Electrónica de Potencia PDF

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Presentacin
ELECTRNICA DE POTENCIA
2015
Manuel Augusto Pesantez

Magister en Teledeteccin
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Contenidos
2015
En trminos generales, la tarea de la electrnica de potencia es procesar y controlar

el flujo de energa elctrica mediante el suministro de voltajes y corrientes en una
forma ptima para las cargas de los usuarios
Figura a

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Contenido
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Captulo 1 : Sistemas de electrnica de potencia

1-1 Introduccin
1-2 Electrnica de potencia en comparacin con la electrnica lineal
1-3 Alcance y aplicaciones
1-4 Clasificacin de procesadores y convertidores de potencia
1-5 La naturaleza interdisciplinaria de la electrnica de potencia
1-6 Smbolos usados
Captulo 2 : Sistemas de electrnica de potencia
2-1 Introduccin
2-2 Diodos
2-3 Tiristores
2-4 Caractersticas deseadas en interruptores controlables
2-5 Transistores de unin bipolar y Darlingtons monolticos
2-6 Transistores de efecto de campo de metal-xido-semiconductor
2-7 Desactivacin por puerta de tiristores
2-8 Transistores bipolares de puerta aislada (IGBT)
2-9 Tiristores controlados MOS
2-10 Comparacin de interruptores controlables
2-11 Circuitos de control y amortiguadores (SNUBBERS)
Manuel
Pesantez de las caractersticas de dispositivos idealizadas
2-12 Augusto
Justificacin
C
Contenido
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Capitulo 3: Revisin de conceptos bsicos de circuitos elctricos y magnticos

3-1 Introduccin
3-2 Circuitos elctricos
3-3 Circuitos magnticos
Capitulo 4: Simulacin por computadora de convertidores y sistemas de
electrnica de potencia
4-1 Introduccin
4-2 Los retos en la simulacin por computadora
4-3 Proceso de simulacin
4-4 Las mecnicas de simulacin
4-5 Tcnicas de solucin para el anlisis de dominio temporal
4-6 Simuladores orientados en circuitos de uso generalizado
4-7 Programas de solucin de ecuaciones

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Contenido
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Captulo 5: Rectificadores de diodos de lnea de frecuencia: frecuencia de lnea de CA CC

no controlada
5-1 Introduccin
5-2 Conceptos bsicos de rectificadores 72
5-3 Rectificadores monofsicos de puente de diodos 74
5-4 Rectificadores duplicadores de voltaje (monofsicos) 89
5-5 Efecto de rectificadores monofsicos sobre corrientes neutras en sistemas trifsicos de
cuatro hilos 90
5-6 Rectificadores trifsicos de puente completo 91
5-7 Comparacin de rectificadores monofsicos y trifsicos 99
5-8 Corriente de irrupcin y sobretensiones en el arranque 100
5-9 Alertas y soluciones para armnicos de corriente de lnea y un bajo factor de potencia

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Contenido
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Captulo 6: Rectificadores e inversores de inversores de frecuencia controlados por fases:

frecuencia de lnea CA CC controlada
6-1 Introduccin
6-2 Circuitos de tiristores y su control
6-3 Convertidores monofsicos
6-4 Convertidores trifsicos
6-5 Otros convertidores trifsicos
Captulo 7: Rectificadores e inversores de inversores de frecuencia controlados por fases:
frecuencia de lnea CA CC controlada
7.1 Introduccin
7-2 Control de convertidores de CC-CC
7-3 Convertidor reductor (buck)
7-4 Convertidor elevador (boost)
7-5 Convertidor reductor/elevador (buck-boost)
7-6 Convertidor Ck de CC-CC
7-7 Convertidor de CC-CC de puente completo
7-8 Comparacin de convertidores de CC-CC
C

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Contenido
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Captulo 8: Inversores de CC-CA de modo conmutado CC- CA sinusoidal

8-1 Introduccin
8-2 Conceptos bsicos de los inversores de modo conmutado
8-3 Inversores monofsicos
8-4 Inversores trifsicos
8-5 Efecto del tiempo de supresin sobre el voltaje en inversores de PWM
8-6 Otros mtodos de conmutacin de inversores
8-7 Modo de operacin de rectificadores
Captulo 9: Convertidores resonantes: conmutaciones de tensin cero y /o corriente cero
9-1 Introduccin
9-2 Clasificacin de convertidores resonantes
9-3 Conceptos bsicos de circuitos resonantes
9-4 Convertidores de carga resonante
9-5 Convertidores de interruptores resonantes
9-6 Conmutacin por voltaje cero, topologas de voltaje fijo
9-7 Inversores de enlace de CC resonante con conmutaciones por voltaje cero
9-8 Convertidores de semiciclo integral de enlace de alta frecuencia
C

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Que es la electrnica de Potencia
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Introduccin
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La entrada de potencia a este procesador de potencia viene normalmente (pero no siempre)

de la compaa generadora de electricidad, con una frecuencia de lnea de 60 o 50 Hz,
monofsica o trifsica. El ngulo de fase entre el voltaje y la corriente de entrada depende de
la topologa y el control del procesador de potencia
La salida procesada (voltaje, corriente, frecuencia, as como el nmero de fases) es como lo
requiere la carga. Si la salida del procesador de potencia se considera una fuente de voltaje, la
corriente de salida y la relacin del ngulo de fase entre el voltaje y la corriente de salida
dependen de las caractersticas de la carga.
Por lo regular, un controlador de realimentacin compara la salida de la unidad del

procesador de potencia con un valor deseado (o de referencia), y el error entre los dos es
minimizado por el controlador. El flujo de potencia a travs de estos sistemas podr ser
reversible, intercambiando de este modo los papeles de entrada y
salida.

Introduccin
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Figura b
ELECTRNICA DE POTENCIA EN COMPARACIN

CON LA ELECTRNICA LINEAL
En todos los procesos de conversin de potencia como el que se

muestra en el diagrama de bloques de la figura a, es importante
que se presente una pequea prdida de potencia y, por ende,
una alta eficiencia de energa, por dos razones: el costo de la
energa desperdiciada y la dificultad para eliminar el calor
generado debido a la energa disipada. Otras consideraciones
importantes son la reduccin de tamao, peso y costo.

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Introduccin
Figura c-a
Figura c-b
En la electrnica de potencia se logra la regulacin de potencia y el aislamiento elctrico por ejemplo mediante un circuito como el que
se muestra en la figura c-a. En este sistema, la entrada de la compaa generadora de energa elctrica es rectificada a un voltaje de
CC vd, sin transformador de frecuencia de lnea. El transistor opera como conmutador (en un modo de conmutacin, ya sea
completamente encendido o completamente apagado) con alta frecuencia de conmutacin fs, por ejemplo a 300 kHz, por lo que el
voltaje de CC vd se convierte en un voltaje de CA a la frecuencia de conmutacin. Esto permite que un transformador de alta frecuencia
se use para reducir la tensin y proporcionar el aislamiento elctrico. A fin de simplificar este circuito para el anlisis, se comenzar con
el voltaje de CC vd como entrada de CC y se omitir el transformador, lo que resulta en un circuito equivalente, como se muestra en la
figura c-b.
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Evolucin de los semiconductores en la electrnica de potencia
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Sistemas de Potencia
2015

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Sistemas de Potencia
2015

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Aplicaciones de los sistemas de Potencia
2015

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Aplicaciones de los sistemas de Potencia
2015

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Similitud con otros sistemas
2015

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2015

Introduccin
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Componentes lineales
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Fuentes de voltaje
Transformador ideal
u(t)
V = A sen (wt)
U = Vcc = Ud

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Introduccin
Interruptores semiconductores
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Introduccin
Interruptores semiconductores capaces de ser activados y desactivados

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Introduccin
Smbolos de thyristores

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Introduccin
Tipos de thyristores
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Introduccin
2015
En este capitulo se presenta un breve resumen de las

caractersticas de terminales y las capacidades de tensin,
corriente y velocidad de conmutacin de dispositivos de
potencia actualmente disponibles.

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Clasificacin de los semiconductores de potencia
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1. Diodos. Estados de conexin y desconexin controlados por el circuito de potencia.

2. Tiristores. Son activados mediante una seal de control, pero pueden ser desactivados
por medio del circuito de potencia (control por fase) o por un circuito de control externo.
3. Interruptores controlables. Se conectan y desconectan mediante seales de control.
Transistores de unin bipolar (bipolar junction transistors, BJT),

Interruptores
controlables
Transistores de efecto de campo oxido metlico semiconductor (metal-oxidesemiconductor field effect transistors, MOSFET),
Tiristores desactivables por puerta (GTO) y
Transistores bipolares de puerta aislada (insulated gate bipolar transistors, IGBT)

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Clasificacin de los semiconductores de potencia
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Diodos
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Material tipo n

Material tipo p
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Movimiento de portadores mayoritarios y minoritarios
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Flujo de electrones contra flujo de huecos

Portadores mayoritarios y minoritarios
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Diodo semiconductor sin polarizacin
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Sin polarizacin aplicada (V = 0 V)

C

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Diodo semiconductor con polarizacin
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Condicin de polarizacin en inversa (VD<0 V)

Condicin de polarizacin en directa (VD>0 V)
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Curva caracterstica del diodo
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Ecuacin de Shockley
Is es la corriente de saturacin en inversa

VD es el voltaje de polarizacin en directa aplicado a
travs del diodo
n es un factor de idealidad, el cual es una funcin de las
condiciones de operacin y construccin fsica; vara
entre 1 y 2 segn una amplia diversidad de factores. (se
supondr n=1 en todo este texto a menos que se indique
de otra manera).
Voltaje trmico

k es la constante de Boltzmann 1.38 1023 J/K

T es la temperatura absoluta en Kelvin 273 + la
temperatura en C.
q es la magnitud de la carga del electrn 1.6
1019 C.
1
Diodo ideal
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smbolo
caracterstica
Diodo ideal
Cuando el diodo esta polarizado en directa, empieza a conducir con solo un pequeo voltaje en directo a
travs de l, que esta en el orden de 1 V.
Cuando el diodo esta en polarizacin inversa, solo una corriente de fuga muy insignificante fluye a travs del
dispositivo hasta que se alcanza la tensin de ruptura inversa.
En la operacin normal, el voltaje de polarizacin inversa no debe alcanzar el punto de ruptura

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Apagado del diodo de potencia
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1. Al encenderlo, el diodo puede considerarse un interruptor ideal porque se enciende rpido en

comparacin con los transitorios en el circuito de energa.
2. Al apagarlo, la corriente del diodo se invierte para un tiempo de recuperacin inversa trr, como se
indica en la figura 2-2, antes de caer a cero.
3. Esta corriente de recuperacin inversa (negativa) es necesaria para barrer los portadores de exceso
en el diodo y permitirle bloquear un voltaje de polaridad negativa. La corriente de recuperacin
inversa puede dar lugar a excesos de voltaje en circuitos inductivos.
4. En la mayora de los circuitos, esta corriente inversa no afecta la caracterstica de entrada/salida del
convertidor, as que el diodo tambin puede considerarse ideal durante el fenmeno transitorio de
desconexin
C

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Apagado del diodo de potencia
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Demostracin
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Carga de recuperacin inversa

Corriente de recuperacin
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Ejemplo

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Anlisis fsico del apagado del diodo
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La corriente de un diodo de unin polarizacin directa se debe al efecto neto de los portadores mayoritarios y
minoritarios.
Cuando un diodo est en modo de conduccin directa y su corriente se reduce a cero (debido al comportamiento
natural del circuito del diodo o a la aplicacin de un voltaje inverso), el diodo continua conduciendo, debido a los
portadores minoritarios que permanecen almacenados en la unin pn y en el material del cuerpo del
semiconductor.
Los portadores minoritarios requieren de un cierto tiempo para recombinarse con cargas opuestas y
neutralizarse. Este tiempo se conoce como tiempo de recuperacin inversa del diodo trr.
En la figura anterior se muestran dos caractersticas de recuperacin inversa de diodos de unin. El ms comn
es el tipo de recuperacin suave. El tiempo de recuperacin inversa se mide a partir del cruce del cero inicial de
la corriente del diodo con el 25 % de corriente inversa mxima ( o de pico), Irr
trr est formado por dos componentes, ta y tb. Ta est generado por el almacenamiento de carga en la regin
de agotamiento de la unin y representa el tiempo entre el cruce por cero y la corriente inversa pico, Irr., tb es
debido al almacenamiento de carga en el material del cuerpo del semiconductor. La relacin tb/ta se conoce
como el factor de suavidad, SF.
Para efectos prcticos debemos preocuparnos de Irr y trr

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Tipos de diodos de potencia
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1. Diodos Schottky. Estos diodos se usan donde se requiere una cada baja de tensin directa
(normalmente 0.3 V) en circuitos de tensin de salida muy baja. Estos diodos estn limitados en su
capacidad de tensin de bloqueo a 50 100 V.
2. Diodos de recuperacin rpida. Estos diodos estn diseados para el uso en circuitos de alta
frecuencia, en combinacin con interruptores controlables donde se necesita un tiempo corto de
recuperacin inversa. En niveles de energa de varios cientos de voltios y varios cientos de amperios,
estos diodos tienen un grado de trr de menos que unos cuantos milisegundos.
3. Diodos de frecuencia de lnea. El voltaje de estado de encendido de estos diodos esta diseado
para ser lo mas bajo posible, y en consecuencia tienen tiempos trr mas grandes, aceptables para
aplicaciones de frecuencia de lnea. Estos diodos estn disponibles con magnitudes de voltaje de
bloqueo de varios kilovoltios y magnitudes de corriente de varios kiloamperios. Adems, se pueden
conectar en serie y paralelo para satisfacer cualquier requisito de corriente.

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Tiristores
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El tiristor puede dispararse para entrar en el estado activo por

medio de la aplicacin de un pulso de corriente de puerta positiva
durante un periodo breve, en tanto que el dispositivo este en
estado de bloqueo directo
La cada de tensin directa en el estado activo solo es de unos
cuantos voltios (por lo general 1-3 V, segn la magnitud de
bloqueo de voltaje del dispositivo)
Una vez que el dispositivo empieza a conducir, se enclava
(conduce) y la corriente de puerta puede eliminarse
El tiristor no puede apagarse por la puerta, y el tiristor conduce
como un diodo. Solo cuando la corriente del nodo intenta
volverse negativa (por influencia del circuito en el que el tiristor
esta conectado) se apaga el tiristor y la corriente va a cero. Esto
permite que la puerta recupere el control, a fin de encender el
dispositivo en algn momento controlable despus de que
nuevamente haya entrado en el estado de bloqueo directo.

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El tiristor puede dispararse para entrar en el estado activo por medio de la aplicacin de un pulso
de corriente de puerta positiva durante un periodo breve, en tanto que el dispositivo este en
estado de bloqueo directo
La cada de tensin directa en el estado activo solo es de unos cuantos voltios (por lo general 13 V, segn la magnitud de bloqueo de voltaje del dispositivo)
Una vez que el dispositivo empieza a conducir, se enclava (conduce) y la corriente de puerta
puede eliminarse
El tiristor no puede apagarse por la puerta, y el tiristor conduce como un diodo. Solo cuando la
corriente del nodo intenta volverse negativa (por influencia del circuito en el que el tiristor esta
conectado) se apaga el tiristor y la corriente va a cero. Esto permite que la puerta recupere el
control, a fin de encender el dispositivo en algn momento controlable despus de que
nuevamente haya entrado en el estado de bloqueo directo.

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Ejemplo
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El control se ejerce sobre el instante de la conduccin de corriente durante el semiciclo positivo de la

tensin del generador. Cuando la corriente del tiristor trata de invertirse, cuando la tensin del generador
se vuelve negativa, el tiristor idealizado tendra su corriente en cero inmediatamente despus de t =1/2T,
tal como se muestra en la forma de onda en la figura

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Interruptores de Potencia Controlables
2015
BJT, MOSFET GTO, IGBT, pueden encenderse mediante

seales de control aplicadas a la terminal de control del
dispositivo ( interruptores controlables)
Caractersticas de los interruptores controlables

Bloquea de forma arbitraria grandes tensiones directas e inversas
Conduce en forma arbitraria grandes Is con cada cero de tensin cuando est
encendido
Conmuta de encendido a apagado o viceversa en forma instantnea cuando se
dispara
Necesitan una cantidad de energa insignificante de la fuente de control para
disipar el interruptor
Para qu se utiliza un interruptor controlable: Se utiliza para

minimizar la disipacin de energa en un dispositivo de
semiconductores

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Encendido del interruptor
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El circuito del
interruptor controlable se comporta como una fuente
independiente de corriente Io
Si la corriente esta apagada Vd=0 la Io fluye sobre el diodo ideal y aparece un
VT = Vd
Fs = 1 /Ts frecuencia de repeticin

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Interruptores de Potencia Controlables
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Energa
disipada
durante
la
transicin de
encendido
Energa
disipada
durante
el
tiempo
de
encendido
Energa
disipada
durante
la
transicin de
apagado
Ps = promedio de prdida de energa por

conmutacin

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Caractersticas deseables de los Interruptores Controlables
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La otra contribucin importante para la perdida de energa en el interruptor es el

promedio de energa disipada durante el estado activo , que varia en
proporcin al voltaje del estado activo.
1. Una pequea corriente de fuga en el estado inactivo.
2. Un pequeo voltaje de estado activo para minimizar perdidas de energa en estado activo.
3. Tiempos cortos de voltaje de conexin y desconexin. Esto permitir el uso del dispositivo con altas
frecuencias de conmutacin.
4. Gran capacidad de bloqueo de tensin directa e inversa. Esto minimizara la necesidad para la conexin en
serie de varios dispositivos, lo cual complica el control y la proteccin de los interruptores. Adems, la mayora de
los tipos de dispositivos tiene un mnimo de voltaje de estado activo, sin tener en cuenta su voltaje de bloqueo
nominal. La conexin en serie de varios de estos dispositivos ocasionara una tensin mas alta en estado activo
y, por tanto, mas perdidas de conduccin. En la mayora de los circuitos de convertidores (no en todos) se coloca
un diodo a travs del interruptor controlable, para permitir que la corriente fluya en direccin inversa. En estos
circuitos no se requiere que los interruptores controlables tengan una capacidad significativa de bloqueo de
tensin inversa.
5. Corriente nominal alta del estado activo. En aplicaciones de corriente alta esto minimizara la necesidad de
conectar varios dispositivos en paralelo, lo que evitara el problema de comparticin de corriente.

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Interruptor controlable mediante BJT
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1. La corriente debe ser demasiado grande para trabajar como interruptor, es la ganancia de corriente CC del
dispositivo
2. El Voltaje de estado activo (sat) 1- 2 V ; prdida de conduccin baja
3. Los BJT son dispositivos controlados por corriente por lo tanto siempre debe haber una (continua) para
mantenerlo activo
4. El ( ganancia de corriente es de 5 a 10 en el BJT de alta potencia

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Configuracin Darlington
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5. Para una ganancia mayor se utiliza la configuracin Darlington o triple Darlington

6. Las Desventajas: Vce ( sat) son ms altos y sus velocidades de conmutacin ms lentas
6. Los tiempos de conmutacin estn en el rango de unos pocos cientos de ns

7. Los BJT estn disponibles hasta tensiones de 1400 V y I (corrientes) de varios amperios
8. Pueden conectarse en paralelo

Transistores de efecto de campo de metal xido-semiconductor
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MOSFET
1. Es un dispositivo controlado por tensin
por tener una alta impedancia
2. El dispositivo est completamente

encendido y parece a un interruptor
cerrado cuando la tensin de la fuente
de puerta est por debajo del valor del
umbral Vgs (th)
3. Los MOSFET requieren de una tensin
continua puerta-fuente para estar activo

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Caractersticas del MOSFET
2015
4. No hay flujo de corriente de puerta, excepto en las transiciones de conmutacin

5. Los tiempos de conmutacin son cortos (decenas de ns< tc> cientos de ns)
6. La resistencia de activo enc del MOSFET ( drenaje fuente) aumenta rpidamente conforme al voltaje nominal
de bloqueo del dispositivo. ( En un rea por unidad la resistencia del estado activo como funcin del voltaje nominal
de bloqueo B
7. Las velocidades de conmutacin, prdidas de conmutacin bajas

8. Los MOSFET vienen de 300 400 V compiten con los transistores bipolares si la frecuencia de conmutacin fc
sobrepasa los 30 a 100 Khz
9. Los MOSFET estn disponibles hasta 1000V pero con corrientes nominales pequeas y hasta 100 A con voltajes
nominales pequeas
10. El voltaje puerta-fuente es de 20 V ( tambin hay de 5V)
11. Se pueden conectar en II porque la r de estado activo es de un CTP ( Coeficiente de temperatura positivo).

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EL GTO Desactivacin por puerta de tiristores
2015
1. Se enciende por un medio de un impulso

de corriente ( similar al SCR) de puerta
de corta duracin llegando al estado
activo mantenindose en ese estado.
2. El GTO se apaga mediante la aplicacin
de una tensin de puerta a ctodo
negativa slo necesita fluir unos cuantos
us (durante el tiempo de apagado), pero
debe tener una (grande) = 1/3 ,
(corriente de nodo) que se este
desconectando
3.
4.
5.
Los GTO bloquean Voltajes negativos cuya magnitud depende de

los detalles del circuito amortiguador para reducir el dv/dt en la
desconexin (circuito de control de puerta, diseo del GTO)
Es un interruptor controlable, su transitorio de conmutacin de
desconexin es distinto a los MOSFET y BJT
Los GTO no se pueden utilizar para un apagado inductivo a
menos que se conecte un circuito amortiguador (snubber) a travs
del GTO

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EL Snubber
2015
6. Los GTO no un dv/dt grande que

acompae al apagado inductivo por lo
tanto se utiliza un circuito para reducir el
dv/dt en la desconexin
7. El voltaje de estado activo (2 a 3 V) de
un GTO es un poco mayor a los voltajes
de los tiristores
8. Sus velocidades de conmutacin estan
por los 25 us
9. Maneja voltajes grandes hasta de 4,5 KV
y corrientes grandes (KA)
10. El GTO se usa cuando se necesita un
interruptor para altos voltajes y altas
corrientes en un rango de frecuencia de
conmutacin de unos cuantos cientos
hertzios a 10 KHz

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Transistores bipolares de puerta aislada (IGBT)
2015
Caractersticas
1.
2.
3.
4.
5.

Tienen algunas ventajas de los MOSFET, BJT y

GTO
Es parecido al MOSFET, tiene una lata impedancia
en la puerta y requiere una pequea energa para
conmutar el dispositivo
Igual al BJT, IGBT tiene un voltaje de estado activo
pequeo Venc (2 a 3V) en un dispositivo de
tensin directa de 1000V
Parecido al GTO, los IGBT se pueden disear para
bloquear tensiones negativas
Tienen tiempos de conexin y desconexin en el
orden de 1 us y estn disponibles hasta 1700V y
1200 A. Estn previstos de rangos de tensin
hasta 2 a 3 KV
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Tiristores controlados MOS (MCT)
2015

1. Tiene las mismas propiedades del GTO

2. Tiene una cada de baja tensin en el estado activo
con relativas altas corrientes
3. La caracterstica de activacin (enclavado) ( El
MCT permanece encendido incluso cuando se quita
la activacin de la puerta
4. Es un dispositivo controlado por tensin (igual que
el IGBT y el MOSFET
5. Requiere la misma energa para conmutar al MCT
comparado con el MOSFET o un IGBT
6. El MCT tiene dos ventajas principales comparadas
con el GTO:
o No necesita una corriente de puerta negativa
grande para la desconexin, como el GTO
o Velocidades de conmutacin ms rpidas (us)
7. Los MCT tienen cadas de Voltaje de estado activo
ms pequeas comparadas con el IGBT de iguales
dimensiones
8. Sus tensiones de bloqueo estn hasta 1500V con
corrientes nominales de 50 A a unos cientos de
amperios
9. Las corrientes nominales del MCT individuales son
considerablemente ms pequeas que las de GTO.
1
Los MCT no se pueden hacer tan grandes
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Comparaciones de interruptores controlables
2015

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Circuitos de control
2015
CARACTERSTICAS
1. En un interruptor dado de semiconductores de potencia controlables, sus

velocidades de conmutacin y prdidas en estado activo dependen de la forma
como es controlado
2. Para un diseo correcto de un convertidor est en disear un buen controlador
Para la base de un BJT

Para la puerta de un MOSFET, GTO o IGBT

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Circuitos amortiguadores
2015
CARACTERSTICAS
1. Se usan para modificar las formas de onda de conmutacin de interruptores

controlables
2. Se dividen en tres categoras:
Amortiguadores de conexin para minimizar grandes sobrecorrientes a travs
del dispositivo en la fase encendida
Amortiguadores de desconexin para minimizar grandes sobretensiones a
travs del dispositivo en la fase de apagado
Amortiguadores reductores de esfuerzo que forman las formas de ondas de
conmutacin del dispositivo de modo que la tensin y la corriente asociadas ala
dispositivo no estn en alto en forma simultnea.

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REVISION DE CONCEPTOS BASICOS DE CIRCUITOS ELECTRICOS Y MAGNETICOS
2015
ESTADO PERMANENTE (O ESTABLE)
En los circuitos de la electrnica de potencia, los diodos e interruptores cambian en

forma constante su estado activo o inactivo. Por tanto, surge la pregunta: .cuando
esta uno de estos circuitos en estado permanente?. La condicin de estado
permanente se alcanza cuando las formas de ondas del circuito se repiten con
un periodo T que depende de la naturaleza especifica de este circuito.

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PROMEDIO DE ENERGA Y CORRIENTE rms
2015
Tanto v como i pueden variar como funcin del tiempo.

Cuando las formas de onda v e i se repiten con un periodo
T en estado permanente, el promedio del flujo de energa se
calcula como:
Si el subcircuito es una carga resistiva v = i R, entonces la ecuacin se reduce a

En trminos rms se expresa
rms( raz cuadrtica media)

C

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FORMAS DE ONDA DE CA DE ESTADO PERMANENTE CON VOLTAJES Y

CORRIENTES SINUSOIDALES
2015
En representacin fasorial
V e I estn relacionados
impedancia de carga compleja

por
la
Instala BER
Potencia, potencia reactiva y factor de potencia
2015
Ip est en fase con el voltaje y Iq est en desfase

con respecto al voltaje. El componente de corriente
en fase ip(t) y el componente de corriente fuera de
fase iq(t) se expresan como

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Factor de potencia y potencia Promedio
2015
En el diagrama fasorial de la figura anterior, solo Ip (I = Cos ) es responsable de la transferencia de

potencia, no Iq (I = Sen ). Es comn definir una cantidad llamada potencia reactiva Q con las unidades de
VAR (voltios-amperios-reactivos) usando Iq. Cuando se define la potencia compleja S = P + jQ y se usan
las ecuaciones anteriores
La potencia aparente S es el producto del voltaje de rms y la corriente de rms (como en la ecuacin 3-10
para cantidades sinusoidales),
El factor de potencia (PF)

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Ejercicio
2015
Una carga inductiva conectada a una fuente de CA de 120 V y 60 Hz absorbe 1 kW con un factor de
potencia de 0.8. Calclese la capacitancia requerida en paralelo con la carga para producir el factor
de potencia combinada de 0.95 (en retraso).
La potencia reactiva jalada

por el condensador se
representa como -j
porque la corriente del
condensador se queda
adelante del voltaje por 90

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Circuitos Trifsicos
2015
Donde I = V/Z. Suponiendo que si Z es una impedancia inductiva con

un valor positivo de , el voltaje de la fase y los fasores de corriente
se muestran en la figura
c
La figura c muestra fasores de voltaje de lnea a
lnea donde
va adelante de Va por 30, y la magnitud de voltaje rms

de lnea a lnea es

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Circuitos Trifsicos
2015
Por tanto, en un sistema equilibrado, el

total de la potencia trifsica se expresa
como:
El circuito trifsico de la figura antecedente opera con

el mismo factor de potencia que el factor de potencia
por fase denotado como Cos .

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Formas de onda no sinusoidales en estado permanente
2015
En los circuitos de electrnica de potencia, las

formas de ondas de CC o de CA de baja
frecuencia se sintetizan con segmentos de
una forma de onda de entrada. El voltaje de
motor producido por el inversor de electrnica
de potencia en un accionamiento motriz de CA
se muestra en la figura a
Ocurre a menudo que la corriente de lnea tomada de la

fuente principal de alimentacin por el equipo de
electrnica de potencia se presente muy distorsionada,
como se muestra en la figura b

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2015
cada componente de frecuencia
donde la magnitud de rms

El valor de rms de la funcin f(t) se puede
expresar en trminos de los valores de rms de
sus componentes de serie de Fourier

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La simetra en el anlisis de Fourier
2015

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Distorsin de corrientes de lnea
2015
La figura muestra una corriente de lnea

tomada del suministro de electricidad
principal por el equipo de electrnica de
potencia
que
se
desva
considerablemente de una forma de onda
sinusoidal. Esta corriente distorsionada
tambin puede generar una distorsin en
la tensin suministrada por la fuente de
alimentacin principal. Sin embargo, la
distorsin en el voltaje de suministro suele
ser pequea. Con el fin de simplificar el
anlisis de modo significativo, se
supondr que el voltaje de entrada por el
suministro de energa sea puramente
sinusoidal con la frecuencia fundamental
(con 1 = y 1 = f)

Instala BER
2015
La corriente de entrada en estado permanente es la suma de sus componentes de Fourier

(armnicos) como (aqu se supone que no hay ninguna componente de CC en )
es el componente en la frecuencia armnica h, (= 1 )
(un valor positivo de 1 significa que la corriente 1 va atrs del voltaje)

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Distorsin armnica total
2015
El monto de la distorsin en la forma de onda de voltaje o corriente (aqu en la corriente de entrada) se

cuantifica por medio de un ndice llamado distorsin armnica total (total harmonic distortion, THD
El componente de distorsin de la corriente de la ecuacin
es
En trminos de los valores de rms,
donde el subndice i indica la THD en la corriente. Un

ndice similar THDv se expresa mediante sus
componentes de voltaje en la ecuacin

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El factor de potencia de desplazamiento
2015
El factor de potencia de desplazamiento (displacement power factor, DPF, que es lo mismo que el factor de
potencia en circuitos lineales con voltajes y corrientes sinusoidales) se define como el coseno del Angulo 1:
Por la ecuacin
nos damos cuenta de que una gran distorsin en la forma de onda de corriente generara un valor pequeo de
1 / , y por ende un factor de potencia bajo. En trminos de las ecuaciones siguientes

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RESPUESTA DE INDUCTORES Y CONDENSADORES
2015
Como lo muestran los fasores en la figura siguiente en una condicin de

estado permanente sinusoidal, la corriente va atrs del voltaje por 90 en un
inductor y se adelanta al voltaje por 90 en un condensador (capacitor). Los
voltajes y corrientes estn relacionados por
En un inductor

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RESPUESTA DE INDUCTORES Y CONDENSADORES
2015
Para un condensador
Para un inductor
Se aprecia la corriente del condensador en respuesta al

pulso de corriente, donde (1 )es el voltaje inicial del
condensador en t = 1
(a)
donde es la variable de integracin e

(1 ) es la corriente del inductor en el
momento 1 .

donde es la variable de integracin. Si un condensador

(capacitor) es un dual elctrico de un inductor, subcorriente
puede saltar instantneamente, pero su voltaje no puede cambiar
de modo instantneo.
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2015
y medios en estado permanente
En estado permanente, aunque los voltajes y corrientes de circuito no sean sinusoidales ni CC constantes
Una condicin de estado permanente implica que las formas de ondas de voltaje y corriente con un periodo T; son
(c)
En el caso de un inductor que opere en condicin de estado permanente, la sustitucin de t = 1 +T en la ecuacin
(a) y el reconocimiento de que (1 + T) = (1 ) de la ecuacin ( C) resulta en:
(d)
Conclusin: Si no existe una transferencia de potencia neta quiere

decir que la potencia media absorbida por una bobina es cero para
funcionamiento peridico en rgimen permanente
donde es la variable de integracin. La ecuacin ( d ) implica que, en estado permanente, el voltaje medio del
inductor (promediado en un periodo) debe ser cero. Esto se ilustra con las formas de onda de las figuras siguiente

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y medios en estado permanente
2015
donde el rea A = B. Como explicacin fsica de esta

propiedad, la integral del voltaje del inductor es igual
al cambio en el acoplamiento indirecto del inductor, y
la ecuacin (d) implica que el cambio neto de flujo
que acopla al inductor en un periodo de repeticin es
cero, lo cual es condicin necesaria para la operacin
en estado permanente.

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2015
En caso de que un condensador opere en condicin de estado permanente,

sustituir t = 1 + T en la ecuacin
y reconocer que (1 + T) = (1 ) de la ecuacin (a) resulta en
(e)
(f)
donde es la variable de integracin. La ecuacin (e) implica que, en
estado permanente, la corriente media del condensador (promediado en
un periodo) debe ser cero. Esto se ilustra con las formas de onda de la
figura ( f ), donde el rea A = B. Como explicacin fsica de esta
propiedad, la integral de la corriente del condensador es igual al cambio
de la carga del condensador, y la ecuacin (e) implica que el cambio neto
de carga en el condensador en un perodo de repeticin es cero, lo cual
es condicin necesaria para la operacin en estado permanente

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2015
(a) Determine la Potencia instantnea p(t) absorbida por el

dispositivo, (b) determine la energa absorbida por el
dispositivo en un perodo (c) Determine la potencia media
absorbida por el dispositivo (d) realizar la grfica de la
potencia instantnea

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2015

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2015
Libro de Daniel Hart, pgina 22

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2015

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Circuitos rectificadores conversin AC a DC
2015
Rectificadores de media onda de una sola fase

No controlables
Con carga R
Con carga RL
Con carga RC
Controlables
Rectificadores de onda completa de una sola fase
Carga R
Carga RL
Controlada con carga R, RL
Modo de corriente continua y discontinua
Rectificador trifsico
No controlable
Controlable

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2015
Definicin de rectificador
Rectificadores
Definicin: Conversin AC (desde una fuente principal u otra fuente AC) a potencia
DC mediante el uso de diodos de potencia o mediante el control de los ngulos de
disparo de tiristores /interruptores controlables
La entrada puede ser de una o mltiples fases

Las salidas pueden ser fijas o variables
Aplicaciones: soldador DC, unidad de motor de corriente continua, cargador de
batera, fuente de alimentacin de corriente continua, HVDC

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Rectificador de media onda con carga R
2015
Voltaje promedio

Valor rms de una seal rectificada con carga R
Instala BER
2015
Rectificador de media onda de una sola fase con carga R
Voltaje RMS
Salida de corriente DC
El voltaje DC es fijado a 0.318 o 31,8 % del valor pico

El Voltaje RMS es reducido de 0.707 ( Sinusoidal Normal
RMS) a 0.5 o 50% del valor pico
La mitad de la onda no es prctico debido a la corriente de
alimentacin de alta distorsin. La corriente de alimentacin
contiene componente DC que pueden saturar el
transformador de entrada
C

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Rectificador de media onda con carga inductiva L
2015
2 V Sen wt
1
=

2
0
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Ejercicio de repaso
2015
Graficar Voltaje de entrada (v), i(t), VL

Rectificador de media onda con carga RC
Instala BER
2015
1
=
+ = 0
+ 0 +
0 = 0
=0
= +
2V Senwt
2 ( + )
1
+ 2 1/2
Ejercicio: realizar el anlisis y sacar las grficas de Vc, i, vo, Vr

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Rectificador de media onda con carga RL
2015

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Anlisis de los circuitos rectificadores con carga RL
2015
Se plantea la ecuacin diferencial
La componente forzada se llama la

componente de estado estable
Se halla sus componentes la forzada y natural
La componente natural es
la componente de estado
transitorio
= /
C

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Solucin de la ecuacin diferencial
2015
Solucin de la ecuacin diferencial es:
La constante A es hallada de las condiciones iniciales i = 0 en t = 0

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2015
Caractersticas Vak, I, Vr, Vl
= i (t) * R

ngulo de extincin
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2015
Al final del perodo de la conduccin, i = 0, y wt =
Es una trascendental ecuacin que puede

ser resuelta numricamente, mediante
un clculo en una tabla de EXCEL o en
script de un software en particular
Grfica vs
C

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Tutorial para determinar el ngulo de extincin de una carga RL
2015

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Valor Promedio de la corriente rectificada
2015
El valor promedio de la corriente rectificada es obtenido desde

el inicio de la ecuacin
Corriente promedio
Voltaje promedio

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Corrientes normalizadas In e Irn
2015
valor normalizado de
la corriente rectificada
Valor normalizado de la corriente rms
Valor rms del voltaje de salida

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CASO ESPECIAL
2015
Si consideramos que
de
Se obtiene que la corriente i es
La corriente promedio es
Obtenida de

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Caso especial : componente fundamental y armnica
2015
Primera armnica
Valor rms de la corriente rectificada
El voltaje a travs de la inductancia es VL =

v para todo el ciclo
Vo = 0
Corriente en el circuito cuando
Factores de rizado de
voltaje y corriente

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Rectificador de media onda con diodo libre de circulacin
2015
Los circuitos RL son caracterizados por corrientes

discontinuas y alto contenido de rizado. El primer de
esas caractersticas puede ser eliminado y el segundo
puede ser reducido por medio de un diodo libre de
circulacin como se muestra en las figuras

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Anlisis del circuito con diodo libre de circulacin
2015
Anlisis de estado transiente
En wt =
, 2

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Anlisis del circuito con diodo libre de circulacin
2015
Anlisis de estado estable

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Rectificador de media onda con carga RL y fuerza electromotriz
2015
Caso tpico cuando se quiere emplear una batera para excitar la armadura de un motor
dc. Se trata de realizar el anlisis de este circuito y observar el comportamiento de sus
caractersticas
Componente debido a la fuerza

electromotriz directa
La corriente total
en el circuito

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2015

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Rectificador de media onda con carga R y C en paralelo
2015
Operacin
Inicialmente el capacitor est descargado, el

circuito es energizado en = 0
Despus de = , C comienza a descargar a

2
travs de R
Cuando el diodo esta encendido la salida es la
misma que la fuente, el capacitor se carga hasta
En polarizacin inversa del diodo la carga se asla

de la fuente
La salida decae exponencialmente, ocasionando
como lo que se conoce como el rizado de la seal
dc
Seal rectificada
Corriente del diodo

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Voltaje de rizado
2015
Voltaje de rizado
Voltaje de rizado
Voltaje mximo de salida es

El mnimo voltaje de salida ocurre en = 2 +
Refirindose al diagrama, el rizado es
=
= sin 2 + =
La aproximacin del trmino del exponente da:
Sustituyendo
si = = , y C es muy grande tal que el

2
voltaje DC es contante, luego

2
La salida del voltaje es evaluado en = 2 +
El Voltaje de rizado es aproximadamente a:

El rizado del voltaje de salida es reducido por el

crecimiento de C
Como C est creciendo, el intervalo de conduccin
para el diodo decrece
En conclusin, la reduccin en el rizado del voltaje
de salida resulta en un pico grande de diodo
Ejercicio
Un rectificador de media onda tiene 120 Vrms de
fuente a 60 hz, R=500 Ohm y C=100 F. Determine:
a) La expresin para la salida del voltaje
b) El voltaje de rizado
1
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Rectificadores controlables
Elementos de disparo y el tiristor
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El DIAC
Diodo de corriente alternativo
smbolos

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Elementos de disparo
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El SUS
El conmutador unilateral de
silicio

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El SBS
El conmutador Bilateral de silicio

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EL UJT
El transistor de uni-unin

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EL Disparador asimtrico

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EL diodo Shockley

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Rectificadores Controlados
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Voltaje promedio
Voltaje rms

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Rectificador controlado de media onda con carga inductiva
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Valor medio de la tensin y corriente con carga inductiva
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Rectificador controlado de media onda con carga R-L
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Sin polarizacin aplicada (V = 0 V)

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Diodo semiconductor con polarizacin

Condicin de polarizacin en inversa (VD<0 V)

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Condicin de polarizacin en directa (VD>0 V)

Curva caracterstica del diodo