RESISTENCIA DINMICA Y ESTTICA DEL DIODO

La ecuacin del diodo es:

APROXIMACIN LINEAL DE LA CURVA CARACTERSTICAS DE UN

DIODO SEMICONDUCTOR

OTROS CIRCUITOS EQUIVALENTES MAS APROXIMADOS DEL DIODO

REAL

CAPACIDADES INTERNAS EN EL DIODO SEMICONDUCTOR

DEFINICIN: Es aquella cuyo origen es el cambio que se produce en la
carga espacial en la zona de deflexin debido a cambios en el voltaje
aplicado al
diodo

Para el calculo de

tendriamos primeramente como condiciones

iniciales lo siguiente:
Tomamos
como referencia
el punto:
X=0

Luego

y de la ecuacin de Poisson tenemos que:

e= Permitividad elctrica del medio
De donde
Donde A1 y A2 son constantes
Y

Aplicando las condiciones inciales sucesivamente, se tiene que la diferencia

de potencial en la regin de transmisin ser:

La expresin (2.41) derivamos respecto a Q o sea:

Sabemos que:

La expresin (2.43) la derivamos con respecto a Q o sea

De donde:

Sustituyendo en la expresin (2.42) tenemos :

De la expresin (2.45) tenemos:

Sabemos que:

Sustituyendo (2.46) en la expresin (2.47) obtenemos finalmente que

L a expresin (2.48) viene a ser la capacidad de transicin para una unin P

N
Para los casos en que:

Estas expresiones (2.49) y (2.50) las hemos obtenido analizando la ecuacin

de

general, o sea:

Donde v ext = tensin externa aplicada al diodo

V ext > o, diodo polarizado directamente
V ext < o, diodo polarizado inversamente
La

se hace mas importante en los diodos que se polarizan inversamente .

DIODO VARACTOR.- Son los diodos de capacidad variable. Su capacidad

varia con el voltaje aplicado (es en realidad la capacidad de transicin)

Son utilizados en circuito donde no se desea el paso de seales con

frecuencias rpidas. Por su bajo valor de capacidad que se puede conseguir
polarizndolo convenientemente, se usan mayormente con polarizacin
inversa
SIMBOLO

MODULO

REFERENCIAS
= 4 Volt (polarizacin inversa)
=20 p.f.d.
= 2M (Resistencia inversa del diodo)
= 10 (Resistencia directa del diodo)

CURVAS DE VARIACION DE LA CAPACIDAD CON EL VOLTAJE

LA CAPACIDAD DIFUSION : (

Es la capacidad producida por las cargas excedentarias que se acumulan a los

costados de la zona de transicin. Estas cargas son definidas por una tensin
externa aplicada al diodo.
Es importante cuando se polariza directamente el diodo, matemticamente se
expresara de la siguiente forma

CDP
CDN
DONDE:
se observarn en la figura 2.23

Fig 2.23

Ppo

po

CLCULO DELA CAPACIDAD DE DIFUSION DE UN DIODO POLARIZADO

CON UNA TENSION EXTERNA (

De la Fig 2.23 tenemos:

2.52
2.53
Donde .
y

Integrando las expresiones (2.52) y (2.53) obtenemos:

y

2.54

2.55

Las expresiones (2.54) y (2.55) las derivamos con respecto a

obteniendo

Adems

Asi:

Observar que en las ecuaciones anteriores se est definiendo tcitamente lo

que significa

Las expresiones (2.60) y (2.6) las restituimos en las expresiones (2.56) y (2.57)
y obtenemos

Donde:

A dems hemos usado las definiciones de longitudes de difusin tanto de

electrones como de huecos.

ELDIODO COMO CONMUTADOR

TIEMPOS DE CONMUTACIN
1.- Caso de Conmutacin de OFF ON (No conduccin a conduccin)
Es el intervalo de tiempo donde que la tensin vale el 10% y cuando la tensin
alcanza a encontrarse en el rango del 10% de su valor final (OFF ON)
FIG 2.24

Estudiamos esta situacin teniendo el siguiente caso:

36

En la Fig 2.24 se aplica a un diodo, un escaln de corriente. En el caso ideal, si

el escaln es lo suficientemente grande (IF) y rpido, la tensin en el diodo es
como la muestra en la FIG 2.25 b
La Fig 2.25c resulta si se aplica un escaln de corriente pequea.
LA RAZON: El sobrepulso que resulta en la Fig 2.25.b se debe al hecho de
que inicialmente el diodo no acta como

un elemento de difusin (p-n) de

portadores minoritarios sino como un elemento de difusin (p-n) de portadores

minoritarios sino como una resistencia de portadores mayoritarios.
El sobrepulso se debe a que la cada hmica es muy grande y a que
inmediatamente despus del escaln no existen portadores minoritarios a los
lados de la unin (en consecuencia no hay corriente de difusin) pero si existe
corriente de arrastre producida por un campo elctrico grande (cada hmica
grande), despus la cada hmica decrece a medida que se establece la
corriente de difusin.

DEPENDENCIAS :
La amplitud del sobre impulso y el tiempo de recuperacin en directa (
depende de

y de

en la Fig 2.26

se aprecia que representan estas 2

ltimas variables

37

Donde
T1 = tiempo de elevacin
Tr = f (IF , t) , Tr = tiempo de recuperacin en directo
Si
Si
ALGUNOS RESULTADOS DEL TRANSITORIO DE CONMUTACION DE
OFF A ON
Para el diodo del germanio del tipo 1 N 6 9 5 A para distintas corrientes
directas al tiempo de elevacin en la entrada es de 0.03 seg.
El

, en la mayora de los circuitos no representa totalmente un problema de

consideracin

RAZON DELSOBREPULSO: (OFF ON) (RESOLUCION EN FORMA

CUANTITATIVA)
Justo en el momento de la conmutacin se presenta la siguiente distribucin de
concentraciones
FIG2.28

Tenemos que
difusin + I arrastre
En el instante de conmutacin:
La I difusin = 0
De la ecuacin (2.66) nos queda ahora que:

Donde:

Por otro lado, como Npo <<

y Pno << ND la expresin (2.30) puede

aproximarse a lo siguiente:

La tensin en el diodo en (t =t1) ser

Donde :
Apreciamos que
exista mayor

es proporcional a

existir mayor

y mayor

esto quiere decir que cuando

(en consecuencia mayor

Despus de un tiempo grande (t=) ya existir la corriente de difusin y cuando

esto sucede se ha demostrado que la corriente por el diodo viene dada por la
siguiente expresin

De donde:
T

Ahora si v1 > v se presenta el sobreimpulso y si v1 > v no se presenta el

sobreimpulso.
EXPLICACION CUALITATIVA DEL SEGUNDO CASO DE CONMUTACION
(ON OFF)
Tiempo de recuperacin en inversin del diodo (Trr): En el tiempo que tarde en
pasar el diodo del estado de conduccin al estado de no conduccin (ON- OFF)

FIG 2.29

Cuando la unin esta polarizada inversamente.- la corriente que circula Io es

pequea (por que la generacin de minoritarios trmicamente generados es
pequea) circula una corriente de arrastre fundamentalmente ya que la de
difusin es despreciable. En la Fig 2.29 se observa la distribucin de
portadores para el diodo polarizado directamente (ON) y en la Fig 2.30 se
observa como es la distribucin cuando est polarizado inversamente (OFF)
Hasta el instante en que la densidad de portadores minoritarios en exceso o
inyectados

se haga nula, el diodo continuar

conduciendo fcilmente y la corriente estar limitada por la resistencia externa

del circuito del diodo. Adems mientras.

La polarizacin del diodo-tensin en el diodo es siempre directa.

La Fig 2.31 equivalente al modelo del diodo (unin ms resistencia hmica de
los materiales semiconductores a los costados de la juntura (ra).
Durante el tiempo de almacenamiento.- (Ver Fig 2.32 y 2.33) En la Fig 2.32
se muestra el circuito que nos puede hacer observar transicin de la
conduccin a la no conduccin del diodo.

Fig 2.32

Fig 2.31

En la figura 2.33 se observa todo el proceso que se sigue entre el paso del
estado de conduccin al estado de no conduccin. En la figura (a) se tiene la
tensin de entrada Vi, en donde observamos que en t = t 1 se produce un
cambio brusco de polarizacin directa a una polarizacin inversa. Pero el diodo
tarda, como se observa, un tiempo t

rr

(tiempo de recuperacin en inverso) para

adaptarse a la nueva situacin fig. (d) el tiempo t rr est formado por la suma de
dos tiempos ts = tiempo de almacenamiento y tt = tiempo de transicin.
Observamos de la fig. (b) que el ts es el tiempo que tarda en desaparecer las
concentraciones de portadores excedentarios y t t es el tiempo que tarda en
formarse la deflexin de concentraciones de portadores (es decir Pn Pno se
convierte en negativo), finalmente cabe observar que durante t1 < t < t1 + ts
existe una corriente inversa grande por el diodo a pesar que la tensin en la
juntura es positiva.
Se puede dar como valores prcticos para esto:
IF = 30 mA,
IR = 30 mA
trr = ts + Tt = 50 nseg.
a)

-VA

b)

c)
IF = VF / RL

-IR = VR / RL
d)

0
-VR

Tiempo de
polarizacin
directa.

Io