RESUMO

Os FETs (Transistores de Efeito de Campo) so divididos em dois grupos, JFET

(Transistor de Efeito de Campo de Juno) e MOSFET(Transistor de Efeito de Campo
Metal-xido-semicondutor). Os MOSFETs so dispositivos controlados por tenso, que
podem ser derivados em dois tipos, sendo eles depleo e intensificao, entretanto
apenas o tipo depleo obedece a Equao de Shockley, logo o tipo intensificao
obedece uma relao diferente. As polarizaes so similares as dos JFETs com
algumas polarizaes exclusivas dos MOSFETs, ao qual admitem valores de VGS
positivos e negativos e a corrente de dreno pode ser maior que IDSS. Contudo, algumas
de suas caractersticas como alta impedncia de entrada e a estabilidade em termos de
temperatura, os torna ideiais para inmeras aplicaes que envolva amplificao de
pequenos sinais de udio at frequncias relativamente elevadas. Este relatrio abordar
o funcionamento de um MOSFET tipo depleo para uma determinada polarizao,
tendo foco em seus principais parmetros correlacionados a curva de transcondutncia.
Palavras chaves: FET, MOSFET, Curva de Transcondutncia, Parmetros MOSFET

INTRODUO

Em 1959, Atalla e Kahng, da Bells Labs, conseguiram realizar a fabricao e a

operao de um transistor MOS. Nessa poca os transistores de tecnologia MOS eram
tidos como curiosidades, devido ao desempenho bastante inferior aos transistores de
juno bipolar (TBJ).
Os transistores com tecnologia MOS, devido a sua estrutura simples, passou a
ser visto como um dispositivo vivel para circuitos integrados. Porm essa tecnologia
teve seu durao at os anos 70, ao qual foi substituida por uma tecnologia que vinha
crescendo no mercado, a tecnologia CMOS. Com isso o uso da CMOS comeou foi
intensificado sendo utilizada em grande porcentagem da fabricao de circuitos.
A sigla MOSFET significa, transistor de efeito de campo metal-xidosemicondutor. So divididos em dois tipos, intensificao e depleo, porm as suas
caracteristicas de operao so bem distintas, devido sua diferena bsica, para o tipo
intensificao o canal formado devido a aplicao de uma tenso porta-fonte e para o
tipo depleo o canal j formado de fbrica. O motivo do nome MOS (Metal-xidoSemicondutor), metal devido s conexes de dreno, fonte e porta; xido refere-se
camada isolante do dixido de silicio entre porta e o canal n; logo semicondutor referese estrutura bsica na qual as regies do tipo p e n so difundidas. Devido camada
isolante entre a porta e o canal, houve outras denominaes para o dispositivo como
FET de porta isolada e IGFET, mas so menos utilizados atualmente.
Os MOSFETs so transistores que tem o funcionamento similar ao
funcionamento dos JFET, a principal diferena que o terminal da porta totalmente
isolado do canal por uma minuscula camada de dixido de silicio, e quando uma
diferena de potencial aplicada entre porta e fonte, esta controla a quantidade de
corrente entre dreno e fonte.
Polarizar um MOSFET, significa estabelecer valores de tenso e correntes
contnuas para que ao ser aplicado em sinal alternado, as variaes ocorram ao redor
dos valores CC e uma regio de comportamento linear para no haver distoro.

Contudo as suas polarizaes so similares as dos JFETS que tambm pertecem a

familia FET.
Devido a caracteristicas dos MOSFETS como alta impedncia de entrada, os
torna ideiais para inmeras aplicaes que envolvam a amplificao de pequenos sinais
de adio at frequncias relativamentes elevadas. Algumas dessas aplicaes so
amplificador de banda larga, seguidor de fonte, provador de bobinas e capacitores
eletroscpio, entre muitas outras aplicaes.

CONCLUSO

Ao final do experimento obteve-se uma maior compreenso sobre os principais

parmetros do MOSFET tipo intensificao, ao qual houve nfase sobre os parmetros
especficos do componente. Logo, tornou-se possvel verificar com o multmetro os
valores da tenso porta-fonte e da corrente de dreno e fazer algumas avaliaes crticas
sobre o resultado. Alm disso tambm foi possvel comprovar a existncia de uma
tenso limiar para conduo do componente ao qual pode ser observada atravs de dois
multmetros que possibilitaram a visualizao da corrente em funo da diferena de
potencial aplicada em porta-fonte, devido a esses resultados criou-se uma possibilidade
de estabelecimento de uma curva de transcondutncia para os valores coletados. Aps
pesquisas feitas com os parmetros do componente na sua folha de dados comprovou-se
o comportamento do mesmo devido as condies aplicadas.