reue C (en prenant en compte les
pertes en espace libre (At), les pertes dinsertion,) par rapport au bruit introduit par la
chane de transmission (bruits des antennes, des filtres, des amplis). A noter que la
meilleure qualit de transmission est obtenue pour le C/N le plus lev possible.
Soit SNR (Signal to Noise Ratio), le rapport signal sur bruit dun dispositif RF de
transmission numrique, R, le dbit dinformation numrique, BT, la bande passante du
systme, Eb, l'nergie requise par bits et N0, la densit spectrale de bruit ou puissance de bruit
thermique pour une bande passante de bruit de 1 Hz. Le rapport signal sur bruit qui intervient
dans lquation (I-1), scrit pour le dispositif RF:
SNR =
C Eb R
=
N N 0 BT
(I-3)
C = Pr est le signal reu prs lantenne de rception. Dans le cas dun canal parfait, il
se calcule grce lquation suivante [5]:
C = Ptr 0 G R G e
4d
2
(I-4)
o Ptr est la puissance transmise par rayonnement dans lespace libre, GR , le gain de lantenne
de rception , Ge , le gain de lantenne dmission, 0 la longueur donde dans le vide, et d , la
distance sparant ces deux antennes Dans notre cas, on peut considrer qu 60 GHz, le canal
est parfait car les seules pertes prdominantes restent celles des pertes en espace libre.
Le bruit (N) dans un systme de communication est une fonction de la bande passante
et de la temprature de ses lments constitutifs, de ce fait, on a :
N = k TB
(I-5)
21
(I-6)
La quantit Eb/N0 est une mesure de l'nergie requise par bits par rapport la
puissance de bruit. Ce rapport est li au type de modulation employ pour le systme RF et au
taux derreur binaire (BER). Les courbes de la figure 1.10 illustrent les variations du taux
derreur binaire BER (Bit Error Ratio) en fonction de Eb/N0 pour diffrents types de
modulation. Ainsi, pour une modulation donne, on voit daprs la figure 1.10, quil est
prfrable que Eb/N0 soit le plus lev possible pour amliorer le BER et donc, la qualit de
transmission.
Figure 1.10. Variations du BER avec Eb/N0 pour diffrents types de modulation [25].
La valeur du rapport Eb/N0 est galement lie au type de modulation. En effet, comme
le montre la figure 1.10, pour une mme valeur de BER, on obtient un rapport Eb/N0 plus
lev avec la modulation OOK quavec la MSK. Ainsi, en considrant lquation (I-3),
suivant le type de modulation utilis par un systme RF, soit on rduit, soit on augmente la
contrainte que doit avoir la valeur du rapport signal bruit (C/N) pour assurer une qualit de
transmission donne. Par exemple, si on veut rduire la contrainte sur la valeur C/N, d'aprs
les courbes de la figure 1.10, lutilisation dune modulation MSK serait plus judicieuse.
22
I.5.2.1. Motorola
Motorola a conu un systme metteur / rcepteur 60 GHz bas sur la modulation
ASK (Amplitude Shift Keying). Ce systme est dcrit par le schma bloc de la figure 1.11. Il
a t test aussi bien avec une antenne directive quavec une antenne omnidirectionnelle.
Seuls les rsultats obtenus avec lantenne directive, sont donns par la figure 1.12 [30].
Comme le montre la figure 1.11, l'metteur se compose d'un VCO de 15 GHz, dun
multiplicateur coefficient 4, dun mlangeur, d'un amplificateur pilote et d'un amplificateur
de moyenne puissance (MPA). Un mlangeur en bande V est choisi pour assurer une
modulation ASK / OOK (Amplitude-shift keying / On-off keying). La puissance mise par
lantenne, est de 10 dBm. Cette dernire est un cornet rayonnant dont la directivit est forte et
vaut 23,5 dBi.
Le rcepteur utilise deux amplificateurs faible bruit (LNA), suivi dun filtre passebande, dun dtecteur, dun amplificateur gain tampon, et dun comparateur. Lantenne de
23
(I-7)
24
D'aprs le Tableau I.10, le gain des antennes de la liaison RF de NICT est de 10 dBi
pour une puissance mise de 10 dBm, le dbit typique par canal est de 2 Gb/s sur des
distances allant de 1 5 m. Ce tableau indique aussi les pertes en espace libre 60 GHz
associes ces distances.
Pour exploiter toute la bande 59-66 GHz, le NICT a divis celle-ci en plusieurs canaux
en utilisant soit lOFDM, soit la SC-FDE. De ce fait, cette bande de frquence est partage en
trois canaux de faon que chaque canal possde une largeur de bande de 2,33 GHz et une
capacit de 1,6 Gsymbole/s [16]. De plus, ce type de modulation peut offrir un trs haut dbit
chaque canal et ce dbit peut tre encore amlior, en choisissant judicieusement le type de
codage binaire. Ce rsultat est illustr dans le Tableau I.11 o nous avons report les valeurs
obtenues du codage de chaque canal par modulation QPSK et 16QAM.
Tableau I.11. Augmentation du dbit en fonction du type de modulation [22].
Modulation
QPSK
16QAM
Niveau de
modulation
2 bits/symbole
4 bits/symbole
Codage des
donnes
3/4
4/5
5/6
1/2
3/4
4/5
Dbit (Gb/s)
2,2588
2,4094
2,5098
3,0118
4,0157
4,5176
Les courbes des figures 1.13 et 1.14 donnent le PER en fonction de Eb/N0 pour
diffrents types de modulation. Grce ces graphes, on peut, ensuite, dterminer le meilleur
25
26
et 2
gnrations dIBM.
27
Figure 1.18. Test du dispositif RF 60 GHz ralis en LoS par IBM [35].
me
28
Dmonstrateur
(1) : 1er/ 2nd
gnration
(2): 1er/ 2nd
gnration
Antenne
NF
(dB)
Modulation
BP du
Canal
(GHz)
Distance
(m)
Dbit
(Gb/s)
Anne
Rf
6,7
OFDM- QPSK
0,5
10
0,63
2006
[35]
6,7
DQPSK
1,7
2007
[36]
Diple
Gain = 7 dBi
(3) : 3me
gnration
Rseau
dantenne
Gain = 14 dBi
6,7
MSK
1,8
> 3,5
2009
[28]
(4) : 3me
gnration
Rseau de 16
lments
dantennes
Gain = N/A
7,6
OFDM-16QAM
1,7
4,5
>5
2010
[37]
IBM
NICT
Dbit (Gb/s)
0,63
Distance (m)
30
10
10
OFDMQPSK
DQPSK
4
5
OFDM16QAM
SC-FDE16QAM
Modulation
ASK
Gain (dBi)
23,5
Type de liaison
LoS
Puissance mise
(dBm)
10
10
10
NF (dB)
4,5
6,7
10
Bande de
frquence
(GHz)
0,5
1,7
BER
10-12
N/A
N/A
5 10-6
Rfrence
[30]
[35]
[36]
[22]
7
LoS
10
LoS
29
LoS
1,6
1,6
30
Caractristique
du rseau
LIMA
Paramtres
Valeurs
Rfrences
Bande de frquences
57-64 GHz
[32]
Modulation
OFDM-16QAM (Rc = )
[22, 32]
Puissance Tx
10 dBm
[22, 32]
300 K
[22]
NF (facteur de bruit)
10 dB
[22]
1,76 GHz
[32]
5 10-6
[22]
Liaison
LoS
NLoS (beamforming)
[22, 32]
Comme dans le cas du rseau 60 GHz conu lintrieur dun avion par Peter et al.,
nous avons adopt la modulation OFDM-16QAM pour laborer notre systme. L'utilisation
de cette modulation permet aussi de nous baser sur des tudes ralises par le NICT dans [22]
o les valeurs du BER et du dbit binaire sont exprimes en fonction de Eb/N0 pour une
modulation OFDM-16QAM et o les trains binaires sont envoys sur un canal de propagation
de 1,76 GHz. Ces donnes sont indispensables au calcul du bilan de la liaison dans le cas de
notre systme RF 60 GHz. Comme pour le NICT, nous nous sommes fixs une qualit de
transmission estime avec un BER = 5 10-6 (ou PER = 8 10-2). Remarquons que cette valeur
est galement prconise par les spcifications de la norme 60 GHz [22]. Ainsi, d'aprs la
31
Une liaison L2 : point - multipoint entre les utilisateurs et les points daccs fixes.
32
Les dbits typiques que nous avons choisis pour ltude, sont extraits des donnes du
Tableau I.3. Le calcul a t effectu en prenant comme exemple, des dbits de 15 Mb/s /
passagers, de 60 Mb/s / passagers et de 80 Mb/s / passagers. La figure 1.22 donne les valeurs
numriques du gain calcule en prenant en compte les diffrentes valeurs de dbit / passagers
et la zone couverte (). Ce gain exprim en dB, est la somme du gain de lantenne dmission
et du gain de lantenne de rception (Ge + Gr). Le gain (Ge + Gr) est calcul grce aux
relations allant de (I-3) (I-6) et en considrant les critres tablis au pralable dans le
Tableau I.15. Les dtails du calcul du bilan de la liaison sont dvelopps dans lannexe A.
Considrons le cas o la rception est omnidirectionnelle. Le gain de l'antenne de
rception vaut alors: Gr = 0 dBi. Si le gain Ge de l'antenne dmission vaut respectivement
-3 dBi, de 3 dBi et de 4,3 dBi dans les trois zones rouge, orange et brun, la couverture RF
totale 60 + 60 sera aisment assure pour 32 passagers, avec des dbits respectifs de
15 Mb/s / passagers, 60 Mb/s / passagers et 80 Mb/s / passagers.
33
Figure 1.22. Calcul du gain (Ge + Gr) ncessaire pour couvrir une zone de 60 et assurer les
dbits requis pour la transmission de donne MPEG2.
Figure 1. 23. Variations du gain de l'antenne dmission (Ge) de lantenne pour assurer un dbit
/ passager de 80 Mb/s, avec Gr = 0 dBi, sur une zone 60 + 60.
34
Liaison L1
Liaison L2
Type de liaison
LoS
NLoS
(Rx : omni + Tx : beamforming)
Bande de frquence
57-64 GHz
57-64 GHz
Canal exploit
Puissance Tx
10 dBm
Distance (d)
d = 4,5 m
d = h / Cos ()
Avec: h = 1m et -60 +60
7,1 dBi
7,1 dBi
0 dBi
35
10 dBm
36
37
[23] Kao-Cheng Huang, Edwards David J. ''Millimetre wave antennas for gigabit wireless
communications", John Wiley and Sons, Singapore, 2008.
[24] Niknejad Ali M., Hashemi Hossein. " Integrated circuits and systems: mm-Wave silicon
technology 60 GHz and beyond", Springer-Verlag, New York, 2008.
[25] Zyren Jim, Petrick Al. "Tutorial on Basic Link Budget Analysis'', Intersil Application Note AN9804.1, pp. 1-8, June 1998.
[26] Proakis John G. "Digital Communications", McGraw-Hill (4th Ed.), New York, 2000.
[27] Guo Nan, Qiu Robert C., Shaomin S.Mo, Takahashi Kazuaki. ''60-GHz Millimeter-Wave Radio:
Principle, Technology, and New Results'', EURASIP, Journal on Wireless Communications and
Networking, vol 2007, n 1, pp. 48-48, 2007.
[28] Valdes-Garcia Alberto. " System Design for 60 GHz Radios: Standard Specifications, Silicon
Implementation, & Link Experiments", Workshop on 60 GHz Communications IEEE Radio and
Wireless Symposium, New Orleans, 10.01.2010.
[29] Vizard David R. "Millimeter-Wave Applications: From Satellite Communications To Security
Systems", Microwave Journal, vol. 47, n 7, pp. 22-36, 2006.
38
[30] Bosco B., Franson S., Emrick R., Rockwell S., Holmes J. "A 60 GHz transceiver with multigigabit data rate capability ", Proceedings of the IEEE Radio and Wireless Conference, pp. 135138, 19-22 Sept. 2004.
[31] Smulders P.F.M. "60 GHz Radio: prospects and future directions", Proceedings of 10th
Symposium on Communications and Vehicular Technology in the Benelux, Eindhoven, 13.11.
2003.
[32] "IEEE Standard for Information technology - Telecommunications and information exchange
between systems - Local and metropolitan area networks - Specific requirements. Part 15.3:
Wireless Medium Access Control (MAC) and Physical Layer (PHY) Specifications for High
Rate Wireless Personal Area Networks (WPANs) Amendment 2: Millimeter-wave-based
Alternative Physical Layer Extension," IEEE Std 802.15.3c-2009 (Amendment to IEEE Std
802.15.3-2003) , pp.c1-187, Oct. 12 2009.
[33] Project IEEE 802.15 Working Group (WPANs) , IBM, "Completely Integrated 60 GHz ISM
Band Front End Chip Set and Test Results", 9 January 2006.
[34] Pfeiffer U.R., Grzyb J., Liu D., Gaucher B., Beukema T., Floyd B.A., Reynolds S.K. "A chipscale packaging technology for 60-GHz wireless chipsets", IEEE Transactions on Microwave
Theory and Techniques, vol. 54, n 8, pp. 3387-3397, 2006.
[35] Reynolds S.K., Floyd B.A., Pfeiffer U.R., Beukema T., Grzyb J., Haymes. C., Gaucher B.,
Soyuer M. "A Silicon 60-GHz Receiver and Transmitter Chipset for Broadband
Communications ", IEEE Journal of Solid-State Circuits, vol. 41, n 12, pp. 2820-2831, 2006.
[36] Floyd B., Pfeiffer U.R., Reynolds S., Valdes-Garcia A., Haymes C., Katayama Y., Nakano D.,
Beukema T., Gaudier B., Soyuer M. "Silicon Millimeter-Wave Radio Circuits at 60-100 GHz",
Proceedings of the Topical Meeting on Silicon Monolithic Integrated Circuits in RF Systems,
pp. 213218, Long Beach, 10-12 January 2007.
[37] Reynolds S.K., Natarajan A.S., Ming-Da Tsai, Nicolson S., Jing-Hong Conan Zhan, Duixian Liu,
Kam D.G., Huang O., Valdes-Garcia A., Floyd B.A. "A 16-element phased-array receiver IC for
60-GHz communications in SiGe BiCMOS", Proceedings of the Radio Frequency Integrated
Circuits IEEE Symposium (RFIC), pp. 461-464, Anaheim, 23-25 May 2010.
39
40
CHAPITRE II
Les antennes de la bande millimtrique et les techniques
de formation de faisceau
Rsum:
Notre objectif est de dfinir la partie antennaire d'une transmission 60 GHz par
formation de faisceau (ou beamforming). Aussi, le prsent chapitre dbute par un tat de
lart sur les dispositifs RF qui oprent par formation de faisceau 60 GHz et dont l'ossature
lectronique est conforme la norme IEEE. 802. 15c. Le but poursuivi est de s'imprgner du
principe de ce type de liaison et de recenser les diffrentes techniques de commande
automatique existant actuellement. Mais, il s'agit aussi de dterminer larchitecture
lectronique qui soit la mieux adapte au beamforming 60 GHz, la moins complexe et la
moins encombrante possible. En particulier, diffrentes architectures de front-end radio 60
GHz sont dcrites pour montrer lintrt de raliser les composants antennaires sur Silicium.
L'tude bibliographique mene ci-aprs, concerne galement l'intgration des antennes sur
Silicium. Elle permet de choisir la technologie adopter pour raliser nos fonctionnalits
antennaires. On trouve que la technologie du patch sur membrane est celle qui doit tre
applique ce type de fonctionnalits car elle donne un bon compromis entre la complexit
de ralisation et les performances de l'antenne. Enfin, cette tude a t tendue aux
techniques d'largissement de la bande passante d'une antenne patch, afin de dterminer
celles qui permettraient au patch sur membrane en Silicium, de couvrir la bande des 60 GHz.
41
a t
42
Figure 2.2. Modle de rfrence dfini pour un systme WPAN, dans le cas de liaisons par
beamforming [3].
43
Figure 2.3. Systme hybride optique / radio pour des applications au beamforming.[4]
Figure 2.4. Photos du dispositif optique / radio avec 1 x 4 lments dantennes [4].
44
= -30
= 0
= 45
Figure 2.5. Diffrents cas de dpointage raliss grce au systme optique / radio 60 GHz [4].
45
46
= 0
= 30
= 40
Figure 2.9. Diffrents cas de dpointage dun rseau circulaire de 6 antennes patch
60 GHz [6].
47
Figure 2. 10. Rseau dantennes patch exploitant des dphaseurs MEMS pour des applications
au beamforming [7].
48
49
Formation de
faisceau
Par commande
optique
Par commande
digitale
Par commande
analogique
Pertes induites
par le type de
commande
Avantages
Inconvnients
Rf
++
Solution hybride
Large bande
Circuit dalimentation
plus simple
Encombrement
filaire
Pertes dans la fibre
Pertes dinsertion
[5]
++
Robuste
Simplicit
analogique
Technique large
bande
[6]
++
Solution simple
concevoir
Facilit dintgration
Encombrant
Fortes pertes
Bruit
Utilisable en
rception seulement
Pertes dinsertion
Complexit
augmentant avec le
nombre dlments
[7]
50
Faible niveau dintgration : Tous les composants RF sont implants sur une mme
plaque imprime (voir figure 2.12). Le dispositif RF ainsi obtenu, a t ralis par les
chercheurs de Terahertz Communications Lab, Institute for High Frequency
Technology, dAllemagne dans le cadre dun projet Europen QSTREAM pour des
applications au WLAN 60 GHz. Il constitue un exemple o les composants actifs
(VCO, amplificateurs, oscillateurs, diodes,) ont t insrs sur le support du rseau
dantennes. Lantenne utilise est dcrite dans [13]. Ce type dintgration a lavantage
dtre simple mettre en uvre et de supprimer toutes les contraintes de matriaux
lies la ralisation des diffrents composants. En effet, chaque composant est ralis
sur le support qui lui permet individuellement davoir les meilleures performances.
Cependant, les interconnexions entre les composants millimtriques sont nombreuses
51
Figure 2.12. Dispositif RF 60 GHz, suivant un faible niveau dintgration (projet QSTREAM).
Haut niveau dintgration: Les circuits actifs sont intgrs sur Silicium en une seule
puce tandis que la partie antennaire est ralise part (voir figure 2.13). Comme nous
l'avons expliqu au paragraphe I.5.2.3, IBM a mis en uvre ce genre de dispositif pour
des applications 60 GHz [14-15]. Brivement, le dispositif allie une puce Rx / Tx en
Silicium qui est interconnecte avec une antenne ralise sparment sur un substrat
en Silice. Cette antenne qui sera dcrite au paragraphe II.4.2, est une solution hybride.
Elle a l'intrt d'offrir la possibilit de maximiser le rendement du dispositif RF en
considrant les meilleures caractristiques de chacune de ses parties constitutives.
Ainsi, en ralisant toute la partie active sur Silicium, on obtient des amplificateurs
possdant les meilleures performances et on amliore le gain des antennes en les
intgrant sur une couche de Silice sous laquelle une cavit dair a t amnage.
Cependant, les caractristiques de lantenne (encombrement, rayonnement,), la
technologie utilise pour fabriquer cette antenne et le type de dispositif RF
(interconnexion, compatibilit des diffrents matriaux employs, limitation de la
technologie) font que la ralisation du front-end radio peut devenir trs vite complexe,
induire beaucoup de pertes et rendre lintgration fortement coteuse. A cause de
toutes ces exigences, cette solution est alors inintressante en pratique.
52
Intgration totale sur un mme support: Tous les composants RF sont compltement
intgrs sur Silicium. La figure 2.14 illustre le cas d'un metteur 60 GHz compos
dun tage VCO, dun mlangeur, dun amplificateur de puissance et dune antenne
diple. Tous ces composants sont entirement raliss sur un mme support en
Silicium, suivant la technologie BiCMOS. Lintrt de cette solution est qu'elle permet
de rduire dune part, la complexit de ralisation dun metteur / rcepteur et dautre
part, les pertes dinterconnexions de faon significative [16].
Pour rcapituler, nous avons donc intrt intgrer sur du Silicium, les antennes avec
tous les autres composants lectroniques si lon veut limiter les problmes lis leur
interconnexion car presque tous ces composants sont aujourd'hui couramment fabriqus avec
ce matriau. D'o, nos investigations se sont orientes vers la ralisation d'antennes en bande
V en utilisant des procds technologiques bass sur le Silicium, capables de limiter les pertes
lors de lintgration des antennes sur puce et de rduire la complexit de ralisation dun
front-end radio.
Figure 2.14. Dispositif RF 60 GHz avec intgration totale sur un mme support [16].
53
Antenne patch
Lantenne patch agit comme une cavit rsonante dlimite par sa largeur W et sa
longueur L (voir figure 2.15).
54
Figure 2.16. Diagramme de rayonnement dune antenne patch dans les plans E et H [1].
La bande passante d'une antenne patch est de faible valeur et la forte permittivit
dilectrique du Silicium la rend encore plus troite. En effet, les courbes de la figure 2.17
montrent que plus cette permittivit diminue, plus la bande passante et le rendement
augmentent. Donc, la largeur de bande dune antenne patch dpend directement du type de
substrat sur lequel elle a t implante.
Le rendement de l'antenne patch considre diminue avec laugmentation de la
permittivit de son support. Ceci prouve quune partie de lnergie est dissipe autrement que
par rayonnement. Dans [20], cette chute du rendement est explique par labsorption dune
partie de lnergie par le substrat lorsque sa permittivit dilectrique est forte.
55
(a)
(b)
Antenne diple
Les caractristiques obtenues avec les deux sortes de Silicium, ont t compares.
Dans les deux cas, la bande passante de lantenne est de 12 % relativement 79 GHz, avec un
TOS < 2. Avec du Silicium LR, le gain du diple est de - 6,8 dBi et son rendement vaut
56
Figure 2.19. Diagramme de rayonnement de lantenne diple ralise sur silicium avec une
ligne CPS et fonctionnant 79 GHz [18].
Antenne multicouche
Figure 2.20. Antenne multicouche forme d'une antenne patch couple une fente.
57
58
Dans le cadre du projet Europen QSTREAM portant sur les applications WLAN
60 GHz, une autre solution a t considre [20]. Elle consiste remplacer la couche
suprieure en BCB de l'antenne de la figure 2.21, par une lame d'air. Comme le montre la
figure 2.22, lantenne se compose dun diple CPW ralis sur Silicium LR avec une couche
de SiO2. Ce diple alimente un patch se superposant une hauteur h = 70 m et laissant une
cavit dair entre le patch et le diple. Pour raliser cette superposition, lantenne patch est,
tout dabord, dpose sur un substrat en verre (h = 300 m, r = 4,6, tg = 0,0037). Ce
support est pos sur des billes mtalliques appeles '-bump', qui vont assurer la superposition
et la fixation du patch au dessus du diple (voir figure 2.22a). Avec du Silicium LR, le
rendement de lantenne qui en rsulte, est de 53 %. Avec du silicium HR, ce rendement atteint
90 %. La bande passante de cette antenne est de 8 % 60 GHz. La figure 2.22b indique que
les diagrammes de rayonnement de lantenne obtenus dans les plans E et H, sont symtriques
et que le lobe arrire est de faible amplitude. Ceci prouve qu'un bon niveau de couplage est
atteint entre le diple et lantenne patch. Ltude ralise dans [20], a pour but d'utiliser
l'antenne de la figure 2.22 pour couvrir la bande des 60 GHz (soit 11 %). Elle montre
galement que la bande passante de lantenne augmente avec la hauteur de cavit. D'aprs
cette tude, lantenne doit tre dote dune cavit de 250 m de hauteur pour qu'elle puisse
59
Figure 2.22. Antenne multicouche hybride (Silicium + air + verre) 60 GHz, forme d'un diple
coupl une antenne patch.
Dans [21], la solution qui a t adopte, est diffrente car le support infrieur est du
Silicium HR, recouvert par un substrat en verre obtenu avec de la Silice. L'antenne ralise
selon ce principe, est illustre par la figure 2.23. Celle-ci est un diple grav sur le support en
Silice dont les caractristiques sont : r = 3,8, tg = 0,001 et h = 300 m. Cette antenne a t
conue pour tre utilise dans le dispositif RF de IBM dcrit au paragraphe I.5.2.3, pour des
applications WPAN. D'aprs les figures 2.23a et 2.23b, le diple est suspendu une hauteur
H = 500 m au dessus dune cavit creuse dans le Silicium. Cette cavit est mtallise afin
de crer un rflecteur sous le diple et de supprimer le lobe arrire du rayonnement mis.
Deux autres rflecteurs mtalliques de longueur Lb = 3 mm sont places sur le substrat en
Silice, en parallle avec le diple et espacs dune largeur Sb = 3,6 mm, de faon minimiser
les radiations indsirables qui se propagent paralllement au substrat [21-22].
Les diagrammes de la figure 2.23c montrent que cette antenne possde de bonnes
caractristiques de rayonnement. Son gain est de 7 dBi, son efficacit, de 80 % et sa bande
passante, de 11% 60 GHz, soit de 59 GHz 64 GHz.
60
61
62
Figure 2.26. Antenne patch sur membrane 20 GHz, avec substrat en silicium LR ou HR. [24]
En rsum, les tudes faites dans [17], [23] et [24], montrent que la hauteur de la
cavit joue un rle prpondrant sur la bande passante et le rendement de lantenne patch.
Dans [17], le rendement dune antenne patch a t tudi en fonction de lpaisseur (Hsub) et
de la permittivit du dilectrique (r) caractrisant son substrat. Les rsultats de cette tude
sont donns par le diagramme bidimensionnel de la figure 2.27. En comparant ces rsultats
ceux dduits de la courbe de la figure 2.17a, on voit que la faiblesse du rendement est lie :
De plus, la courbe sur la figure 2.17b montre que plus la permittivit dilectrique du
substrat est faible, plus la bande passante de lantenne patch est large. Finalement, d'aprs les
travaux raliss dans [24], on voit que la rsistivit () du substrat joue un rle significatif sur
le rendement de lantenne patch et que par consquent, il vaut mieux utiliser un substrat ayant
une forte rsistivit pour raliser nos antennes.
63
Figure 2.27. Variations du rendement (en %) dune antenne patch 60 GHz en fonction de la
hauteur (Hsub) et de la permittivit (r) de son support [17].
(a) lantenne.
64
(a) plan E
(b) plan H
Figure 2.30. Antenne LTSA sur membrane en silicium, fonctionnant de 270 GHz 802 GHz [26].
65
(II - 1)
avec:
0,03 0
(II - 2)
r -1
Comme cette antenne est ralise sur membrane, elle remplit parfaitement la condition
(II-2). La figure 2.31 donne les diagrammes de rayonnement de cette antenne obtenus dans
les plans E et H, 348 GHz et 802 GHz respectivement. Ces diagrammes qui sont
symtriques, caractrisent un rayonnement homogne et directif. Notons que le rayonnement
se propage suivant le plan de lantenne. Le principal inconvnient de la LTSA est son
encombrement, rendant difficile sa mise en rseau.
Figure 2.31. Diagrammes de rayonnement de lantenne LTSA sur membrane en silicium, dans
les plans E et H [26].
66
D'aprs [19], [27] et [28], de telles antennes ralises en bande millimtrique, ont leur
bande passante et leur rendement qui varient en fonction de la hauteur lectrique du substrat
(hdilectrique / 0) et de celle de la cavit (hcavit / 0) se trouvant sous lantenne patch.
Dans [28], lantenne multicouche est ralise avec du Silicium HR. Elle est excite par
une ligne microruban porte par une couche de Silicium de 100 m dpaisseur tandis que le
patch est dpos sur une couche de Silicium de 250 m d'paisseur, o une cavit d'air de
67
Figure 2.34. Antenne cornet + diple ralise sur Silicium et fonctionnant 95 GHz.
68
La figure 2.36 montre que les diagrammes de rayonnement obtenus dans les plans E
et H, sont symtriques et que cette antenne est directive. L'antenne cornet prsente de bonnes
performances en termes de rayonnement et de bande passante, mais elle est
technologiquement trs complexe mettre en oeuvre.
Figure 2.36. Diagrammes de rayonnement de lantenne cornet + diple obtenus 95 GHz dans
les plans E et H.
69
Antennes
Support
Largeur de
bande
Rendement
Complexit
de mise en
uvre
Mise en
rseau
Sur Si HR
(Figure 2.15)
OK
1) Patch
Sur membrane
en Si HR
(Figure 2.24)
OK
Sur Si LR
(Figure 2.18)
OK
Sur membrane
en Si LR
(Figure 2.28)
OK
Sur membrane
en Si HR
(Figure 2.30)
NON
OK
OK
OK
OK
OK
Simple
couche
2) Diple
3) LTSA
Multicouche
Silicium
Multicouche
Solution
Hybride
4) Patch
coupl
une fente
Antenne et
excitation sur
Si HR
(Figure 2.20)
Excitation sur
Si HR
Antenne sur
membrane
(Figure 2.32)
5) Cornet
coupl
un diple
Excitation sur
Si HR
Antenne sur
membrane
(Figure. 2.34)
6) Patch
coupl
un dipole
Excitation sur
Si LR
Antenne sur
Verre
(Figure 2.22)
7) Diple
avec
rflecteur
Rflecteur sur
Si HR
Antenne sur
Verre
(Figure 2.23)
Ltude de toutes ces antennes a montr, de manire gnrale, que lexploitation dun
substrat tel que le Silicium impose un certain nombre de contraintes pour la partie antennaire,
cause de la forte permittivit du Silicium. Notamment, lorsque ces antennes sont construites
uniquement avec ce matriau, on trouve que celles-ci sont faible rendement et pour certaines
catgories dantennes telles que les antennes patch, leur bande passante est faible. Aussi, pour
70
D'aprs ltude dveloppe ci-dessus, le procd bas sur une simple couche de
dilectrique pour fabriquer une antenne sur membrane en Silicium, parait tre un bon
compromis entre les performances de lantenne (dont la largeur de bande et le rendement),
une exploitation adquate du Silicium, la rduction de la complexit de la fabrication et celle
de son cot. Les antennes choisies sont repres par des cases blanches dans le Tableau. II.2.
Compte tenu de lapplication vise, savoir la formation de faisceau, et de la ncessit de
mettre en rseau ce type dantenne, il parait judicieux de s'orienter vers des solutions
consistant utiliser des antennes compactes telles que le diple ou lantenne patch. En effet,
ces dernires sont plus faciles intgrer dans un rseau dantennes alors que la LTSA ne fait
pas laffaire car elle est trop encombrante. Ainsi, pour que la LTSA soit efficacement utilise,
sa surface doit tre de 3,5 x 6,6 , soit 17,5 mm x 33 mm 60 GHz [26].
II.4.5. Choix de la topologie dantennes et problmatique
Rappelons que l'antenne que nous voulons fabriquer, doit tre suffisamment large
bande pour couvrir la bande des 60 GHz (soit au minimum 11 % de bande). Comme le montre
l'tude faite dans les paragraphes prcdents, la bande passante des antennes patch sur
71
72
Figure 2.37. Diffrentes topologies dantenne formes d'un patch coupl des lments
parasites sur un mme support dilectrique.
La figure 2.39 reprsente une autre disposition des fentes dans le patch, qui permet
d'largir la bande passante. Les fentes tant imprimes paralllement la longueur (W) du
patch, lantenne est alors en forme de E. Cette antenne est excite par une ligne coaxiale au
centre du patch. Les travaux raliss par Fan Yang et al., montrent que la bande passante de ce
type dantenne est jusqu trois fois suprieure celle de l'antenne patch isole [39].
Figure 2.39. Antenne patch en forme de E doubles fentes parallles, imprimes dans un patch
carr.
74
Tableau II. 3. Bilan sur les techniques dlargissement de la bande passante dantennes patch
sur la mme couche dilectrique.
Antennes
Patch lments parasites
I.E.B
Type
dexcitation
Diagramme de
Rayonnement
Rfrences
Plan E
Plan H
En forme de U
En forme de E
2,5 3 fois
3 fois
3 fois
3 fois
Coaxial
Coaxial
Coaxial
Microruban
Symtrique
(alimentation
Coaxiale)
Dissymtrique
(alimentation
microruban)
[32-33]
Coaxial
Microruban
Symtrique (quel
que soit le type
dalimentation)
- Fort niveau de
cross polarisation
- Difforme dans le
cas de plusieurs
fentes
[33]
[38]
75
Fort niveau de
cross polarisation
[39]
76
L'implantation d'un patch sur une membrane en Silicium pour rduire la forte
permittivit du substrat et accrotre le rendement de cette antenne.
L'adjonction d'lments parasites ce patch pour former une antenne large bande
pouvant couvrir la bande des 60 GHz. Comparativement aux autres solutions, cette
faon de procder ne complique pas davantage la conception des antennes et amliore
sensiblement leur bande passante car cette dernire est deux trois fois plus large que
celle dun patch isol. Cependant, la mise en rseau de ce type d'antenne est rendue
difficile par le fait qu'elle peut vite devenir assez encombrante.
La rduction de la taille de notre antenne large bande sur membrane en Silicium pour
faciliter sa mise en rseau et mettre au point un rseau d'antennes large bande
60 GHz.
En nous basant sur ces orientations, nos travaux vont se poursuivre vers la recherche
de solutions qui puissent rduire lencombrement des antennes avec lments parasites et
faciliter leur mise en rseau, tout en assurant une bande passante suffisante pour couvrir la
bande des 60 GHz. Mais, avant de voir comment satisfaire de telles exigences, nous allons
tout dabord dcrire, dans le chapitre suivant, les outils de caractrisation des circuits RF
60 GHz, recenser les problmes rencontrs pour leur ralisation dans cette gamme de
frquence et dvelopper des solutions pour y remdier.
77
78
79
80
CHAPITRE III
Modlisation et mesure des structures planaires 60 GHz
Rsum :
Dans ce chapitre, les logiciels de modlisation et les moyens de mesure disponibles au
Laboratoire, sont mis en pratique pour concevoir, simuler et caractriser des structures
planaires 60 GHz. Ces structures sont essentiellement des lignes de transmission et des
antennes comme celles prsentes dans les deux premiers chapitres. Les logiciels utiliss sont
HFSS et IE3D. HFSS permet de raliser des simulations du champ lectromagntique (E-M)
dans un environnement 3D tandis que IE3D est un logiciel 2.5D spcialement conu pour
modliser les lments rayonnants. Dans notre cas, nous dsirons raliser des lignes
microrubans, des lignes CPW et des antennes patch sur membrane dilectrique. Ces lignes et
ces antennes sont conues pour fonctionner au voisinage de 60 GHz, des frquences o les
dimensions des structures planaires, la permittivit dilectrique des substrats et leur
paisseur peuvent devenir problmatiques. En effet, ces frquences, de tels paramtres
doivent tre convenablement choisis, car autrement, des modes parasites risqueraient
d'apparatre et de se propager en engendrant des pertes non ngligeables. Afin de mettre en
vidence les conditions de propagation de modes parasites dans nos structures planaires
autour de 60 GHz et de cibler les difficults de conception des composants RF en bande
millimtrique, les performances des outils de simulation et de mesure ont t analyses.
Lobjectif principal de cette tude est alors didentifier les fonctions cls qui permettent
d'liminer ces modes parasites et dassurer notamment dans cette gamme de frquence, une
conception et une caractrisation rigoureuse de nos antennes. Aussi, ces antennes ont t
caractrises en adaptation, en gain et en diagramme de rayonnement grce aux moyens
exprimentaux existant au Laboratoire pour la mesure dans la bande des 60 GHz. Ces
moyens sont essentiellement un analyseur de rseau, une cellule de mesure des paramtres
[S] 60 GHz, une station sous pointes employe pour les mesures en espace libre et un banc
de caractrisation d'antennes en chambre anchode. Plus gnralement, les rsultats
exprimentaux obtenus sur les lignes et les antennes tudies ont t confronts, chaque
fois, ceux issus de la simulation et permettent de valider les mthodes de conception que
nous avons labores dans la bande millimtrique en se basant sur ces deux logiciels.
81
82
Simulateur
Caractristiques
Reprsentation physique
volumique
Maillage : Volumique
Caractristiques du PC:
microprocesseur 2 GHz, RAM
8 GHz
Temps de simulation : 25 mn
multicouche
Maillage : dans la surface
mtallique
Caractristiques du PC:
microprocesseur 2 GHz, RAM
8 GHz
Temps de simulation : 60 s
Malgr les diffrences existant entre ces deux logiciels, les mthodes qui en dcoulent,
sont complmentaires vis--vis de notre tude pour la conception de nos structures
hyperfrquences.
En effet, la modlisation sous IE3D est plus simple mettre en uvre et le temps de
simulation qu'elle requiert, est trs court. De tels avantages peuvent nous faire gagner du
temps de manire significative lorsquon tudie un circuit donn pour comprendre son
fonctionnement.
84
85
Des rsultats incohrents avec IE3D: Avec ce logiciel, il est impossible de modliser
des lignes microrubans formes d'un substrat pais et de forte permittivit, comme le
cas du Silicium pour lequel hsub 400 m et r = 11,9 (courbe bleue de la figure 3.1a).
De fortes divergences entre les diffrentes mthodes de simulation, dans certains cas
(voir figures 3.1a, 3.1b et 3.2a).
Lorsquon modlise des lignes microrubans vers 60 GHz avec le logiciel IE3D et que
l'paisseur du substrat (hsub) est suprieure une hauteur limite (hsub)limite , ce logiciel nous
prvient automatiquement dun risque dexcitation de modes dordre suprieur dans le plan
associ au port dexcitation et ce, quelle que soit la valeur de la permittivit dilectrique (r).
Par consquent, un port associ une distribution de champs donne, peut exciter tous les
modes compatibles dans la structure associe ce port et rend difficile la dtermination de
limpdance caractristique (voir courbes bleues des figures 3.1a et 3.2a).
Les travaux raliss dans [5], mettent galement en vidence que lapparition des
modes dordre suprieur au mode TEM cause des erreurs d'valuation de limpdance
caractristique, mais que la principale limitation du champ dapplication des lignes
microrubans n'est pas uniquement due ces modes. En effet, comme nous l'explicitons dans
l'annexe E, le mode quasi-TEM peut coupler des modes du substrat. La propagation de tous
ces modes peut alors entraner des pertes d'nergie trs importantes [5].
86
Figure 3.1. Impdance dune ligne microruban 50 (ayant un substrat de forte permittivit)
simule avec HFSS et IE3D en fonction de la frquence.
Figure 3.2. Impdance dune ligne microruban 50 (ayant un substrat de faible permittivit)
simule avec HFSS et IE3D en fonction de la frquence.
Dans l'annexe E, la figure E.1 reprsente la cartographie des champs des modes
dordre suprieur. Dans cette annexe, les quations (E - 1), (E2) et (E 3) donnent les
frquences de coupure des modes parasites pouvant apparatre dans une structure microruban
et permettent d'en dduire les conditions relles de propagation de ces modes.
Soit hsub, la hauteur du substrat, r, sa constante dilectrique relative, co, la vitesse de
la lumire dans le vide et Zc, limpdance caractristique. Ces quations r - crites ici, sont:
Fgn =
nc o Z c
240h sub
(III-1)
87
c o arctg( r )
(III-2)
.h sub 2( r 1)
3c o
(III-3)
4h sub 2( r 1)
Daprs ces quations, lorsque le substrat est de 400 m d'paisseur, le mode suprieur
du premier ordre (n = 1) est celui qui risque de se propager lorsque Zc = 50 . Dans ce cas, on
dduit de lquation (III-1) que la frquence de coupure de ce mode vaut 52 GHz.
En procdant par analogie avec les courbes des figures 3.1a et 3.2a, on remarque que
les divergences entre les trois mthodes de HFSS et les fortes fluctuations observes avec
IE3D apparaissent effectivement partir de cette frquence de coupure pour des lignes
microrubans ralises sur un substrat de 400 m d'paisseur ou plus.
De plus, en comparant parmi ces courbes, celles obtenues avec IE3D, on voit que
l'impdance caractristique des lignes tudies s'carte sensiblement de 50 lorsque la
frquence crot. Dans le cas d'une ligne microruban sur substrat pais et forte permittivit,
les fluctuations d'impdance sont beaucoup plus importantes que quand cette ligne est place
sur un substrat pais et de faible permittivit (voir figure 3.2a).
Cette incohrence des rsultats de la simulation sous IE3D obtenue surtout dans le cas
de substrats de forte permittivit, sexplique par lexistence probable dun mode
supplmentaire qui perturbe la modlisation avec ce logiciel. De manire gnrale, en
analysant les quations (III-2) et (III-3), on trouve que le mode suivant risquant de se
propager aprs le mode du premier ordre, est le mode de substrat TM0. Pour la ligne sur
substrat de forte permittivit, la frquence de coupure de ce mode intervient 76 GHz, ce qui
est peu prs la frquence o a lieu le second point d'inflexion de la courbe de limpdance
caractristique de cette ligne (voir courbe bleue de la figure 3.1a). Pour la ligne sur substrat
pais et de faible permittivit (hsub = 400 m, r = 3), le mode TM0 ne risque de se propager
que seulement, une frquence proche de 137 GHz. Comparativement au cas prcdent, ceci
explique labsence de variations subites de l'impdance caractristique (voir figure 3.2a).
Remarquons que notre frquence de travail se situe autour de 60 GHz et que les substrats
employs ont des caractristiques typiques, faisant que d'aprs la relation (III-3), le mode TE0
ne risque gure de se propager.
Pour liminer l'ensemble des modes parasites, il suffit donc de se mettre dans des
conditions empchant la propagation du premier mode dordre suprieur dans la bande des
60 GHz, puisque ce mode est celui qui risque d'apparatre en premier. Ces conditions
reviennent trouver un substrat dont la constante dilectrique et l'paisseur permettent
d'loigner les modes d'ordre suprieur de la frquence de travail de la structure tudie et de
88
n co Zc
240 Fgn
(III-4)
Dornavant, c'est l'ingalit (III-4) qui sera employe pour fixer la hauteur limite
(hsub)limite pour laquelle on a aucun risque de propagation de mode parasites dans la bande de
frquences considre. Notons que daprs cette ingalit, il est toujours possible, si besoin
est, daugmenter la hauteur (hsub)limite condition de disposer de valeurs plus fortes de
limpdance caractristique Zc.
Contrairement IE3D, HFSS modlise la ligne microruban sans aucune restriction et
les rsultats obtenus sont acceptables quelles que soient les caractristiques du substrat.
Cependant, les diffrentes mthodes pour dterminer limpdance caractristique dune ligne
sur HFSS, savoir Zpi, Zpv, Zvi, ne convergent vraiment que pour une ligne ralise sur un
substrat fin et de faible permittivit (voir figure 3.2b). En fait, les rsultats divergent surtout
dans le cas de substrats pais (voir figures 3.1a et 3.2a). Cette divergence sexplique par la
nature des champs quasi-TEM appliqus une telle structure. Ainsi, plus la hauteur du
substrat est grande par rapport la longueur donde guide (g), plus les champs caractre
hybride du mode quasi-TEM situs sur les cots de la ligne microruban, se densifient. Comme
le prcise lannexe B, chacune des trois mthodes de HFSS, Zpi, Zpv ou Zvi, calcule
l'impdance caractristique de la ligne en considrant diffremment la densit des champs qui
rgnent dans le port dexcitation de celle-ci. Pour un substrat fin et de faible permittivit, ces
trois mthodes convergent car les champs appliqus la structure sont plus proches du
caractre TEM. Dans ce cas, les courbes de la figure 3.2b indiquent que les carts entre les
impdances obtenues par simulation, ne dpassent gure 1 . D'aprs la notice technique de
HFSS, la mthode Zpi ralise la meilleure approche lorsque le mode de transmission est de
type quasi-TEM [1,5]. Aussi, quelle que soit la nature du substrat, nous avons choisi de
calculer, dornavant, limpdance caractristique dune ligne microruban partir de la
puissance et du courant, savoir Zpi.
89
Figure 3.3. Cellule de mesure Wiltron des paramtres [S] 60 GHz [6]
Le Tableau III.2 donne les caractristiques des substrats sur lesquelles ces lignes ont
t dposes. Les dimensions des lignes indiques par ce tableau, ont t ajustes de faon
que leur impdance caractristique soit gale 50 .
Tableau III.2. Caractristiques des substrats utiliss et dimensions de lignes microrubans.
Substrat
Forte
permittivit
9,9
tg
0,0012z)
Faible
3,38
hsub (
m)
( 10 GHz)
Alumine
permittivit
RO 4003
Hauteur:
Largeur
de la
ligne: Ws
(mm)
Longueur de
la ligne:
Ls (mm)
20
0,22
20
1,245
20
0,3
20
0,0023
Les rsultats de mesure sur chaque ligne microruban ont t ensuite compars avec
ceux de la modlisation avec HFSS. Pour cette comparaison, nous avons prfr HFSS
IE3D pour les raisons suivantes :
90
Comme nous l'avons expliqu au paragraphe III.2.1, IE3D donne des rsultats
incohrents dans le cas des lignes ralises sur des substrats pais et forte
permittivit (voir figure 3.1a).
HFSS permet de concevoir un prototype (design) qui tient compte des conditions de
mesure, c'est--dire, qui ralise linterconnexion entre la ligne mesurer et loutil de
mesure (voir figure 3.4b).
Pour les besoins de notre analyse, la mesure est compare aux deux cas de
modlisation de la ligne microruban, respectivement obtenus avec et sans alimentation
coaxiale (voir figure 3.4). La figure 3.4b montre que dans le premier cas, chacune des
extrmits de la ligne microruban est interconnecte une liaison coaxiale par le biais d'une
transition coaxial-microruban conue selon des conditions ralistes de mesure. Remarquons
que lors de la simulation des configurations de la figure 3.4, la solution Zpi a t adopte pour
dterminer limpdance caractristique et normaliser les rsultats de la modlisation 50 .
Figure 3.4. Conditions de modlisation sous HFSS pour une ligne microruban avec et sans
prise en compte de linterconnexion avec le connecteur coaxial.
Les courbes des figures allant de 3.5 3.8 donnent les rsultats de mesure des lignes
microrubans obtenus avec la station Wiltron et ceux issus de la simulation sous HFSS, quand
la ligne microruban est interconnecte avec les connecteurs coaxiaux de la cellule 60 GHz et
lorsqu'elle ne l'est pas.
91
Figure 3.5. Mesure et simulation sous HFSS, pour une ligne microruban ayant un substrat
pais et forte permittivit (hsub = 635 m > (hsub)limite, r = 9,9).
Figure 3.6. Mesure et simulation sous HFSS, pour une ligne microruban ayant un substrat fin et
forte permittivit (hsub = 254 m < (hsub)limite, r = 9,9).
92
Figure 3.7. Mesure et simulation sous HFSS pour une ligne microruban ayant un substrat pais
et faible permittivit (hsub = 508 m > (hsub)limite, r = 3,38).
Figure 3.8. Mesure et simulation sous HFSS pour une ligne microruban ayant un substrat fin et
faible permittivit (hsub = 125 m < (hsub)limite, r = 3,38).
93
Forte permittivit
Faible permittivit
(r = 9,9 et tg = 0,0012)
(r = 3,38 et tg = 0,0023)
Epais
Fin
Epais
Fin
(635 m)
(254 m)
(508 m)
(125 m)
S11 (dB)
- 19
- 31
- 31
- 36
sans
- 0,054
- 0,004
- 0,004
- 0,001
interconnexion
-1
-1
- 0,5
- 0,5
S12 (dB)
- 0,946
- 0,996
- 0,496
- 0,499
S11 (dB)
< - 10
< - 20
< - 12
< - 19
- 0,45
- 0,043
- 0,29
- 0,054
- 5,5
- 1,5
- 4,5
- 1,5
S12 (dB)
- 5,05
1,457
- 4,21
- 1,446
Hauteur
Ligne
Ligne
avec
interconnexion
Pour les lignes microrubans avec interconnexion, leur simulation effectue avec
HFSS, donne des rsultats qui concordent avec ceux issus par la mesure. En effet, d'aprs les
figures 3.5 3.8, les variations des paramtres S11 et S12 en fonction de la frquence, se
traduisent par des courbes en vert et en rouge, obtenues respectivement par la mesure et par la
simulation sous HFSS. Ces deux sortes de courbes sont proches l'une de l'autre. Par
consquent, ces rsultats permettent de valider la mthode de simulation base sur l'utilisation
de HFSS et l'insertion de la transition microruban coaxial.
En comparant ces rsultats ceux obtenus sans interconnexion (courbes en bleu) et en
analysant les donnes du Tableau III.3, on constate:
o Un accroissement de la dsadaptation (S11) cre par la transition entre la ligne
microruban et le cble coaxial.
o Une augmentation des pertes qui nest pas seulement explique par la dsadaptation de
la ligne de transmission. En effet, les valeurs ralistes (simules ou mesures) de S12
figurant dans le Tableau III.3 sont toujours plus leves que les valeurs thoriques (S12
thorique).
Dans le cas simple des lignes sans interconnexion, le Tableau III.3 indique que les
pertes observes sont, la fois, lies la forte permittivit et aux pertes dilectriques (tg ) de
chaque substrat. Cependant, celles-ci sont ngligeables devant les fortes pertes observes dans
le cas des lignes sur substrat pais et avec interconnexion. Notamment, la diffrence des
autres cas, la courbe du coefficient de transmission (S12) de la figure 3.5, montre que les
pertes dans la ligne sur un substrat pais et forte permittivit sont trs importantes et
94
d'ordre (n)
Modes de
substrat
3,38 (Faible)
Epais
(635 m)
Fin
(254 m)
Epais
(508 m)
Fin
(127 m)
31,3
90
40
156
62,6
156
78
313
Fc : TM0 (GHz)
52
131
110
442
Fc : TE0 (GHz)
83
209
203
812
Hauteur hsub
Modes
9,9 (Forte)
er
Fc: 2
mode (GHz)
Figure 3.9. Distribution 60 GHz de l'amplitude du champ lectrique dans le prototype de ligne
microruban alimente par cble coaxial.
96
Grce nos tests raliss en Laboratoire, on peut conclure que la restriction impose
par lingalit (III-4) fixe aussi la limite de hauteur de substrat laquelle une mesure fiable
peut tre faite sur une ligne microruban avec la cellule Wiltron dans la bande des 60 GHz.
97
Figure 3.10. Impdance caractristique dune ligne CPW de 50 (ayant un substrat de forte
permittivit) simule avec HFSS et IE3D en fonction de la frquence.
Figure 3.11. Impdance caractristique dune ligne CPW de 50 , (ayant un substrat de faible
permittivit) simule avec HFSS et IE3D en fonction de la frquence.
98
Figure 3.12. Mesure des paramtres [S] 60 GHz avec la station sous pointes Karl Suss [8].
Les figures 3.13 et 3.14 illustrent la comparaison faite entre les rsultats de la
simulation sous HFSS et IE3D avec ceux issus de la mesure des paramtres [S] des lignes
CPW implantes respectivement sur un support en Alumine et sur un substrat en RO 4003.
Les courbes des figures 3.13 et 3.14 montrent globalement une bonne concordance
entre la mesure et la simulation pour le paramtre S11. Dans le cas du paramtre S12, on trouve
que HFSS permet une caractrisation plus fidle quIE3D. En effet, les rsultats obtenus avec
IE3D diffrent faiblement des donnes exprimentales. Au final, ces rsultats sinterprtent
par le dcalage denviron 10 observ sur les figures 3.10 et 3.11, lors de lanalyse en
modlisation des lignes CPW. Cette diffrence sexplique par la mthode de discrtisation de
99
Figure 3.13. Mesure et simulation sous HFSS et IE3D dune ligne CPW 50 sur un substrat
pais et forte permittivit (h = 635 m, r = 9,9).
Figure 3.14. Mesure et simulation sous HFSS et IE3D dune ligne CPW 50 sur un substrat
pais et faible permittivit (h = 508 m, r = 3,38).
Par contre, malgr toutes ces diffrences, IE3D ralise rapidement une assez bonne
caractrisation. Le bon accord obtenu entre la mesure et la simulation des paramtres [S]
l'aide de HFSS, permet de valider la mthode Zpv utilise pour estimer limpdance
caractristique. Les rsultats de mesure mettent galement en vidence quun substrat de
faible permittivit engendre moins de pertes dans la ligne quun substrat de forte permittivit
et ce, malgr que ce dernier ait une tangente de pertes (tg) de valeur plus faible.
100
n co Zc
240 Fgn
o IE3D et HFSS ralise une bonne caractrisation des lignes CPW. Par contre,
une modlisation effectue sous HFSS en considrant la solution Zpv, est la
meilleure approche pour calculer l'impdance caractristique de la ligne.
101
Figure 3. 15 Antenne patch sur membrane Si / BCB, ralise suivant la technologie employe
au LAAS-CNRS.
Rappelons quIE3D ne peut s'appliquer que sur des structures appartenant un plan de
surface infinie et par consquent, rend impossible toute action sur l'tendue du substrat et de
102
(a) Adaptation
(b) Gain
Figure 3. 16. Gain et paramtre S11 simuls avec IE3D et HFSS pour lantenne patch sur
membrane Si / BCB.
103
(a) Plan H
(b) Plan E
HFSS
IE3D
62
63
La figure 3.17 met aussi en vidence des diffrences significatives entre les
diagrammes de rayonnement obtenus respectivement avec HFSS et IE3D. Ces diffrences se
traduisent par l'apparition d'un lobe arrire avec HFSS, dont l'amplitude vaut - 10 dB dans le
plan E et - 20 dB dans le plan H, alors que le rayonnement arrire est nul pour IE3D. De plus,
avec HFSS, une polarisation croise (Cross) supplmentaire 90 est observe dans le
plan H alors qu'avec IE3D, elle est inexistante. De telles diffrences s'expliquent par le fait
que le plan de masse et le substrat traits par HFSS, sont de surface finie alors que celles
dIE3D sont infinies. Cependant, malgr ces diffrences, lallure des diagrammes de
rayonnement et les niveaux de gain obtenus dans les plans E et H l'aide de ces deux
logiciels, sont similaires.
104
(b) Technologie.
Figure 3.18. Antenne patch sur membrane suivant la technologie dveloppe au Lab-STICC.
Ce matriau est une feuille de DICLAD LTF-250, fabriqu par Arlon en vue
d'applications en microondes. Ses caractristiques sont: r = 2,33, hsub = 50 m, tg = 0,0013.
La ralisation des antennes est base sur la technologie TFMS (Thin Film MicroStrip). Elle a consist, tout d'abord, intercaler ce matriau, sous forme d'un film de 50 m
d'paisseur, entre deux lames de cuivre, respectivement paisses de 300 m et 20 m. Ensuite,
ces lames de cuivre ont t colles au DICLAD LTF-250 par fusion thermique. Lantenne
patch mesurer a t imprime sur la feuille de cuivre de 20 m d'paisseur en procdant par
attaque chimique. Finalement, une cavit d'air a t amnage sous lantenne patch en
effectuant une gravure chimique de la semelle en cuivre de 300 m d'paisseur, avec une
inclinaison de 55, jusqu laisser apparatre le substrat en DICLAD LTF-250. La figure 3.18
donne une description dtaille de l'antenne ainsi ralise au Lab-STICC.
Comme nous l'avons expliqu aux sous - paragraphes III.2.1.1 et III.2.2.1, les
paramtres [S] de cette antenne peuvent tre mesurs, soit avec un accs microruban via la
cellule Wiltron 60 GHz, soit avec un accs CPW via la station sous pointes Karl Suss.
105
Figure 3.19. Mesure du gain et du paramtre [S] de lantenne avec la station sous pointes.
106
(a) Adaptation
(b) Gain
D'aprs la figure 3.20b, le gain selon qu'il soit simul ou mesur, demeure quasiment
inchang dans la bande passante o il vaut 8 dBi. Cependant, cette figure met aussi en
vidence des fluctuations qui viennent se greffer la courbe du gain obtenue
exprimentalement. Ces perturbations sont probablement dues la prsence des objets se
trouvant proximit de l'antenne, comme le montre la figure 3.19. En arrivant sur ces
obstacles, les ondes mises par l'antenne, produisent des rflexions parasites et peuvent
fausser les mesures. Malgr toutes ces diffrences, un bon accord a t obtenu entre les
rsultats de la modlisation et de la mesure. En particulier, aprs lvaluation prcise du gain
de notre antenne et de son coefficient de rflexion, la mthodologie employe pour la
modlisation et la technique de mesure ont t mutuellement valids pour la bande
millimtrique.
III.4.2.1. Mesure des diagrammes de rayonnement
Lors de la prsentation des outils de mesure des diagrammes de rayonnement
60 GHz, nous nous limiterons dornavant lexploitation de HFSS, pour comparer les
rsultats de mesure ceux issus de la simulation et pour valider ces outils, car les conditions
imposes par IE3D, c'est--dire une tendue infinie du substrat et du plan de masse, ne
refltent pas la ralit de l'exprimentation.
Au Lab-STICC, deux sortes de mthode sont dveloppes pour mesurer et tracer les
diagrammes de rayonnement. Les moyens exprimentaux requis par ces mthodes, sont:
107
Un banc de mesure permettant d'utiliser la station sous pointes Karl Suss avec
lanalyseur de rseau Wiltron.
La figure 3.21 reprsente le banc de mesure utilisant la station sous pointes Karl Suss
pour tracer des diagrammes de rayonnement. La mesure est effectue avec une antenne cornet
de 8 dBi accorde en bande W et collectant le rayonnement lectromagntique mis par les
antennes caractriser. Les diagrammes de rayonnement ont t mesurs suivant leurs plans
respectifs E et H (voir figures 3.21a et 3.21b).
Figure 3. 21. Mesure du diagramme de rayonnement avec la station sous pointes Karl Suss.
Ce type de mesure ncessite une arche en mousse pose sur le wafer et sur laquelle est
fixe l'antenne cornet de rception. Cette dernire est rgle manuellement en position par
bonds de 10 et collecte donc la puissance mise par lantenne tudie en fonction de l'angle.
En pratique, des contraintes mcaniques lies lemploi des diffrents lments du dispositif
de mesure tels que larche, les connecteurs V, la pointe CPW, l'antenne cornet ou la station
Karl Suss, limitent le trac des diagrammes de rayonnement aux angles allant de - 70 + 70
dans le plan H et de - 30 + 70 dans le plan E.
La figure 3.22 reprsente ces diagrammes dans lesquels l'amplitude du champ est
exprime en valeurs relatives. On retrouve une bonne concordance entre les rsultats de la
modlisation et de la mesure donnant le diagramme de rayonnement de lantenne dans le plan
H en co-polarisation (Co). Cependant, le niveau de la polarisation croise (Cross) obtenu
exprimentalement dans ce plan, est suprieur celui issu de la simulation. Dans le plan E, le
niveau de la Cross est ngligeable car il est infrieur - 25 dB. De plus, la portion de
108
(a) Plan H
(b) Plan E
Figure 3.22. Diagrammes de rayonnement de lantenne patch sur membrane, modliss sous
HFSS et mesurs grce la station sous pointes Karl Suss.
Figure 3.23. Reprsentation du prototype conu sous HFSS pour modliser lantenne en
prsence de la pointe RF.
109
(a) Plan H
(b) plan E
Figure 3.24. Diagrammes de rayonnement de lantenne patch sur membrane, modliss sous
HFSS en prsence de pointes RF et mesurs grce la station sous pointes Karl Suss.
110
111
(a) Plan H
(b) Plan E
Figure 3.28. Mesure et simulation des diagrammes de rayonnement en co - et cross polarisation de lantenne patch sur membrane.
Les deux bancs exprimentaux que nous avons dcrits, donnent des rsultats
comparables. Cependant, la mthode base sur la station de mesure sous pointes est plus
artisanale. En effet, elle se fait en espace libre, mais avec des obstacles autour de l'antenne, la
position de l'antenne est rgle manuellement et la prsence des pointes perturbe la mesure.
112
millimtrique.
L'efficacit des logiciels IE3D et HFSS est dj prouve dans des applications trs
hautes frquences. En bande millimtrique, la modlisation sous IE3D qui est base sur des
conditions idales, s'effectue de faon simple et rapide. Mais, des carts non ngligeables sont
observs lors de la simulation de l'impdance caractristique des structures planaires tudies.
Par contre, HFSS donne de meilleurs rsultats, surtout avec Zpi pour les lignes microrubans et
Zpv pour les lignes CPW.
En voulant expliquer les difficults d'valuation de l'impdance caractristique, nous
avons mis en vidence l'existence de modes dordre suprieur et de substrat, dans le cas de
lignes planaires dont le substrat est pais et de forte permittivit (comme par exemple, un
support en Silicium de plusieurs centaines de m d'paisseur). Nous avons alors pu montrer
que ces modes induisent de fortes pertes lors de leur propagation dans ce type de lignes. Entre
autres, nous avons trouv qu'il n'y avait plus aucun risque de propagation de ces modes
113
114
115
116
Chapitre IV : Conception dantennes patch compactes, large bande 60 GHz et mise en rseau
CHAPITRE IV
Conception dantennes patch compactes, large bande 60 GHz
et mise en rseau
Rsum:
L'tude faite dans ce chapitre concerne la recherche de configurations compactes
permettant dlargir la bande passante dune antenne patch fonctionnant 60 GHz. Pour
cel, nous avons considr un patch imprim sur un support en Silicium de 410 m
dpaisseur totale. Ce substrat comporte une membrane en Silicium / BCB de 1,4 m
dpaisseur, superpose une cavit dair de 398,6 m. Deux techniques ont t utilises
pour accrotre la bande passante. L'une de ces techniques repose sur l'association du patch
deux lments parasites sur le mme support dilectrique. Aprs optimisation des dimensions,
on obtient un prototype d'antenne peine plus grand qu'un simple patch et donc, plus
compact que des antennes de mme type dcrites dans la littrature. De plus, sa bande
passante est denviron 1,8 fois suprieure celle de ce patch oprant seul. L'autre technique
revient exciter le patch avec une alimentation microruban en T ou en U par couplage
lectromagntique sur le mme substrat. On trouve que lantenne couple une ligne
microruban avec terminaison en T, possde une meilleure bande passante, car elle peut tre
trois fois plus large que celle du patch isol. Cette caractristique est comparable celle des
antennes large bande prsentes dans le chapitre II, mais elle a t obtenue avec de moindres
dimensions et avec de meilleures proprits de rayonnement en fonction de la frquence. Le
patch aliment par une ligne microruban avec terminaison en U, donne des rsultats
quivalents ceux de la configuration en T. Cependant, elle est moins encombrante car elle
est pratiquement de mme taille que celle du simple patch. Parmi toutes ces solutions, les
caractristiques de lantenne patch alimente par un microruban en forme de U font quelles
permettent une insertion plus aise dans un rseau conu pour fonctionner par formation de
faisceau (beamforming) dans une bande allant de 57 GHz 64 GHz.
117
Chapitre IV : Conception dantennes patch compactes, large bande 60 GHz et mise en rseau
IV.2. Antenne patch 60 GHz couple avec des lments parasites dans le
plan H
Les rgles de conception utilises pour mettre au point l'APMEP 60 GHz, sont les
mmes que celles tablies par Kumar et al. dans [1] pour ce type d'antenne. Ces rgles sont
exposes au chapitre II. La figure 4.1 reprsente les vues de dessus et de ct de cette antenne.
118
Chapitre IV : Conception dantennes patch compactes, large bande 60 GHz et mise en rseau
Figure 4.1. Antenne patch 60 GHz munie dlments parasites (APMEP), ralise sur
membrane en Si / BCB.
Comme dans [1], lAPMEP se compose d'un patch central qui excite sur le mme
support, deux patchs parasites latraux par couplage lectromagntique (voir figure 4.1a).
Daprs la figure 4.1b, l'antenne ainsi tudie, est implante sur une membrane en
Silicium HR de 1,4 m dpaisseur recouverte dun film de 10 m de BCB et comportant
dans sa partie infrieure, une cavit dair de hauteur gale 396,4 m. Le substrat quivalent
au support de lantenne est alors de hauteur totale : htotale = hBCB + hair + hm = 410 m et de
permittivit dilectrique quivalente (r)eq = f(bcb, air, si) 1,1. Cette valeur de (r)eq a t
calcule partir de lquation (G-1) de lannexe G, qui permet d'valuer la permittivit
relative quivalente (r)eq dun support compos de plusieurs dilectriques. Le patch, les
lments parasites et la ligne dalimentation sont gravs sur ce substrat avec 3 m dpaisseur
dOr.
La figure 4.1a donne les dimensions que nous avons obtenues pour l'APMEP, en
appliquant les rgles de conception de Kumar et al. Elle indique aussi que chacun des deux
lments parasites est spar du patch central par un espacement (ou gap) g. Etant placs
dans le sens de la largeur (W), ils sont tous les trois aligns le long du plan H. Tous ces patchs
contribuent au rayonnement et sont rgls des frquences daccord assez proches, de
manire crer de multiples rsonances dans le systme antennaire.
Le paramtre g permet, dune part, dassurer lexcitation des patchs parasites et,
d'autre part, d'ajuster limpdance de lAPMEP de manire que le maximum de frquence
converge vers une mme valeur d'impdance. Il est alors rgl de sorte que les diffrents
lments rayonnants soient suffisamment proches les uns des autres et que leur couplage
mutuel soit suffisamment fort pour produire un largissement adquat de la bande passante
[1]. Un bon couplage entre ces antennes et une augmentation de la bande passante sont alors
assurs si l'espacement entre le patch central et les patchs parasites est le plus faible possible
119
Chapitre IV : Conception dantennes patch compactes, large bande 60 GHz et mise en rseau
[1]. Dans notre cas, le gap g pouvant tre ralis avec les moyens exprimentaux de notre
laboratoire et ceux de nos partenaires, est limit 10 m.
Le patch central et les patchs parasites formant cette antenne sont rgls des
frquences diffrentes, mais suffisamment proches, grce un ajustement adquat de leurs
longueurs respectives (L) et (Lp). Ainsi, pour L = 2 mm et W = 2,2 mm, la frquence de
rsonance du patch principal vaut pratiquement f1 = 59 GHz, tandis que pour Lp = 1,8 mm et
Wp = 2,2 mm, celle des patchs parasites est f2 = 63 GHz.
La modlisation lectromagntique (E-M) de notre antenne a t effectue sous
IE3D [2]. La figure 4.2 donne les courbes du coefficient de rflexion (S11) et du rendement de
cette antenne (A) (c'est--dire, avec prise en compte de ladaptation). Ces courbes sont
compares celles obtenues pour une antenne patch oprant seule et rsonnant 62 GHz (les
dimensions du patch seul ont dj t fixes au paragraphe III.4.1).
Les rsultats ainsi obtenus, sont rsums dans le Tableau IV.1. Ils montrent qu'en
ajoutant des patchs parasites, la bande passante (Bp) de lantenne considre s'largit
effectivement, mais modrment. En effet, d'aprs ce Tableau, la bande passante du patch seul
est de 6,6 % pour S11 -10 dB, tandis que celle de lantenne patch couple des lments
parasites, est 1,7 fois plus grande car elle vaut 11 %. Cette largeur de bande est suffisante
pour couvrir celle dfinie par la norme des 60 GHz.
Figure 4.2. Rendement (A) et paramtre S11 simuls sous IE3D pour lantenne patch 60 GHz
sur membrane Si / BCB, avec et sans lments parasites.
Tableau IV.1. Caractristiques de lantenne patch avec et sans lments parasites.
Antennes
Zin
BP (A 90%)
BP (A 80%)
Patch seul
160
6,6 %
6,6 %
9.6 %
APMEP
200
11 %
9%
15 %
120
Chapitre IV : Conception dantennes patch compactes, large bande 60 GHz et mise en rseau
Notons, cependant que pour S11 < - 10 dB, le rendement (A) du patch coupl des
lments parasites est plus faible au dbut de sa bande passante. Cette chute de rendement
apparat aux frquences proches de celle du patch central
Comme le montre la figure 4.3, ce dernier a, en plus de sa fonction dlment
rayonnant, le rle d'exciter par couplage les deux autres lments rayonnants qui lui sont
adjacents. Ceci implique quune partie de son nergie est dissipe au niveau de ce couplage
lorsque lantenne centrale excite les lments parasites, et provoque, par consquent, la
rduction du rendement de lAPMEP en dbut de bande passante.
(a) 58 GHz
(b) 65 GHz
Elle montre que ces diagrammes ne diffrent pas dans le plan E, mais qu'ils varient
sensiblement en fonction de la frquence dans le plan H. Une telle variation est due la
121
Chapitre IV : Conception dantennes patch compactes, large bande 60 GHz et mise en rseau
disposition des lments parasites le long de ce plan (voir figure 4.1a). En particulier, la
courbe obtenue en co-polarisation dans le plan H 58 GHz, caractrise le rayonnement du
patch principal tandis que le diagramme 65 GHz traduit l'effet de lassociation des deux
patchs latraux de longueur Lp. D'aprs les courbes de la figure 4.3, lAPMEP possde un fort
niveau de polarisation croise dans le plan H comparativement au patch seul. On trouve que
ce niveau est de - 15 dB pour notre antenne alors qu'il est pratiquement de - 30 dB pour un
simple patch (voir paragraphe III.4.1). Cette lvation du niveau de polarisation croise est
induite par le couplage entre les diffrents lments dantennes via le gap dilectrique.
D'aprs la figure 4.1, lAPMEP est encombrante quand elle est conue en technologie
classique telle que dfinie dans [1]. En effet, elle s'tend sur trois fois la largeur dun patch
classique et ne se prte, donc, pas sa mise en rseau sous une forme compacte. Or, nous
cherchons utiliser cette antenne lors d'applications bases sur le Beamforming. Ces
applications font que les dimensions de l'antenne doivent imprativement tre rduites de
faon que sa mise en rseau soit possible. Aussi, nous allons dtailler, ci-aprs, une tude
paramtrique de lantenne patch munie dlments parasites de manire quelle soit, la fois,
large bande pour couvrir la bande des 60 GHz et compacte pour sa mise en rseau.
IV.2.1. Optimisation de lAPMEP 60 GHz
L'tude paramtrique que nous avons faite sur l'APMEP, est base sur lemploi de
loutil IE3D. Elle consiste analyser les diffrents paramtres caractrisant lantenne
(APMEP) en fonction de la frquence et en particulier, apprcier les variations du paramtre
S11 pour ensuite, valuer l'tendue de la bande passante. Cette tude va nous permettre de
dfinir limpact de chaque lment rayonnant de lAPMEP et doptimiser ses dimensions de
faon que cette antenne couvre aisment la bande des 60 GHz, avec un encombrement aussi
rduit que celui dune antenne patch classique. Notons que les rsultats obtenus sous IE3D,
ont t normaliss limpdance propre de lAPMEP.
IV.2.1.1. Influence des patchs parasites
Pour valuer limpact des lments parasites, les dimensions du patch central ont t
fixs en faisant: W = 1,6 mm et L = 2,1 mm. Ces dimensions lui confrent alors une
frquence de rsonance situe autour de 59 GHz. Ensuite, on fait varier les paramtres propres
chaque lment parasite, savoir g, Wp et Lp.
Variation de Wp: Les courbes de la figure 4.5 ont t tablies en fixant le gap g et
la longueur Lp , puis en considrant diffrentes largeurs Wp . En pratique, les valeurs
que nous avons considres, sont: g = 100 m, Lp = 2,05 mm, Wp = 0,1 mm, 0,2 mm et
0,3 mm. Dans ce cas, on constate que la largeur des lments parasites a un effet direct sur la
rsonance haute de lantenne. Ainsi, d'aprs les courbes de la figure 4.5a, plus Wp diminue,
plus la frquence caractrisant cette rsonance, augmente. La diminution de cette largeur a
122
Chapitre IV : Conception dantennes patch compactes, large bande 60 GHz et mise en rseau
pour effet d'largir la boucle de rsonance de la courbe de S11 sur labaque de Smith (voir
figure 4.5b). Ces rsultats montrent que Wp contribue bien au rglage de la frquence de
rsonance des lments parasites et de ladaptation de lAPMEP. De plus, en comparant la
rponse en S11 de cette antenne lantenne APMEP prcdente (voir figure.4.2), on constate
que le fait de rduire la largeur de Wp permet de voir clairement llargissement de la bande
passante et la contribution frquentielle de chaque lment rayonnant, ceci prouve que la
rduction de la largeur Wp amliore le couplage entre les diffrents patchs.
Figure 4.5. Courbes de S11 obtenues pour l'APMEP en fonction de la frquence, avec
g = 100 m, Lp = 2,05 mm, L = 2,1 mm, W = 1,6 mm et diverses valeurs de Wp.
Variation de Lp: Les courbes de la figure 4.6 mettent aussi en vidence linfluence de
la longueur des lments parasites sur la rsonance haute de lantenne. Elles ont t traces en
faisant varier la longueur Lp et en fixant les deux autres paramtres. Ainsi, plus Lp diminue,
plus cette frquence augmente et plus la boucle de la courbe de S11 trace sur labaque de
Smith, se rtrcit (voir figures 4.6a et 4.6b).
Figure 4.6. Courbes de S11 obtenues pour l'APMEP en fonction de la frquence, avec g = 100
m, Wp = 200 m, L = 2.1 mm, W = 1,6 mm et diverses valeurs de Lp.
123
Chapitre IV : Conception dantennes patch compactes, large bande 60 GHz et mise en rseau
Ces rsultats impliquent quun bon accord entre la frquence de rsonance des diffrents
lments rayonnants composant lAPMEP, doit tre trouv pour assurer une bonne adaptation
de lantenne sur une large bande. En effet, il faudrait que les frquences de rsonance des
lments parasites soit suffisamment proches de celle du patch central pour obtenir un
largissement de la bande passante lorsque S11 < -10 dB.
Variation de g: Le rglage du gap g est dune importance capitale car ce paramtre
permet, dune part, dassurer le couplage entre les lments parasites et le patch, et dautre
part, dadapter lAPMEP sur une large bande de frquence. Les rsultats de la simulation du
paramtre S11 sont donns par la figure 4.7, pour diffrentes valeurs du gap g, soit 20 m,
100 m et 180 m, tout en maintenant constantes les dimensions Lp et Wp.
Figure 4.7. Courbes de S11 obtenues pour l'APMEP en fonction de la frquence, avec Wp = 200
m, Lp = 2.05 mm, L = 2.1 mm, W = 1,6 mm et diverses valeurs de g.
Ainsi, plus on augmente g, plus la boucle du coefficient S11 sur labaque de Smith et la
largeur de la bande passante diminuent. Ceci prouve que si on augmente trop le gap,
linfluence des lments parasites disparat, car le couplage devient insignifiant. Dans ce cas,
la bande passante de lAPEMP sera gale celle du patch central.
La figure 4.8 illustre la rpartition spatiale du champ lectrique sur la nouvelle
topologie d'APMEP. Cette distribution a t simule sous HFSS [4]. Elle a t obtenue en
considrant les dimensions de cette antenne qui ont donn le meilleur largissement de sa
bande passante (courbe en rouge de la figure 4.7).
Elle met en vidence les deux frquences de rsonance de l'APMEP. En effet, la
distribution de champ de la figure 4.8a est maximum sur le patch central la frquence basse
de rsonance. Mais, d'aprs la figure 4.8b, le maximum de rayonnement la frquence haute
de rsonance sopre au niveau des lments parasites. Ceci prouve que le patch principal est
accord basse frquence et que les lments parasites rayonnent haute frquence [3].
124
Chapitre IV : Conception dantennes patch compactes, large bande 60 GHz et mise en rseau
(a) 59 GHz,
(b) 64 GHz
Figure 4.9. Courbes de S11 obtenues pour l'APMEP en fonction de la frquence, avec Wp = 200
m, Lp = 2,05 mm, g = 100 m, L = 2,1 mm et diverses valeurs de W.
Variation de L: Les courbes dcrites sur la figure 4.10 sont obtenues en faisant varier
uniquement la longueur L du patch central. Comme l'illustrent ces courbes, la longueur L
permet surtout de rgler la frquence de rsonance basse de lAPMEP. Ainsi, plus L
augmente, plus cette frquence diminue et plus la largeur de la boucle caractrisant la courbe
de S11 sur l'abaque de Smith, se rduit. Comme dans le cas de la variation de Lp, cette tude
125
Chapitre IV : Conception dantennes patch compactes, large bande 60 GHz et mise en rseau
Figure 4.10. Courbes de S11 obtenues pour l'APMEP en fonction de la frquence, avec Wp = 200
m, Lp = 2,05 mm, g = 100 m, et W = 1,6 mm et diverses valeurs de L.
Figure 4.11. Antenne (APMEP) compacte sur membrane Si / BCB, avec: Lp = 2,05 mm,
WP = 200 m, g = 100 m, WS = 600 m, W = 1,6 mm, L = 2,1 mm et hCAV = 398,6 m.
126
Chapitre IV : Conception dantennes patch compactes, large bande 60 GHz et mise en rseau
La figure 4.12 donne les courbes dadaptation (S11) et de rendement (A) en fonction
de la frquence, pour lAPMEP et pour un simple patch de taille similaire, savoir
L = 2,05 mm et W = 2,2 mm. Les caractristiques des deux antennes sont galement
compares dans le Tableau IV. 2.
Figure 4.12. Simulation sous IE3D de ladaptation et du rendement pour la nouvelle topologie
dantenne patch avec lments parasites et pour un simple patch.
Tableau IV.2. Caractristiques de la nouvelle APMEP et d'un simple patch
Antennes
BP (A 90%)
BP (A 80%)
Patch isol
6%
6%
8,8 %
11 %
10,8 %
12,8 %
Daprs tous ces rsultats, les lments parasites dont la taille et le couplage ont ainsi
t optimiss, assurent lantenne APMEP un encombrement plus faible comparativement
la solution initiale et contribuent amliorer le rendement de lantenne patch sur une bande
passante plus grande que celle d'un patch oprant seul. En effet, pour S11 < 10 dB, la bande
passante de cette seconde version d'APMEP devient 1,8 fois plus grande que celle du simple
patch [3]. Comme nous pouvons le constater, avec un rendement de 90 % ou plus, la bande
passante de lAPMEP de la figure 4.11 englobe presque toute la bande des 60 GHz.
Cependant, quand A 80 %, cette antenne la couvre parfaitement, avec des performances
suprieures celle dun patch seul. En effet, dans ce cas, la bande passante de la version
compacte d'APMEP est de 12,8 % alors que celle du patch seul vaut 8 %. Cette topologie
d'antenne a l'avantage d'avoir des dimensions presque aussi grandes que celles du simple
patch, et beaucoup plus petites que la version initiale d'APMEP, compose de trois patchs de
mme taille (voir figure 4.1a).
La figure 4.13 donne les diagrammes de rayonnement de la nouvelle APMEP obtenus
en Co et Cross polarisation dans les plans E et H. En Co-polarisation, on trouve que le gain
maximum est de 8 dBi tandis qu'en polarisation croise sur le plan E et H, le gain est infrieur
30 dBi. Comme le montre cette figure, la frquence de rsonance des lments parasites,
127
Chapitre IV : Conception dantennes patch compactes, large bande 60 GHz et mise en rseau
soit 64 GHz, le diagramme de rayonnement est plus directif car cette frquence, lAPMEP
se comporte comme un rseau dantennes. Notons qu'un lger dpointage li la prsence de
la ligne dalimentation microruban est observ sur la co-polarisation du plan E.
(a) 59GHz.
(b) 64GHz.
Lorsquon compare les performances des deux sortes d'APMEP, on constate que la
configuration de la figure 4.11 prsente de meilleures caractristiques que celle de la figure
4.1 (voir Tableaux IV.1 et IV.2). De plus, contrairement la premire version d'APMEP, les
diagrammes de rayonnement obtenus pour la seconde topologie, varient peu avec la frquence
et sont dots d'un niveau de cross-polarisation plus faible, quivalent celui d'un simple
patch. Par consquent, c'est la seconde configuration que nous allons tudier car tant
beaucoup plus compacte, elle est mieux adapte une mise en rseau applicable au
beamforming. Aussi, dans les deux prochains paragraphes, nous allons analyser la possibilit
de mettre en rseau cette antenne dans les deux plans de polarisation E et H. Pour l'instant,
l'tude est limite un rseau linaire deux lments, car le but poursuivi est didentifier les
paramtres considrer et de mettre en vidence les contraintes imposes lors de la mise en
rseau de d'APMEP.
IV.2.3. Etude de la mise en rseau de lAPMEP dans le plan H
La mise en rseau de deux lments dantennes disposes linairement le long du
plan H, est illustre par la figure 4.14. Celle-ci est tudie grce IE3D. La modlisation
lectromagntique permet dvaluer linfluence mutuelle des lments dantennes, limpact
li leur couplage dans la bande passante et le diagramme de rayonnement du rseau
dantenne. Le couplage entre les antennes est estim en considrant le paramtre de
transmission (S12) (voir figure 4.14). Ce paramtre caractrise la quantit dnergie
lectromagntique que s'changent mutuellement les antennes du rseau. En particulier, plus
S12 - , meilleur est lisolement entre les antennes.
128
Chapitre IV : Conception dantennes patch compactes, large bande 60 GHz et mise en rseau
Notre tude a t labore pour des distances entre les lments dantennes qui se
situent dans l'intervalle 0 / 2 d < 0 ( 60GHz, au centre de la bande utile). Pour les besoins
de ltude, le rseau dantenne est considr comme tant qui - amplitude (A1 = A2 = 1) et
qui - phase (1 = 2 = 0). Les courbes des paramtres S11 et S12 pour diffrentes valeurs de
la distance d sont donnes respectivement par les figures 4.15a et 4.15b.
Figure 4.15. Modlisation E-M sous IE3D du couplage entre deux lments dAPMEP en
fonction de la distance inter - lments.
Chapitre IV : Conception dantennes patch compactes, large bande 60 GHz et mise en rseau
rseau de la figure 4.14 ont t simuls et leur forme tudie pour diffrentes distances interlments. C'est ainsi que nous avons labor, d'une part, une modlisation lectromagntique
(E-M) sous IE3D et, d'autre part, un calcul analytique bas sur la multiplication du diagramme
de rayonnement de llment dAPMEP par un facteur de rseau. Pour raliser le calcul du
facteur de rseau, un outil de ce mme logiciel a t mis notre disposition et appliqu la
relation gnrale [2, 5]:
ER (,) = FR (N,d,A,) * EA (,)
(IV-1)
130
Chapitre IV : Conception dantennes patch compactes, large bande 60 GHz et mise en rseau
caractrisation du rseau, ce qui indique une rduction significative du couplage pour cette
distance. En faisant lanalogie entre ces rsultats et les valeurs de S12 extraites des courbes de
la figure 4.15b pour d = 0,8 0, on peut considrer que le niveau de couplage entre lments
dantenne devient faible lorsque S12 est infrieur - 15 dB.
Plan H
Plan E
Plan H
Plan E
(b) Avec modlisation E-M.
Figure 4.16. Diagrammes de rayonnement 59 GHz dun rseau deux APMEP pour
diffrentes distances inter lments.
131
Chapitre IV : Conception dantennes patch compactes, large bande 60 GHz et mise en rseau
Plan H
Plan E
Plan H
Plan E
(b) Avec modlisation E-M.
Figure 4.17. Diagrammes de rayonnement 64 GHz dun rseau deux APMEP pour
diffrentes distances inter lments.
Sur la figure 4.18, nous avons reprsent lintensit du champ lectrique obtenue avec
un rseau form de 2x1 APMEP 64 GHz. Cette distribution de champ a t respectivement
simule sous HFSS, pour des distances inter - lments d = 0 / 2 et d = 0,8 0, en considrant
que lantenne de droite est active et que celle de gauche est passive. Elle confirme que le
couplage apparait effectivement au niveau des lments parasites et que celui-ci diminue en
loignant les lments lun de lautre. En effet, les distributions de la figure 4.18 mettent en
vidence une rduction de l'intensit du champ pour d = 0,8 0. Cependant, d'aprs les
diagrammes de rayonnement du rseau de APMEP reprsents sur les figures 4.16 et 4.17,
une distance d = 0,8 0 induit un fort niveau de lobes secondaires (typiquement de 10 dB),
cause dun espacement trop important entre les lments dantennes, ce qui est dun handicap
certain pour des applications qui ncessitent, comme dans notre cas, le dpointage du lobe
principal de lantenne.
132
Chapitre IV : Conception dantennes patch compactes, large bande 60 GHz et mise en rseau
Figure 4.18. Distributions de champ caractrisant le couplage entre lments dantennes pour
d = 0 / 2 et d = 0,8 0.
Toutes ces contraintes font que la mise en rseau de lantenne APMEP le long du
plan H est peu intressante.
133
Chapitre IV : Conception dantennes patch compactes, large bande 60 GHz et mise en rseau
Cependant, lorsque le rseau en tte bche est qui - phase ( = 0), le diagramme de
rayonnement obtenu dans le plan E, se compose de deux lobes symtriques, dirigs
respectivement vers = 35 et donnant un rayonnement nul dans le plan H (voir figure
4.20a). Ce rsultat est d au dphasage naturel de 180 des champs lectriques existant au
niveau des deux fentes rayonnantes sparant les patchs de lAPMEP et la position inverse
d'une antenne par rapport l'autre dans la configuration en tte bche. Pour remettre en phase
ces champs et obtenir des diagrammes de rayonnement au centre de la polarisation de
lantenne ( = 0), il suffit dintroduire un dphasage = 180 entre les voies dexcitation de
ces deux antennes (voir figure 4.20b). C'est cette dernire configuration que nous avons
considr pour mettre en rseau des antennes de type APMEP dans le plan E.
La figure 4.21 donne les courbes de S11 et S12 issues de la simulation E-M sous IE3D
du rseau dantennes de la figure 4.20b, dans les cas o 0 / 2 d 0,8 0.
Figure 4.20. Diagrammes de rayonnement d'un rseau d'APMEP en tte bche dans le plan E.
Figure 4.21. Rsultats de la modlisation E-M sous IE3D du couplage entre deux lments
dantennes pour diffrentes distances inter - lments.
134
Chapitre IV : Conception dantennes patch compactes, large bande 60 GHz et mise en rseau
Daprs les courbes de la figure 4.21b, le niveau de couplage entre les lments du
rseau intervient essentiellement au niveau des frquences proches de la frquence de
rsonance du patch central, soit 59 GHz. De plus, quand on augmente la distance interlments, le niveau de couplage diminue. Lorsque d 0,7 0 , il devient suffisamment faible
pour que la bande passante du rseau obtenue en faisant S11 -10 dB, soit quivalente celle
de l'APMEP oprant seule (voir figure 4.21a). Etant donn de tels rsultats, on peut considrer
que le couplage est suffisament faible lorsque S12 est proche de - 15 dB, comme dans le cas
du rseau align le long du plan H.
Les figures 4.22 et 4.23 reprsentent les diagrammes de rayonnement du rseau
dantennes de la figure 4.20b, obtenus respectivement 59 GHz et 64 GHz suivant la
mthodologie dcrite au paragraphe IV.2.3. Ceux des figures 4.22a et 4.23a ont t tablis en
incluant le facteur de rseau.
Plan H
Plan E
(a) Avec calcul du facteur de rseau.
Plan H
Plan E
(b) Avec modlisation E-M
Figure 4.22. Diagrammes de rayonnement 59 GHz dun rseau de deux APMEP en tte bche
pour diffrentes distances inter - lments.
135
Chapitre IV : Conception dantennes patch compactes, large bande 60 GHz et mise en rseau
Plan H
Plan E
(a) Avec calcul du facteur de rseau.
Plan H
Plan E
Lorsque dans un cas idal, on considre les diagrammes de rayonnement avec calcul
du facteur rseau, on trouve que la meilleure configuration d'une mise en rseau est celle pour
laquelle d = 0/2 (voir figures 4.22a et 4.23a). A cette distance, les lobes secondaires sont de
faible amplitude tandis que le gain et l'ouverture angulaire sont identiques ceux dtermins
pour des distances inter - lments plus grandes.
Par contre, dans le cas raliste dcrit avec la modlisation E-M, d = 0/2, on observe
d'importantes dformations subies par les diagrammes de rayonnement du rseau, cause du
couplage inter-lments (voir figures 4.22b et 4.23b). Daprs ces diagrammes, le meilleur
compromis entre les caractristiques de rayonnement, notamment entre l'aspect gnral du
lobe principal et le niveau des lobes secondaires, est ralis pour les deux frquences de
rsonance d = 0,6 0. Mais, cette distance, la bande passante devient moins large (voir
136
Chapitre IV : Conception dantennes patch compactes, large bande 60 GHz et mise en rseau
courbe en rouge de la figure 4.21a). Aussi, le meilleur compromis est plutt obtenu pour
d = 0,7 0. En effet, le couplage est suffisamment faible pour que la bande passante soit
reproduite comme celle de lantenne seule (voir figure 4.21a). De plus, grce cet
loignement, les diagrammes de rayonnement des figures 4.22 et 4.23 sont plus reprsentatifs
des conditions normales de fonctionnement d'un rseau d'antennes.
La figure 4.24 reprsente la distribution des champs lectriques appliqus au rseau
form de deux APMEP mises en tte bche le long du plan E, pour d = 0 / 2 et d = 0,7 0.
Figure 4.24. Reprsentation du couplage entre les lments dAPMEP en tte bche, 59 GHz.
Le but de cette reprsentation est de voir comment les antennes sont couples entre
elles et de mettre en vidence la rduction de ce couplage avec laugmentation de la distance
inter - lments. Cette simulation a t effectue sous HFSS, en considrant que lantenne de
droite est active et que celle de gauche est passive. Grce cette reprsentation, on observe
clairement la transmission dnergie sous forme d'un champ lectromagntique pour d = 0 / 2
alors que celle-ci est inexistante pour d = 0,7 0. D'o, une rduction du couplage.
IV.2.5. Analyse des rsultats de la mise en rseau de l'APMEP
Le patch central et ses deux lments parasites de l'antenne que nous avons conue par
simulation sous IE3D, ont t implants sur la mme membrane en Si / BCB. Cette antenne
permet de couvrir la bande passante des 11 %, compatible avec la future norme 802.15.3c
60 GHz. Elle a l'avantage d'avoir des dimensions plus compactes que celles obtenues par
Kumar et al. [1] et de prsenter un diagramme de rayonnement variant peu avec la frquence.
Son gain dans la bande passante, se situe autour de 8 dBi et son rendement varie entre 60 % et
96 %. Cependant, lors de ltude de la mise en rseau de cette antenne dans les deux plans de
polarisation principaux, diverses contraintes sont apparues.
137
Chapitre IV : Conception dantennes patch compactes, large bande 60 GHz et mise en rseau
Ainsi, quand les lments parasites de lAPMEP sont disposs le long du plan H, le
couplage entre les lments de l'antenne est fort. Ce couplage a alors pour effet de modifier
limpdance dentre de lantenne, d'lever le niveau des lobes secondaires en fin de bande et
de faire varier la directivit avec la frquence. Aussi, nous avons trouv quil fallait sparer
les lments dantenne du rseau avec des distances leves pour rduire ce couplage. Par
contre, lorsque la distance inter-lments est grande, l'amplitude des lobes secondaires
s'accroit et le rseau dantennes devient encombrant, ce qui rend dans ce cas, peu intressante
une mise en rseau des antennes APMEP lorsqu'on veut les disposer le long du plan H.
Dans le cas d'une mise en rseau de l'APMEP le long du plan E, le couplage le plus
important est essentiellement caus par le patch central. Celui-ci a pu tre rduit en
augmentant la distance inter-lments, comme pour le cas de la mise en rseau dans le plan H.
Les caractristiques de cette topologie sont globalement meilleures que celles issues d'une
mise en rseau dans le plan H. Elles se traduisent par des diagrammes de rayonnement ne
dpendant pas de la frquence et un faible niveau des lobes secondaires dans toute la bande
passante. Par contre, l'inconvnient majeur dune mise rseau de lAPMEP dans le plan E est
son encombrement non ngligeable dans ce plan de polarisation, d principalement son
alimentation par des lignes microrubans. De plus, cause de la disposition des antennes en
tte bche, on doit, en pratique, assurer constamment une alimentation avec un dphaseur
large bande 180 sur lun des accs de ce rseau. Toutes ces contraintes font que cette
topologie de mise en rseau ne convient pas et ne rentre pas dans nos critres de
simplification de la complexit de ralisation de nos antennes.
Finalement, la mise en rseau dans le plan H offre de meilleures possibilits de
concevoir plus simplement des rseaux d'antenne bien que la disposition des lments
parasites le long du plan H impose de fortes contraintes sur le rayonnement et sur la taille de
ces antennes.
Dans ces conditions, il est plus intressant dexploiter les avantages d'une mise en
rseau suivant le plan H, mais condition dliminer les effets indsirables causs par la
prsence des lments parasites dans ce plan. Pour cela, nous avons dvelopp, ci-aprs, une
topologie d'antenne base sur la seconde version d'APMEP dans laquelle les patchs parasites
demeurent compacts, mais sont disposs paralllement la largeur W du patch central, le long
du plan E, afin qu'ils n'influencent plus les conditions de mise en rseau.
138
Chapitre IV : Conception dantennes patch compactes, large bande 60 GHz et mise en rseau
Figure 4.25. Modlisation d'un patch avec ou sans lments parasites dans le plan E:
(a) Patch muni de deux lments parasites.
(b) Patch excit par une ligne microruban en T.
(c) Paramtre S11 des trois topologies d'antenne.
La figure 4.25c donne les rsultats de la simulation du paramtre S11 obtenus avec un
simple patch, avec lantenne patch munie de deux lments parasites disposs dans le plan E
dont l'un joue le rle dalimentation en T, et avec l'antenne patch uniquement excite par une
ligne microruban en forme de T. Lintrt de cette comparaison est de voir dans quel cas la
bande passante s'largit et didentifier les lments qui y contribuent rellement. Les
dimensions du patch central sont choisies de manire que la largeur W soit la mme que la
largeur totale de lAPMEP de la figure 4.9 et que la longueur L soit ajuste la frquence de
rsonance de 62 GHz. D'o: W = 2,2 mm et L = 1,85 mm.
Dans un premier temps, les dimensions des lments parasites ont t choisies
arbitrairement. Ensuite, les dimensions de lantenne sont dtermines ultrieurement grce
une tude paramtrique. Pour l'instant, les dimensions que nous avons retenues, sont:
Ld = W = 2,2 mm, Wd = 100 m et g = 50 m (voir Figure 4.25). Notons que la modlisation
est ralise sous IE3D en considrant un support form d'une membrane Si / BCB telle que
dfinie sur la figure 4.1. Lors de la simulation, les courbes de la figure 4.25c ont t
normalises limpdance dentre de chaque antenne et les caractristiques des diffrentes
antennes sont rsumes dans le Tableau IV.3. Comme le montrent nos rsultats, laddition
dlments parasites le long du plan E permettent dlargir effectivement la bande passante
dune antenne patch, car celle-ci passe de 6,6 % 12 % et devient alors 1,8 fois plus grande,
ce qui est suffisant pour couvrir la bande des 60 GHz. Remarquons aussi que cette technique
rduit limpdance dentre de lantenne qui passe de 165 50 .
139
Chapitre IV : Conception dantennes patch compactes, large bande 60 GHz et mise en rseau
Tableau IV.3. Caractristiques des nouvelles APMEP dans le plan E et d'un simple patch.
Antennes
Patch
Patch + 1 parasite
Patch + 2 parasites
160
50
50
6,6 %
12 %
12 %
140
Chapitre IV : Conception dantennes patch compactes, large bande 60 GHz et mise en rseau
normalis Zin.
Figure 4.26. Rsultats de la simulation dun simple patch et de lantenne patch alimente par
un T-microruban pour diffrentes valeurs du gap (g),
141
Chapitre IV : Conception dantennes patch compactes, large bande 60 GHz et mise en rseau
BW-10dB (%)
A (%)
Zin 62 GHz ()
g0 (patch seul)
6,6
90
160
g1 = 50 m
12
90
(50 j 19)
g2 = 100 m
15
90
(38 j 16)
g3 = 150 m
20
90
(22 j 14)
142
Chapitre IV : Conception dantennes patch compactes, large bande 60 GHz et mise en rseau
Comme nous lavons fait remarquer prcdemment, le gap entre le patch et le T-microruban
induit un effet capacitif qui peut aisment tre compens, comme nous allons le montrer,
grce un ajustement judicieux de la longueur Ld ou de la largeur Wd.
(a) 57 GHz
(b) 62 GHz
Figure 4.28. Distributions du champ lectrique sur lantenne patch couple un T-microruban
avec g = 150 m.
143
Chapitre IV : Conception dantennes patch compactes, large bande 60 GHz et mise en rseau
Figure 4.29. Courbes de S11 en fonction de la frquence, traces sur l'abaque de Smith pour
diverses valeurs de Ld et Wd.
Pour la suite de nos travaux, nous avons choisi de rgler l'impdance de notre antenne
une valeur relle en faisant varier la longueur Ld pour des raisons dencombrement. De plus,
une augmentation trop importante de Wd pourrait crer une dformation des diagrammes de
rayonnement de lantenne.
IV.3.2. Adaptation de lantenne patch excite par un T - microruban
Lun des aspects considrer lors de la mise en rseau de nos antennes ou de leur
insertion dans des systmes front-end radio, est la question de leur interconnexion. De
manire gnrale, un dispositif antennaire est accompagn de son tronon de ligne qui lui
permet essentiellement d'tre connect avec les autres dispositifs du circuit de transmission du
signal RF. Ainsi, pour que lnergie du signal soit transmise avec le moins de pertes possibles,
il est ncessaire que les diffrents composants cbls soient adapts une impdance
commune qui est gnralement fixe 50 . Rappelons que notre systme front-end radio
doit tre ralis entirement sur Silicium, ce qui implique que lantenne doit tre
interconnecte des composants RF intgrs sur ce mme support. L'antenne tudie tant
implante sur membrane en Silicium, elle doit tre alimente partir du bord de cette
membrane de faon l'adapter une impdance de 50 et faciliter son interconnexion avec
le front-end radio. Pour rsoudre les problmes d'adaptation 50 au bord de la membrane
de l'antenne patch excite par un T-microruban, nous avons dvelopp deux topologies
capables de couvrir la bande des 60 GHz. Celles-ci sont dfinies comme suit:
Chapitre IV : Conception dantennes patch compactes, large bande 60 GHz et mise en rseau
Ces deux topologies dveloppes ci aprs, runissent toutes les contraintes quon
risque de rencontrer lors de ladaptation de ce type d'antenne.
IV.3.3. Adaptation de la topologie 1
La topologie dantenne 1 a une impdance dentre Zin = 50 qui est purement
rsistive pour g = 50 m et Ld = 2,42 mm. Avec cette topologie, il s'agit de lui trouver des
solutions appropries pour satisfaire l'adaptation 50 , tout en lui assurant un loignement
suffisant du bord de la membrane en Silicium, ceci pour viter le risque dinteraction de ce
dernier avec le rayonnement de lantenne.
IV.3.3.1. Adaptation avec une ligne microruban de 50
La figure 4.30 reprsente lantenne patch excite par un T-microruban caractrisant la
topologie 1 (soit g1 = 50 m et Zin = 50 ) sur membrane en Si / BCB (r 1,1, h = 410 m).
Cette antenne est alimente sur la mme membrane par une ligne microruban de 50 en
forme de T qui, son tour, est connecte au bord de la membrane avec une ligne microruban
de 50 dpose sur un support en Si / BCB massif (r 11, h = 410 m).
Figure 4.30. Antenne patch excite par un T-microruban sur membrane en Silicium et
interconnecte avec une ligne microruban de 50 .
Cette figure met en vidence l'inconvnient d'utiliser une ligne microruban sur
membrane avec de faibles valeurs dimpdance caractristique o au final, la ligne
microruban est aussi large que lantenne (largeur de la ligne W2 = 1,9 mm et largeur du patch
W = 2,2 mm). En effet, quand on passe du Silicium avec cavit d'air au Silicium massif, la
constante dilectrique du substrat subit une forte discontinuit et il en est de mme, pour
l'impdance caractristique et la taille de la structure planaire place au dessus de celui-ci.
Dans ce cas, cette ligne produit un rayonnement qui perturbe le champ issu du patch et cre
145
Chapitre IV : Conception dantennes patch compactes, large bande 60 GHz et mise en rseau
une distorsion de son diagramme de rayonnement (voir figure 4.30). Pour surmonter cette
difficult, la taille de l'alimentation microruban doit tre fortement rduite.
IV.3.3.2. Adaptation avec une ligne microruban demi-onde
La solution que nous avons adopte, est illustre par figure 4.31a [7]. Elle repose sur
l'ajustement lantenne, dune ligne demi-onde (g / 2 avec g = 0/r) ayant une faible
largeur. En effet, un tronon g / 2 permet dadapter une impdance de 50 une charge de
mme valeur sans se soucier de limpdance caractristique de la ligne microruban et donc, de
la largeur de cette dernire. La modlisation sous IE3D a permis de dfinir une ligne
microruban demi-onde avec WS = 150 m (Zc = 175 ), qui ralise un bon compromis entre
la bande passante (14,5 % pour S11 -10dB) et la rduction de la largeur WS de la ligne
microruban (voir figure 31b).
Figure 4.31. Antenne patch (W = 2,2 mm, L = 1,85 mm) excite par un T-microruban (Wd =
50 m, Ld = 2,42 mm, g = 50 m) et adapte 50 par une ligne demi-onde (g /2 = 2,4 mm).
La figure 4.32 donne les courbes du paramtre S11 de lantenne et sa reprsentation sur
l'abaque de Smith, ainsi que la courbe du rendement de lantenne (A) en fonction de la
frquence, avec et sans transformateur demi-onde.
146
Chapitre IV : Conception dantennes patch compactes, large bande 60 GHz et mise en rseau
Figure 4.32. Rsultats de la simulation de lantenne patch excite par un T-microruban avec et
sans transformateur demi-onde.
Sur le Tableau IV.5, sont reportes les valeurs numriques de limpdance dentre
avec la technique dadaptation employe pour lantenne, ainsi que la bande passante
respective chaque cas. Dans ce tableau, le symbole exprime la transformation via le
tronon dalimentation. La bande passante est dtermine en considrant que S11 - 10 dB
(Bp-10dB) et A 90 % (Bp90%). Rappelons que lorsque lantenne est un patch ralis sur
membrane en Si/BCB, son rendement vaut A = 90 %, compte tenu de son adaptation,
savoir pour S11 = -10 dB.
Tableau IV.5. Bande passante (Bp-10dB pour S11 < -10 dB et Bp90% pour A > 90 % ) et impdance
(Z) de la topologie 1 avec et sans tronon g/2.
Gap
g1 = 50 m
Bp-10dB
Z ()
Bp90%
50
12 % (A 90 %)
12 %
50 50 : avec un tronon
16 % (A 80 %)
13,3 %
g/2
Les rsultats de cette modlisation montrent que la technique base sur l'insertion
d'une ligne demi-onde d'impdance caractristique plus leve, permet dadapter lantenne
50 sur une plus large bande que le cas n'incluant pas de tronon g / 2. En effet, lorsque
S11 < - 10 dB, la bande passante passe de 12 % 16 %. Comme le montre la figure 32b,
lantenne sans tronon demi-onde est caractrise par une boucle dimpdance dont la partie
imaginaire est de grande valeur en certains points de la frquence, ce qui limite son adaptation
sur une large bande. En ajoutant la ligne g / 2, les caractristiques dimpdance de cette
dernire permettent de compenser la partie imaginaire de l'impdance d'antenne. Au final,
147
Chapitre IV : Conception dantennes patch compactes, large bande 60 GHz et mise en rseau
cette impdance est alors ramene une impdance partie imaginaire plus faible et valeur
constante sur une bande de frquence plus large, o son adaptation est ainsi assure.
Cependant, le Tableau IV.5 indique que cette augmentation de largeur de bande
n'amliore pas le rendement de lantenne (A). En effet, lorsque l'antenne est sans tronon
g/2, puis quand elle est dote de celui-ci et que A 90 %, la bande passante passe de 12 %
13,3 %, ce qui est quasiment similaire. Dans le cas o S11 = -10 dB, lantenne avec le tronon
g/2 atteint un rendement A = 80 %. Comme le montre la figure 4.31b, les pertes dans la
ligne demi-onde ne sont pas suffisamment importantes pour entraner une chute du
rendement. Cela signifie quen ralit, le rayonnement propre de lantenne excite par une
alimentation T-microruban via un gap g de 50 m est transmis sur une bande passante de
13,3 %, ce qui est suffisant pour couvrir la bande des 60 GHz.
La figure 4.33 reprsente les diagrammes de rayonnement de la topologie dantenne 1
obtenus en Co-polarisation (Co) et polarisation croise (Cross) dans les plans E et H,
57 GHz et 64 GHz. D'aprs cette figure, le diagramme de rayonnement reprsent dans le
plan E, est perturb 64 GHz. Ce phnomne apparat surtout aux frquences hautes de la
bande passante de lantenne, partir de 62 GHz, c'est dire la frquence de rsonance du
second patch, obtenue en faisant L2 = L = 1,85 mm. En fait, lorsque lantenne rayonne cette
frquence, elle est perturbe par lexcitation microruban en forme de T. Les diagrammes de la
figure 4.33 indiquent aussi que le niveau de cross polarisation augmente avec la frquence.
Afin de vrifier si cette augmentation est propre lantenne patch ou lajout de
lalimentation microruban en forme de T, nous avons trac les courbes de la figure 4.34, puis,
compar les valeurs du gain et du niveau de cross polarisation obtenues respectivement pour
une antenne patch alimente avec soit une ligne microruban classique, soit un T-microruban.
(a) 57 GHz
(b) 64 GHz
148
Chapitre IV : Conception dantennes patch compactes, large bande 60 GHz et mise en rseau
Figure 4.34. Gain et niveau de cross polarisation pour une antenne patch excite avec et sans
T-microruban.
149
Chapitre IV : Conception dantennes patch compactes, large bande 60 GHz et mise en rseau
(a) Antenne.
Figure 4.35. Antenne excite par un T-microruban (g3 = 150 m), avec et sans transformateur
double quart donde.
Lemploi dun double tronon quart donde rduit la bande passante de lantenne. En
effet, les courbes de la figure 4.35b et les donnes du Tableau IV.6 indiquent que cette
technique d'adaptation ramne la bande passante de l'antenne de 20 % 12,5 % dans le cas o
S11 -10dB et de 20 % 10 % lorsque A 90 %.
Tableau IV.5. Bande passante (Bp-10dB (pour S11 < -10 dB) et Bp90% (pour A > 90 % ) et
impdance (Z) de la topologie 2 avec et sans double tronon g/4.
Gap
Bp-10dB
Z ()
Bp90%
22
20 % (A 90%)
20 %
12,5 % (A 80%)
10 %
g3= 150 m
150
Chapitre IV : Conception dantennes patch compactes, large bande 60 GHz et mise en rseau
151
Chapitre IV : Conception dantennes patch compactes, large bande 60 GHz et mise en rseau
Figure 4.37. Antenne patch alimente par T-microruban, adapte avec un transformateur bifrquentiel.
(a) 50 GHz.
(b) 60 GHz
Figure 4.38. Influence du bord de la membrane en Si/BCB sur les diagrammes de rayonnement
de l'antenne patch alimente par un T-microruban.
152
Chapitre IV : Conception dantennes patch compactes, large bande 60 GHz et mise en rseau
(a) Antenne en T.
(b) Antenne en U.
153
Chapitre IV : Conception dantennes patch compactes, large bande 60 GHz et mise en rseau
gain et le niveau de la polarisation crois (cross polarisation), tels que donns par les courbes
de la figure 4.34. Notre nouvelle topologie dantenne a l'avantage d'tre similaire l'antenne
patch excite par un microruban en forme de T, mais elle est plus compacte. En effet, la
largeur totale de cette topologie dantenne est quivalente une antenne patch et vaut
Wtotale = 2,2 mm. Donc, elle peut tre plus facilement insre dans un rseau dantennes.
IV.3.5.2. Validation exprimentale de lantenne patch excite par un microruban en U
La figure 4.40 reprsente une antenne patch alimente par un U-microruban via un gap
dilectrique. Elle a t ralise sur une membrane en DICLAD (Arlon) selon la technologie
expose au paragraphe III.4.2.
La Figure 4.41 donne les rsultats de mesure compars ceux de la simulation sous
HFSS du coefficient de rflexion (S11) et du gain de l'antenne patch excite par un Umicroruban et de l'antenne patch alimente de manire classique, par une ligne microruban.
(b) Gain.
Figure 4.41. Comparaison des rsultats de mesure et de la simulation des antennes patch avec
et sans alimentation par un U-microruban.
154
Chapitre IV : Conception dantennes patch compactes, large bande 60 GHz et mise en rseau
Cette figure met en vidence une assez bonne concordance entre les rsultats de la
modlisation et de la mesure. Elle montre galement que lexcitation avec un microruban en
forme de U amliore effectivement le gain de lantenne patch sur une bande de frquence plus
large. En effet, si on considre un gain de 8 dBi, lantenne patch munie de notre systme
dalimentation en U, possde une bande passante qui est deux fois plus grande que celle du
patch aliment directement par une ligne microruban , ce qui permet de valider notre tude.
Les figures 4.42a et 4.42b reprsentent les diagrammes de rayonnement en Cross et Co
polarisation mesurs et simuls dans le plan H, respectivement 57 GHz et 64 GHz. Les
mesures sur l'antenne de la figure 4.40 ont t effectues en chambre anchode grce au
montage dcrit sur la figure 3.30 et dans lannexe F. Aprs comparaison, on trouve que les
mesures ainsi obtenues, sont en bon accord avec les rsultats de la simulation.
(a) Plan H
(b) Plan E
Figure 4.42. Mesure et simulation des diagrammes de rayonnement en co - et cross polarisation de lantenne patch sur membrane, excite par un U-microruban.
155
Chapitre IV : Conception dantennes patch compactes, large bande 60 GHz et mise en rseau
U-microruban sur ce mme plan. Cette tude concerne les effets mutuels pouvant intervenir
entre les antennes lors de leur mise en rseau. Le but recherch est de montrer comment notre
antenne peut contribuer une mise en rseau 60 GHz. Pour rsoudre cette question, nous
considrons, tout dabord, un rseau compos de deux lments dantennes seulement. Puis,
nous comptons gnraliser cette topologie au cas d'un rseau form d'un plus grand nombre
d'lments. En fait, pour illustrer le cas gnral, nous nous limiterons quatre lments, car ce
nombre dlment est suffisant pour prendre en compte les principales interactions qui
soprent entre lments dantennes dun rseau lorsque le nombre N dlments disposs sur
le plan H est suprieur 2 lments. De plus, ce nombre permet galement de rduire le temps
de calcul lors de leur modlisation E-M, sans pour autant, restreindre les rsultats. Rappelons
que les lments dantenne sont espacs de d = 0/2 (relativement 60 GHz), car comme nous
lavons prcis prcdemment, cette distance ralise un bon compromis entre le gain et le
niveau des lobes secondaires.
IV.4.1. Mise en rseau de 2x 1 lments dantennes
Les courbes de la figure 4.43a donnent les rsultats de la modlisation E-M ralise
sous IE3D dans le cas de 2x1 lments dantennes et permettent d'en apprcier la bande
passante et le couplage mutuel. La figure 4.43b permet de comparer le gain et le niveau de
cross polarisation de notre rseau dantennes ceux d'un rseau de 2x1 patchs classiques.
Figure 4.43. Caractristiques d'un rseau de 2x1 antennes patchs excites avec des Umicrorubans et d'un rseau de 2x1 antennes patchs classiques.
D'aprs les courbes de la figure 4.43a, le rseau dantennes patchs excites par des
microrubans en U via un couplage lectromagntique, est trs bien adapt la bande des
60 GHz. Le couplage mutuel est essentiellement prsent au dbut de la bande passante, entre
57 GHz et 60 GHz, o il vaut pratiquement S12 = S21 = - 14 dB et il est plus faible en fin de
bande. Comme d = 2,5 mm, ce phnomne rsulte du rapprochement des lments d'antenne
aux frquences plus basses que 60 GHz et de leur loignement aux frquences plus hautes.
156
Chapitre IV : Conception dantennes patch compactes, large bande 60 GHz et mise en rseau
(a) 57 GHz.
(b) 64 GHz
Figure 4.44. Diagrammes de rayonnement du rseau de 2x1 antennes patchs excites chacune
par un U-microruban.
157
Chapitre IV : Conception dantennes patch compactes, large bande 60 GHz et mise en rseau
Figure 4.46. Mise en rseau de 4x1 lments dantenne excits par un U-microruban.
Figure 4.47. Comparaison d'un rseau de 4x1 lments dantennes patchs excites par des Umicrorubans et d'un rseau de patchs classiques.
158
Chapitre IV : Conception dantennes patch compactes, large bande 60 GHz et mise en rseau
Comme pour le rseau de 2x1 antennes, cette nouvelle topologie quatre lments est
aussi caractrise par un fort couplage en dbut de bande passante (voir figure 4.47). En
particulier, pour les premire et quatrime antennes qui se trouvent aux extrmits du rseau,
les coefficients de rflexion (adaptation) et de transmission (couplage) sont identiques ceux
des antennes du rseau 2x1 lments. Cependant, les seconde et troisime antennes
subissent un couplage lgrement lev, qui est au maximum de - 12 dB. Ce couplage
engendre un faible dcalage de la bande passante de lantenne denviron 0,8 %. Mais, cet effet
est trs peu significatif et la largeur de cette bande de frquence reste constante.
La figure 4.48 reprsente les diagrammes de rayonnement obtenus en Co et Cross polarisation
dans les plans E et H pour le rseau de quatre patchs excits par des U-microrubans.
(a) 59 GHz.
(b) 64 GHz
Figure 4.48. Diagrammes de rayonnement du rseau de 4x1 antennes patchs excites chacune
par un U-microruban.
Ces antennes tant mises en rseau le long du plan H, on observe aussi une
augmentation de la directivit dans ce plan. Le gain de ce rseau vaut en moyenne 12,5 dBi
sur une bande de frquence variant de 57 GHz 65 GHz et son faisceau reste constant dans
cette mme bande. De plus d'aprs les figures 4.47b et 4.48, le niveau de sa polarisation
croise est faible puisquil demeure infrieur - 20 dB sur toute la bande utile et qu'il diminue
avec la frquence pour atteindre des valeurs infrieures - 30 dB. Cependant, le principal
inconvnient de cette configuration est laccroissement du niveau des lobes secondaires car ce
dernier est compris entre - 15 dB et - 14 dB sur toute la bande de frquences. Laugmentation
de ce niveau ainsi observe, est due laccroissement du nombre dlments dantenne mis en
rseau. Cependant, il est possible de rduire ce niveau en raccourcissant lespace entre les
lments dantennes. Malheureusement, l'amplitude des lobes secondaires ne peut pas tre
rduite dans notre cas en diminuant indfiniment la distance d inter - lments car on
risquerait d'avoir, soit un chevauchement des lments d'antenne, soit une augmentation trop
importante du couplage inter - lments, ce qui dtriorerait trs certainement les bonnes
159
Chapitre IV : Conception dantennes patch compactes, large bande 60 GHz et mise en rseau
caractristiques de notre antenne. Remarquons quil existe des solutions consistant ajuster
l'amplitude et la phase des signaux alimentant les antennes de faon rduire notablement le
niveau des lobes secondaires. Mais, selon lapplication vise, un compromis entre le gain,
l'ouverture angulaire et le niveau de lobe secondaire doit tre trouv [5].
160
Chapitre IV : Conception dantennes patch compactes, large bande 60 GHz et mise en rseau
microruban. Ainsi, plus le gap augmente, plus la largeur de bande augmente. Notons que
l'impdance des antennes conues avec ce type dalimentation, est basse, car elle diminue
quand le gap augmente et elle se situe typiquement entre 50 et 20 ,
Ladaptation de cette antenne une alimentation microruban, donne sur membrane,
des lignes aussi larges que lantenne patch, ce qui a pour consquence d'altrer les
diagrammes de rayonnement. Aussi, pour satisfaire ladaptation de l'antenne 50 et rduire
les rayonnements parasites issus de la ligne d'alimentation, nous avons choisi une topologie
dantenne ayant une impdance dentre de 50 (soit g = 50 m) et une bande passante
suffisamment large pour couvrir la bande des 60 GHz (soit Bp 11%). Puis, une ligne
microruban demi-onde suffisamment mince, a t utilise comme transformateur d'impdance
pour adapter lantenne une charge de 50 dans sa bande passante. Cette dernire topologie
a permis de concevoir une antenne dont la bande passante pour A 90 %, est Bp = 13,3 % et
dont le gain vaut pratiquement de 8 dBi dans cette bande passante. Les diagrammes de
rayonnement de ce type dantenne sont similaires ceux d'une antenne patch classique.
Lalimentation en T utilise induit, par rapport au patch classique, un accroissement de la
polarisation croise denviron 5 dB dans le plan H. Mais son niveau de cross-polarisation
reste relativement faible puisquil est infrieur -20 dB sur toute la bande passante.
Ltude de la mise en rseau de l'antenne patch excite par un T-microruban nous a
amen rechercher des structures rayonnantes beaucoup plus compactes. D'o, nous avons
conu une topologie drive de cette antenne, savoir une antenne patch excite par un Umicroruban. Cette nouvelle topologie est d'un encombrement quivalent celui d'un simple
patch. Elle est, donc, plus compacte quune antenne patch excite par une ligne microruban en
forme de T, tout en possdant les mmes proprits que cette dernire.
Lantenne patch alimente par un U-microruban a t valide exprimentalement
grce un prototype que nous avons mis au point en Laboratoire. Son gain est de 8 dBi et sa
bande passante est deux fois plus large que celle dun simple patch. De plus, elle se prte bien
sa mise en rseau dans le plan H car dans ce cas, la distance inter - lments peut tre
notablement rduite jusqu' atteindre la limite de 0/2. Malgr le fort couplage inter-lment
induit au dbut de la bande passante, les caractristiques du rseau d'antennes patchs excites
chacune par un U-microruban, demeurent satisfaisantes quelle que soit la taille du rseau.
Notamment, les diagrammes de rayonnement de ce rseau sont similaires ceux obtenus pour
un rseau de patchs classiques. En outre, ils varient trs peu avec la frquence.
Etant donn le caractre compact de lantenne patch excite par un U-microruban et la
bonne qualit des caractristiques obtenues autour de 60 GHz, nous avons choisi dutiliser
cette topologie d'antenne pour la mettre en rseau. Comme nous le verrons dans le prochain
chapitre, elle nous permettra de raliser notre systme antennaire qui devra, ensuite, quiper
un front-end radio entirement intgr sur Silicium et qui servira dvelopper des
applications au beamforming 60 GHz.
161
Chapitre IV : Conception dantennes patch compactes, large bande 60 GHz et mise en rseau
Rfrences
[1] G. Kumar and K.C. Gupta, Broad-band microstrip antennas using additional resonators gapcoupled to the radiating edges, IEEE Trans.Antennas Propagat., vol. AP-32, pp. 1375-1379, 1984.
[2] IE3D Version 14.1, Zeland Software, Inc., Fermont, CA, 1993 -2008.
[3] A. Adane, F. Galle, C. Person, Antenne patch 60GHz conue sur membrane Si/BCB :
Amlioration de la bande passante par addition dlments parasites, 16mes Journes Nationales
Microondes 27-28-29 Mai 2009, Grenoble.
[4] HFSS Version 11.1, Ansoft Corporation, Inc, 1984 -2008.
[5] C.A.Balanis, " antenna theory" , Third edition, J. Wiley & Son, Inc, Publication, p. 811, 2005,
Canada.
[6] D.G. Kurup, A. Rydberg, and M. Himdi, Compact microstrip-T coupled patch antenna for dual
polarization and active antenna applications, Electron. Lett., vol. 38, pp. 12401241, Oct. 2002.
[7] A. Adane, F. Galle, C. Person Bandwidth improvements of 60 GHz Micromachining Patch
antenna Using gap coupled U-microstrip feeder The 4th European conference of antennas and
propagation 12-16 April 2010 Barcelona, Spain.
[8] Monzon, C., "A small dual-frequency transformer in two sections,", IEEE Transactions on
Microwave Theory and Techniques, vol.51, no.4, pp. 1157- 1161, Apr 2003.
[9] Chow, Y.L.; Wan, K.L.; , "A transformer of one-third wavelength in two sections - for a frequency
and its first harmonic," Microwave and Wireless Components Letters, IEEE , vol.12, no.1, pp.2223, Jan 2002.
162
Chapitre V: Mise au point d'un rseau d'antennes dphases sur Si: Applications au beamforming 60 GHz
Rsum:
Un rseau dantennes muni de dphaseurs MEMS-RF lignes commutes, est mis au point,
ci-aprs, de faon qu'avec une rorientation continuelle de son faisceau, il puisse assurer une
liaison RF par formation de faisceau (beamforming) 60 GHz. Avant sa construction, ce
rseau a fait l'objet d'une tude pralable qui a mis en vidence la problmatique de sa cointgration avec les dphaseurs MEMS-RF et limpact des pertes des dphaseurs sur le choix
de sa taille. Le rseau ainsi tudi, se compose principalement de deux patchs aliments par
des lignes microrubans avec terminaison en U, via un gap dilectrique. Ce rseau d'antennes
et ses dphaseurs ont t gravs sur le mme substrat en Si/BCB, facilitant ainsi leur
intgration sur le support en Silicium d'un front-end radio d'une liaison RF de la gamme
millimtrique. Les dphaseurs MEMS RF ont t implants sur le substrat en Si/BCB
massif. Le rseau d'antennes a t intgr sur une membrane obtenue en creusant une cavit
d'air de 5 mm x 7 mm dans ce substrat, ceci afin de lui confrer un rendement lev, tout en
exploitant judicieusement les proprits physiques du Silicium. Deux sortes de rseau de 2x1
patchs ont alors t simuls sous HFSS et expriments. L'un est quiphase et l'autre
comporte une ligne quart d'onde qui impose un dphasage = 90 entre les deux
lments d'antenne. Ces deux rseaux d'antennes couvrent parfaitement la bande passante
considre puisqu'on a S11 < - 10 dB entre 55 GHz et 65 GHz, o leur gain moyen vaut
respectivement 9,5 dBi et 6,5 dBi. L'espacement optimum entre les deux lments d'antenne
tant de 0/2, on trouve que le lobe principal est dpoint de 30 pour = 90. Une
modlisation raliste de notre systme antennaire montre qu'entre 56 GHz et 64 GHz, le gain
est meilleur de 1 5 dBi comparativement celui dun patch seul et qu'en faisant varier la
phase, un dpointage du faisceau dantenne de 30 est assur.
163
Chapitre V: Mise au point d'un rseau d'antennes dphases sur Si: Applications au beamforming 60 GHz
On sait, comme nous le montrerons plus loin dans ce chapitre, que les pertes dans les
dphaseurs sont lies laugmentation du dphasage.
Soit N, le nombre dlments dantennes composant le rseau, , le dphasage interlments et , la phase attribue chaque lment d'antenne. La figure 5.1 schmatise le cas
gnral dantennes patch dphases, mises en rseau dans le plan H.
Sachant que 0 = 5mm 60 GHz, la suite de l'tude a consist considrer divers
rseaux qui-amplitude (A1 = A2 = = AN = 1) et qui-phase ( = 0, soit 1 = 2 = =
N = 0) obtenus pour 1 N 8, avec un espacement de 0/2 entre lments dantenne, et
les caractriser. Les courbes de la figure 5.1b dcrivent les variations du gain maximum
(Gmax) et de louverture angulaire - 3dB (-3dB) en fonction de la taille du rseau (N).
164
Chapitre V: Mise au point d'un rseau d'antennes dphases sur Si: Applications au beamforming 60 GHz
Ces courbes ont t obtenues en prenant comme lment dantenne, le patch excit par
un U-microruban, tel que dfini au paragraphe IV.3.5.1. Elles prouvent que la directivit du
rseau dantennes crot sensiblement avec la taille de celui-ci, car Gmax et -3dB augmentent
avec N. Elles mettent aussi en vidence les conditions qu'impose une antenne de grande
directivit lorsque comme dans le cas de notre application, elle doit couvrir l'espace dans un
secteur assez large. La figure 5.2a illustre bien cette problmatique. En effet, tant donn
lespace allou par AP, mme une seule antenne ne suffit pas pour couvrir une zone de 120
avec le gain escompt, car l'ouverture de son faisceau nest pas assez large.
Pour contourner cette difficult, on peut jouer judicieusement sur les valeurs de phase
de faon qu'un rseau contrl par phase comme celui de la figure 5.1, puisse balayer
l'espace avec son faisceau tel que illustr sur la figure.5.2b et assurer une couverture RF
meilleure que dans les cas dcrits par la figure 5.2a. Notons que quand le rseau d'antennes est
165
Chapitre V: Mise au point d'un rseau d'antennes dphases sur Si: Applications au beamforming 60 GHz
align dans le plan H, son faisceau est plus troit dans ce plan et plus large dans le plan E
(voir figure 4.48). La figure 5.3a illustre la distribution spatiale des caractristiques de
rayonnement obtenues dans ce cas. Elle montre que ce type de rseau est capable dassurer la
couverture RF dans laxe du plan E, sur une large tendue de l'espace, car son angle
d'ouverture - 3dB vaut 83. Cependant, le diagramme de rayonnement trac dans le plan H
est de forme plus troite et comme l'indique la figure 5.3b, il ne peut pas occuper toute la zone
couvrir. Aussi, pour assurer la couverture RF de cette zone, on peut multiplier le nombre de
faisceaux d'antenne obtenus le long de cet axe, en leur faisant subir diffrentes orientations.
Par consquent, pour la suite de nos travaux, nous allons nous focaliser seulement sur le
dpointage du faisceau du rseau dantenne sur laxe correspondant ce plan.
le rseau d'antennes.
Chapitre V: Mise au point d'un rseau d'antennes dphases sur Si: Applications au beamforming 60 GHz
proprits des lignes de transmission. Le Tableau V.1 rsume les performances des diffrentes
catgories de dphaseurs tudis. Suivant les caractristiques indiques dans ce tableau, il
semble plus intressant demployer des dphaseurs passifs base de composants MEMS-RF
car ils permettent doffrir, pour une mme valeur de phase, un plus faible niveau de pertes que
les autres solutions.
Tableau. V. 1. Dphaseur RF 60 GHz sur Silicium.
Type de
Dphasage
Dphaseurs
Actif
22,5
Pertes
Bande passante
(dB)
(GHz)
Technologie
- 8,5 - 10,3
55 65
CMOS
90
- 4,5 - 8
50 65
90 nm CMOS
Passif
90
- 4,9
180
- 5,7
57 64
BiCMOS
MEMS [6]
22,5
- 1,7 2,2
56 65
Silicium/BCB
MEMS [7]
90
- 1,7 2,2
56 65
Silicium/BCB
(Varactor) [3]
Actif
(Varactor) [4]
0,13 m SiGe
Le choix dun dpt de BCB sur Silicium a pour but de rduire les pertes liniques des
lignes de transmission, tel qu'expliqu dans [9].
167
Chapitre V: Mise au point d'un rseau d'antennes dphases sur Si: Applications au beamforming 60 GHz
Figure 5.4. Dphaseur MEMS-RF de 1 bit bas sur le principe des lignes commutes,
ralis sur silicium/BCB et fonctionnant 60 GHz.
Ce dphaseur est bas sur une structure dinterrupteur SPDT (Single Pole Double
Throw) [10]. Le dphasage provient de la diffrence de longueurs lectriques entre les
deux chemins de lignes, savoir: l = l0 + l l0. Cest la commande des MEMS-RF
qui permet de choisir la branche (V1 ou V2) o le signal doit passer. Les MEMS de
commande sont placs une distance correspondant la longueur d'une ligne quart - donde
(g/4). La ligne quivalente ainsi dfinie, permet de mettre en circuit ouvert, l'entre de
chaque branche ds que lun des interrupteurs MEMS est en court-circuit (tat bas), ce qui
rend plus facile la slection de la branche o le signal doit passer. Prcisons qu'un MEMS
l'tat bas bloque laccs du signal tandis qu' l'tat haut, il laisse passer celui-ci. Ces
dphaseurs sont idaux pour gnrer de grandes valeurs de phase. En particulier, la
modlisation d'un dphaseur 1 bit a t effectue dans [7] et [8], pour couvrir la bande
des 60 GHz. Elle met en vidence des pertes qui se situent dans cette bande passante entre 1,5
et 1,7 dB pour des dphasages respectifs de 22,5 et de 45 [8] tandis quelles vont de1,7 dB
2,2 dB pour 90 [7].
Cependant, dans le cadre de nos travaux de thse, nous avons estim les pertes dans ce
dphaseur sur un plus large panel dtats de phase que ceux dfinis dans [7] et [8]. Pour cela,
nous ralisons ci aprs, une modlisation E-M sous HFSS, du dphaseur considr. Les
donnes obtenues nous serviront estimer les caractristiques relles de rayonnement du
rseau lorsque ses lments sont interconnects des dphaseurs MEMS-RF.
V.2.2. Evaluation des pertes dans un dphaseur 1-bit lignes commutes
Afin dvaluer les caractristiques de ce dphaseur, nous avons considr diffrents
tats de phase et procd une tude base sur la modlisation E-M sous HFSS. Cette
modlisation est effectue en considrant des Switchs mtalliques idaux, tels qu'illustrs sur
168
Chapitre V: Mise au point d'un rseau d'antennes dphases sur Si: Applications au beamforming 60 GHz
la figure 5.5. Ainsi, quand le pont est ltat haut, il est en circuit ouvert et va donc se
substituer ltat MEMSup du MEMS-RF. Autrement, si le mtal du pont est en contact avec
la masse et la lame centrale du CPW, on obtient un court circuit qui se substituera la
fonction dtat bas du MEMS-RF, soit MEMSdown (voir figures 5.5a et 5.5b respectivement).
Figure 5.5. Prsentation des Switch mtalliques idaux caractriss en simulation sous HFSS,
pour se substituer la fonction de Switch du MEMS-RF.
La figure 5.6a donne un aperu du design du dphaseur. Elle y reprsente en bleu, les
ponts mtalliques mis aux emplacements ddis aux commutateurs MEMS-RF. La mise
ltat haut et l'tat bas de ces ponts mtalliques, va ainsi se substituer en modlisation, la
fonction de commutation que doivent raliser les MEMS. Les champs lectriques qui se
propagent dans le dphaseur, sont reprsents en bleu dans la figure 5.6b qui montre
clairement la slection de lune des branches du dphaseur lorsque les commutateurs sont aux
bonnes positions.
La figure 5.7a donne les courbes des pertes dinsertion (S12) et dadaptation (S11) de ce
dphaseur en fonction de la frquence, obtenues par modlisation sous HFSS pour les
diffrents tats de phase = 0, 90, 135 et 180. La figure 5.7b dcrit les variations de
169
Chapitre V: Mise au point d'un rseau d'antennes dphases sur Si: Applications au beamforming 60 GHz
dans la mme bande de frquence. Les valeurs numriques des pertes et de lerreur de phase
sont reportes dans le Tableau V.2 pour les diffrentes valeurs de phases 57 GHz, 60 GHz,
et 64 GHz. Notons que lerreur sur la phase est estime relativement ltat de phase 0 (l0).
Figure 5.7. Caractristiques de dphaseurs lignes commutes 1-bit sur Silicium / BCB,
modliss sous HFSS pour diffrents dphasages .
Tableau V. 2. Pertes et erreur commise sur la phase des dphaseurs lignes commutes 1-bit
sur Silicium / BCB.
Frquences
Pertes
57 GHz
60 GHz
64 GHz
57 GHz
60 GHz
64 GHz
0 (l 0)
- 1,25 dB
- 1,35 dB
- 1,5 dB
90 (l 0+l)
- 1,4 dB
- 1,45 dB
- 1,6 dB
- 5,5
+ 1
+ 7,5
135 (l 0+l)
- 1,35 dB
- 1,55 dB
- 1,7 dB
- 5,8
+ 2
+ 10
180 (l 0+l)
- 1,65 dB
- 1,56 dB
- 1,75 dB
- 7,9
+ 2
+ 15
Dphasage
D'aprs les courbes des figures 5.7, le dphaseur lignes commutes prsente, en
simulation, de faibles pertes dinsertion pour tous les tats de phase. En effet, ces pertes
sont infrieures - 1,5 dB pour (l0) et - 1,75 dB pour (l0+l) dans la bande 57 64 GHz. Un
niveau dadaptation infrieur - 15 dB est donc assur quel que soit ltat de phase impos.
Remarquons que les valeurs que nous avons trouves aprs simulation, sont viables 0,6 dB
prs, comparativement celles annonces dans [7]. En effet, les pertes dinsertion obtenues
dans [7] pour une phase de 90, varient entre 1,7 et 2,2 dB dans la bande 57 64 GHz. Cette
diffrence de rsultats est lie au fait que notre modle ne prend pas en compte des Switchs
rels base de MEMS-RF, alors que ces derniers ont des pertes dinsertion valant 0,6 dB dans
cette bande de frquence [6]. Au final, si lon associe les pertes des MEMS-RF celles de
170
Chapitre V: Mise au point d'un rseau d'antennes dphases sur Si: Applications au beamforming 60 GHz
notre modle de dphaseurs, on retombe sur des valeurs quivalentes celles donnes dans
[7]. Par consquent, en faisant abstraction des pertes des MEMS, on se rend compte que les
principales pertes induites par ce type de dphaseur, sont surtout lies aux pertes issues des
lignes de transmission. Dans la bande utile, on trouve que lerreur de phase est denviron 2
60 GHz. Elle varie entre 5,5 et 8 57 GHz et entre 7,5 et 15 64 GHz.
Figure 5.8. Cas gnral dune rseau dantennes dphases qui gnre M faisceaux: Ce rseau
est form de N lments dantenne et de N dphaseurs K-bits.
D'aprs cette figure, K dphaseurs 1-bits doivent tre cascads ensemble pour accrotre
le nombre de bits 'K' et par consquent, la phase. Mais, au paragraphe prcdent, nous avons
vu que les pertes dues aux dphaseurs augmentent avec la phase, cause des pertes dans les
lignes. Donc, ces pertes deviennent encore plus importantes lorsque le nombre de bits 'K' du
171
Chapitre V: Mise au point d'un rseau d'antennes dphases sur Si: Applications au beamforming 60 GHz
dphaseur est de plus en plus grand. En pratique, ce nombre augmente avec le nombre M de
faisceaux d'antenne qui doivent tre gnrs. Aussi, il est indispensable de connatre, au
pralable, le nombre M pour fixer le nombre K de bits appliquer un rseau d'antennes
donn.
Dans ce qui va suivre, nous allons raliser une tude pour trouver le nombre M de
faisceaux d'antenne qu'il faut pour assurer une couverture RF adquate dans le cas de notre
application. Autrement dit, ce nombre doit tre dtermin de faon que le faisceau produit par
notre rseau d'antennes, soit capable de balayer l'espace sur une plage de - 60 + 60,
c'est dire une zone s'talant dans un secteur de 120.
Cette tude est mene en considrant pour la partie antennaire, les hypothses
suivantes :
Lespace occup par chacun des M faisceaux gnrer, tant dlimit par leur angle
d'ouverture - 3dB (-3dB), il est ncessaire d'valuer cet angle pour ensuite, dterminer le
nombre M ncessaire pour couvrir la zone allant de - 60 + 60. Dans le cas d'une source
isotrope, l'angle -3dB peut tre calcul de deux faons diffrentes.
Soit, N, la taille du rseau form d'antennes assimiles des sources isotropes, d, la
distance inter-lments, , le dphasage inter-lment et 0 , le dpointage dsir. L'une des
deux approches consiste dduire l'angle -3dB partir du facteur de rseau qui scrit dans ce
cas [1] :
avec
et
N
sin
(AF)n = 2
N
2
2
=
d sin +
0
=
2
d sin 0
0
(V-1)
(V-2)
(V-3)
L'autre mthode est base sur le calcul direct du rayonnement d'un rseau de N sources
isotropes [1]. Dans ce cas, l'angle d'ouverture -3 dB vaut :
(V-4)
La figure 5.9 regroupe les rsultats du calcul de l'angle -3dB en fonction de la taille du
rseau. Elle donne aussi le nombre M de faisceaux estim partir des valeurs de -3dB, dans le
cas o ces faisceaux d'antenne doivent couvrir une zone allant de - 60 + 60.
172
Chapitre V: Mise au point d'un rseau d'antennes dphases sur Si: Applications au beamforming 60 GHz
.
Figure 5.9. Angle douverture 3dB (-3dB) et nombre (M) de faisceaux ncessaires pour
couvrir une zone de 120 en fonction de la taille ( N) du rseau.
Figure 5.10. Dfinition du nombre (M) de faisceaux ncessaires pour couvrir une zone de 120,
en considrant les valeurs de (-3dB) en fonction de la taille (N) du rseau.
Cette figure montre clairement quen augmentant la taille du rseau, on rduit lespace
clair par chaque faisceau et qu'on doit, donc, multiplier le nombre de faisceaux pour couvrir
le secteur de 120. D'o, le nombre (M) de faisceaux gnrer augmente avec la taille (N) du
rseau.
La courbe M = f(N) de la figure 5.9 va nous permettre dvaluer le nombre K de bits
caractrisant les dphaseurs de chaque rseau dantenne. Par la suite, connaissant ce nombre,
il sera possible d'estimer les pertes causes par ces dphaseurs dans le rseau dantennes.
Le nombre (M) est aussi gal au nombre maximum de dphasages (), quil faut
appliquer chaque antenne du rseau pour gnrer tous les faisceaux. Ce nombre permet aussi
de dterminer le nombre dtats de phase () capables de produire les dphasages (). Les
173
Chapitre V: Mise au point d'un rseau d'antennes dphases sur Si: Applications au beamforming 60 GHz
Nombre de
rseau (N)
faisceaux (M)
2 tats
1bit (2 voies)
- 2 dB
3 4 tats
2 bits (4 voies)
- 4 dB
3 5 tats
3 bits (8 voies)
- 6 dB
4 6 tats
3 bits (8 voies)
- 6 dB
4 7 tats
3 bits (8 voies)
- 6 dB
5 9 tats
- 8 dB
10
5 10 tats
-8 dB
K-bits
Pertes des
dphaseurs
Les valeurs numriques des pertes de dphaseur reportes dans le Tableau V.3, nous
servirons, par la suite, estimer le gain du rseau dantennes dphases. La figure 5.11 donne
les variations du gain de lantenne en fonction du nombre N caractrisant la taille du rseau
dantennes isotropes, avec et sans prise en compte des pertes des dphaseurs. Ce gain a t
valu en considrant, tout d'abord, l'expression de la directivit (D) dun rseau compos de
N sources isotropes, savoir [1]:
D=
1
1 2
Nq
+
sin(qkd ) cos(q ())
N N q =1 qkd
N 1
(V-5)
(V-6)
(V-8)
Chapitre V: Mise au point d'un rseau d'antennes dphases sur Si: Applications au beamforming 60 GHz
Figure 5.11. Gain des rseaux dantennes, avec et sans prise en compte des pertes des
dphaseurs.
175
Chapitre V: Mise au point d'un rseau d'antennes dphases sur Si: Applications au beamforming 60 GHz
poursuivi est de faciliter la co-intgration sur le mme support en Silicium que celui d'un
front-end radio, lantenne et sa matrice de dphaseurs. Ainsi, le support sur lequel les
dphaseurs ont t intgrs, est en Si / BCB tandis qu'une membrane a t amnage dans ce
matriau, pour recevoir le rseau de 2x1 antennes patch excites par une ligne microruban
avec terminaison en forme de U (ou U-microruban) via un gap dilectrique. Aprs une brve
description de la technologie employe, nous avons procd, tout d'abord, au
dimensionnement de la membrane en Si / BCB sur laquelle a t grave le patch et son Umicroruban. Ensuite, cette antenne a t ralise et mesure. Ce type d'antenne a alors servi
construire un rseau quiphase et un rseau dphas deux lments qui ont ensuite t
expriments.
.
V.4.1. Technologie de construction des antennes sur Si / BCB
Pendant la phase de construction des antennes, le matriau utilis pour raliser le
substrat en Si/BCB a t impos par les contraintes technologiques du LAAS. Brivement, ce
substrat se compose d'une couche de Silicium (HR) recouverte d'un film de BCB dont
l'paisseur est de 10 m alors que celle-ci devait tre de 20 m. L'paisseur de BCB souhaite
n'a pas pu tre obtenue car il n'a pas t possible de superposer deux couches de BCB de
10 m d'paisseur et de les faire adhrer. Aussi, toutes nos ralisations se sont bases sur du
Silicium haute rsistivit avec film de BCB de 10 m d'paisseur. Notons quen rduisant la
couche de BCB de 10 m, les proprits de nos antennes ne sont pas modifies. En effet, pour
de telles valeurs de BCB, lpaisseur de la membrane reste trs faible relativement la forte
paisseur de la cavit dair sous les antennes, qui est pratiquement de 400 m. Par
consquent, la permittivit relative du support des antennes reste proche de 1, aussi bien pour
10 m que pour 20 m de BCB.
La technologie employe au LAAS pour crer la membrane dilectrique en Si/BCB,
revient procder par ablation du Silicium sous l'antenne suivant deux mthodes possibles:
La gravure sche: Le Silicium est dcap grce un Laser qui laisse des bords
droits autour de la cavit d'air (voir figure 5.12b).
La seconde mthode est celle que nous avons choisie, car elle permet de nous
affranchir plus simplement des problmes de dsadaptation quon pourrait rencontrer lors de
linterconnexion de lalimentation de lantenne vers le bord de la membrane. L'annexe I dcrit
le procd technologique employ pour raliser lantenne sur membrane en Si / BCB partir
dun substrat massif en Si/BCB. Comme l'indique la figure 5.12c, la surface maximale alloue
la cavit dair sous la membrane, est strictement de 7 mm x 5 mm ou moins.
176
Chapitre V: Mise au point d'un rseau d'antennes dphases sur Si: Applications au beamforming 60 GHz
Cas 2 : Antenne patch excite par un U-microruban sur membrane Si / BCB avec
bords en Silicium, sauf du ct de lalimentation microruban (voir figure 5.13).
Cas 3 : Antenne patch excite par un U-microruban sur membrane Si / BCB avec tous
les bords en Silicium. Le tout est raccord une ligne microruban de 50 intgre sur
le substrat en Silicium / BCB massif (voir figure 5.14).
177
Chapitre V: Mise au point d'un rseau d'antennes dphases sur Si: Applications au beamforming 60 GHz
178
Chapitre V: Mise au point d'un rseau d'antennes dphases sur Si: Applications au beamforming 60 GHz
prsence des bords latraux en Silicium provoque aussi une augmentation de la polarisation
croise cross = 90 et une rduction de celle-ci = 30 (voir figure. 5.15b).
(a) Plan E
(b) Plan H
Figure 5.15. Diagrammes de rayonnement de l'antenne patch excite avec un U-microruban, en
considrant les diffrents cas de prise en compte des bords de la membrane.
179
Chapitre V: Mise au point d'un rseau d'antennes dphases sur Si: Applications au beamforming 60 GHz
(a) Cas 2
(b) Cas 3
Figure 5.16. Distribution spatiale des champs lectriques 60 GHz pour lantenne tudie.
La prsence non ngligeable de ces ondes dans lantenne du Cas 3 explique les
phnomnes observs sur les diagrammes de rayonnement de lantenne. Linfluence de ces
phnomnes se traduit pour cette antenne, par la modification de la forme du lobe principal,
l'augmentation du rayonnement la face arrire, l'accroissement de la polarisation croise
dans le plan H, et l'apparition dun lobe secondaire = + 90 dans le plan E. Au paragraphe
III.2.1.1, nous avons montr que lexploitation dun substrat de forte permittivit dans le cas
de la technologie microruban en bande millimtrique, accentue le risque dapparition de
modes dordre suprieur, surtout lorsque ce substrat est, comme dans notre cas, de forte
paisseur.
Compte tenu de l'invariance des proprits physiques de notre support, ces
phnomnes parasites peuvent tre fortement attnus si tous les bords de la membrane sont
blinds mtalliquement, comme l'illustre la figure 5.17. La figure 5.18 donne les diagrammes
de rayonnement de lantenne, obtenus avec et sans blindage mtallique des bords de la
membrane. Elle montre que dans les deux cas, ces diagrammes ont globalement la mme
allure. Mais, en prsence de blindage, les diagrammes de rayonnement sont beaucoup moins
perturbs, prouvant ainsi que la mtallisation rduit de manire significative linfluence des
ondes parasites observes dans la structure sans blindage.
180
Chapitre V: Mise au point d'un rseau d'antennes dphases sur Si: Applications au beamforming 60 GHz
(a) Plan E
(b) Plan H
Figure 5.18. Diagrammes de rayonnement de l'antenne patch excite par un U-microruban,
avec et sans blindage mtallique des bords de la membrane.
181
Chapitre V: Mise au point d'un rseau d'antennes dphases sur Si: Applications au beamforming 60 GHz
182
Chapitre V: Mise au point d'un rseau d'antennes dphases sur Si: Applications au beamforming 60 GHz
Figure 5.19. Circuits gravs sur wafer en Si (400 m) \ BCB (10 m) au LAAS-CNRS.
183
Chapitre V: Mise au point d'un rseau d'antennes dphases sur Si: Applications au beamforming 60 GHz
BCB
Silicium
r = 2,6
r = 11,9
h = 10 m
h =400 m
tg = 0,002
= 0,033 /m
(S11)
Pertes liniques
-ruban
< - 30 dB
- 0,05 dB/mm
CPW
< - 20 dB
- 0,14 dB/mm
GCPW
< - 20 dB
- 0,6 dB/mm
-1
184
Chapitre V: Mise au point d'un rseau d'antennes dphases sur Si: Applications au beamforming 60 GHz
Figure 5.21. Antenne patch couple un feeder U-microruban, construite sur une plaquette en
Si / BCB.
Aprs comparaison, on voit que les courbes du gain ont globalement la mme allure et
sont trs proches les unes des autres. Quant aux courbes du paramtre S11, les rsultats de la
mesure sont en bon accord avec ceux de la simulation dans le cas o lantenne est alimente
par la transition CPW-microruban. Ceci montre que cette transition permet dassurer
efficacement ladaptation de lantenne dans sa bande de frquences de travail. Cependant, en
comparant les courbes des antennes avec et sans transition, on constate que l'insertion de la
transition CPW-microruban engendre la fois un largissement de la bande passante pour
S11 < - 10 dB et une chute du gain valant, en moyenne, 1,5 dB.
La perte de gain ainsi observe est essentiellement due aux pertes dans la transition
CPW-microruban qui sont de 1,3 dB 1,5 dB dans la bande passante allant de 55 GHz
65 GHz. Nanmoins, cette topologie antennaire permet de couvrir entirement la bande des 60
185
Chapitre V: Mise au point d'un rseau d'antennes dphases sur Si: Applications au beamforming 60 GHz
GHz, avec un gain suffisamment lev car il est, en moyenne, de 6,5 dBi pour S11 - 10 dB,
dans cette bande de frquences.
Lantenne de la figure 5.21a tant implante sur le Wafer en Si/BCB, il est plus simple
de mesurer les diagrammes de rayonnement laide du banc de mesure muni de la station
sous pointes Karl Suss (voir figures 3.23 et 3.25). Cependant, en raison des contraintes
physiques et de lencombrement de linstrumentation (pointes RF, cbles, arche, appareils de
mesure,...), ces diagrammes ont t tracs pour des angles variant de - 70 + 70 dans le plan
H de lantenne et de 30 + 70 dans le plan E. Etant donn le caractre fastidieux de cette
mthode, les mesures ont tous t faites au centre de la bande passante, savoir 60 GHz. La
figure 5.22 reprsente les diagrammes de rayonnement de notre antenne obtenus
exprimentalement cette frquence en Co-polarisation (Co) et en polarisation croise
(Cross) dans les plans H et E. Ces diagrammes ont aussi t simuls sous HFSS.
Aprs comparaison, on trouve une assez bonne concordance entre les diagrammes
mesurs et simuls, dans le cas des courbes de la Co - polarisation. Cependant, les mesures
tant ralises dans l'espace libre, d'importantes fluctuations accompagnent tous les
diagrammes obtenus exprimentalement. En particulier, la Cross - polarisation de lantenne
observe dans le plan E varie alatoirement et atteint des niveaux bien plus leves que ceux
obtenus par simulation, alors qu'ils devraient tre de faibles valeurs. Vu les conditions de
mesure de lantenne dans son environnement immdiat, ces perturbations du signal utile,
pourraient s'expliquer par des rayonnements parasites probablement causs par des rflexions
multiples.
(a) Plan H
(b) Plan E
186
Chapitre V: Mise au point d'un rseau d'antennes dphases sur Si: Applications au beamforming 60 GHz
V.5.3. Mise au point sur membrane Si/BCB, d'un rseau quiphase de 2x1 patchs excits
par des microrubans en U
La figure 5.23 donne la photographie et les rsultats de mesure dun rseau se
composant de deux antennes patch excites par des U-microrubans aligns le long du plan H.
Ces antennes sont mises en rseau en fixant la distance inter-lments 0/2 (avec 0 = 5 mm
60 GHz). Rappelons que compte tenu des conditions sur les dimensions de la membrane, le
rseau est ralis sur une membrane de 7 mm x 5 mm (voir figure 5.12c). On dduit de la
courbe de la figure 5.23b que pour S11 < - 10 dB, le gain du rseau dantennes est de 9,5 dBi
entre 55 GHz et 65 GHz. En comparant ce gain celui de lantenne de la figure 5.23 oprant
seule, on constate que la mise en rseau de cette antenne apporte une amlioration du gain de
prs de 3 dBi.
La figure 5.24 reprsente les diagrammes de rayonnement de la Co et de la Cross
polarisation, obtenus en mesure et en simulation 60 GHz dans les plans E et H du rseau
dantennes.
Dans lensemble, on note une assez bonne concordance entre les rsultats
exprimentaux et simuls. Cependant, comme dans le cas de lantenne seule, les niveaux de
cross polarisation issus de la mesure, sont plus levs que ceux attendus. Une distorsion est
aussi observe dans le plan E, probablement cause par des perturbations rsultant de la
prsence de la sonde RF de la station sous pointes, lors de la mesure.
7mm
5mm
Figure 5.23. Rseau ralis sur membrane Si / BCB avec deux antennes patch excites par des
U-microrubans,
187
Chapitre V: Mise au point d'un rseau d'antennes dphases sur Si: Applications au beamforming 60 GHz
(a) Plan E
(b) Plan H
Figure 5.25. Rseau dphasage sur Si/BCB, avec co-intgration: antenne + dphaseurs.
188
Chapitre V: Mise au point d'un rseau d'antennes dphases sur Si: Applications au beamforming 60 GHz
(V - 1)
Pertes
Amplitude IANI
- 1,95dB
90
- 2.05 dB
0,97
- 1,95dB
135
- 2,15 dB
0,95
- 1,95dB
180
- 2,16 dB
0,95
90
135
180
189
Chapitre V: Mise au point d'un rseau d'antennes dphases sur Si: Applications au beamforming 60 GHz
190
Chapitre V: Mise au point d'un rseau d'antennes dphases sur Si: Applications au beamforming 60 GHz
Figure 5.27. Diagrammes de rayonnement du rseau de 2x1 antennes patch et dune antenne
patch seule dans le plan H, 56 GHz, 60 GHz et 64 GHz.
Ces diagrammes ont t compars ceux dune antenne patch oprant seule. On
constate alors que la forme des diagrammes de rayonnement de ce rseau dantennes change
beaucoup moins avec la frquence que dans le cas du patch isol. Ce rsultat s'explique par le
fait que la mise en rseau de notre antenne compense les phnomnes qui perturbent la forme
du diagramme de rayonnement du patch seul observ dans le paragraphe V.4.2. On trouve
aussi que grce au dpointage du faisceau du rseau = 30, le gain s'accrot de 1 dBi
57 GHz, de 4 dBi 60 GHz et de 5 dBi 64 GHz comparativement celui de l'antenne patch
isole.
V.6.3. Mise au point sur membrane Si/BCB, d'un rseau de 2x1 antennes patch excites
par des microrubans en U et dphases de = 90
Un rseau de 2x1 lments dantennes dphases a t ralis afin de valider le
dpointage du faisceau de lantenne pour un dphasage de = 90, tel que dfini au
paragraphe prcdent. La figure 5.28 donne une photographie de ce rseau.
Comme le montre la figure 5.28a, le dphasage de = 90 entre les deux patchs
constituant ce rseau, a t ralis en rallongeant lun des accs dalimentation de ces
antennes avec un tronon de ligne de longueur L = g/4. Malheureusement, comme l'indique
la figure 5.28b, lors de la ralisation du rseau d'antennes, un dfaut de gravure a provoqu un
court-circuit au coude de la ligne dalimentation CPW o a t insre la ligne quart - d'onde
qui assure le dphasage de 90. Ce court circuit qui n'est pas franc, quivaut la mise en
parallle d'une rsistance de valeur assez faible avec la ligne CPW. De ce fait, les conditions
d'adaptation avec la transition CPW - microruban ne sont plus satisfaites car une partie de la
puissance transmise est absorbe par cette rsistance. Les courbes de simulation et de mesure
de la figure 5.29a mettent en vidence linfluence du court-circuit sur le paramtre
dadaptation (S11) du rseau commande de phase. Elles permettent d'apprcier les pertes de
dsadaptation du rseau dantenne et indirectement, la chute du gain cause par ce court-
191
Chapitre V: Mise au point d'un rseau d'antennes dphases sur Si: Applications au beamforming 60 GHz
circuit. Les courbes de la figure 5.29b donnent les rsultats de la simulation et de la rtrosimulation du gain maximum obtenus pour langle de dpointage max.
(b) court-circuit.
Ces courbes indiquent que la chute du gain due au court-circuit, est de 3 4 dBi dans
la bande allant de 57 GHz 64 GHz. De tels rsultats prouvent que, malgr que lun des accs
de la ligne CPW soit partiellement endommag, cette ligne a continu assurer l'alimentation
de son lment d'antenne. Par consquent, nous avons pu mesurer les caractristiques de
rayonnement du prototype antennaire de la figure 5.28 et voir comment valider partiellement
l'tude faite au paragraphe V.6.2. Pour cela, les diagrammes de rayonnement de ce rseau
dantennes ont t tracs exprimentalement dans les plans E et H, la frquence de 60 GHz.
Ils ont aussi t simuls sous HFSS. La figure 5.30 donne une reprsentation de ces
diagrammes sur l'abaque de Smith. Les rsultats ainsi obtenus par la mesure et par la rtrosimulation, montrent que malgr la prsence du court-circuit, ces diagrammes ont
192
Chapitre V: Mise au point d'un rseau d'antennes dphases sur Si: Applications au beamforming 60 GHz
globalement la mme allure dans leurs plans respectifs et que le rseau d'antennes tudi,
ralise un dpointage max = - 30 dans le plan H, grce au dphasage de 90 entre les deux
lments d'antenne du rseau.
Chapitre V: Mise au point d'un rseau d'antennes dphases sur Si: Applications au beamforming 60 GHz
Etant donn sa compacit, notre lment de base a t assimil une source isotrope.
Puis, grce notre tude sur la mise en rseau de sources isotropes dphases, nous avons vu
que les pertes dues aux dphaseurs augmentaient trs vite avec le nombre de faisceaux
gnrer et la taille du rseau. Ainsi, avec des rseaux de grande taille, les pertes dans les
dphaseurs sont tellement fortes qu'il en rsulte une dtrioration importante du gain de tout le
rseau d'antennes commande de phase. Dans ces conditions, il est prfrable de travailler
avec des rseaux de plus faible taille. Dans ce cas, nous avons trouv que l'utilisation d'un
rseau de deux lments munis de dphaseurs faibles pertes, assurait le meilleur compromis
entre son gain et la simplicit de sa mise en uvre. Mais, nous avons constat qutant donn
le caractre limit des caractristiques de rayonnement de notre antenne de base, il tait
impossible de raliser de forts dpointages du faisceau dantenne et le balayage souhait
60, avec seulement un rseau deux lments.
Si lon voulait respecter les spcifications tablies pour la liaison par beamforming,
savoir assurer un gain minimum de 4,3 dBi entre 60, on pourrait envisager deux sortes de
solution pour remdier la problmatique qui vient d'tre ainsi expose.
L'une des solutions serait de changer dlment de base en recherchant des topologies
semblables notre antenne en termes de bande passante, mais dont l'ouverture angulaire serait
suffisamment large pour permettre une mise en rseau caractrise par un balayage plus large,
atteignant 120 au minimum. Cette solution nest pas intressante, car le champ produit dans
ce cas, tendrait vers une distribution isotrope dont le gain serait faible, avec un rayonnement
arrire trs important qui perturberait forcment les autres composants lectroniques du
dispositif RF.
L'autre solution consiste insrer, en mission, des amplificateurs (PA)
supplmentaires aprs les dphaseurs MEMS-RF et rajouter en rception, des amplificateurs
de type (LNA) avant ses dphaseurs pour compenser les pertes que gnrent ces derniers. La
figure 51a illustre la configuration obtenue en mission.
D'aprs notre tude, si on insrait de tels amplificateurs RF dans un rseau de 4x1
antennes patchs excites par des U-microrubans et associes des dphaseurs MEMS-RF 3bits, ce rseau pourrait assurer aisment le balayage entre 60 avec le gain minimum dsir,
savoir 4,3 dBi.
Dans ce cas, le systme antennaire de la figure 5.31 est parfaitement dimensionn pour
assurer une couverture RF un grand nombre de passagers par station de base (AP) dans la
carlingue dun avion et la puissance RF ncessaire pour quils bnficient simultanment,
d'une transmission haut dbit.
Cependant, pour couvrir lespace escompt avec ce rseau, nous devons grer cinq
faisceaux dantenne, rendant difficile lattribution simultane de lintensit RF ncessaire.
Lorsquon gre plusieurs faisceaux, il est tout de mme possible de crer des conditions de
couverture quasi-instantane condition que la commutation des composants MEMS-RF se
194
Chapitre V: Mise au point d'un rseau d'antennes dphases sur Si: Applications au beamforming 60 GHz
fasse avec un temps trs court, donnant ainsi une impression dinstantanit. Aussi, daprs
les travaux de [14], de tels composants remplissent tout fait ces conditions puisquils sont
caractriss par un temps de commutation variant entre 10 et 20 s.
Par contre, il est clair que la solution dcrite par le schma de la figure.5.31a est plus
complique mettre en uvre et ncessite une tude conceptuelle plus approfondie. De plus,
lexploitation de ce systme antennaire pour notre application, implique de prvoir un rseau
dantennes l'mission et la rception, capable de compenser les pertes dues aux dphaseurs
MEMS et de satisfaire les exigences de la liaison par beamforming. Finalement, tous ces
lments font que notre systme antennaire de 2x1 lments dantennes patchs excites par
des U-microrubans associ ses dphaseurs MEMS-RF, est un bon candidat pour des
applications 60 GHz ncessitant une liaison RF beamforming, car ce rseau dantennes
dphases peut tre utilis aussi bien en mission quen rception. De plus, il ralise le
meilleur compromis entre la rduction de la complexit de mise en oeuvre, la couverture RF,
la bande passante et le niveau du gain.
Figure 5.31. Rseau de 4x1 lments dantennes associ des amplificateurs RF et des
dphaseurs MEMS-RF 3 bits (avec dpointage 60 et gain minimum de 4,3 dBi).
195
Chapitre V: Mise au point d'un rseau d'antennes dphases sur Si: Applications au beamforming 60 GHz
substrat en Si/BCB. La partie antennaire a t ralise sur une membrane forme d'une couche
de Si de 1,4 m d'paisseur sur laquelle on a superpos un film de BCB de 10 m d'paisseur.
A cet effet, une cavit d'air de 5 mm x 7 mm de surface et de 398,6 m de profondeur a t
creuse dans le substrat en Silicium sous le rseau dantennes. La permittivit relative de ce
substrat est alors fortement rduite et le rendement des antennes est nettement amlior.
Cependant, les discontinuits du support d'antenne au niveau de la membrane
provoquent un changement brutal de la permittivit dilectrique sous la ligne microruban qui
alimente lantenne et favorisent lexcitation dun mode parasite d'ordre suprieur. La prsence
non ngligeable de ce mode se rpercute alors sur la forme du diagramme de rayonnement de
lantenne, car dans ce cas, louverture angulaire de lantenne varie avec la frquence et un
lobe secondaire apparat = + 90 dans le plan E.
Malgr les phnomnes parasites ainsi observs, les caractristiques de rayonnement
de notre antenne de base sont tout fait satisfaisantes pour notre application et ce, malgr
linfluence des caractristiques dilectriques du Silicium sur celles-ci. De plus, la mise en
rseau de cette antenne permet, grce l'effet de couplage inter-lment, damliorer la
directivit de lantenne dans le plan H, avec un faisceau relativement stable sur toute sa bande
passante.
Ltude de la mise en rseau de lantenne patch excite par un U-microruban a t
faite en incluant les pertes des dphaseurs MEMS-RF. D'aprs les rsultats de la simulation,
un rseau form de deux de ces antennes dphases entre elles de 90, ralise le meilleur
compromis entre la rduction de la complexit de ralisation de lantenne, le gain et l'tendue
de l'espace couvert par le dpointage de son faisceau.
Ce rseau dantennes dphases permet un dpointage maximal 30. Dans la plage
angulaire, le gain maximum de ce rseau varie de 6,2 7,8 dBi lorsque la frquence va
57 GHz 64 GHz. Pour notre rseau dantennes co-intgres avec leurs dphaseurs, on
observe donc une amlioration du gain de 1 5 dBi comparativement au gain de l'antenne
patch oprant seule.
Les rsultats exprimentaux obtenus sur notre lment de base et sur ce rseau, ont
permis de valider leurs diagrammes de rayonnement dans la bande des 60 GHz. Ainsi, on
trouve que grce leur implantation sur membrane Si / BCB, ces deux sortes d'antenne
couvrent parfaitement la bande passante allant de 55 GHz 65 GHz, avec un gain maximum
gal respectivement 6,5 dBi et 9,5 dBi.
Le rseau de deux patchs excits par des U-microrubans et dphases de 90, a
galement fait l'objet de mesures au Laboratoire pour valider le dpointage escompt. Malgr
les difficults rencontres pendant la fabrication de ce rseau dantennes, celui-ci a pu tre
valid exprimentalement. En particulier, la mesure des diagrammes de rayonnement a
montr que le lobe principal tait dirig vers = -30 dans le plan H, lorsque le dphasage
inter-lments tait = 90.
196
Chapitre V: Mise au point d'un rseau d'antennes dphases sur Si: Applications au beamforming 60 GHz
Toutes ces caractristiques font quun rseau de deux lments dantennes associ
ses dphaseurs MEMS-RF, est une solution trs intressante pour raliser des liaisons RF
par beamforming 60 GHz, haut dbit, faible complexit de ralisation et avec des angles
de dpointage de 30. Aussi, lors de futurs travaux, il serait intressant de poursuivre cette
recherche en exprimentant la co-intgration de notre rseau d'antennes avec des dphaseurs
MEMS 1bit.
197
Chapitre V: Mise au point d'un rseau d'antennes dphases sur Si: Applications au beamforming 60 GHz
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pp.1399-1402, 1996.
198
Chapitre V: Mise au point d'un rseau d'antennes dphases sur Si: Applications au beamforming 60 GHz
[14] Ruan, J.; Papaioannou, G.J.; Nolhier, N.; Bafleur, M.; Coccetti, F.; Plana, R.; ESD stress in RFMEMS capacitive switches: The influence of dielectric material deposition method, Reliability
Physics Symposium, 2009 IEEE International, Page(s): 568 572, 2009.
199
Chapitre V: Mise au point d'un rseau d'antennes dphases sur Si: Applications au beamforming 60 GHz
200
diagrammes de rayonnement obtenus avec cette antenne, sont similaires ceux d'une antenne
patch classique et varient trs peu avec la frquence.
Remarquons que comparativement l'antenne classique forme d'un simple patch,
lalimentation avec une ligne microruban via un gap dilectrique induit un accroissement de la
polarisation croise denviron 5 dB dans le plan H. Mais, ce niveau reste faible car il est
infrieur - 20 dB sur toute la bande passante et il est relativement plus bas que dans le cas
d'autres configurations large bande, o la polarisation croise varie de - 15 dB - 7 dB.
Lors de la conception de nos antennes sur Silicium, nous avons mis en vidence
l'existence de modes parasites (mode suprieur et mode de substrat) dans les lignes
microrubans au voisinage de 60 GHz. Ces modes apparaissent surtout lorsque le substrat est,
comme dans notre cas, de forte permittivit dilectrique et possde une paisseur de plusieurs
centaines de m. En particulier, nous avons constat exprimentalement que l'excitation des
modes parasites est accentue avec laugmentation de lpaisseur du substrat et induit de
fortes pertes dans celui-ci. Une autre source d'excitation des modes parasites est la
discontinuit du support dantenne observe quand on passe du matriau massif la cavit
d'air sous la membrane en Silicium. Dans ce cas, ce type de mode donne naissance une
dformation du diagramme de rayonnement, accompagne d'une augmentation de la
polarisation croise dans le plan H. Cependant, malgr que l'influence du Silicium pais soit
significative, lantenne patch excite par un U-microruban, ne dissipe que peu de pertes dues
aux modes parasites et ses caractristiques de rayonnement sont tout fait satisfaisantes pour
notre application.
Aprs avoir rsolu les problmes de dimensionnement et d'adaptation par la simulation
des structures tudies, les modules antennaires ainsi spcifis, ont t raliss sur la base de
procds de fabrication valids pralablement en laboratoire sur des fonctions lmentaires
(lignes de transmission et antennes), puis sur des sous-ensembles plus complexes (rseaux
dantennes qui - phases et dphases). Malgr des difficults lies la fabrication des
prototypes d'antenne, l'exploitation de la gamme millimtrique et la recherche des
meilleures performances, la validit de tous ces blocs fonctionnels a pu tre teste et prouve,
grce aux outils de caractrisation et de modlisation dvelopps en laboratoire.
Les rsultats exprimentaux que nous avons obtenus avec des prototypes finaux
raliss sur Silicium / BCB, pour lantenne patch excite par U-microruban et pour sa mise en
rseau de 2x1 lments, confirment que ces deux sortes dantenne couvrent parfaitement une
bande passante allant de 55 GHz 65 GHz, avec un gain maximum gal respectivement
6,5 dBi et 9,5 dBi.
Sur la base des mesures effectues sur notre rseau deux antennes et des donnes de
phase et de pertes caractrisant les dphaseurs avec commutateurs MEMS-RF, nous avons
simul ce rseau lorsqu'il est contrl par les dphaseurs MEMS. Le rseau d'antennes ainsi
tudi, est bien adapt des applications de beamforming 60 GHz dans un espace limit par
une plage angulaire de 30. Dans cette plage, le gain maximum de ce rseau varie de 6,2
202
203
antennes 60 GHz lorsque la station sous pointes est utilise et de voir comment amliorer la
mesure de la rponse de la puissance transmise. En effet, pour ce dernier point, le chapitre III
indique que nos mesures sont, pour l'instant, ralises en espace libre et que d'importantes
fluctuations accompagnent tous les diagrammes obtenus exprimentalement. Une solution
cette problmatique serait d'amnager une enceinte ferme de type chambre anchode, de
faon que notre systme de mesure exploitant la station sous pointes, soit isol des
perturbations externes. Ceci impliquerait videmment de dimensionner convenablement cette
chambre en considrant toutes les contraintes mcaniques de la station sous pointes
Par ailleurs, comme nous lavons fait remarquer au chapitre I, linteraction des ondes
lectromagntique 60 GHz avec des obstacles environnants peut devenir critique cause de
la faible valeur de la longueur donde (de lordre du millimtre). Ainsi, en pratique, lors d'une
liaison RF polarisation linaire, il se peut que les ondes transmises subissent dans certains
cas, une rotation de polarisation qui rend la restitution du signal impossible. En particulier,
selon lorientation du rcepteur face une borne d'mission, la liaison radio peut tre
fortement dgrade si on se retrouve en polarisation croise. Pour pallier ce phnomne de
dpolarisation et rendre la liaison RF 60 GHz plus robuste, nous avons envisag de mettre
en uvre une solution base sur l'emploi d'antennes patch en polarisation circulaire lors de la
rception L'antenne que nous avons conue pour raliser la polarisation circulaire 60 GHz,
est dcrite par la figure suivante.
Brivement, cette antenne se compose d'un patch carr implant sur une membrane
Si/BCB et couple deux lignes microrubans avec terminaison en T, par le biais d'un gap
dilectrique. Ces deux lignes sont places perpendiculairement l'une l'autre sur deux des
cts adjacents du patch. Un dphasage de 90 est ensuite appliqu entre ces lignes faisant
office de deux ports dexcitation orthogonaux. Grce une telle configuration, les caractres
'polarisation circulaire' et 'large bande' ont pu tre obtenus. En effet les rsultats de
modlisation de cette antenne, montrent que cette antenne permet de couvrir 15 % de bande
204
passante relativement 60 GHz, avec un faible taux dellipticit, soit: TE < 2,5 dB. Notons
quen pratique quun taux dellipticit (TE) infrieur 3 dB est suffisant pour que la
polarisation de lantenne soit polarisation circulaire pure.
Les figures ci-aprs, reprsentent les diagrammes de rayonnement de notre antenne en
polarisation circulaire, obtenus respectivement 56 GHz, 62 GHz et 64 GHz. D'aprs ces
diagrammes, la polarisation circulaire obtenue avec cette antenne, est suffisamment pure sur
toute la bande des 60 GHz puisque le niveau de polarisation croise est de 15 dB. Cependant,
avec ce type de configuration, le gros problme est darriver concevoir un coupleur
branches capable dassurer un dphasage constant de 90 entre 56 GHz et 64 GHz pour
raliser une polarisation circulaire sur toute la bande des 60 GHz.
A plus long terme, Il serait souhaitable de raliser sur site le dploiement du rseau de
communication 60 GHz pour des applications haut dbit dans les avions de ligne, incluant
les interfaces de paramtrage dynamique pour la gestion de la couverture multi-usagers. Entre
autres, pour valuer la capacit de notre rseau en s'appuyant sur des lments fiables, des
tests devraient tre mens en considrant les conditions ralistes de communication dans la
carlingue dun aronef, c'est--dire, en prenant en compte les perturbations dune liaison RF
lies notamment la prsence des siges et des passagers.
205
206
Annexes
207
208
Annexe A
Calcul du gain pour la liaison point multi-point
Le calcul effectu au chapitre I pour tablir le bilan d'une liaison RF 60 GHz, est
dtaill ci-aprs. Le but de ce calcul est de dterminer le gain permettant d'assurer chaque
passager, les dbits d'information dfinis soit par la norme IEEE.802.15c pour la TVHD
normale, soit par la norme MPEG2 pour la TVHD compresse (voir Tableau A.1). Le calcul
tant le mme que pour les autres cas (dbits et canal), considrons la couverture RF dcrite
par la figure A.1. Supposons que le dbit d'information soit de 80 Mb/s et qu'on ait un canal
de propagation HRP gal 1,76 GHz.
Tableau A.1. Dbits de la TVHD compresse suivant la norme MPEG 2.
Paramtres
Rsolution (pixel)
352x288
720x576
1440x1152
1920x1152
Dbit max
4 Mb/s
15 Mb/s
60 Mb/s
80 Mb/s
Figure A.1. Couverture RF (Identification des zones claires par une antenne).
209
D'aprs la figure A.1, la couverture RF vers les passagers est divise en trois
principales zones :
(A -1)
Dans cette quation, Ptr est la puissance transmise par rayonnement dans lespace libre,
GR, le gain de lantenne de rception, Gtr, le gain de lantenne dmission, , la longueur
donde dans le vide et d, la distance sparant ces deux antennes. Cette puissance exprime en
dB, est:
D'o:
C dB = (Ptr )dB + 20 log
+ (G e ) dB + (G r ) dB
4d
(A - 2)
(G e + G r ) dB = C dB (Ptr )dB 20 log
4d
(A - 3)
Application numrique :
A 60GHz, on a: = 5 mm. Compte tenu de la norme IEEE. 802.15c, la puissance
transmise par lantenne est Ptr = 10 dBm.
Daprs la relation (A - 3), le gain (Ge + Gr) peut tre dtermin en valuant la
puissance reue (C) et la distance (d) sparant lmetteur du rcepteur pour chaque passager.
SNR =
C Eb R
=
N N 0 BT
E
En dB, il vient: (C) dB = b
N0
(A - 4)
R
+ 10 log
BT
dB
210
N dB
(A - 5)
Le Tableau A.2 donne les diffrents paramtres intervenant dans le calcul de la liaison
RF 60 GHz. La recherche bibliographique ralise au chapitre I, a permis de choisir
minutieusement chacun de ces paramtres. Le Tableau A.3 donne les rsultats du calcul de la
liaison RF 60 GHz, dont le gain ncessaire pour fournir chaque passager, un dbit de
80 Mb/s. Notons que ce gain est obtenu par zone, pour un gain en rception Gr = 0 dBi.
Tableau A.2. Caractristiques gnrales du dispositif RF 60 GHz.
Caractristiques
du rseau
Paramtres
Canal HRP
Bande de frquences
57-64 GHz
Modulation
Puissance Tx
10 dBm
300 K
NF (facteur de bruit)
10 dB
Bande du canal de
transmission
1,76 GHz
-6
13 dB
0 dBi
Tableau A. 3. Gain ncessaire par zone pour assurer un dbit de 80 Mb/s / passagers.
- 40 < < - 20 et
- 60 < < - 40 et
20 < < 40
40 < < 60
12
16
80
80
80
320
960
1280
- 66 dBm
- 61 dBm
- 60 dBm
Gain
Zone
N
bre
total de passagers
Dbit / passagers en
Mb/s
- 20 < < 20
211
(A - 6)
(A 7)
(A 8)
212
Application numrique : h = 1 m.
Pour - 20 < < + 20
213
214
Annexe B
Mthodes de calcul de limpdance caractristique et
normalisation de la simulation sous HFSS
En ce qui concerne la normalisation des rsultats, HFSS laisse la libert lutilisateur
de choisir la mthode de calcul de limpdance du port en fonction de la nature de la structure
tudie, savoir, les modles Zpi, Zpv ou Zvi.
Notons que la notice daide de HFSS prcise que Zpi est mieux adapt au calcul de
limpdance caractristique d'une ligne micro-ruban, Zpv convient trs bien la modlisation
des structures fentes comme les guides donde coplanaires et Zvi sapplique tout fait aux
structures o se propagent les modes TEM [1].
1. Zpi
Avec le Zpi, limpdance caractristique est calcule l'aide de HFSS en faisant le
rapport de la puissance (P) sur le carr du courant (I) :
Z PI =
P
I2
(B - 1)
Les champs E-M simuls sous HFSS permettent de calculer directement la puissance
et le courant. La puissance traversant le port est calcule par intgration sur la surface (S) de
ce port :
P=
(E H) dS
(B - 2)
(S)
I = HdL
(D - 3)
2. Zpv
Zpv est le rapport du carr de la tension (V) sur la puissance (P):
Z PV =
V2
P
215
(B 4)
La puissance (P) et la tension (V) sont calcules directement partir des champs E-M
simuls. La puissance (P) est dtermine de la mme manire quavec le Zpi, par intgration
de lquation (B - 2) et la tension est calcule en faisant :
V = EdL
(B 5)
L
3. Zvi
Zvi ralise le rapport de la tension sur le courant. Elle peut aussi tre considre
comme la moyenne gomtrique de Zpi et Zpv, savoir :
Z VI = Z PI Z PV
(B - 6)
Comme le spcifie la notice technique de HFSS pour les ondes TEM, limpdance Zpi
et Zpv forment respectivement les limites suprieure et infrieure de limpdance
caractristique relle dun port. Par consquent, Zvi est proche de la valeur relle de
l'impdance d'un port pour des structures ondes TEM.
Rfrences:
[1] HFSS Version 11.1, Ansoft Corporation, Inc, 1984-2008.
http://www.ansoft.com/products/hf/hfss/
216
Annexe C
Modlisation des lignes microrubans
Dans cette annexe, est prsente la mthodologie dexcitation de la ligne microruban
suivant respectivement les outils de simulation IE3D et HFSS. Elle concerne la mise en place
du port dexcitation et les mthodes de normalisation des rsultats.
C.1. Dfinition des ports dexcitation
Avant de procder la description des ports dexcitation, il est ncessaire davoir, au
pralable, une ide de la configuration dun mode quasi-TEM se propageant dans la ligne
microruban. Celle-ci est illustre par la figure C.1, o hsub est la hauteur du substrat, Ws, la
largeur de la ligne acheminant le signal RF (V).
Comme nous lavons expliqu au chapitre III, ce qui distingue les deux simulateurs
IE3D et HFSS, c'est leur lenvironnement de simulation.
217
De manire gnrale, pour assurer lexcitation des lignes de transmission, nous devons
crer sur chaque extrmit des lignes, une surface rectangulaire o sera applique le type
dexcitation (voir figure C.3). Aussi, dans un premier temps, nous allons mettre en vidence
les conditions requises pour exciter correctement nos structures Wave port.
218
219
Figure C.4. Dimensionnement de la surface dexcitation pour le Wave Port d'une ligne
microruban.
220
Annexe D
Modlisation des lignes CPW
Dans cette annexe, nous prsentons les mthodes permettant de raliser lexcitation
dune ligne CPW suivant les deux logiciels de simulation IE3D et HFSS. La ligne CPW et les
lignes de champ du mode fondamental quasi-TEM de cette ligne sont illustres par la figure
D.1, o hsub est la hauteur du substrat, Ws, la largeur de la ligne acheminant le signal RF (V)
et g , la fente entre la lame centrale et le plan de masse dans le cas de la ligne CPW.
Comme lindique la figure D.2, le port est positif lextrmit gauche de la premire
fente et ngatif droite. Pour la seconde fente, le port est ngatif gauche et positif droite.
Le simulateur ralise un maillage des fentes et fait le calcul des champs magntiques maille
par maille. Etant donn le peu de surface mailler en comparaison avec la mthode 1, cette
deuxime mthode de simulation consomme beaucoup moins de temps de calcul.
D.2. Cration et dimensionnement du Waveport
Les rgles de modlisation utilises ci-aprs, ont t tablies selon le tutorial de HFSS.
Elles sont requises pour utiliser convenablement ce logiciel et exciter correctement une ligne
coplanaire (CPW).
Pour assurer cette excitation, le Wave port doit tre plac dans un rectangle cr sur
chacun des accs de la ligne (voir figure D.3). Cette surface permet aussi dobserver les
modes qui se propagent dans la ligne coplanaire. Comme HFSS procde au calcul de
limpdance caractristique partir du champ lectromagntique, il est important de connatre
la carte des champs caractrisant les modes de propagation et de sassurer quil y a bien
transmission du mode quasi-TEM dans cette structure. Autrement, les rsultats de la
simulation seraient fausss. Dans ces conditions, la dtermination de la taille du port est dune
importance capitale, car cela permet de savoir s'il s'agit du bon mode ou dun mode
indsirable.qui est transmis par la ligne CPW.
Pour la plupart des lignes coplanaires, la norme est d'affecter une forme rectangulaire
au Wave port dont les dimensions sont (voir figure D. 4):
Une largeur du port valant au moins trois fois la largeur globale du CPW, soit
3 x (2 g + w) o g est le gap et w, la largeur de la ligne CPW
222
Figure D.3 Cration de la surface dexcitation devant recevoir le Wave port aux
extrmits d'une ligne CPW.
3 (2g + w)
3 (2g + w)
4h
4h
w
h
g
h
223
Pour certaines dimensions de la ligne coplanaire, le port peut, cependant, tre trop
large, soit: 3 x (2g + w) > /2. Un mode de guide donde risque alors dapparatre (voir
figure D.6a). Dans ce cas, il faut redimensionner le port de manire significative pour
n'obtenir que le mode escompt (voir figure D.6b)
224
Annexe E
Modes parasites dans les structures microrubans de la
bande millimtrique
Le domaine dapplication des lignes microrubans est limit non seulement par
lapparition des modes dordre suprieur qui pose des problmes quant la dtermination de
limpdance caractristique de la structure, mais aussi par les couplages du mode quasi-TEM
avec les modes de substrat qui entranent des pertes nergtiques parfois trs importantes [1].
Dans le chapitre III, la constitution physique dune ligne microruban et la distribution
de son mode fondamental se propageant dans cette structure sont dcrites par la figure 3.1.
La figure E.1 reprsente les lignes de champs associs lapparition successive des
modes dordre suprieur [1]. Ces modes sont calculs en utilisant le modle de guide donde
appliqu la forme gomtrique d'une ligne microruban.
Soit hsub, la hauteur du substrat, co , la vitesse de la lumire et Zc , limpdance
caractristique. La frquence de coupure (Fgn) du mode d'ordre (n) s'crit:
Fgn =
nc o Z c
240h sub
(E 1)
Figure E.1. Lignes de champ caractrisant les modes dordre suprieur dans une ligne de
transmission ralise en technologie microruban [1].
225
Cette relation montre que l'ordre (n) est proportionnel la hauteur du substrat hsub,
pour Fgn et Zc fixes. Donc, plus cette hauteur augmente plus le risque dexcitation de modes
suprieurs augmente. Les figures E.2 et E.3 illustrent respectivement les variations de la
frquence de coupure des modes du premier ordre et du second ordre en fonction de la
hauteur du substrat pour une ligne microruban d'impdance caractristique Zc = 50 .
D'aprs ces courbes, le mode du premier ordre risque dtre excit 60 GHz pour une
hauteur hsub 350 m et le mode du second ordre, pour hsub 600 m. On en dduit qu'
60 GHz, la propagation de modes d'ordre suprieur dans une ligne microruban n'a plus lieu et
peut donc tre vite, si la hauteur du substrat est infrieure 350 m.
La structure microruban risque aussi d'tre le sige de modes de substrat. Ce sont des
modes TEn et TMm se propageant dans le guide donde form du substrat et du plan de masse.
Pour viter la propagation du TM0, il suffit de travailler une frquence plus basse que
sa frquence de coupure Fc _ TM 0 donne par [1]:
Fc _ TM 0 =
c o arctg( r )
(E - 2)
.h sub 2( r 1)
Quant au mode TE0, il est principalement excit par les discontinuits de la forme
gomtrique de la ligne microruban. Il existe une frquence de coupure Fc _ TE 0 au-del de
laquelle le couplage des modes de propagation devient possible [1]. Cette frquence de
coupure s'crit:
Fc _ TE 0 =
3c o
4h sub 2( r 1)
226
(E - 3)
Rfrences:
[1] Descharles C. "Contribution la conception et la ralisation de dtecteurs intgrs usage dans
la bande millimtrique pour des applications de radio-astronomie", Thse de Doctorat, Universit
Pierre et Marie Curie, Laboratoire des Instruments et Systmes dIle de France, Ecole Doctorale
E.D.I.T.E., 06 Octobre 2004.
227
228
Annexe F
Mesure du gain des antennes en Laboratoire
Le gain de l'antenne patch sur membrane tudie au chapitre III, a t mesur en
employant la station sous pointes Karl Suss. Cette antenne qui est dcrite par la figure F.1, est
alimente par une transition Cpw-microruban, afin de faciliter les connexions faites par
contact avec les pointes de la station de mesure.
Figure F.1. Antenne patch sur membrane alimente par une transition Cpw-microruban,
229
Figure F.2. Mesure du gain et du paramtre S12 de l'antenne patch sur membrane.
Le gain (G1) de lantenne patch sur membrane est obtenu en retranchant au paramtre
S12, le gain G2 de l'antenne guide, les pertes (PLB) en espace libre et les pertes de transmission
(PDT) introduites par la connectique, exprims en dB. D'o:
G1 (dB) = S12 (dB) G2 (dB) PLB(dB) PDT (dB)
(F 2)
Les pertes de connectique (PDT) sont celles dues aux lignes daccs (transition Cpwmicroruban) et aux connecteurs de la station sous pointes. Pour les valuer, on mesure, tout
dabord, les pertes dans la transition Cpw-microruban, grce au dispositif en tte bche de la
figure F.4a. Ce dispositif tant form de deux transitions Cpw-microruban, est deux fois plus
long que la transition alimentant lantenne de la figure F.1. Donc, les mesures du paramtre
S12 exprimant ces pertes, sont divises par deux pour avoir les pertes PLB dans la transition
Cpw-microruban. La figure F.4b donne les variations de ces pertes avec la frquence.
230
Figure F.4. Mesure des pertes induites par la transition Cpw-microruban et les connecteurs.
La rfrence de la mesure est situe entre (A-A) et (B-B). En retranchant ces pertes
comme l'indique l'expression (F - 2), on obtient une mesure du gain de lantenne suivant la
rfrence (A-A) de la figure F.1.
La figure F.5 illustre les variations des pertes en espace libre (PLB) en fonction de la
frquence F pour une distance d = 5 cm. Ces pertes exprimes en fonction de la longueur
d'onde = c / F, sont:
PLB = 20 log (2d/)
(H - 3)
Le gain (G2) est celui du guide de rception, mais incluant les pertes de la transition
guide. Lvaluation du gain G2 se fait alors en plaant deux guides identiques en vis--vis,
comme le montre la figure F.6a. Ces deux antennes sont spares de la distance d = 5 cm pour
tre dans la zone de champ lointain. Ensuite, le paramtre S12 de cette liaison est mesur en
fonction de la frquence et le gain G2 est obtenu en faisant:
G2 (dB) = [S12 (dB) PLB(dB)] / 2
La figure F.6b dcrit les variations du gain (G2) en fonction de la frquence.
231
(F - 4)
232
Annexe G
Permittivit quivalente (r)eq de structure
microrubans sur substrat multicouche
Soit (r)eq , la permittivit dilectrique quivalente, r1 , la permittivit dilectrique du substrat
infrieur, r2 , la permittivit dilectrique du substrat suprieur, h1 , la hauteur du substrat
infrieur et hsub , la hauteur totale du support form des deux couches dilectriques.
Lquation (G - 1) donne lexpression de la constante dilectrique effective dune ligne
microruban implante sur un substrat bi-couches (voir figure G.1).
( r )eq
r1 . r 2
h
r1 + ( r 2 r1 ). 1
h sub
(G - 1)
Cette quation dcoule dune approche base sur les travaux de Wheeler pour estimer le
coefficient de remplissage associ la dtermination de la constante dilectrique effective de
la ligne [1].
233
234
Annexe H
Composant MEMS-RF sur Silicium / BCB
H.1. Principe d'un commutateur MEMS-RF
La figure H.1 donne la photo et le schma quivalent dun commutateur MEMS 60
GHz ralis au LAAS dans le cadre du projet LIMA. Il comporte principalement une ligne de
transmission de type CPW dpose sur un support dilectrique en Silicium haute rsistivit
(HR) recouvert d'une couche de BCB (benzocyclobutne). Les caractristiques respectives de
ces matriaux sont [1]:
235
Rfrences:
[1] Puyal, V., Dragomirescu, D., Villeneuve, C., Ruan, J., Pons, P., Plana, R. Frequency
scalable model for MEMS capacitive shunt switches at millimetre wave frequencies, IEEE
Transactions on Microwave Theory and Techniques, vol. 57, pp. 2824, 2009.
236
Annexe I
Procd de fabrication de la membrane en Silicium / BCB
La figure I.1 illustre le processus technologique qui permet de raliser la co-intgration de
lantenne sur membrane Si / BCB avec ses circuits externes. En gnral, ces derniers sont des
circuits passifs (rseau dalimentation, filtre, dphaseur ) ou actifs (ampli, oscillateur,
diode, transistor) intgrs sur du Silicium massif. Les tapes de ce processus sont:
Etape I - Isolation dilectrique:
- Dpt dune couche de 400 nm de SiNx sur les faces du Wafer en Silicium haute
rsistivit (> 3 k.cm). Cette couche servira de couche darrt pour la gravure du (Si)
-
Gravure du circuit (antennes, rseau dalimentation, circuits RF) sur la couche d'Au,
travers un masque de rsine.
Gravure DRIE (Deep Reactive - Ion Etching) sur la face arrire du SiNx, ainsi que sur
le substrat en Si, travers un masque de rsine.
237
238
Annexe J
Dimensionnement de la transition CPW-microruban
Ltude dveloppe dans cette annexe, porte sur le dimensionnement de la transition
CPW-microruban stubs parallles sur Silicium / BCB. De par sa conception, cette transition
facilite la mesure des antennes et leur interconnexion avec les dphaseurs MEMS-RF.
J.1. Rappel des principales contraintes :
Ralisation de la transition :
Sur le mme niveau dilectrique que lantenne (voir exemple de la figure J.1)
Avec une bande passante suffisamment large (Bp 7 GHz) pour qu'un signal RF
puisse tre achemin entre 55 GHz 65 GHz.
239
Silicium
Type de
Ligne
Adaptation
(S11)
Pertes de
transmission (S12) Pertes liniques
pour L = 5 mm
r = 2,6
r = 11,9
-ruban
< - 30 dB
- 0,25 dB
- 0,05 dB/mm
h = 10 m
h = 400 m
CPW
< - 20 dB
- 0,7 dB
- 0,14 dB/mm
GCPW
< - 20 dB
- 3 dB
- 0,6 dB/mm
tg = 0,002
= 0,033 /m
-1
(a) GCPW
(b) CPW
Figure J.2. Reprsentation des champs lectromagntiques dans la ligne GCPW et CPW.
Compte tenu des fortes pertes induites par la ligne GCPW et lies ses proprits
physiques, il est ncessaire de rduire au maximum sa longueur (m), lors de son insertion dans
la transition CPW-microruban. Notons, cependant, quil est impossible de saffranchir
totalement de la ligne GCPW. En effet, elle assure, avec les stubs en circuit ouvert, la
continuit des masses, grce au couplage lectromagntique entre le plan de masse suprieur
de la ligne CPW et la masse de la face arrire de la ligne microruban. Elle sert aussi
transmettre le signal RF de la ligne CPW vers la ligne microruban. Dans ces conditions, on
240
choisit une longueur de la ligne GCPW aussi faible que possible, soit: m = 50 m, car on a un
bon compromis entre la prsence de cette ligne et les pertes liniques. Notons quil est inutile
que la longueur m soit plus petite que 50 m car les pertes ne seront pas plus faibles.
J.4. Dimensionnement de la transition
Comme le montrent [1] et [2], ce sont les stubs en circuit ouvert qui assurent le
couplage E-M ncessaire pour raliser la continuit du signal RF entre les lignes CPW et
microruban. Cependant, avant de passer effectivement au dimensionnement des stubs, une
tude paramtrique a, tout dabord, t ralise pour dterminer la largeur du CPW (Wcpw)
pour laquelle les pertes sont minimums. Lobjectif de cette tude est aussi de rduire
lencombrement du circuit dalimentation de lantenne.
J.5. Dimensionnement de la largeur du CPW (Wcpw)
Les distributions de la figure J.3 mettent en vidence le fait que lorsquon rduit trop
la largeur WCPW, les champs risquent de dborder en dehors de la ligne transmission CPW,
constitue de sa lame centrale et de ses plans de masse latraux. D'aprs la figure J.4,
laugmentation des pertes de transmission est la consquence de ce dbordement. Les courbes
de cette figure montrent que pour Wcpw 2,2 mm, les pertes sont plus faibles et quivalent
celles dune ligne CPW dont le plan de masse est trs large, soit: Wcpw = 5 mm. En particulier,
pour Wcpw = 2,2 mm, les champs sont confins sous le CPW (voir figure J.3a). De plus, avec
cette largeur, on obtient un bon compromis entre les pertes et l'encombrement du CPW.
Figure J.3. Reprsentation des champs lectromagntiques dans la ligne CPW pour diffrentes
valeurs de Wcpw.
241
Figure J.4. Paramtres [S] de la ligne CPW pour diffrentes valeurs de WCPW.
Figure J.5. Paramtres [S] de la transition CPW-microruban pour diffrentes valeurs de WS1,
avec L1 = 800 m et P = 710 m.
242
De manire gnrale, on sait que les stubs assurent un bon couplage E-M et donc, une
bonne transmission lorsque les coefficients de rflexion S11 et S22 sont trs faibles. Daprs les
courbes de la figure J.5b, le meilleur couplage est donc assur pour WS1 = 100 m car cette
valeur, les coefficients de rflexion sont les plus faibles. Mais, dans ce cas, les pertes sont plus
importantes qu'avec WS1 = 20 m, c'est dire des largeurs plus petites, pour lesquelles les
coefficients de rflexion sont plus forts. En effet, une transition dote de stubs trop larges va
favoriser lapparition de modes parasites, quelle que soit la longueur L1 et la position P,
causant ainsi des pertes de transmission (voir figure J.6a). Grce un rglage judicieux des
stubs, on obtient: WS1 = 20 m, L1 = 800 m et P = 710 m. Avec ces valeurs, les stubs
assurent un bon couplage, comme l'illustre la figure J.6b. De plus, d'aprs la courbe en rouge
de la figure J.5a, ils limitent lapparition des modes parasites et on a donc, moins de pertes
(b) WS1 = 20 m.
243
Figure J.7. Paramtres [S] de la transition CPW-microruban pour diffrentes valeurs de L1, avec
WS1 = 20 m et P = 710 m.
Figure J.8. Paramtres [S] de la transition CPW-microruban pour diffrentes valeurs de L1, avec
WS1 = 20 m et L1 = 800 m.
244
245
Figure J.10. Reprsentation des paramtres S11 et S22 sur l'abaque de Smith pour les
topologies de transition CPW-microruban stub // (1) et stub // (2).
Figure J.11. Paramtre S12 des transitions CPW-microruban stub // (1) et stub // (2).
Rfrences
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(FGGPW) to microstrip line transition", International Microwave Symposium Digest IEEE
MTT-S, vol.1, pp.107-109, 7-12 June 1998.
[2] Raskin, J.-P., Gauthier, G., Katehi, L.P., Rebeiz, G.M. "Mode conversion at GCPW-tomicrostrip-line transitions", IEEE Transactions on Microwave Theory and Techniques, vol.
48, no.1, pp.158-161, Jan 2000.
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antennas and propagation, 12-16 April 2010, Barcelona, Spain.
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Beamforming Applications At 60 GHz The 5th European conference of antennas and
propagation 11-15 April 2011, Roma, Italy.
A. Adane, F. Galle, C. Person, V. Puyal, C. Villeneuve, D. Dragomirescu, Rseau
dantennes patch 60 GHz excites par microrubans en U sur membrane Si/BCB et
contrles par des dphaseurs MEMS RF 17mes Journes Nationales Microondes, 18-20
Mai 2011 BREST
A. Adane, F. Galle, C. Person, V. Puyal, C. Villeneuve, D. Dragomirescu, Antenne patch
large bande 60 GHz excite en polarisation circulaire par deux microrubans en T
17mes Journes Nationales Microondes 18-20 Mai 2011 BREST
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