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Especialidad de Electricidad
Nombre
4 medio C
Fecha
Semiconductores
Loscomponenteselectrnicosmasimportantessonlosquesefabricandecristalesyseles
llamasemiconductores.Dependiendodeciertascondiciones,unsemiconductorpuedeactuar
comounconductorounaislador.
LosdispositivossemiconductoresutilizadosenElectrnicadePotenciasepuedenclasificar
entresgrandesgrupos,deacuerdoconsugradodecontrolabilidad:
1.Dispositivos nocontrolados:enestegruposeencuentranlos Diodos.Losestadosde
conduccinocierre(ON)ybloqueooabertura(OFF)dependendelcircuitodepotencia.Por
tanto,estosdispositivosnodisponendeningnterminaldecontrolexterno.
2.Dispositivos semicontrolados:enestegruposeencuentran,dentrodelafamiliadelos
Tiristores,los SCR (SiliconControlledRectifier)ylos TRIAC (TriodeofAlternating
Current).Enestecasosupuestaenconduccin(pasodeOFFaON)sedebeaunasealde
control externa que se aplica en uno de los terminales del dispositivo, comnmente
denominadopuerta.Porotrolado,subloqueo(pasodeONaOFF)lodeterminaelpropio
circuitodepotencia.Esdecir,setienecontrolexternodelapuestaenconduccin,peronoas
delbloqueodeldispositivo.
3.Dispositivostotalmentecontrolados:enestegrupoencontramoslostransistoresbipolares
BJT(BipolarJunctionTransistor),lostransistoresdeefectodecampoMOSFET(Metal
OxideSemiconductorFieldEffectTransistor),lostransistoresbipolaresdepuertaaislada
IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) y los tiristores GTO (Gate TurnOff
Thyristor),entreotros.
Materialesextrnsecos:
Lascaractersticasdelosmaterialessemiconductorespuedenseralteradassignificativamente
porlaadicindeciertostomosdeimpurezaaunmaterialsemiconductorrelativamentepuro.
Estasimpurezas,aunquesolohayasidoaadida1parteen10millones,puedenalterarsu
estructuraycambiartotalmentelaspropiedadeselctricasdelmaterial.
Sedenominadopaje alprocesointencionaldeagregarimpurezasenunsemiconductor
extremadamente puro (tambin referido como intrnseco) con el fin de cambiar sus
propiedades elctricas. Las impurezas utilizadas dependen del tipo de semiconductores a
dopar. A los semiconductores con dopajes ligeros y moderados se los conoce como
extrnsecos.Unsemiconductoraltamentedopado,queactamscomounconductorque
comounsemiconductor,esllamadodegenerado.
FuncionamientodeunDiododeSeal
Ambossiliciosdeltipopytiponconducenelectricidad.Laresistenciadeambostiposes
determinadaporlaproporcindeloshuecosoelectronesexcedentes.Porestoambostipos
puedenoperarcomoresistencias.Yestosconducirnelectricidadencualquierdireccin.
Elprincipiodefuncionamientodeundiododependedesutipodeconexinexistendos:
conexindirectayconexininversa.
POLARIZACINDIRECTA
Aqulacargadeunabaterarechazaloshuecosyloselectroneshacialaunin.Sielvoltaje
excede0,6(v),entoncesloselectronescruzaranlauninysecombinaranconloshuecoslo
quepermitirquefluyalacorrienteelctrica.
POLARIZACININVERSA
Aqulacargadelabateraatraehuecosyelectroneshacialaunin,generandoenlaunin
unagranbarradeaislamientoimpidiendoaselpasodeloselectronesentreunauninyotra.
Los diodos son comnmente encapsulados en pequeos cilindros de vidrio. Una banda
obscuramarcalaterminaldectodo.Laterminalopuestaeselnodo. lacorrientefluye
cuandoelnodoesmaspositivoqueelctodo.
CaractersticasdeunDiodo
Los diodos son los elementos principales de los semiconductores y cumplen ciertas
caractersticasquedebemostenerencuentaalgunasdeellasson:
1. Undiodonoconducirhastaqueelvoltajeensentidodirectoalcanzaciertopuntode
umbral.Elvoltajeparalosdiodosdesilicioesdeaproximadamente0.6volts.
2. Silacorrientedirectaesexcesiva,elchipsemiconductorsepuedequebraroderretir.
Ysepuedensepararloscontactos.Sielchipsederrite,eldiodopuedeconducir
repentinamenteenambasdirecciones.EIcalentamientoresultantepuedevaporizarel
chip.
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Yaqueestevoltajeesalto,elincrementorepentinodelacorrientepuededaaral
diodo.
Lasiguientegraficaresumelaoperacindeundiodorectificadorqueeselprincipiodelas
graficasparaloselementossemiconductoresqueconoceremos.
TIPOSDEDIODOS
Sepuedenconseguirmuchasclasesdiferentesdediodos.Algunostiposson:
LosdiodosdepequeasealsonutilizadosparatransformarcorrientebajadeC.AaC.C.
Detectarsealesderadio(modulacin),multiplicarvoltaje,realizarlgica,absorberpicosde
voltaje,etc.
Eldiodozeneresdiseadoparatenerunvoltajeespecificoderupturainverso(conduccin).
Estosignificaquelosdiodoszenerpuedenoperarcomointerruptoressensiblesalvoltaje.
Existen diodos zener disponibles que tienen voltajes de ruptura (vz) que van desde
aproximadamente2voltshasta200volts.
Todoslosdiodosrespondenenalgngradocuandosoniluminados.Losdiodosdiseados
especficamenteparadetectarluzsonllamadosfotodiodos.Estostienenunaventanade
vidrioodeplsticoenlacuallaluzpenetra.Frecuentementeestostienenunaampliaregin
deuninexpuesta.Elsilicioesunbuenmaterialparalosfotodiodos.
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Todoslosdiodosemitenalgunaradiacinelectromagnticacuandosepolarizan
directamente.Losdiodosfabricadosdeciertossemiconductores(comofosforodearsnicode
galio)emitenconsiderablementemasradiacinquelosdiodosdesilicio.Estossellaman
diodosemisoresdeluz(Leds)
DIODOSDEPOTENCIA
Cuandohablamosdediodosdepotenciavamosahablardediodosquesoportantensiones
muygrandeseninversa,cientosomilesdevoltios.Porellointroducimosla zona n
como ya hemos explicado en las generalidades de semiconductores de potencia con el
objetivodepodersoportarlastensionesdebloqueosinqueeldiodosedestruya.
Enlosdiodosdepotencia,vaasermuydifciltenerdiodoscuyaconmutacinsearpiday
cadadetensin endirectaseapequea.Porquelossemiconductoresdepotencianoson
ideales,ytendremoseldilemadequeaspectoqueremosquepredomineounaconmutacin
rpida o una cada de tensin en directa pequea ya que no podemos gozar de ambos
caractersticasalavez,debidoalfuncionamientodeestetipodesemiconductores.
Alahoradetrabajarcondiodosavecesconsideraremosqueeldiodoesun interruptor
perfecto,elcualendirectanotendrcadadetensinalguna,yeninversasecomportara
comouninterruptorabiertootambincomounaresistenciadegranvalorresistivo,esto
dependerdecualseaelobjetivodenuestroestudio.
Undiododepotencianodejadeserunsemiconductor,ycomotodoslossemiconductores
sersensiblealatemperatura,esdecir, amayortemperaturalascorrientesdefugadel
diodoaumentaran.
Losdiodosdepotencianoseparecenalosdiodosdeseal, Undiododepotenciapuede
soportartensionesinversaselevadas.Sisesuperaelvalordetensinderupturaespecificado
porelfabricante,eldiodopuedellegaradestruirseporexcesivacirculacindecorriente
inversayendefinitiva,porexcesivadisipacindepotencia.Losdiodosdepotenciapueden
llegarasoportartensionesderupturade kiloVolts (kV),ypuedenconducircorrientesde
kiloAmperes(kA).Fsicamentehablando,losdiodosdesealerandiodosconestructuraaxial
yconuntamaopequeo,sinembargolosdiodosdepotenciasonnormalmentedeestructura
metlicaquesuelenirenroscadosenunradiadoro disipador,yaqueporladisipacinde
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Diodosderecuperacinrpida:Sonadecuadosencircuitosde
frecuencia elevada en combinacin con interruptores
controlables, donde se necesitan tiempos de recuperacin
pequeos.Paraunosnivelesdepotenciadevarioscientosde
voltiosyvarios cientos deamperios,estos diodosposeenun
tiempoderecuperacininversas(trr)depocosnanosegundos.
Diodosrectificadoresodefrecuenciadelnea:Latensinenelestadodeconduccin(ON)
deestosdiodoseslamspequeaposible,ycomoconsecuenciatienenuntrrgrande,elcual
esnicamenteaceptableenaplicacionesdelafrecuenciadelnea.Estosdiodossoncapaces
debloquearvarioskilovoltiosyconducirvarioskiloamperios.Sepuedenconectarenserie
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y/oparaleloparasatisfacercualquierrangodetensinodecorriente.
AplicacindelDiodocomorectificador
Comocircuitorectificadorseconoceaquelquetienelafuncindeconvertirorectificarla
C.AenC.Cdependiendodelnumerodediodosqueutilicemosycomolosconectemos,se
pueden construir rectificadores de media onda y
ondacompleta.
Porlogeneral,loscircuitosderectificacinsuelen
ser una parte importante de las fuentes de
alimentacin.Estasfuentessuelendisponerdeun
transformadorconelobjetodereducirlatensinde
red elctrica a valores mas adecuados para los
equiposquesevanaalimentar.
la
Circuitorectificadordemediaonda
CuandoseintroduceunatensindeC.A.alaentradadelcircuito.Enlasalidaapareceruna
tensindeC.C.pulsante.Laresistencia R L representaalreceptoralqueselesuministra
C.C.
Enelmomentoenquelosvaloresdelatensininstantneasonpositivosysuperioresala
tensinumbraldeldiodo(0,7vparaelsilicioy0,3V),estesepolarizadirectamentey,porlo
tanto,apareceunacorrienteelctricapor R L .EnelmomentoenquelatensindeC.A.
cambiadepositivaanegativa(siguientesemiciclo),eldiodoquedapolarizadoinversamente
y,noteniendoencuentalacorrientedefuga,lacorrientepor R L seinterrumpe.Poresta
razn,estesemiciclonoapareceenlacurvadelatensincontinuadelasalida.
Enelcasodequeseinvirtieselapolaridaddeldiodo,elresultadoobtenidoseriaelsiguiente:
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Rectificadordeondacompletamediantetransformadorcontomaintermedia
Pararealizarestecircuito,esnecesariodisponerdeuntransformadorespecialqueposeauna
tomaintermediaensubobinadosecundarioyunpardediodossemiconductores.
Alrealizarlaconexinenelpuntointermediodelbobinadodelsecundario,seconsigue
dividiralamitadlatensinqueapareceencadaunadelasdospartesdedichobobinado.
Elpuenterectificador
Elpuenterectificadorconstadecuatrodiodos,queenmuchoscasosseencierranenun
componentecompacto.
Elfuncionamientodelpuenterectificadorconsisteenlossiguiente.En
el
semiciclopositivolosdiodos D 2 y D 3 sepolarizandirectamente,
lo que
provocalacirculacindeunacorrienteporlacarga R L .Porotrolado,losdiodos D 1 y
D4 quedanpolarizadosinversamenteynoconducen.
Enconclusinlatensinqueapareceenlacargaposeesiemprelamismapolaridad,igualque
ocurraenelotrorectificadordeondacompleta.Deacuerdoalesquemticoantesexpuestosu
sealdesalidaseriadelasiguientemanera
PREGUNTASDEREPASO.(5decimas,paralaprximaprueba.Aquelqueentregue
lasrespuestasenelhorariodesignadoporelprofesor)
1.
2.
3.
4.
5.
Definaqueesunelementosemiconductor.
Mencionequetiposdesemiconductoresexisten
Expliqueelfuncionamientodealmenos2semiconductoresqueUd.conozca
Cualesladiferenciaentreunmaterialintrnsecoyextrnseco?
SegnelfuncionamientoprincipaldelDiododeseal,enquecircuitoque
conozcamoshemosvistoaplicadaestafuncin?,expliqueporque.
6. Deacuerdoalascaractersticasgraficasdeldiodo,queprecaucionesprevias
debemostenerdeestosdispositivosantesdeaplicarloanuestrosproyectos?
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