MATERIALES SEMICONDUCTORES

Los primeros semiconductores utilizados para fines tcnicos fueron pequeos detectores diodos
empleados a principios del siglo 20 en los primitivos radiorreceptores, que se conocan como de
galena. Ese nombre lo tom el radiorreceptor de la pequea piedra de galena o sulfuro de plomo
(PbS) que haca la funcin de diodo y que tenan instalado para sintonizar las emisoras de radio. La
sintonizacin se obtena moviendo una aguja que tena dispuesta sobre la superficie de la piedra.
Aunque con la galena era posible seleccionar y escuchar estaciones de radio con poca calidad
auditiva, en realidad nadie conoca que misterio encerraba esa piedra para que pudiera captarlas.
En 1940 Russell Ohl, investigador de los Laboratorios Bell, descubri que si a ciertos cristales se le
aada una pequea cantidad de impurezas su conductividad elctrica variaba cuando el material se
expona a una fuente de luz. Ese descubrimiento condujo al desarrollo de las celdas fotoelctricas o
solares. Posteriormente, en 1947 William Shockley, investigador tambin de los Laboratorios Bell,
Walter Brattain y John Barden, desarrollaron el primer dispositivo semiconductor de germanio (Ge), al
que denominaron transistor y que se convertira en la base del desarrollo de la electrnica moderna.
Los "semiconductores" como el silicio (Si), el germanio (Ge) y el selenio (Se), por ejemplo, constituyen
elementos que poseen caractersticas intermedias entre los cuerpos conductores y los aislantes, por lo
que no se consideran ni una cosa, ni la otra. Sin embargo, bajo determinadas condiciones esos
mismos elementos permiten la circulacin de la corriente elctrica en un sentido, pero no en el sentido
contrario. Esa propiedad se utiliza para rectificar corriente alterna, detectar seales de radio, amplificar
seales de corriente elctrica, funcionar como interruptores o compuertas utilizadas en electrnica
digital,
etc.

Lugar que ocupan en la Tabla Peridica los trece elementos

con.caractersticas
de
semiconductores,
identificados
con
su
correspondiente.nmero atmico y grupo al que pertenecen. Los que
aparecen
con
fondo.
gris corresponden a metales, los de fondo verde a metaloides y los
de.fondo azul a no metales.

Esos elementos semiconductores que aparecen dispuestos en la Tabla Peridica constituyen la

materia prima principal, en especial el silicio (Si), para fabricar diodos detectores y rectificadores de
corriente,
transistores,
circuitos
integrados
y
microprocesadores.
Los tomos de los elementos semiconductores pueden poseer dos, tres, cuatro o cinco electrones en
su ltima rbita, de acuerdo con el elemento especfico al que pertenecen. No obstante, los elementos
ms utilizados por la industria electrnica, como el silicio (Si) y el germanio (Ge), poseen solamente
cuatro electrones en su ltima rbita. En este caso, el equilibrio elctrico que proporciona la estructura
molecular cristalina caracterstica de esos tomos en estado puro no les permite ceder, ni captar
electrones. Normalmente los tomos de los elementos semiconductores se unen formando enlaces
covalentes y no permiten que la corriente elctrica fluya a travs de sus cuerpos cuando se les aplica

una diferencia de potencial o corriente elctrica. En esas condiciones, al no presentar conductividad

elctrica alguna, se comportan de forma similar a un material aislante.

TABLA DE ELEMENTOS SEMICONDUCTORES

Nmero
Atmico
48

Nombre del
Elemento

Categora

Electrones en la
ltima rbita

Nmeros de
valencia

IIa

Metal

2 e-

+2

3e

+3

4 e-

+4

5 e-

+3, -3, +5

6 e-

+2, -2 +4, +6

elemento

semiconductor

Cd (Cadmio)

B (Boro)

13

Al (Aluminio)

31

Ga (Galio)

49

In (Indio)

14

Si (Silicio)

32

Ge (Germanio)

15

P (Fsforo)

33

As (Arsnico)

51

Sb (Antimonio)

16

S (Azufre)

34

Se (Selenio)

52

Te (Telurio)

Incremento

Grupo en la
Tabla Peridica

de

Metaloide
IIIa

IVa

Metal

Metaloide
No metal

Va

VIa

Metaloide
No metal
Metaloide

la

conductividad

en

un

La mayor o menor conductividad elctrica que pueden presentar los materiales semiconductores
depende en gran medida de su temperatura interna. En el caso de los metales, a medida que la
temperatura aumenta, la resistencia al paso de la corriente tambin aumenta, disminuyendo la
conductividad. Todo lo contrario ocurre con los elementos semiconductores, pues mientras su
temperatura
aumenta,
la
conductividad
tambin
aumenta.
En resumen, la conductividad de un elemento semiconductor se puede variar aplicando uno de los
siguientes mtodos:

Elevacin de su temperatura

Introduccin de impurezas (dopaje) dentro de su estructura cristalina

Incrementando la iluminacin.

Con relacin a este ltimo punto, algunos tipos de semiconductores, como las resistencias dependientes de la luz
(LDR Light-dependant resistors), varan su conductividad de acuerdo con la cantidad de luz que reciben.

Resistencia dependiente de la luz (LDR), conocida tambin como fotorresistor o

clula fotoelctrica. Posee la caracterstica de disminuir el valor de su resistencia
interna cuando la intensidad de luz que incide sobre la superficie de la celda
aumenta. Como material o elemento semiconductor utiliza el sulfuro de cadmio
(CdS) y su principal aplicacin es en el encendido y apagado automtico del
alumbrado pblico en las calles de las ciudades, cuando disminuye la luz solar.

En dependencia de cmo varen los factores de los puntos ms arriba expuestos, los materiales semiconductores se
comportarn
como
conductores
o
como
aislantes.

La conductividad elctrica de los cuerpos materiales ( ) constituye la capacidad

que.tienen de conducir la corriente elctrica. La frmula matemtica para hallar
la.conductividad es la siguiente:

Como se puede apreciar en esta frmula, la conductividad ( ) se obtiene hallando

primeramente el resultado de la recproca de la resistencia (o sea, 1/R)
multiplicndolo a continuacin por el resultado que se obtiene de dividir la longitud
del material (L) entre su rea (A). En esa frmula se puede observar tambin que la
resistencia (R) es inversamente proporcional a ( ), por lo que, a menor resistencia
en ohm de un cuerpo, la conductividad resultante ser mayor.

SEMICONDUCTORES "INTRNSECOS"

Los materiales semiconductores, segn su pureza, se clasifican de la siguiente forma:

1. Intrnsecos
2. Extrnsecos

Se dice que un semiconductor es intrnseco cuando se encuentra en estado puro, o sea, que no
contiene ninguna impureza, ni tomos de otro tipo dentro de su estructura. En ese caso, la cantidad de
huecos que dejan los electrones en la banda de valencia al atravesar la banda prohibida ser igual a la
cantidad de electrones libres que se encuentran presentes en la banda de conduccin.
Cuando se eleva la temperatura de la red cristalina de un elemento semiconductor intrnseco, algunos
de los enlaces covalentes se rompen y varios electrones pertenecientes a la banda de valencia se
liberan de la atraccin que ejerce el ncleo del tomo sobre los mismos. Esos electrones libres saltan a
la banda de conduccin y all funcionan como electrones de conduccin, pudindose desplazar
libremente de un tomo a otro dentro de la propia estructura cristalina, siempre que el elemento
semiconductor se estimule con el paso de una corriente elctrica.

Como se puede observar en la ilustracin, en el caso de

los semiconductores el espacio correspondiente a la
banda prohibida es mucho ms estrecho en comparacin
con los materiales aislantes. La energa de salto de banda
(Eg) requerida por los electrones para saltar de la banda
de valencia a la de conduccin es de 1 eV
aproximadamente. En los semiconductores de silicio (Si),
la energa de salto de banda requerida por los electrones
es de 1,21 eV, mientras que en los de germanio (Ge) es de
0,785 eV.

Estructura cristalina de un semiconductor intrnseco, compuesta

solamente por tomos de silicio (Si) que forman una celosa. Como
se puede observar en la ilustracin, los tomos de silicio (que slo
poseen cuatro electrones en la ltima rbita o banda de valencia),
se unen formando enlaces covalente para completar ocho
electrones y crear as un cuerpo slido semiconductor. En esas
condiciones el cristal de silicio se comportar igual que si fuera un
cuerpo aislante.

SEMICONDUCTORES "EXTRNSECOS"

Cuando a la estructura molecular cristalina del silicio o del germanio se le introduce cierta alteracin,
esos elementos semiconductores permiten el paso de la corriente elctrica por su cuerpo en una sola
direccin. Para hacer posible, la estructura molecular del semiconductor se dopa mezclando los
tomos de silicio o de germanio con pequeas cantidades de tomos de otros elementos o
"impurezas".

Generalmente los tomos de las impurezas corresponden tambin a elementos semiconductores

que, en lugar de cuatro, poseen tres electrones en su ltima rbita [como el galio (Ga) o el indio (In)], o
que poseen cinco electrones tambin en su ltima rbita [como el antimonio (Sb) o el arsnico (As)].
Una vez dopados, el silicio o el germanio se convierten en semiconductores extrnsecos y sern
capaces
de
conducir
la
corriente
elctrica.
En la actualidad el elemento ms utilizado para fabricar semiconductores para el uso de la industria
electrnica es el cristal de silicio (Si) por ser un componente relativamente barato de obtener. La
materia prima empleada para fabricar cristales semiconductores de silicio es la arena, uno de los
materiales ms abundantes en la naturaleza. En su forma industrial primaria el cristal de silicio tiene la
forma de una oblea de muy poco grosor (entre 0,20 y 0,25 mm aproximadamente), pulida como un
espejo.

A la izquierda se muestra la ilustracin de una oblea (wafer) o cristal semiconductor

de.silicio pulida con brillo de espejo, destinada a la fabricacin de transistores y
circuitos.integrados. A la derecha aparece la cuarta parte de la oblea conteniendo
cientos de.minsculos dados o chips, que se pueden obtener de cada una. Esos
chips son los.que despus de pasar por un proceso tecnolgico apropiado se
convertirn en.transistores o circuitos integrados. Una vez que los chips se han
convertido en.transistores o circuitos integrados sern desprendidos de la oblea y
colocados dentro.de una cpsula protectora con sus correspondientes conectores
externos.

El segundo elemento tambin utilizado como semiconductor, pero en menor proporcin que el silicio,
es el cristal de germanio (Ge).

Durante mucho tiempo se emple tambin el selenio (S) para fabricar

diodos semiconductores en forma de placas rectangulares, que
combinadas y montadas en una especie de eje se empleaban para
rectificar la corriente alterna y convertirla en directa. Hoy en da, adems
del silicio y el germanio, se emplean tambin combinaciones de otros
elementos semiconductores presentes en la Tabla Peridica.

Placa individual de 2 x 2 cm de rea,

correspondiente a un antiguo diodo de selenio.

Entre esas combinaciones se encuentra la formada por el galio (Ga) y el arsnico (As) utilizada para
obtener arseniuro de galio (GaAs), material destinado a la fabricacin de diodos lser empleados como
dispositivos de lectura en CDs de audio.

Lente (sealada con la flecha) detrs de la cual se encuentra instalado un

diodo lser de arseniuro de galio (GaAs) empleado para leer datos de
texto, presentaciones multimedia o msica grabada en un CD. En esta
ilustracin el. CD se ha sustituido por un disco similar transparente de
plstico comn.

En el caso del silicio (Si) y el germanio (Ge) cuando se encuentran en estado puro, es decir, como
elementos intrnsecos, los electrones de su ltima rbita tienden a unirse formando "enlaces
covalentes", para adoptar una estructura cristalina. Los tomos de cualquier elemento,
independientemente de la cantidad de electrones que contengan en su ltima rbita, tratan siempre de
completarla con un mximo de ocho, ya sea donndolos o aceptndolos, segn el nmero de valencia
que
le
corresponda
a
cada
tomo
en
especfico.
Con respecto a los elementos semiconductores, que poseen slo cuatro electrones en su ltima rbita,
sus tomos tienden a agruparse formando enlaces covalentes, compartiendo entre s los cuatro
electrones que cada uno posee, segn la tendencia de completar ocho en su rbita externa. Al
agruparse de esa forma para crear un cuerpo slido, los tomos del elemento semiconductor
adquieren una estructura cristalina, semejante a una celosa. En su estado puro, como ya se mencion
anteriormente, esa estructura no conduce la electricidad, por lo que esos cuerpos semiconductores se
comportan como aislantes.

MECANISMO DE CONDUCCIN DE UN SEMICONDUCTOR

Cuando a un elemento semiconductor le aplicamos una diferencia de potencial o corriente elctrica, se

producen dos flujos contrapuestos: uno producido por el movimiento de electrones libres que saltan a la banda
de conduccin y otro por el movimiento de los huecos que quedan en la banda de valencia cuando los
electrones
saltan
a
la
banda
de
conduccin.

Cuando aplicamos una diferencia de potencial a

un.elemento
semiconductor,
se
establece
una.corriente de electrones en un sentido y
otra.corriente de huecos en sentido opuesto.

Si analizamos el movimiento que se produce dentro de la estructura cristalina del elemento

semiconductor, notaremos que mientras los electrones se mueven en una direccin, los
huecos o agujeros se mueven en sentido inverso. Por tanto, el mecanismo de conduccin de
un elemento semiconductor consiste en mover cargas negativas (electrones) en un sentido y
cargas
positivas
(huecos
o
agujeros)
en
sentido
opuesto.
Ese mecanismo de movimiento se denomina "conduccin propia del semiconductor", que para
las cargas negativas (o de electrones) ser "conduccin N", mientras que para las cargas
positivas (de huecos o agujeros), ser "conduccin P".
http://www.asifunciona.com/fisica/ke_semiconductor/ke_semiconductor_1.htm