Analizar experimentalmente las Caractersticas del amplificador autopolarizado

llamado tambin Surtidor comn del FET.

Comparar el principio de funcionamiento respecto del transistor.

UNSAAC

Podemos decir entonces que el FET es un dispositivo controlado por voltaje.

I D : Corriente Drenador - Surtidor

VGS : Tensin Compuerta Surtidor

VP : Tensin de estrangulamiento (dato del fabricante)

V
I D I DSS 1 GS
VP
Donde: I DSS : La corriente Drenador Surtidor para VGS = 0V (dato del fabricante)

Como amplificador el FET es usado en la regin de saturacin donde la

caracterstica de transferencia est dada por la ecuacin de Shockley:

Alta impedancia de entrada

Menor ruido
Inmunidad a la radiacin
Tiene estabilidad trmica
Dispositivo unipolar, en la cual la corriente slo se debe a los portadores
mayoritarios, mientras que en un transistor la corriente se debe a los portadores
mayoritarios y minoritarios, de ah su nombre alternativo como transistor bipolar.

Ing. Electrnica

Este dispositivo a comparacin del transistor tiene las siguientes ventajas:

Transistor o Transistor de Efecto de Campo.

El FET es la versin semiconductora de los tubos de vaco que significa Field Effect

El transistor BJT desplaz a estos tubos de vaco ya que tienen mayor vida til, bajo nivel
de consumo de energa, facilidad de integracin, miniaturizacin, etc.

El trodo fue uno de los primeros dispositivos en el avance de la tecnologa, estos se usan
en varias aplicaciones en la actualidad pero como vemos estn cediendo su paso a los
semiconductores.

INTRODUCCIN

OBJETIVOS

Ing. Christian Vsquez Gamarra

PRCTICA N8
EL AMPLIFICADOR CON FET

Laboratorio de Circuitos Electrnicos I

V
g m g mo 1 GS
VP

donde:

g mo

2 I DSS
VP

Armar en el panel de montaje el siguiente circuito:

Ing. Electrnica

UNSAAC

Transconductancia del FET gm

Hoja de datos K30A datasheet
En base a la definicin de Transconductancia y aplicando la ecuacin de Shockley
demostrar:

Ing. Christian Vsquez Gamarra

1 Primera Parte: Circuito transistorizado de polarizacin fija.

Identifique y/o desarrolle:

INFORME PREVIO.

Resistencias: 3.3M , 3.3K , 2.2K , 10K @ 1/2W

2 Capacitores Electrolticos de 47uF/ 16V
1 Capacitor Electroltico de 220uF/ 16V
1 FET de canal N, con cdigo K30A
Cables rgidos unipolares para Protoboard.

MATERIALES.

Multmetro
Tablilla de montaje (protoboard)
Fuente de alimentacin DC
Generador de Funciones GF
Osciloscopio
Puntas de prueba no atenuadas
Conectores B-T

EQUIPOS

Laboratorio de Circuitos Electrnicos I

Ing. Christian Vsquez Gamarra

VDS [V]

VGS [V]

IS [mA]

IG [uA]

ID [mA]

Datos en Continua

UNSAAC

Apagar el GF para medir con el multmetro: ID, IG, IS, VGS, VDS y anotarlo en la
siguiente tabla:

Vi [V]

Mximo valor de Vi en
pequea seal

Conectar la fuente de alimentacin al circuito por seguridad se recomienda que

previamente est fijada en 0V
Establecer la fuente de alimentacin en 15V
Conectar el Generador de Funciones a C1 y fijar a su salida una onda senoidal a
1KHz.
Conectar el osciloscopio en R4 para observar y medir Vo, la cual deber de ser
una onda senoidal pura. Como sabemos en caso de que estuviera deformada
(onda cuadrada) disminuir mediante los controles de amplitud del GF hasta
que la seal amplificada no tenga distorsin (onda senoidal pura)
Trasladar la punta viva de la sonda del osciloscopio a la salida del Generador de
Funciones GF para medir el valor mximo de Vi, para el cual el circuito
amplifica sin distorsin. Anotarlo en la siguiente tabla:

Ing. Electrnica

Laboratorio de Circuitos Electrnicos I

500K

3K

50

1M

5K

100

1.2M

10K

200

1.5M

50K

300

2M

100K

500

2.5M

300K

800

Fijar en el GF Vi=50 mVp-p, f= 1KHz con la ayuda del osciloscopio, como ya

sabemos en caso de que Vo se distorsione disminuir Vi hasta que Vo no tenga
distorsin.
Conectar la punta del osciloscopio en R4.
Manteniendo constante Vi del GF, medir con el osciloscopio Vo y anotarlo en la
siguiente tabla:

Ing. Christian Vsquez Gamarra

UNSAAC

Indicar de acuerdo a lo experimentado y en base a la tabla N1, hasta qu

valores de Vi se puede considerar pequea seal
Comente el valor de IG experimental.
De esa misma tabla, Calcular la potencia de disipacin experimental del
FET, comprelo con el terico indicando errores porcentuales.
Graficar en papel semilogartmico Av dB = f(F) en base a los datos tomados
de la variacin de la frecuencia.
Ing. Electrnica

INFORME FINAL

Efecto del capacitor de desacoplo en C3

Para conocer la importancia del capacitor de desacoplo C3 en la amplificacin del circuito

si f=1KHz desconectar C3 y observar mediante el osciloscopio su efecto en Vo, Dibujarlo
en la siguiente tabla:

Vo [VP-P]

f [Hz]

Vo [VP-P]

F [Hz]

Vo [VP-P]

F [Hz]

Laboratorio de Circuitos Electrnicos I

3M

400K

1K

Ing. Christian Vsquez Gamarra

UNSAAC

Trazar las frecuencias de corte superior e inferior y en base a ello obtener el

ancho de banda del amplificador FET.
En base al grfico Efecto del capacitor de desacoplo en C3, indicar cmo
Efectuar las simulaciones respectivas en el software ISIS 7 PROFESIONAL
Proteus.
Reportar todos los clculos obtenidos
Mencione observaciones y conclusiones

Ing. Electrnica

Laboratorio de Circuitos Electrnicos I