Sunteți pe pagina 1din 91

5 Figura 1.2 prezint simbolul unei diode semiconductoare.

Cu A a fost
. notat:
1
p
vA
A

a.)
b.)
c.)
d.)

iA

Figura 1.2
anod;
catod;
valoarea instantanee total a cderii de tensiune pe diod;
valoarea instantanee total a curentului prin diod;

6 Figura 1.2 prezint simbolul unei diode semiconductoare. Cu C a fost


. notat:
1
p
a.) anod;
b.) catod;
c.) valoarea instantanee total a cderii de tensiune pe diod;
d.) valoarea instantanee total a curentului prin diod;
7 Figura 1.2 prezint simbolul unei diode semiconductoare. Cu vA a fost
. notat:
1
p
a.) anod;
b.) catod;
c.) valoarea instantanee total a cderii de tensiune pe diod;
d.) valoarea instantanee total a curentului prin diod;
8 Figura 1.2 prezint simbolul unei diode semiconductoare. Cu iA a fost
. notat:
1
p
a.) anod;
b.) catod;
c.) valoarea instantanee total a cderii de tensiune pe diod;
d.) valoarea instantanee total a curentului prin diod;
1 Figura 1.3 prezint structura "p-n" la echilibru termic. Regiunea notat 3
2 reprezint
.
1
p
a.) regiunea neutr p;
b.) regiunea neutr n;
c.) regiunea de tranziie;
d.) nu are o semnificaie deosebit.
1 Figura 1.4 prezint structura "p-n" la echilibru termic. Regiunea de
4 tranziie -responsabil pentru apariia efectului de diod - apare n jurul
. jonciunii metalurgice ca efect al:
2
p

1 |Page

E
p

Regiune
neutra p

a.)
b.)
c.)
d.)
1
5
.
3
p

------

+
+
+
+
+

+
+
+
+
+

+
+
+
+
+

+
+
+
+
+

+
+
+
+
+

Regiune de
tranziie

Regiune
neutr n

Figura 1.4
difuziei purttorilor fixi;
sarcinii purttorilor mobili;
sarcinii purttorilor fixi;
difuziei purttorilor mobili.

Figura 1.4 prezint structura "p-n" la echilibru termic. Regiunea de


tranziie -responsabil pentru apariia efectului de diod - apare n jurul
jonciunii metalurgice ca efect al difuziei purttorilor mobili. Fenomenul
de difuzie este cauzat de:
a.) gradientul de concentraie a atomilor donori i acceptori dintre
regiunea neutr p i regiunea de tranziie;
b.) gradientul de concentraie a atomilor donori i acceptori dintre
regiunea neutr n i regiunea de tranziie;
c.) gradientul de concentraie a atomilor donori i acceptori dintre
regiunea neutr n i regiunea neutr n;
d.) gradientul de concentraie a atomilor donori i acceptori din
jurul jonciunii metalurgice.

1
6
.
3
p

Figura 1.4 prezint structura "p-n" la echilibru termic. Regiunea de


tranziie -responsabil pentru apariia efectului de diod - apare n jurul
jonciunii metalurgice ca efect al difuziei purttorilor mobili. Fenomenul
de difuzie este cauzat de gradientul de concentraie existent n jurul
jonciunii metalurgice. Urmare a acestui fenomen n structur apar sarcini
fixe reprezentate de:
a.) ionii prini n reeaua cristalin;
b.) electronii din structur;
c.) golurile din structur;
d.) structura reelei cristaline

1 Cmpul electric intern existent la nivelul regiunii de tranziie este datorat:


7
.
2
p
a.) ionilor prini n reeaua cristalin;
b.) electronilor din structur;
c.) golurilor din structur;
d.) structurii reelei cristaline.
1 La polarizare invers plus (+) pe catod i minus (-) pe anod bariera
8 intern de potenial este:
.
2
p
a.) crescut;
b.) cobort;
c.) neafectat;
d.) uneori crescut, uneori cobort.
1 La polarizare direct plus (+) pe anod i minus (-) pe catod bariera
9 intern de potenial este:

2 |Page

.
2
p
a.)
b.)
c.)
d.)

crescut;
cobort;
neafectat;
uneori crescut, uneori cobort.

2 Din punct de vedere formal, dioda este integral descris de:


0
.
2
p
a.) singur ecuaie caracteristic;
b.) un sistem de dou ecuaii caracteristice;
c.) un numr de ecuaii care depinde de topologia circuitului;
d.) un numr de ecuaii care depinde de regimul de funcionare
2 Din punct de vedere formal, n regim cvasistatic de semnal mare dioda
1 este integral descris de o ecuaie de tipul:
.
3
p

di
d n iA
dv
d mv
E i A , A , ,
, v A , A , , mA , 1 , , p 0
n
dt
dt
dt
dt

a.)

E iA , v A 0

b.)

ia g a v a
c.)

di
d n iA
dv
d mv
E i A , A , ,
, v A , A , , mA 0
n
dt
dt
dt
dt

d.)
2 Din punct de vedere formal, n regim cvasistatic de semnal mic dioda este
2 integral descris de o ecuaie de tipul:
.
3
p

di
d n iA
dv
d mv
E i A , A , ,
, v A , A , , mA , 1 , , p 0
n
dt
dt
dt
dt

a.)

E iA , v A 0

b.)

ia g a v a
c.)

di
d n iA
dv
d mv
E i A , A , ,
, v A , A , , mA 0
n
dt
dt
dt
dt

d.)
2 Ecuaia caracteristic static (sau mai simplu caracteristica static) a
3 diodei ideale este
.
2
p

3 |Page

e
i A I S exp T 1
vA

a.)

v
i A I S exp A 1
eT

b.)

v
i A I S exp A 1
e
T

c.)

e
i A I S exp T 1
v
A

d.)
2 Ecuaia caracteristic static (sau mai simplu caracteristica static) a
4 diodei ideale este:
.

v
i A I S exp A 1
2
e
T
p

unde:
eT

kT
q

i poart numele de tensiune termic. S-au folosit notaiile:


k
constanta lui Boltzman;
q
sarcina electronului;
T
temperatura absolut.
La temperatura ambiant eT are valoarea:
a.) eT2.5 mV
b.) eT25 mV
c.) eT250 mV
d.) eT2.5 V
2 Figura 1.5 reprezint caracteristica static a unei diode.
5
.
1
p
VBR

iA
2.

4.

IS

vA
3.

1.

Figura 1.5
IS reprezint:
a) curentul mediu redresat monoalternan;
b) curentul maxim admisibil;
c) curentul rezidual;
d) curentul mediu redresat dubl alternan.

4 |Page

2 Figura 1.5 reprezint caracteristica static a unei diode.


6
.
1
p
V reprezint:
a) tensiunea de strpungere;
b) tensiunea de prag;
c) tensiunea medie redresat monoalternan;
d) tensiunea medie redresat dubl alternan
2 Figura 1.5 reprezint caracteristica static a unei diode.
7
.
1
p
VBR reprezint:
a) tensiunea de strpungere;
b) tensiunea de prag;
c) tensiunea medie redresat monoalternan;
d) tensiunea medie redresat dubl alternan
2 Figura 1.5 reprezint caracteristica static a unei diode. Cu 1 a fost notat
8 regiunea de:
.
1
p
a) strpungere;
b) blocare la polarizare invers;
c) blocare la polarizare direct;
d) conducie
2 Figura 1.5 reprezint caracteristica static a unei diode. Cu 2 a fost notat
9 regiunea de:
.
1
p
a) strpungere;
b) blocare la polarizare invers;
c) blocare la polarizare direct;
d) conducie
3 Figura 1.5 reprezint caracteristica static a unei diode. Cu 3 a fost notat
0 regiunea de:
.
1
p
a) strpungere;
b) blocare la polarizare invers;
c) blocare la polarizare direct;
d) conducie
3 Figura 1.5 reprezint caracteristica static a unei diode. Cu 4 a fost notat
1 regiunea de:
.
1
p
a) strpungere;
b) blocare la polarizare invers;
c) blocare la polarizare direct;
d) conducie

5 |Page

3 Figura 1.6 prezinta o posibil liniarizare a caracteristicii din figura 1.5 i


2 poart numele de model de ordin zero.
.
2
p
iA

Model de ordin zero

Caracteristica real

vA

Figura 1.6
Conform acestei aproximri schema echivalent a diodei este:
V
a.)
A

rB

b.)

conducie
blocare

V
A

A
C

c.)

C
C

A
A

d.)
A

blocare

C
C

A
C

conducie
blocare

C
A

conducie

conducie
blocare

3 Figura 1.6 prezinta o posibil liniarizare a caracteristicii din figura 1.5 i


3 poart numele de model de ordin zero. Conform acestei aproximri n
. regim de conducie dioda se comport ca:
2
p
a) un rezistor;
b) un circuit ntrerupt;
c) un scurtcircuit;
d) un condensator
3 Figura 1.6 prezinta o posibil liniarizare a caracteristicii din figura 1.5 i
4 poart numele de model de ordin zero. Conform acestei aproximri n
. regim de blocare dioda se comport ca:
2
p
a) un rezistor;
b) un circuit ntrerupt;
c) un scurtcircuit;
d) un condensator

6 |Page

41.
4p

Valoarea curentului IA care circul prin dioda din figura este aproximativ:
R1(1k)
(1k)
I
(2mA)

IA
D

I A 4 mA

R2(1k)
(1k)

IR
E
(10V)

VA

Figura 1.8

a)

I A 4 mA
b)

I A 0 mA
c)

I A 2 mA
d)
42.
4p

Cderea de tensiune pe dioda prezent n circuitul din figura 1.8 este aproximativ:

VA 10 V
a)

VA 8 V
b)

VA 8 V
c)

VA 10 V
d)
43.
3p

Condiia de semnal mic pentru o diod semiconductoare este ndeplinit dac:


a)
b)
c)
d)

44.
3p

semnalul pe diod este mai mic de 2.5 mV


semnalul pe diod este mai mic de 10 mV
semnalul pe diod este mai mic de 25 mV
semnalul pe diod este mai mic de 100 mV

Conductana de semnal mic a diodei semiconductoare are valoarea:

g a mS 25 I A mA
a)
b)
c)

g a mS 2.5 I A mA
g a mS 4 I A mA
g a mS 40 I A mA

d)
45.
3p

Modelul matematic al unei diode semiconductoare care lucreaz n regim cvasistatic de


semnal mic este:

ia g a v a

a)

7 |Page

v
i A I S exp A 1
eT

b)

ia g a v a 1
c)

v
i A I S exp A
eT

d)
46.
3p

Schema echivalent a unei diode semiconductoare care lucreaz n regim cvasistatic de


semnal mic este:
a.)
b.)
c.)
d.)
Ca
A

1.
1p

ga

ga

Figura 2.1 prezint:


Tr

RL
iL

Vp

a)
b)
c)
d)
2.
1p

rezistena de sarcin;
elementul neliniar, asigur efectul de redresare;
transformatorul de alimentare;
amplitudinea tensiunii alternative din primar;

rezistena de sarcin;
elementul neliniar, asigur efectul de redresare;
transformatorul de alimentare;
amplitudinea tensiunii alternative din primar;

Figura 2.1 prezint un redresor mono-alternan cu sarcin rezistiv. Cu D a fost notat:


a)
b)
c)
d)

5.
1p

Figura 2.1
un redresor mono-alternan cu sarcin rezistiv;
un redresor dubl alternan cu sarcina rezistiv;
un redresor mono-alternan cu sarcin rezistiv-inductiv;
un redresor dubl alternan cu sarcina rezistiv-inductiv.

Figura 2.1 prezint un redresor mono-alternan cu sarcin rezistiv. Cu R L a fost notat:


a)
b)
c)
d)

4.
1p

vL

Figura 2.1 prezint un redresor mono-alternan cu sarcin rezistiv. Cu Tr. a fost notat:
a)
b)
c)
d)

3.
1p

Vs

rezistena de sarcin;
elementul neliniar, asigur efectul de redresare;
transformatorul de alimentare;
amplitudinea tensiunii alternative din primar;

Figura 2.1 prezint un redresor mono-alternan cu sarcin rezistiv. Cu Vp a fost notat:

8 |Page

a)
b)
c)
d)
6.
1p

amplitudinea tensiunii alternative din primar;


amplitudinea tensiunii alternative din secundar;
valoarea instantanee a tensiunii de pe sarcin;
valoarea instantanee a curentului prin sarcin.

Figura 2.1 prezint un redresor mono-alternan cu sarcin rezistiv. Cu Vs a fost notat:


a)
b)
c)
d)

7.
1p

amplitudinea tensiunii alternative din primar;


amplitudinea tensiunii alternative din secundar;
valoarea instantanee a tensiunii de pe sarcin;
valoarea instantanee a curentului prin sarcin.

Figura 2.1 prezint un redresor mono-alternan cu sarcin rezistiv. Cu v L a fost notat:


a)
b)
c)
d)

8.
1p

amplitudinea tensiunii alternative din primar;


amplitudinea tensiunii alternative din secundar;
valoarea instantanee a tensiunii de pe sarcin;
valoarea instantanee a curentului prin sarcin.

Figura 2.1 prezint un redresor mono-alternan cu sarcin rezistiv. Cu i L a fost notat:


a)
b)
c)
d)

9.
1p

amplitudinea tensiunii alternative din primar;


amplitudinea tensiunii alternative din secundar;
valoarea instantanee a tensiunii de pe sarcin;
valoarea instantanee a curentului prin sarcin.

Dioda D prezentat n figura 2.1 conduce:


a)
b)
c)

numai pe alternana pozitiv;


numai pe alternana negativ;
uneori pe alternana pozitiv, alteori pe alternana
negativ;
att pe alternana pozitiv, ct i pe alternana negativ

d)
10.
2p

Figura 2.2 prezint formele de und caracteristice unui:


Vs

t
vL
Vs
VL

a)
b)
c)
d)
11.
4p

Figura 2.2
redresor mono-alternan cu sarcin rezistiv;
redresor dubl alternan cu sarcina rezistiv;
redresor mono-alternan cu sarcin rezistiv-inductiv;
redresor dubl alternan cu sarcina rezistiv-inductiv.

Valoarea componentei continue de la ieirea redresorului prezentat n figura 2.1 este

VL
a)

2Vs

9 |Page

VL

Vs
2

b)

V
VL s

c)

V
VL 2 s

d)
unde

.
Vs
VL

12.
1p

- valoarea amplitudinii tensiunii alternative din secundar;


- valoarea componentei continue

Figura 2.3 prezint:


Tr

D1

iL

RL
vL

Vs
Vp
Vs

a)
b)
c)
d)
13.
1p

Figura 2.3
un redresor mono-alternan cu sarcin rezistiv;
un redresor dubl alternan cu priza median;
un redresor dubl alternan n punte;
un redresor dubl alternan cu sarcina rezistiv-inductiv.

Figura 2.3 prezint un redresor dubl alternan cu priza median. Cu Tr. a fost notat:
a)
b)
c)
d)

14.
1p

D2

rezistena de sarcin;
elementul neliniar, asigur efectul de redresare;
transformatorul de alimentare;
amplitudinea tensiunii alternative din primar;

Figura 2.3 prezint un redresor dubl alternan cu priza median. Cu R L a fost notat:
a)
b)
c)
d)

rezistena de sarcin;
elementul neliniar, asigur efectul de redresare;
transformatorul de alimentare;
amplitudinea tensiunii alternative din primar;

15.
1p

Figura 2.3 prezint un redresor dubl alternan cu priza median. Cu D 1 i D2 au fost


notate:
a)
rezistena de sarcin;
b)
elementele neliniare, asigur efectul de redresare;
c)
transformatorul de alimentare;
d)
amplitudinea tensiunii alternative din primar;

16.
1p

Figura 2.3 prezint un redresor dubl alternan cu priza median. Cu Vp a fost notat:
a)
b)
c)
d)

amplitudinea tensiunii alternative din primar;


amplitudinea tensiunii alternative din secundar;
valoarea instantanee a tensiunii de pe sarcin;
valoarea instantanee a curentului prin sarcin.

10 | P a g e

17.
1p

Figura 2.3 prezint un redresor dubl alternan cu priza median. Cu Vs a fost notat:
a)
b)
c)
d)

18.
1p

amplitudinea tensiunii alternative din primar;


amplitudinea tensiunii alternative din secundar;
valoarea instantanee a tensiunii de pe sarcin;
valoarea instantanee a curentului prin sarcin.

Figura 2.3 prezint un redresor dubl alternan cu priza median. Cu v L a fost notat:
a)
b)
c)
d)

19.
1p

amplitudinea tensiunii alternative din primar;


amplitudinea tensiunii alternative din secundar;
valoarea instantanee a tensiunii de pe sarcin;
valoarea instantanee a curentului prin sarcin.

Figura 2.3 prezint un redresor dubl alternan cu priza median. Cu i L a fost notat:
a)
b)
c)
d)

20.
2p

Figura 2.3 prezint un redresor dubl alternan cu priza median. n funcionare normal:
a)
b)
c)
d)

21.
2p

pe alternana pozitiv att dioda D1 ct i dioda D2 conduc;


pe alternana pozitiv dioda D1 conduce, iar dioda D2 este blocat;
pe alternana pozitiv dioda D1 este blocat, iar dioda D2 conduce;
pe alternana pozitiv att dioda D1 ct i dioda D2 sunt blocate.

Figura 2.3 prezint un redresor dubl alternan cu priza median. n funcionare normal:
a)
b)
c)
d)

22.
2p

amplitudinea tensiunii alternative din primar;


amplitudinea tensiunii alternative din secundar;
valoarea instantanee a tensiunii de pe sarcin;
valoarea instantanee a curentului prin sarcin.

pe alternana negativ att dioda D1 ct i dioda D2 conduc;


pe alternana negativ dioda D1 conduce, iar dioda D2 este blocat;
pe alternana negativ dioda D1 este blocat, iar dioda D2 conduce;
pe alternana negativ att dioda D1 ct i dioda D2 sunt blocate.

Figura 2.4 prezint formele de und caracteristice unui:


Vs

t
vL
Vs
VL

a)
b)
c)
d)
23.
4p

Figura 2.4
redresor mono-alternan cu sarcin rezistiv;
redresor dubl alternan cu sarcin rezistiv;
redresor mono-alternan cu sarcin rezistiv-inductiv;
redresor dubl alternan cu sarcin rezistiv-inductiv.

Valoarea componentei continue de la ieirea redresorului prezentat n figura 2.3 este

VL
a)

2Vs

11 | P a g e

VL

Vs
2

b)

V
VL s

c)

V
VL 2 s

d)
unde

.
Vs
VL

24.
1p

- valoarea amplitudinii tensiunii alternative din secundar;


- valoarea componentei continue

Figura 2.5 prezint:


Tr
D4

D1

Vp

Vs
D3

a)
b)
c)
d)
25
1p

rezistena de sarcin;
elementul neliniar, asigur efectul de redresare;
transformatorul de alimentare;
amplitudinea tensiunii alternative din primar;

rezistena de sarcin;
elementul neliniar, asigur efectul de redresare;
transformatorul de alimentare;
amplitudinea tensiunii alternative din primar;

Figura 2.5 prezint un redresor dubl alternan n punte. Cu D 1, D2, D3 i D4 au fost notate:
a)
b)
c)
d)

28.
1p

Figura 2.5
un redresor mono-alternan cu sarcin rezistiv;
un redresor dubl alternan cu priza median;
un redresor dubl alternan n punte;
un redresor dubl alternan cu sarcina rezistiv-inductiv.

Figura 2.5 prezint un redresor dubl alternan n punte. Cu R L a fost notat:


a)
b)
c)
d)

27.
1p

RL

Figura 2.5 prezint un redresor dubl alternan n punte. Cu Tr. a fost notat:
a)
b)
c)
d)

26.
1p

D2

rezistena de sarcin;
elementele neliniare, asigur efectul de redresare;
transformatorul de alimentare;
amplitudinea tensiunii alternative din primar;

Figura 2.5 prezint un redresor dubl alternan n punte. Cu Vp a fost notat:


a)
b)
c)
d)

amplitudinea tensiunii alternative din primar;


amplitudinea tensiunii alternative din secundar;
valoarea instantanee a tensiunii de pe sarcin;
valoarea instantanee a curentului prin sarcin.

12 | P a g e

29.
1p

Figura 2.5 prezint un redresor dubl alternan n punte. Cu Vs a fost notat:


a)
b)
c)
d)

30.
2p

Figura 2.5 prezint un redresor dubl alternan n punte. n funcionare normal:


a)
b)
c)
d)

31.
2p

pe alternana pozitiv diodele D1, D2, D3 i D4 conduc;


pe alternana pozitiv diodele D1 i D3 conduc, iar diodele D2 i D4 sunt blocate;
pe alternana pozitiv diodele D1 i D3 sunt blocate, iar diodele D2 i D4 conduc;
pe alternana pozitiv diodele D1, D2, D3 i D4 sunt blocate.

Figura 2.5 prezint un redresor dubl alternan n punte. n funcionare normal:


a)
b)
c)
d)

32.
4p

amplitudinea tensiunii alternative din primar;


amplitudinea tensiunii alternative din secundar;
valoarea instantanee a tensiunii de pe sarcin;
valoarea instantanee a curentului prin sarcin.

pe alternana negativ diodele D1, D2, D3 i D4 conduc;


pe alternana negativ diodele D1 i D3 conduc, iar diodele D2 i D4 sunt blocate;
pe alternana negativ diodele D1 i D3 sunt blocate, iar diodele D2 i D4
conduc;
pe alternana negativ diodele D1, D2, D3 i D4 sunt blocate.

Valoarea componentei continue de la ieirea redresorului prezentat n figura 2.5 este

VL

2Vs

a)

VL

Vs
2

b)

V
VL s

c)

V
VL 2 s

d)
unde

.
Vs
VL

33.
1p

- valoarea amplitudinii tensiunii alternative din secundar;


- valoarea componentei continue

Figura 2.6 prezint:


Tr

RL
iL

Vp

a)
b)
c)
d)
34.

Vs

vL

Figura 2.6
un redresor mono-alternan cu sarcin rezistiv;
un redresor dubl alternan cu sarcina rezistiv;
un redresor mono-alternan cu filtru capacitiv;
un redresor dubl alternan cu sarcina rezistiv-inductiv.

Figura 2.6 prezint un redresor mono-alternan cu filtru capacitiv. Cu Tr. a fost notat:

13 | P a g e

1p
a)
b)
c)
d)
35.
1p

Figura 2.6 prezint un redresor mono-alternan cu filtru capacitiv. Cu R L a fost notat:


e)
f)
g)
h)

36.
1p

amplitudinea tensiunii alternative din primar;


amplitudinea tensiunii alternative din secundar;
valoarea instantanee a tensiunii de pe sarcin;
valoarea instantanee a curentului prin sarcin.

Figura 2.6 prezint un redresor mono-alternan cu filtru capacitiv. Cu i L a fost notat:


a)
b)
c)
d)

42.
1p

amplitudinea tensiunii alternative din primar;


amplitudinea tensiunii alternative din secundar;
valoarea instantanee a tensiunii de pe sarcin;
valoarea instantanee a curentului prin sarcin.

Figura 2.6 prezint un redresor mono-alternan cu filtru capacitiv. Cu v L a fost notat:


a)
b)
c)
d)

41.
1p

amplitudinea tensiunii alternative din primar;


amplitudinea tensiunii alternative din secundar;
valoarea instantanee a tensiunii de pe sarcin;
valoarea instantanee a curentului prin sarcin.

Figura 2.6 prezint un redresor mono-alternan cu filtru capacitiv. Cu Vs a fost notat:


a)
b)
c)
d)

40.
1p

rezistena de sarcin;
elementul neliniar, asigur efectul de redresare;
transformatorul de alimentare;
condensator de filtraj.

Figura 2.6 prezint un redresor mono-alternan cu filtru capacitiv. Cu Vp a fost notat:


a)
b)
c)
d)

39.
1p

rezistena de sarcin;
elementul neliniar, asigur efectul de redresare;
transformatorul de alimentare;
condensator de filtraj.

Figura 2.6 prezint un redresor mono-alternan cu filtru capacitiv. Cu C a fost notat:


a)
b)
c)
d)

38.
1p

rezistena de sarcin;
elementul neliniar, asigur efectul de redresare;
transformatorul de alimentare;
condensator de filtraj.

Figura 2.6 prezint un redresor mono-alternan cu filtru capacitiv. Cu D a fost notat:


a)
b)
c)
d)

37.
1p

rezistena de sarcin;
elementul neliniar, asigur efectul de redresare;
transformatorul de alimentare;
condensator de filtraj.

amplitudinea tensiunii alternative din primar;


amplitudinea tensiunii alternative din secundar;
valoarea instantanee a tensiunii de pe sarcin;
valoarea instantanee a curentului prin sarcin.

Dioda D prezentat n figura 2.6 conduce:


a)
b)
c)

pe durata alternanei pozitiv;


pe durata alternanei negativ;
un interval relativ mic de timp, interval cuprins n alternana pozitiv, pentru
restul perioadei dioda fiind blocat.

14 | P a g e

d)
43.
2p

un interval relativ mic de timp, interval cuprins n alternana negativ, pentru


restul perioadei dioda fiind blocat

Figura 2.7 prezint formele de und caracteristice unui:


V

Vs

VL

Vl

t
T

Figura 2.7
redresor mono-alternan cu sarcin rezistiv;
redresor dubl alternan cu sarcina rezistiv;
redresor mono-alternan cu filtru capacitiv;
redresor dubl alternan cu sarcina rezistiv-inductiv.

a)
b)
c)
d)
44.
4p

Valoarea componentei continue a tensiunii de pe sarcin (VL) de la ieirea redresorului


prezentat n figura 2.6:
a)
crete o dat cu creterea curentului din sarcin;
b)
scade o dat cu creterea curentului din sarcin;
c)
nu depinde de valoarea curentului din sarcin;
d)
rmne constant o dat cu creterea curentului din
sarcin.

45.
4p

Valoarea componentei alternative a tensiunii de pe sarcin (V l) de la ieirea redresorului


prezentat n figura 2.6:
a)
crete o dat cu creterea curentului din sarcin;
b)
scade o dat cu creterea curentului din sarcin;
c)
nu depinde de valoarea curentului din sarcin;
d)
rmne constant o dat cu creterea curentului din
sarcin.

5.
1p

Figura 3.1 prezint


C

B
E

a)
b)
c)
d)
6.
1p

Figura 3.1
un tranzistor cu efect de cmp cu jonciune cu canal n;
un tranzistor cu efect de cmp cu jonciune cu canal p;
un tranzistor bipolar pnp;
un tranzistor bipolar npn.

Figura 3.2 prezint:


C

B
E

Figura 3.2

15 | P a g e

a)
b)
c)
d)
7.
2p

Un tranzistor bipolar care lucreaz n regim blocat se comport ca:


a)
b)
c)
d)

8.
2p

un tranzistor cu efect de cmp cu jonciune cu canal n;


un tranzistor cu efect de cmp cu jonciune cu canal p;
un tranzistor bipolar pnp;
un tranzistor bipolar npn.

un generator de curent comandat;


un scurtcircuit;
un circuit ntrerupt;
un comutator

Un tranzistor bipolar care lucreaz n regim saturat se comport ca:


a)
b)
c)
d)

un generator de curent comandat;


un scurtcircuit;
un circuit ntrerupt;
un comutator

9.
2p

Un tranzistor bipolar care lucreaz n regim activ normal se comport ntre emitor i
colector ca:
a) un generator de curent comandat;
b) un scurtcircuit;
c) un circuit ntrerupt;
d) un comutator

10.
3p

Modelul matematic aproximativ al unui tranzistor bipolar care lucreaz n regim blocat
este:

iC 0

a)

iB 0
i

v BC 0

b)

v BE 0
i

v BE V

iC i B
c)

iC i E
d)
11.
3p

Modelul matematic aproximativ al unui tranzistor bipolar care lucreaz n regim de


saturaie este:

iC 0

a)

iB 0
i

v BC 0

b)

v BE 0
i

iC i B
c)

iC i E
d)
16.
1p

v BE V

v BE V
v BE V

Pentru ca un tranzistor bipolar s funcioneze ca simplu amplificator este necesar ca


tranzistorul s opereze:
a) n regim activ normal;
b) n regim saturat;
c) n regim de blocare;
d) n regim activ inversat.

16 | P a g e

17.
3p

n situaia n care un trazistor bipolar lucreaz n regim activ normal jonciunea emitorului
este n conducie, iar jonciunea colectorului este polarizat invers. n aceast situaie apare
efectul de tranzistor. Acesta const n:
a) trecerea unui curent de valoare relativ mare prin jonciunea polarizat direct a
emitorului;
b) trecerea unui curent de valoare relativ mic prin jonciunea polarizat direct a
emitorului;
c) trecerea unui curent de valoare relativ mic prin jonciunea polarizat invers
colectorului;
d) trecerea unui curent de valoare relativ mare prin jonciunea polarizat invers
colectorului.

18.
3p

n situaia n care un trazistor bipolar lucreaz n regim activ normal, n structur apare aa
numitul efect de tranzistor. Explicaia const n faptul c:
a) exist un efect de tunelare n baz;
b) exist un efect multiplicare n avalan la nivelul bazei;
c) baza fiind foarte ngust (mult mai mic dect lungimea de difuzie), purttorii
injectai de emitor ajung n jonciunea colectorului de unde sunt preluai de
cmpul accelerant existent la nivelul jonciunii;
d) cmpul electric din baz accelereaz purttorii injectai de emitor;

19.
1p

Figura 3.3 prezint:


iC
iB

vCE
Intrare

Iesire

vBE

Figura 3.3
a)
b)
c)
d)
20.
1p

conexiunea emitor comun;


conexiunea baz comun;
conexiunea colector comun;
conexiunea dren comun.

Figura 3.4 prezint:


iE
iB

vEC
Intrare

Iesire

vBC

Figura 3.4
a)
b)
c)
d)
21.
1p

conexiunea emitor comun;


conexiunea baz comun;
conexiunea colector comun;
conexiunea dren comun.

Figura 3.5 prezint:


iE
Intrare

iC

vEB

vCB Iesire

Figura 3.5

17 | P a g e

a)
b)
c)
d)
22.
2p

n conexiunea emitor comun:


a)
b)
c)
d)

23.
2p

b)
c)
d)

semnalele de intrare (sau de comand) sunt tensiunea baz emitor, i curentul de


baz, iar semnalele de ieire (sau comandate) sunt tensiunea colector emitor i
curentul de colector;
semnalele de intrare (sau de comand) sunt tensiunea baz colector i curentul
de baz, iar semnalele de ieire (sau comandate) sunt tensiunea emitor colector
i curentul de emitor;
semnalele de intrare (sau de comand) sunt tensiunea emitor baz i curentul de
emitor, iar semnalele de ieire (sau comandate) sunt tensiunea colector baz i
curentul de colector;
semnalele de intrare (sau de comand) sunt tensiunea baz emitor, i curentul de
baz, iar semnalele de ieire (sau comandate) sunt tensiunea emitor colector i
curentul de emitor.

n conexiunea baz comun:


a)
b)
c)
d)

25.
3p

semnalele de intrare (sau de comand) sunt tensiunea baz emitor, i curentul


de baz, iar semnalele de ieire (sau comandate) sunt tensiunea colector emitor
i curentul de colector;
semnalele de intrare (sau de comand) sunt tensiunea baz colector i curentul de
baz, iar semnalele de ieire (sau comandate) sunt tensiunea emitor colector i
curentul de emitor;
semnalele de intrare (sau de comand) sunt tensiunea emitor baz i curentul de
emitor, iar semnalele de ieire (sau comandate) sunt tensiunea colector baz i
curentul de colector;
semnalele de intrare (sau de comand) sunt tensiunea baz emitor, i curentul de
baz, iar semnalele de ieire (sau comandate) sunt tensiunea emitor colector i
curentul de emitor.

n conexiunea colector comun:


a)

24.
2p

conexiunea emitor comun;


conexiunea baz comun;
conexiunea colector comun;
conexiunea dren comun.

semnalele de intrare (sau de comand) sunt tensiunea baz emitor, i curentul de


baz, iar semnalele de ieire (sau comandate) sunt tensiunea colector emitor i
curentul de colector;
semnalele de intrare (sau de comand) sunt tensiunea baz colector i curentul de
baz, iar semnalele de ieire (sau comandate) sunt tensiunea emitor colector i
curentul de emitor;
semnalele de intrare (sau de comand) sunt tensiunea emitor baz i curentul
de emitor, iar semnalele de ieire (sau comandate) sunt tensiunea colector baz
i curentul de colector;
semnalele de intrare (sau de comand) sunt tensiunea baz emitor, i curentul de
baz, iar semnalele de ieire (sau comandate) sunt tensiunea emitor colector i
curentul de emitor.

n regim cvasistatic de semnal mare tranzistorul bipolar este integral descris de dou i
numai dou ecuaii, numite ecuatii caracteristice statice, sau pe scurt, caracteristici statice.
n mod uzual acestea sunt:

iC iC vCB , iB

a)
b)
c)

iC iC vCE , i B
iC iC vCE , i B

i B i B v BE , vCE

i
i

iB iB vBC , vCE
i B i B v BE , vCE

18 | P a g e

iC iC iC , iB

i B i B v BE , vCE

d)
26.
3p

Caracteristica static de ieire este:

iC iC vCE
a)

b)

c)

iC iC i B

i B const.

vCE const.

i B i B v BE

vCE const.

i B i B vCE

v BE const.

d)
27.
3p

Caracteristica static de intrare este:

iC iC vCE
a)

b)

c)

iC iC i B

i B const.

vCE const.

i B i B v BE

vCE const.

i B i B vCE

v BE const.

d)
28.
1p

Figura 3.6 prezint caracteristica statica de ieire. Cu 1 este notat:


iC
iB4

v CB=0

iB3

1
3

iB2
iB1

vCE

Figura 3.6
a)
b)
c)
d)
29.
1p

regiunea activ normal;


regiunea de saturaie;
regiunea de blocare;
regiunea activ inversat.

Figura 3.6 prezint caracteristica statica de ieire. Cu 2 este notat:

19 | P a g e

iC
iB4

v CB=0

iB3

1
3

iB2
iB1

vCE

Figura 3.6
a)
b)
c)
d)
30.
1p

regiunea activ normal;


regiunea de saturaie;
regiunea de blocare;
regiunea activ inversat.

Figura 3.6 prezint caracteristica statica de ieire. Cu 3 este notat:


iC
iB4

v CB=0

iB3

1
3

iB2
iB1

vCE

Figura 3.6
a)
b)
c)
d)
31.

regiunea activ normal;


regiunea de saturaie;
regiunea de blocare;
regiunea activ inversat.

Figura 3.7 prezint:


iB
vCE1
vCE2>vCE1

vBE

a)
b)
c)
d)
32.
3p

Figura 3.7
caracteristica static de ieire;
caracteristica static de intrare;
caracteristica static de transfer;
caracteristica dinamic de transfer.

Schema echivalent a unui tranzistor care funcioneaz n regim de blocare este prezentat
n figura notat:
a.)
b.)
B

C
vBE

iB

iC

vCE
E

20 | P a g e

c.)

d.)
B

iB

vBE

F iB

Schema echivalent a unui tranzistor care funcioneaz n regim de saturaie este prezentat
n figura notat:
a.)
b.)
B

C
vBE

d.)
B

iB

F iB

vBE

iB

IS/ F

C
F iB

Modelul de ordin zero al unui tranzistor bipolar care opereaz n regim activ normal este
reprezentat de:
a) vBE=const.
i
iC=iE

v BE V

iC i B
b)

v
iC I S exp BE
eT
c)

iB
i

iB iC
d)

v
IS
exp BE
F
eT

v BE V

Modelul de ordin unu al unui tranzistor bipolar care opereaz n regim cvasistatic de
semnal mare n regiunea activ normal este reprezentat de:
a) vBE=const.
i
iC=iE

v BE V

iC i B
b)

v
iC I S exp BE
eT
c)

iB
i

iB iC
d)
36.
3p

iC

c.)

35.
3p

iB

vCE

34.
3p

C
F iB

IS/ F

33.
3p

iB

v
IS
exp BE
F
eT

v BE V

Modelul de ordin doi al unui tranzistor bipolar care opereaz n regim cvasistatic de semnal
mare n regiunea activ normal este reprezentat de:
a) vBE=const.
i
iC=iE

v BE V

iC i B
b)

21 | P a g e

v
iC I S exp BE
eT

iB

c)

v BE V

iB iC
d)
37.
3p

v
IS
exp BE
F
eT

Schema echivalent corespunztoare modelului de ordin unu al unui tranzistor bipolar care
opereaz n regim cvasistatic de semnal mare n regiunea activ normal este reprezentat n
figura:
a.)
b.)
B

C
vBE

c.)

d.)
B

iB

vBE

F iB

iB

C
F iB

IS/ F

Schema echivalent corespunztoare modelului de ordin doi al unui tranzistor bipolar care
opereaz n regim cvasistatic de semnal mare n regiunea activ normal este reprezentat n
figura:
a.)
b.)
B

C
vBE

iB

iC

vCE

c.)

d.)
B

iB

vBE

F iB

iB

IS/ F

48.
3p

iC

vCE

38.
3p

iB

C
F iB

Unul dintre modelele matematice pentru regimul cvasistatic de semnal mic al unui
transistor bipolar este:

v BE V

iC i B
a)

v
iC I S exp BE
eT
b)

v
IS
exp BE
F
eT

ib

vbe
r

ic
c)

iB

1
vbe
gm
i

22 | P a g e

ib

ic g m vbe
d)
49.
3p

gm

diC
I
C
dv BE eT

Mrimea
este:
a) gm[mS]=2.5IC[mA]
b) gm[mS]=4IC[mA]
c) gm[mS]=25IC[mA]
d) gm[mS]=40IC[mA]
50.
3p

gm
ntre

poart numele de transconductan (pant). Valoarea ei

r
(transconductan) i

(rezistena de intrare) exist relaia:

g m r
a)
b)

vbe
r

g m r
r g m

c)

gm

r
d)
51.
3p

Circuitele de polarizare ale unui tranzistor bipolar au rolul de a:


a)
b)
c)
d)

52.
4p

stabiliza PSF numai funcie de efectele temperaturii;


stabilizarea PSF numai funcie de efectele dispersiei parametrilor;
stabilizarea PSF funcie de efectele temperaturii sau dispersia parametrilor;
stabilizarea PSF funcie de efectele temperaturii i dispersia parametrilor.

Figura 3.10 prezint un circuit elementar de polarizare al unui tranzistor bipolar. Schema
echivalent pentru regimul static a acestui circuit este:
EC
RB

RC

Figura 3.10
b.)

a.)
RB

RC

IB

VBE

RB
B

EC
IB

IB

VCE

c.)

RC
VBE

I
EC

IB

VCE

d.)

23 | P a g e

RB

RC

IB

VBE

RB
B

EC
IB

VCE

VBE

I
EC

IB

VCE

Figura 3.10 prezint un circuit elementar de polarizare al unui tranzistor bipolar. Curentul
IC are expresia:

a)

b)

c)

d)
54.
4p

IB

53.
4p

RC

EC VBE
RC

EC VBE
RC

EC VBE
RB

EC VBE
RB

IC =

IC =

IC=

IC =

Figura 3.11 prezint un circuit practic de polarizare al unui tranzistor bipolar. Rezistorul
RE asigur stabilizarea termic a etajului. Mecanismul prin care se realizeaz aceasta este:
EC
R B1

RC

R B2

RE

Figura 3.11
a)

T IC VRE VE VBE IC

b)

T IC VRE VE VBE IC

c)

T IC VRE VE VBE IC

d)

T IC VRE VE VBE IC

unde:
VRE
VE

- cderea de tensiune pe RE;


- potenialul emitorului.

24 | P a g e

55.
4p

Figura 3.11 prezint un circuit practic de polarizare al unui tranzistor bipolar. Schema
echivalent a lui este:
a)
b)
RB1

I1

RC

IB

VBE

I2
RB2

VCE

VBE

RB2

EC
IB

I2

RE

IB

VCE

RE

IE

IE

c)

d)
RB2

I1

RC

IB

VBE

R1

I1

RB2

RC

EC
IB

I2

IB

VCE

VBE

RE

RB1

I
EC

IB

I2

IE

56.
4p

RC

EC
IB

I1

RB1

VCE

RE
IE

Figura 3.11 prezint un circuit practic de polarizare al unui tranzistor bipolar. Figura 3.12
prezint schema echivalent pentru regimul static a circuitului din figura 3.11. Aplicnd
teoremele lui Kirchhoff se obine sistemul de ecuaii:
RB1

I1

RC

B
IB

C
VBE

RB2

EC
IB

I2

VCE

RE
IE

Figura 3.12
a)

I=I1+IB
I2=I1+IB
IB+IB=IE
EC=IBRC+VCE+IERE
-VBE=-VCE-IBRC+I1RB1
VBE=I2RB2-IERE

b)

I=I1+IB
I1=I2+IB
IB+IB=IE
EC=IBRC+VCE+IBRE
-VBE=-VCE-IBRC+I1RB1
VBE=I2RB2-IERE

c)

I=I1+IB
I1=I2+IB
IB+IB=IE
EC=IBRC+VBE+IERE
-VBE=-VCE-IBRC+I1RB1
VBE=I2RB2-IERE

25 | P a g e

d)

57.
4p

I=I1+ IB
I1=I2+IB
IB+ IB=IE
EC= IBRC+VCE+IERE
-VBE=-VCE- IBRC+I1RB1
VBE=I2RB2-IERE

Figura 3.11 prezint un circuit practic de polarizare al unui tranzistor bipolar. Echivalnd
Thevenin divizorul din baz se obine schema din figura:
a)
b)
EC

EC

RE

RC

EB

EB
RB

RC

RB

c)

d)
EC

EC

RC

RB

EB

EB
RE

E B EC
unde:
58.
4p

RE

RB

RC

R B2
RB1 R B2

RB

RE

RB1 RB2
RB1 RB2

Figura 3.11 prezint un circuit practic de polarizare al unui tranzistor bipolar. Echivalnd
Thevenin divizorul din baz se obine schema din figura 3.13. Schema echivalent pentru
regimul static a acestui circuit este:
EC
RC
EB
RB

a)

RE

Figura 3.13
b)

26 | P a g e

RC
B
IB

C
VBE

EB
RB

EC
IB

C
VBE

IB

VCE

RE

RB

EC
IB

EB

IE

VCE

RE
IE

c)

d.)
I

RC
B
IB

RB

EC
IB

RC

C
VBE

EB

C
VBE

IB

VCE

RE

RB

EC
IB

EB

IE

59.
4p

RC

VCE

RE
IE

Figura 3.11 prezint un circuit practic de polarizare al unui tranzistor bipolar. Echivalnd
Thevenin divizorul din baz se obine schema din figura 3.13. Schema echivalent pentru
regimul static a acestui circuit este prezentat n figura 3.14. Aplicnd teoremele lui
Kirchhoff se obine sistemul de ecuaii:
I

RC
B
IB

C
VBE

EB
RB

EC
IB

VCE

RE
IE

Figura 3.14
a)

IE=IE+IB
EC=IBIC+VCE+IE
EB-VBE=REIE+RBIB

b)

IE=IB+IC
EC=IBIC+VCE+IE
EB-VBE=REIE+RBIB

c)

IE=IB+ IB
EC= IBIC+VCE+IE
EB-VBE=REIE+RBIB

d)

IE=IB+IB
EC=IBIC+VBE+IE
EB-VBE=REIE+RBIB

EB EC
unde:
60.

R B2
RB1 R B2

RB

RB1 RB2
R B1 RB2

Figura 3.11 prezint un circuit practic de polarizare al unui tranzistor bipolar. Curentul I C

27 | P a g e

4p

are expresia:
a)

b)

c)

d)

61.
3p

IC

EB VBE
RB 1 RE

IC

EC VBE
RB 1 RE

IC

EB VBE
RE 1 RB

IC

EB VCE
RB 1 RE

Unul dintre modelele matematice pentru regimul cvasistatic de semnal mic al unui
transistor bipolar este:

v BE V

iC i B
a)

v
iC I S exp BE
eT
b)

1
vbe
gm

c)

ib

vbe
r

ib

vbe
r

i c ib
d)

Unul dintre modelele matematice pentru regimul cvasistatic de semnal mic al unui

ib

i c ib
transistor bipolar este
prezentat n figura notat:
a.)
B

ib

vbe
r
. Schema echivalent corespunztoare este
b.)

ic
r

ib

ic

vbe

ib

gmvbe

c.)

d.)
B
vBE
E

63.
2p

v
IS
exp BE
F
eT

ic

62.
2p

iB

iB

C
F iB

B
IS/F

iB

C
F iB

Unul dintre modelele matematice pentru regimul cvasistatic de semnal mic al unui

28 | P a g e

ic g m v be
transistor bipolar este
este prezentat n figura notat:
a.)
B

ib

ic
r

vbe
r

ib
i

. Schema echivalent corespunztoare


b.)

ib

B
vbe

ib

gmvbe

c.)

d.)
iB

vBE

iB

F iB

C
F iB

IS/F

1.
1
p

ic

Schema de principiu a unui etaj emitor comun este prezentat n figura:


a)

b)
EC
iC

EC
iIN

RC

iIN

vIN
vIN

RE

vO

c)

d)
EC
iC

EC
RC
Iin

vIN

RC

R B1

iIN

2.
1
p

vO

vO

Vin

C1

C2
Vo

R B2

RE

CE

Schema de principiu a unui etaj colector comun este prezentat n figura:


a)

b)
EC
iC

EC
iIN

RC

iIN

vIN
vIN

c)

vO

RE

vO

d)

29 | P a g e

EC
iC

EC
RC

R B1

iIN

Iin

C1
C2

vIN

3.
1
p

vO

Vin

R B2

Vo

RE

Schema de principiu a unui etaj baz comun este prezentat n figura:


a)

b)
EC
iC

EC
iIN

RC

iIN
vIN
vIN

RE

vO

c)

vO

d)
+EC

EC
iC

R B2

RC

Iin

iIN
vIN

4.
2
p

RC

C1
Vin

vO

C2

RE

CB

R B1

Vo

Schema de principiu a unui etaj emitor comun este prezentat n figura 4.1. Tranzistorul T
este blocat dac: A
EC
iC

RC

iIN
vIN

vO

Figura 4.1
5.
2
p

Schema de principiu a unui etaj emitor comun este prezentat n figura 4.1. Tranzistorul T
opereaz n regim activ normal dac:
a)
b)
c)
d)

6.
2
p

vIN<V
V<vIN<VBEsat
vINvBEsat
vIN>>vBEsat

Schema de principiu a unui etaj emitor comun este prezentat n figura 4.1. Tranzistorul T
opereaz n regim saturat dac:

30 | P a g e

a)
b)
c)
d)
7.
2
p

vIN<V
V<vIN<VBEsat
vINvBEsat
vIN>>vBEsat

Schema de principiu a unui etaj colector comun este prezentat n figura 4.2. Tranzistorul T
este blocat dac:
EC
iIN
vIN

vIN

, V

RE

vO

Figura 4.2

a)

V
b)
c)

vIN [
vIN=EC

, EC)

vIN , V

d)
8.
2
p

Schema de principiu a unui etaj colector comun este prezentat n figura 4.2. Tranzistorul T
opereaz n regim activ normal dac:

vIN , V
a)

V
b)
c)

vIN [
vIN=EC

, EC)

vIN , V

d)
9.
2
p

Schema de principiu a unui etaj colector comun este prezentat n figura 4.2. Tranzistorul T
opereaz n regim saturat dac:

vIN , V
a)

V
b)
c)

vIN [
vIN=EC

, EC)

vIN , V

d)
1
0.
2
p

Schema de principiu a unui etaj baz comun este prezentat n figura 4.3. Tranzistorul T
este blocat dac:

31 | P a g e

EC
iC

RC

iIN
vIN

vO

Figura 4.3

v IN v BEsat
a)

11
.
2
p

b)

vIN

V ,

(-vBEsat, -

c)

vIN

V ,

d)

vIN

Schema de principiu a unui etaj baz comun este prezentat n figura 4.3. Tranzistorul T
opereaz n regim activ normal dac:

v IN v BEsat
a)

1
2.
2
p

b)

vIN

V ,

(-vBEsat, -

c)

vIN

V ,

d)

vIN

Schema de principiu a unui etaj baz comun este prezentat n figura 4.3. Tranzistorul T
opereaz n regim saturat dac:

v IN v BEsat
a)

1
3.
2
p

b)

vIN

V ,

(-vBEsat, -

c)

vIN

V ,

d)

vIN

Schema de principiu a unui etaj emitor comun este prezentat n figura 4.1. Tranzistorul T
este blocat dac vIN<V. n aceste condiii schema echivalent de semnal mare pentru regim
cvasistatic este:
a)

b)

32 | P a g e

EC

iC

EC
iIN B

RC
E

C
B

vIN

vIN
vO

c)

RE

vO

d)
EC

iC

EC
RC

1
4.
3
p

C
E

vIN

RC
RB

v IN 0

vO

C
vO

Schema de principiu a unui etaj colector comun este prezentat n figura 4.2. Tranzistorul T

v IN , V

este blocat dac


pentru regim cvasistatic este:
a)
b)

. n aceste condiii schema echivalent de semnal mare

EC

iC

EC
iIN B

RC
E

C
B

vIN

vIN
vO

c)

RE

vO

d)
EC

iC

EC
RC

B
vIN

1
5.
3
p

RC

C
E

RB

v IN 0

vO

C
vO

Schema de principiu a unui etaj baz comun comun este prezentat n figura 4.3.

V ,

Tranzistorul T este blocat dac


semnal mare pentru regim cvasistatic este:
a)
b)

. n aceste condiii schema echivalent de


EC
iIN B

C
E

vIN

RE

vO

33 | P a g e

EC

iC

RC
E

C
B

vIN

vO

c)

d)
EC

iC

EC
RC

1
6.
2
p

RB

vIN

RC
B

v IN 0

vO

C
vO

Schema de principiu a unui etaj emitor comun este prezentat n figura 4.1. Tranzistorul T
opereaz n regim activ normal dac V<vIN<VBEsat. n aceste condiii schema echivalent de
semnal mare pentru regim cvasistatic este::
a)

b)
iC

iIN

EC

EC
iIN

RC
iIN B

vBE

iIN

vIN

vIN

vO

RE

vO

c)

d)
iC

It

EC

Ib

vIN

Ic
Ib

C
iIN

C
r

RC
iIN E

Vt

Ir

RB
RE

vO

Vot

1
7.
2
p

Schema de principiu a unui etaj colector comun este prezentat n figura 4.2. Tranzistorul T

V
opereaz n regim activ normal dac vIN [
semnal mare pentru regim cvasistatic este:
a)
b)

, EC). n aceste condiii schema echivalent de

34 | P a g e

iC

iIN

EC

EC
iIN

RC
iIN B

vBE

iIN

vIN

vIN

vO

RE

vO

c)

d)
iC

It

EC

Ib

Vt

Ir

RB
RE

vO

iIN

Ib

vIN

Ic

RC
iIN E

Vot

1
8.
2
p

Schema de principiu a unui etaj baz comun este prezentat n figura 4.3. Tranzistorul T
opereaz n regim activ normal dac

vIN (-vBEsat, ). n aceste condiii schema echivalent de semnal mare pentru regim
cvasistatic este:
a)
b)
iC

iIN

EC

EC
iIN

RC
iIN B

vBE

iIN

vIN

vIN

vO

RE

vO

c)

d)
iC

It

EC

Ib

vIN

Ic
Ib

C
iIN

C
r

RC
iIN E

Vt

Ir

RB
RE

vO

Vot

1
9.
2
p

Schema de principiu a unui etaj emitor comun este prezentat n figura 4.1. Tranzistorul T
opereaz n regim saturat dac vINvBEsat n aceste condiii schema echivalent de semnal
mare pentru regim cvasistatic este::
a)

b)

35 | P a g e

EC

EC
RC

vCEsat
B
vIN vBEsat

v IN EC

vO

vBEsat

vO

c)

d)
EC

EC
C

B
vBEsat

vCEsat

vIN

RC

vCEsat

vIN vBEsat

vO

RE

2
0.
2
p

RC

vCEsat
RB

vO
B

Schema de principiu a unui etaj colector comun este prezentat n figura 4.2. Tranzistorul T
opereaz n regim saturat dac vIN=EC. n aceste condiii schema echivalent de semnal mare
pentru regim cvasistatic este:
a)

b)
EC

EC
RC

vCEsat
B

vIN vBEsat

v IN EC

vO

vBEsat

vO

c)

d)
EC

EC
C

B
vBEsat

vCEsat

vIN

RC

vCEsat

vIN vBEsat

vO

RE

2
1.
2
p

RC

vCEsat
RB

vO
B

Schema de principiu a unui etaj baz comun este prezentat n figura 4.3. Tranzistorul T

v IN v BEsat

opereaz n regim saturat dac


semnal mare pentru regim cvasistatic este:
a)
b)

n aceste condiii schema echivalent de

EC

EC
RC

vCEsat
B

vIN vBEsat

v IN EC

vO
E

c)

RC

vCEsat
RB

vBEsat

vO
E

d)

36 | P a g e

EC

EC
C

B
vBEsat

vCEsat
E

vIN
RE

2
2.
4
p

vCEsat

vIN vBEsat

vO

RC
C
vO

Schema de principiu a unui etaj emitor comun este prezentat n figura 4.1. Dac tranzistorul
T este blocat, tensiunea de ieire are valoarea:
a)

vO=EC;

b)
c)

vO=0;

vO vCE sat
;

vO vBEsat

d)
2
3.
4
p

Schema de principiu a unui etaj colector comun este prezentat n figura 4.2. Dac
tranzistorul T este blocat, tensiunea de ieire are valoarea:
a)

vO=EC;

b)
c)

vO=0;

vO vCE sat
;

vO vBEsat

d)
2
4.
4
p

Schema de principiu a unui etaj baz comun este prezentat n figura 4.3. Dac tranzistorul
T este blocat, tensiunea de ieire are valoarea:
a)

vO=EC;

b)
c)

vO=0;

vO vCE sat
;

vO vBEsat

d)
2
5.
4
p

Schema de principiu a unui etaj emitor comun este prezentat n figura 4.1. Dac tranzistorul
T opereaz n regim activ normal, tensiunea de ieire are valoarea:

v
vO EC RC I S exp IN
eT
a)
b)

vO=vIN-vBE

vO VCE sat 0

c)

37 | P a g e

vO EC I S RC exp

vIN
eT

d)
2
6.
4
p

Schema de principiu a unui etaj colector comun este prezentat n figura 4.2. Dac
tranzistorul T opereaz n regim activ normal, tensiunea de ieire are valoarea:

v
vO EC RC I S exp IN
VT
a)
b)

vO=vIN-vBE

vO VCE sat 0

c)

v O E C I S R C exp

v IN
VT

d)
2
7.
4
p

Schema de principiu a unui etaj baz comun este prezentat n figura 4.3. Dac tranzistorul
T opereaz n regim activ normal, tensiunea de ieire are valoarea:

v
vO EC RC I S exp IN
eT
a)
b)

vO=vIN-vBE

vO VCE sat 0

c)

vO EC I S RC exp

vIN
eT

d)
2
8.
4
p

Schema de principiu a unui etaj emitor comun este prezentat n figura 4.1. Dac tranzistorul
T opereaz n regim saturat, tensiunea de ieire are valoarea:
a)
b)
c)
d)

2
9.
4
p

Schema de principiu a unui etaj colector comun este prezentat n figura 4.2. Dac
tranzistorul T opereaz n regim saturat, tensiunea de ieire are valoarea:
a)
b)
c)
d)

5
7.

vO=vCEsat
vO=EC-vCEsat
vO=EC
vO=EC-vBEsat

vO=vCEsat
vO=EC-vCEsat
vO=EC
vO=EC-vBEsat

Figura 4.7 prezint un etaj emitor comun atacat cu un generator de tensiune V t pentru a
permite calculul amplificrii n tensiune precum i a rezistenei de intrare. Schema

38 | P a g e

4
p

echivalent de semnal mic, regim cvasistatic este:


EC
RC

R B1
It

C1

Vt

C2
Vot

R B2

RE

CE

Figura 4.7
a)

b)
Ir
It
Vt

Ib

RB

C
Vbe

Ic

gmVbe

RC

RB

Vot

Vbe gmVbe

It

RC

Vt
-

c)

d)
It

Ib

Ic

Ib
It

Ib

r
Vt

Ir

Vt

RB
RE

Ib

Ie

5
8.
4
p

RE

Vx

RC

Vot

Vot

Figura 4.8 prezint un etaj colector comun atacat cu un generator de tensiune V t pentru a
permite calculul amplificrii n tensiune precum i a rezistenei de intrare. Schema
echivalent de semnal mic, regim cvasistatic este:
EC
R B1
It

C1
C2

Vt

Vot
R B2

RE

Figura 4.8
a)

b)
Ir
It
Vt

c)

RB

Ib
r

C
Vbe

gmVbe

Ic
RC

RB

Vot

Vbe gmVbe

r
E

It

RC

Vt
-

d)

39 | P a g e

It

Ib

Ic

Ib

Ib

r
E
Vt

Ir

Ib

Ie
Vt

RB
RE

5
9.
4
p

It

RE

Vx

RC

Vot

Vot

Figura 4.9 prezint un etaj baz comun atacat cu un generator de tensiune V t pentru a
permite calculul amplificrii n tensiune precum i a rezistenei de intrare. Schema
echivalent de semnal mic, regim cvasistatic este:
+E C
R B2

RC

It
C1
Vt

C2

RE

CB

Vot

R B1

Figura 4.9
a)

b)
Ir
It
Vt

Ib

RB

c)

It

C
Vbe

Ic

gmVbe

RC

Ib

Ic

Ir

RE

6
0.
4
p

RC

Vt
-

d)

Ib
It
Ie

Vt

RB

It

Ib

Vbe gmVbe

r
Vt

RB

Vot

RE

Ib
r

Vx

RC

Vot

Vot

Figura 4.7 prezint un etaj emitor comun atacat cu un generator de tensiune V t pentru a
permite calculul amplificrii n tensiune precum i a rezistenei de intrare. tiind c

AV
amplificarea n tensiune este definit prin relaia
este:

Vot
Vt
, expresia acestei amplificri

Av g RC

a)
b)
c)

Av g m RC

;
;

Av 1
;

40 | P a g e

Av g m RC
d)
6
1.
4
p

Figura 4.8 prezint un etaj colector comun atacat cu un generator de tensiune V t pentru a
permite calculul amplificrii n tensiune precum i a rezistenei de intrare. tiind c

AV

Vot
Vt

amplificarea n tensiune este definit prin relaia


este:

, expresia acestei amplificri

Av g RC

a)
b)
c)

Av g m RC

Av 1
;

Av g m RC

d)
6
2.
4
p

Figura 4.9 prezint un etaj baz comun atacat cu un generator de tensiune V t pentru a
permite calculul amplificrii n tensiune precum i a rezistenei de intrare. tiind c

AV
amplificarea n tensiune este definit prin relaia
este:

Vot
Vt
, expresia acestei amplificri

Av g RC

a)
b)

c)

Av g m RC

1 RE
Av
r 1 RE

1
;

Av g m RC

d)
6
3.
4
p

Figura 4.7 prezint un etaj emitor comun atacat cu un generator de tensiune V t pentru a
permite calculul amplificrii n tensiune precum i a rezistenei de intrare. tiind c

R in
rezistena de intrare este definit prin relaia
intrare este:

Rin RE

rm
r
m
1

Rin RE

r
r

1

Vt
It
, expresia acestei rezistene de

a)

b)

41 | P a g e

Rin RB r 1 RE RB RE RE
c)

Rin RB r r
d)
6
4.
4
p

Figura 4.8 prezint un etaj colector comun atacat cu un generator de tensiune V t pentru a
permite calculul amplificrii n tensiune precum i a rezistenei de intrare. tiind c

R in

Vt
It

rezistena de intrare este definit prin relaia


intrare este:

Rin RE

rm
r
m
1

Rin RE

r
r

1

, expresia acestei rezistene de

a)

b)

Rin RB r 1 RE RB RE RE

c)

Rin RB r r
d)
6
5.
4
p

Figura 4.9 prezint un etaj baz comun atacat cu un generator de tensiune V t pentru a
permite calculul amplificrii n tensiune precum i a rezistenei de intrare. tiind c

R in
rezistena de intrare este definit prin relaia
intrare este:

Rin RE

rm
r
m
1

Rin RE

r
r

1

Vt
It
, expresia acestei rezistene de

a)

b)

Rin RB r 1 RE RB RE RE

c)

Rin RB r r
d)
6
6.
4
p

Figura 4.10 prezint un etaj emitor comun atacat la ieire cu un generator de tensiune pentru
a evalua rezistena de ieire. Schema echivalent de semnal mic, regim cvasistatic este:

42 | P a g e

+E C

R B1

It

RC
C2

C1

CS

Vt

R B2

RE

CE

Figura 4.10
a)

b)

It

Ib

+
RC

Vt

Ib

r
RB

It

Ie

RE

Vt
-

c)

It

Ib

d)

Ic
Ib

r
Ir

6
7.
4
p

Vt

RB
RE

Ib

Ie

E
Vt

Ib
It

RE

Vx

RC

Vot

Vot

Figura 4.11 prezint un etaj colector comun atacat la ieire cu un generator de tensiune
pentru a evalua rezistena de ieire. Schema echivalent de semnal mic, regim cvasistatic
este:
+E C

R B1

CS

C2

C1
R B2

It
+

RE

Vt

Figura 4.11
a)

It

Ib

Ic

b)

c)

RB

RB
RE

C
r

E
Ir

Ib

r
Vt

Ib

Ib

Ie

It

RE

Vot

Vt
-

d)

43 | P a g e

It

Ib
It

+
RC

Vt

6
8.
4
p

Ib

Ie

Vt

RE

Vx

RC

Vot

Figura 4.12 prezint un etaj baz comun atacat la ieire cu un generator de tensiune pentru
a evalua rezistena de ieire. Schema echivalent de semnal mic, regim cvasistatic este:
+E C
R B2

RC
It

C1
Cs

C2

RE

CB

Vt

R B1

Figura 4.12
a)

b)

It

Ib

C
Ib

RC

RB

Vt

It

Ie

RE

Vt
-

c)

It

Ib

E
Ir

6
9.
3
p

Ib
It
Ie

Vt

RB
RE

d)

Ib

r
Vt

Ic

RE

Ib
r

Vx

RC

Vot

Vot

Figura 4.11 prezint un etaj colector comun atacat la ieire cu un generator de tensiune
pentru a evalua rezistena de ieire. Expresia ei este:

Ro RB r 1 RE RB RE RE
a)

Ro RB r r
b)

Ro RE

r
r

1

c)

Ro RC
d)

44 | P a g e

7
0
3
p

Figura 4.10 prezint un etaj emitor comun atacat la ieire cu un generator de tensiune pentru
a evalua rezistena de ieire. Expresia ei este:

Ro RB r 1 RE RB RE RE
a)

Ro RB r r
b)

Ro RE

r
r

1

c)

Ro RC
d)
7
1
3
p

Figura 4.12prezint un etaj baz omun atacat la ieire cu un generator de tensiune pentru a
evalua rezistena de ieire. Expresia ei este:

Ro RB r 1 RE RB RE RE
a)

Ro RB r r
b)

Ro RE

r
r

1

c)

Ro RC
d)
7
2.
3
p

Figura 4.13 prezinta schema unui inversor saturat: Acesta realizeaz funcia logic:

EC
RC
RB
vIN

vO

Figura 4.13
a) AND;
b) NOT;
c) OR;
d) NAND.
Rspuns corect b)
5.
1p

Simbolul unui tranzistor cu efect de cmp cu jonciune cu canal p este prezentat n figura notat:
a)

b)

45 | P a g e

D
B

c)

d)

D
G

6.
1p

Simbolul unui tranzistor cu efect de cmp cu jonciune cu canal n este prezentat n figura notat:

a)

b)

D
B

c)

d)

D
G

S
7.
2p

Curentul principal din TECJ se stabilete ntre:


a)
b)
c)
d)

12.
1p

gril i dren;
surs i dren;
surs i gril;
gril i dren.

Conexiunea surs comun a unui TECJ este prezentat n figura notat:


a)

b)

46 | P a g e

iIN

D i
O

iO

vIN S
iIN

vO

vO

vIN

c)

d)
S

iO

iIN
vIN

iIN
vIN

vO

iO

vO

G
D

13.
1p

Conexiunea dren comun a unui TECJ este prezentat n figura notat:


a)

b)
D i
O
iIN

iIN
vIN S

vO
G

vIN

iO
D

vO

G
S

c)

d)
S

iO

iIN
vIN

iIN
vIN

vO

iO

vO

G
D

14.
1p

Conexiunea gril comun a unui TECJ este prezentat n figura notat:

a)

b)
D iO
iIN
vIN

iIN

iO

vIN S

vO
G

vO

G
S

c)

d)

47 | P a g e

S
iIN
vIN

iO

iIN
vO

b)
c)
d)

b)
c)
d)

b)
c)
d)

are ca mrimi de intrare tensiunea gril - surs i curentul de gril, iar ca mrimi de ieire tensiunea dren - surs
i curentul de dren;
are ca mrimi de intrare tensiunea surs - gril i curentul de surs, iar ca mrimi de ieire tensiunea dren - gril
i curentul de dren;
are ca mrimi de intrare tensiunea gril - dren i curentul de gril, iar ca mrimi de ieire tensiunea surs dren i curentul de surs;
are ca mrimi de intrare tensiunea gril - dren i curentul de gril, iar ca mrimi de ieire tensiunea dren surs i curentul de dren.

n mod uzual, un tranzistor cu efect de cmp este descris de dou ecuaii de forma:
a)
b)
c)
d)

19.
2p

are ca mrimi de intrare tensiunea gril - surs i curentul de gril, iar ca mrimi de ieire tensiunea dren - surs
i curentul de dren;
are ca mrimi de intrare tensiunea surs - gril i curentul de surs, iar ca mrimi de ieire tensiunea dren
- gril i curentul de dren;
are ca mrimi de intrare tensiunea gril - dren i curentul de gril, iar ca mrimi de ieire tensiunea surs dren i curentul de surs;
are ca mrimi de intrare tensiunea gril - dren i curentul de gril, iar ca mrimi de ieire tensiunea dren surs i curentul de dren.

Conexiunea dren comun a unui tranzistor cu efect de cmp:


a)

18.
3p

are ca mrimi de intrare tensiunea gril - surs i curentul de gril, iar ca mrimi de ieire tensiunea dren surs i curentul de dren;
are ca mrimi de intrare tensiunea surs - gril i curentul de surs, iar ca mrimi de ieire tensiunea dren - gril
i curentul de dren;
are ca mrimi de intrare tensiunea gril - dren i curentul de gril, iar ca mrimi de ieire tensiunea surs dren i curentul de surs;
are ca mrimi de intrare tensiunea gril - dren i curentul de gril, iar ca mrimi de ieire tensiunea dren surs i curentul de dren.

Conexiunea gril comun a unui tranzistor cu efect de cmp:


a)

17.
3p

Conexiunea surs comun a unui tranzistor cu efect de cmp:


a)

16.
3p

iO

vIN

vO
D

15.
3p

iG=iG(vGS,vDS)
iG=iG(vGD,vDS)
iG=iG(vGS,vDS)
iG=iG(vGD,vDS)

i
i
i
i

iD=iD(vGS,vDS)
iD=iD(vGS,vDS)
iD=iD(vGD,vDS)
iD=iD(vGD,vDS)

ntruct n funcionarea normal jonciunea grilei a unui TECJ este polarizat invers curentul de gril este:

iG iG (vDS )

U GS const.

a)

iG iG (vGS )

U GS const.

b)

48 | P a g e

iG 0
c)

iG

vDS
rDS

d)
20.
1p

Figura 5.2 prezint caracteristica de ieire a unui TECJ. Cu I a fost notat:

III.
II.

iD

vGS-vT
IV.

vGS=0.1V
vGS=0V

I.

vGS=2V
vGS=-4V
vGS=VT

vDS

Figura 5.2
a)
b)
c)
d)
21.
1p

Figura 5.2 prezint caracteristica de ieire a unui TECJ. Cu II a fost notat:


a)
b)
c)
d)

22.
1p

regiunea de blocare;
regiunea liniar;
regiunea de cot;
regiunea de saturaie.

Un TECJ care funcioneaz n regiunea liniar se comport ca


a)
b)
c)
d)

25.
2p

regiunea de blocare;
regiunea liniar;
regiunea de cot;
regiunea de saturaie.

Figura 5.2 prezint caracteristica de ieire a unui TECJ. Cu IV a fost notat:


a)
b)
c)
d)

24.
2p

regiunea de blocare;
regiunea liniar;
regiunea de cot;
regiunea de saturaie.

Figura 5.2 prezint caracteristica de ieire a unui TECJ. Cu III a fost notat:
a)
b)
c)
d)

23.
1p

regiunea de blocare;
regiunea liniar;
regiunea de cot;
regiunea de saturaie.

rezisten comandat;
un generator de curent comandat;
un circuit ntrerupt;
un generator de tensiune comandat.

Un TECJ care funcioneaz n regiunea de blocare se comport ca


a)
b)
c)
d)

rezisten comandat;
un generator de curent comandat;
un circuit ntrerupt;
un generator de tensiune comandat.

49 | P a g e

26.
2p

Un TECJ care funcioneaz n regiunea de saturaie se comport ca


a)
b)
c)
d)

27.
3p

rezisten comandat;
un generator de curent comandat;
un circuit ntrerupt;
un generator de tensiune comandat.

Caracteristica de ieire a unui TECJ este prezentat n figura notat:


a)

b)
Regiune
de cot

iD

vGS-vT
Regiune de saturatie

Regiune
liniara

vGS=4V

vGS=2V
vGS=VT

vDS

d)
Regiune
de cot

iD

iC

vGS-vT
Regiune de saturatie

Regiune
liniara

vCB=0
vGS=0.1V
vGS=-2V

iB4
iB3
iB2

Regiunea de
blocare

vGS=-4V
vGS=VT

Regiunea activ normal

Regiunea de
saturatie

vGS=0V

Regiune de
blocare

28.
3p

vGS=4V

vDS

c)

vGS=8V
vGS=6V

Regiune de
blocare

vGS =-4V
vGS =VT

vGS-vT
Regiune de saturatie

Regiune
liniara

vGS=2V
vGS=0V

Regiune de
blocare

iD

Regiune
de cot

iB1

vDS

vCE

Caracteristica de intrare a unui TECJ este prezentat n figura notat:


a)

b)
iD

iD

IDSS

VT

VT

vGS

1V

c)

vGS

d)
iD

iB
vCE1
vCE2>vCE1

IDSS
VT

29.
3p

1V vGS

vBE

Modelul matematic (aproximativ) al unui TECJ care lucreaz n regiunea de blocare - regim cvasistatic de semnal mare este:
a) iG=0
i
iD=0

v
i D I DSS 1 GS
VT

b)

iG=0

50 | P a g e

v
iD Go 1 GS

VT

c)

iG=0

iB

d)

v
IS
exp BE
F
eT

Modelul matematic (aproximativ) al unui TECJ care lucreaz n regiunea de saturaie - regim cvasistatic de semnal mare este:
a) iG=0
i
iD=0

b)

iG=0

v
i D Go 1 GS

VT

c)

iG=0

u DS

v
iC I S exp BE
eT

iB

d)

v
IS
exp BE
F
eT

Modelul matematic (aproximativ) al unui TECJ care lucreaz n regiunea liniar - regim cvasistatic de semnal mare - este:
a)

iG=0

iD=0
2

v
i D I DSS 1 GS
VT

b)

iG=0

v
i D Go 1 GS

VT

c)

iG=0

u DS

v
iC I S exp BE
eT

iB

d)
32.
3p

vDS

v
i D I DSS 1 GS
VT

31.
3p

v
iC I S exp BE
eT
30.
3p

v
IS
exp BE
F
eT

Schema echivalent a unui TECJ care lucreaz n regiunea liniar - regim cvasistatic de semnal mare - este:
a)

b)
B
vBE

iB

C
FiB

R
S

c)

D
vGS

d)

51 | P a g e

D
vGS

IDSS 1 vGS

33.
3p

vGS

VT

Schema echivalent a unui TECJ care lucreaz n regiunea de saturaie - regim cvasistatic de semnal mare - este:
a)

b)
B

iB

D
vGS

FiB

vBE

R
S

c)

d)

D
vGS

IDSS 1 vGS

vGS

VT

34.
3p

b)
B

iB

D
vGS

FiB

vBE

R
S

c)

d)

D
vGS

IDSS 1 vGS

vGS

VT

vDS

Simbolul unui TECMOS cu canal indus tip n este:


a.)

b.)

c.)

d.)

12
1p

vDS

Schema echivalent a unui TECJ care lucreaz n regiunea de blocare - regim cvasistatic de semnal mare - este:
a)

11
1p

vDS

B
S

Simbolul unui TECMOS cu canal indus tip p este:


a.)

b.)

c.)

d.)

52 | P a g e

D
B

B
S

b.)

c.)

d.)
D

D
B

B
S

Simbolul unui TECMOS cu canal iniial tip p este:


a.)

b.)

c.)

d.)
D

D
B

D
B

21.
1p

Simbolul unui TECMOS cu canal inial tip n este:


a.)

14
1p

D
B

13
1p

B
S

Conexiunea surs comun a unui TECMOS cu canal iniial de tip n este prezentat n
figura notat:
a)
b)
iO

iIN

iIN

vO

vIN

vIN

c)

iO
vO

d)
iO

iIN
iIN

vO

vIN

iO
vO

vIN

22
1p

Conexiunea dren comun a unui TECMOS cu canal iniial de tip n este prezentat n
figura notat:
a)
b)

53 | P a g e

iO
iIN

iIN

iO

vIN

vO

vO

vIN

c)

d)
iO

iO

iIN
iIN

vIN

vO

vO

vIN

23.
1p

Conexiunea gril comun a unui TECMOS cu canal iniial de tip n este prezentat n
figura notat:
a)
b)
iO

iIN

iIN

vO

vIN

vIN

c)

iO
vO

d)
iO

iO

iIN
iIN

vIN

vO

vO

vIN

24.
1p

Conexiunea surs comun a unui TECMOS cu canal indus de tip n este prezentat n
figura notat:
a)
b)
iO

iIN

iIN

vO

vIN

vIN

c)

iO
vO

d)
iO

iIN
iIN

vO

vIN

iO
vO

vIN

25.
1p

Conexiunea dren comun a unui TECMOS cu canal indus de tip n este prezentat n
figura notat:
a)
b)

54 | P a g e

iO
iIN

iIN

iO

vIN

vO

vO

vIN

c)

d)
iO

iO

iIN
iIN

vIN

vO

vO

vIN

26.
1p

Conexiunea gril comun a unui TECMOS cu canal indus de tip n este prezentat n
figura notat:
a)
b)
iO

iIN

iIN

vO

vIN

vIN

c)

iO
vO

d)
iO

iIN
iIN

vO

vIN

iO
vO

vIN

27.
2p

ntruct grila unui TECMOS este izolat de canal printr-un strat de bioxid de siliciu
curentul de gril este:

iG iG (vDS )

U GS const.

a)

iG iG (vGS )

U GS const.

b)

iG 0
C)

iG

vDS
rDS

d)
28.
1p

Figura 6.3 prezint caracteristica de ieire a unui TECMOS cu canal iniial de tip n. Cu I
a fost notat:

55 | P a g e

iD

III.

vGS-vT
IV.

II.

vGS=0.1V
vGS=0V

I.

vGS=2V
vGS=-4V
vGS=VT

vDS

Figura 6.3
e)
f)
g)
h)

regiunea de blocare;
regiunea liniar;
regiunea de cot;
regiunea de saturaie.

29.
1p

Figura 6.3 prezint caracteristica de ieire a unui TECMOS cu canal iniial de tip n. Cu II
a fost notat:
e) regiunea de blocare;
f) regiunea liniar;
g) regiunea de cot;
h) regiunea de saturaie.

30.
1p

Figura 6.3 prezint caracteristica de ieire a unui TECMOS cu canal iniial de tip n.Cu III
a fost notat:
e) regiunea de blocare;
f) regiunea liniar;
g) regiunea de cot;
h) regiunea de saturaie.

31.
1p

Figura 6.3 prezint caracteristica de ieire a unui TECMOS cu canal iniial de tip n. Cu
IV a fost notat:
e) regiunea de blocare;
f) regiunea liniar;
g) regiunea de cot;
h) regiunea de saturaie.

32.
1p

Figura 6.4 prezint caracteristica de ieire a unui TECMOS cu canal indus de tip n. Cu I a
fost notat:
III.
II.

iD

vGS-vT
IV.

vGS=8V
vGS=6V

I.

vGS=4V
vGS=2V
vGS=VT

vDS

Figura 6.4
a)
b)
c)
d)
33.
1p

regiunea de blocare;
regiunea liniar;
regiunea de cot;
regiunea de saturaie.

Figura 6.4 prezint caracteristica de ieire a unui TECMOS cu canal indus de tip n. Cu II
a fost notat:
a) regiunea de blocare;
b) regiunea liniar;

56 | P a g e

c)
d)

regiunea de cot;
regiunea de saturaie.

34.
1p

Figura 6.4 prezint caracteristica de ieire a unui TECMOS cu canal indus de tip n.Cu III
a fost notat:
a) regiunea de blocare;
b) regiunea liniar;
c) regiunea de cot;
d) regiunea de saturaie.

35.
1p

Figura 6.4 prezint caracteristica de ieire a unui TECMOS cu canal indus de tip n. Cu IV
a fost notat:
a) regiunea de blocare;
b) regiunea liniar;
c) regiunea de cot;
d) regiunea de saturaie.

36.
2p

Un TECMOS care funcioneaz n regiunea liniar se comport ca


e)
f)
g)
h)

37.
2p

Un TECMOS care funcioneaz n regiunea de blocare se comport ca


e)
f)
g)
h)

38.
2p

rezisten comandat;
un generator de curent comandat;
un circuit ntrerupt;
un generator de tensiune comandat.

Un TECMOS care funcioneaz n regiunea de saturaie se comport ca


e)
f)
g)
h)

39.
3p

rezisten comandat;
un generator de curent comandat;
un circuit ntrerupt;
un generator de tensiune comandat.

rezisten comandat;
un generator de curent comandat;
un circuit ntrerupt;
un generator de tensiune comandat.

Caracteristica de ieire a unui TECMOS cu canal iniial de tip n este prezentat n figura
notat:
a)
b)
Regiune
de cot

iD

vGS-vT
Regiune de saturatie

Regiune
liniara

Regiune
de cot
vGS=4V

vGS=4V
vGS=2V
vGS=VT

vDS

c)

vGS=8V
vGS=6V

Regiune de
blocare

vGS=-4V
vGS=VT

vGS-vT
Regiune de saturatie

Regiune
liniara

vGS=2V
vGS=0V

Regiune de
blocare

iD

vDS

d)
Regiune
de cot
Regiune
liniara
Regiune de
blocare

iD

iC

vGS-vT
Regiune de saturatie

vCB=0
vGS=0.1V
vGS=0V
vGS=2V

Regiunea de
blocare

vGS=-4V
vGS=VT

Regiunea de
saturatie

vDS

Regiunea activ normal

i B4
i B3
i B2
i B1
vCE

57 | P a g e

40.
3p

Caracteristica de ieire a unui TECMOS cu canal indus de tip n este prezentat n figura
notat:
a)
b)
Regiune
de cot

iD

vGS-vT
Regiune de saturatie

Regiune
liniara

Regiune
de cot
vGS=4V

vGS=2V
vGS=VT

vDS

d)
Regiune
de cot

iD

iC

vGS-vT
Regiune de saturatie

Regiune
liniara

vCB=0
vGS=0.1V

i B4
i B3
i B2

Regiunea de
blocare

vGS=-4V
vGS=VT

Regiunea activ normal

Regiunea de
saturatie

vGS=0V
vGS=2V

Regiune de
blocare

41.
3p

vGS=4V

vDS

c)

vGS=8V
vGS=6V

Regiune de
blocare

vGS=-4V
vGS=VT

vGS-vT
Regiune de saturatie

Regiune
liniara

vGS=2V
vGS=0V

Regiune de
blocare

iD

i B1

vDS

vCE

Caracteristica de intrare a unui TECMOS cu canal iniial n este prezentat n figura


notat:
a)
b)
iD

iD

IDSS

VT

1V

VT

vGS

c)

vGS

d)
iD

iB
vCE1
vCE2>vCE1

IDSS
VT

42.
3p

1V vGS

vBE

Caracteristica de intrare a unui TECMOS cu canal indus n este prezentat n figura


notat:
a)
b)
iD

iD

IDSS

VT

1V

c)

VT

vGS

vGS

d)
iD

iB
vCE1
vCE2>vCE1

IDSS
VT

43.

1V vGS

vBE

Modelul matematic (aproximativ) al unui TECMOS care lucreaz n regiunea de blocare

58 | P a g e

3p

- regim cvasistatic de semnal mare - este:


e) iG=0
i

iD=0

iD
f)

iG=0

vGS VT 2
2

v
i D Go 1 GS

VT

g)

iG=0

h)

iB

v
IS
exp BE
F
eT

Modelul matematic (aproximativ) al unui TECMOS care lucreaz n regiunea de saturaie


- regim cvasistatic de semnal mare - este:
e) iG=0
i
iD=0

f)

iG=0

vGS VT 2
2

v
i D Go 1 GS

VT

g)

iG=0

u DS

v
iC I S exp BE
eT
h)

iB

v
IS
exp BE
F
eT

Modelul matematic (aproximativ) al unui TECMOS care lucreaz n regiunea liniar regim cvasistatic de semnal mare - este:
c) iG=0
i
iD=0

iD
d)

iG=0

vGS VT 2
2

v
i D Go 1 GS

VT

e)

iG=0

f)

u DS

v
iC I S exp BE
eT
46.
3p

u DS

iD

45.
3p

v
iC I S exp BE
eT
44.
3p

iB

v
IS
exp BE
F
eT

Schema echivalent a unui TECMOS care lucreaz n regiunea liniar - regim cvasistatic
de semnal mare - este:

a)

b)

59 | P a g e

iB

vBE

D
vGS

FiB

R
S

c)

d)
G

vGS VT 2
2

vGS
S

1.
1p

D
vGS

Simbolul unui tiristor este prezentat n figura notat:


a)

b)

c)

d)
A

T2

T2

T1

T1

2.
1p

Simbolul unui triac este prezentat n figura notat:


a)

b)

c)

d)
A

T2

T2

T1

T1

3.
1p

Simbolul unei diode Shockley este prezentat n figura notat:


a)

b)

c)

d)
A

T2

T2

T1

T1

4.
1p

vDS

Simbolul unui diac este prezentat n figura notat:


a)

b)

c)

d)

60 | P a g e

T2

T2

T1

T1

C
8.
2p

n funcionare normal, tiristorul prezint:


a)
b)
c)
d)

9.
2p

dou stri, ambele instabile;


dou stri, una stabil, una instabil;
trei stri, toate trei stabile;
dou stri, ambele stabile.

n funcionare normal, tiristorul prezint dou stri:


a)

stare de conducie, stare n care tiristorul se comport ca un scurtcircuit, i


starea de blocare stare n care tiristorul se comport ca un circuit ntrerupt;
stare de conducie, stare n care tiristorul se comport ca un scurtcircuit, i starea
instabil stare n care tiristorul se comport ca o rezisten negativ;
starea de blocare stare n care tiristorul se comport ca un circuit ntrerupt, i
starea instabil stare n care tiristorul se comport ca o rezisten negativ;
stare de conducie, stare n care tiristorul se comport ca un amplificator, i starea
de blocare stare n care tiristorul se comport ca un circuit ntrerupt;

b)
c)
d)
10.
2p

Procesul de amorsare al tiristorului reprezint:


a)

tranziia de la starea de blocare la starea n care tiristorul se comport ca o


rezisten negativ;
tranziia de la starea de conducie la starea n care tiristorul se comport ca o
rezisten negativ;
tranziia de la starea de conducie la starea de blocare;
tranziia de la starea de blocare la starea de conducie.

b)
c)
d)
11
2p

Procesul de amorsare al tiristorului reprezint tranziia de la starea de blocare la starea de


conducie. Pentru a se realiza aceast tranzitie este necesar:
a) s fie ndeplinite una dintre urmtoarele condiii: polarizare direct a tiristorului
sau comand pe poart;
b) s fie ndeplinite simultan dou condiii: polarizare direct a tiristorului i
comand pe poart;
c) i suficient ca tiristorul s fie polarizat direct;
d) i suficient s existe comand pe poart.

12.
2p

Tiristorul poate fi conceput avnd n structura sa dou tranzistoare conectate ca n figura:


a)

b)

c)

C
T1

T1

T2
A

13.
2p

d)

T1

T2
C

T1

T2

T2
C

Tiristorul poate fi conceput avnd n structura sa dou tranzistoare conectate ca n figura


7.1. Amorsarea tiristorului poate fi explicat prin faptul c modul de conectare al celor

61 | P a g e

dou tranzistoare permite declanarea unui proces regenerativ n structur prezentat n


figura:
A
T1
G

T2
C

Figura 7.1
a)

iG i BT 1 iCT 1 i BT 2 iCT 2 i BT 1

b)

iG iBT 2 iCT 1 iBT 2 iCT 2 iBT 1

c)

iG iBT 1 iCT 2 iBT 2 iCT 1 iBT 1

d)

iG iBT 1 iCT 1 iBT 1 iCT 2 iBT 1

14.
3p

Tiristorul poate fi conceput avnd n structura sa dou tranzistoare conectate ca n figura


7.1. Amorsarea tiristorului poate fi explicat prin faptul c modul de conectare al celor
dou tranzistoare permite declanarea unui proces regenerativ n structur prezentat n
figura7.2. Mecanismul este :

iG i BT 1 iCT 1 i BT 2 iCT 2 i BT 1

a)
b)
c)
d)
17.
2p

pornit prin injectarea unui curent pe gril i ia sfrit prin blocarea celor dou
tranzistoare;
pornit prin injectarea unui curent pe gril i ia sfrit prin blocarea tranzistorului
T1 i saturarea tranzistorului T2;
pornit prin injectarea unui curent pe gril i ia sfrit prin saturarea celor
dou tranzistoare;
pornit prin injectarea unui curent pe gril i ia sfrit prin blocarea tranzistorului
T1 i saturarea tranzistorului T2.

Procesul de dezamorsare al tiristorului reprezint tranziia de la starea de conducie la


starea de blocare. Pentru a se realiza aceast tranzitie este necesar:

iG iH

a)

iG iH
b)

62 | P a g e

i A iH
c)

i A iH
d)
unde:
iH poart numele de curent de meninere
iA curent anodic
iG curent de gril
18.
2p

Blocarea tiristorului clasic se realizeaz practic prin dou metode. Una dintre ele este:
a)
b)
c)
d)

19.
2p

Blocarea tiristorului clasic se realizeaz practic prin dou metode. Una dintre ele este:
a)
b)
c)
d)

20.
3p

proiectarea unui circuit special de stingere;


injectarea unui curent pe poart;
polarizarea invers a jonciunii poart catod;
comand pe poart i polarizare invers a tiristorului.

n cazul unui tiristor clasic:


a)
b)
c)
d)

21.
2p

polarizarea invers a tiristorului;


injectarea unui curent pe poart;
polarizarea invers a jonciunii poart catod;
comand pe poart i polarizare invers a tiristorului.

grila comand att amorsarea ct i dezamorsarea;


dup amorsare grila i pierde rolul;
uneori grila comand amorsarea alteori dezamorsarea;
rolul grilei este dictat de circuitul exterior.

Caracteristica static a unui tiristor este prezentat n figura notat:


a)

b)
iA

VBR
VBD1

iT1T2

IH H
VH

vT1T2

vA

c)

d.)
iA
iT1T2

VBR
VBD1

IH H
VH

VBD vA
vT1T2

22.
2p

Caracteristica static a unui diac este prezentat n figura notat:


a)

b)

63 | P a g e

iT1T2

iA

VBR
VBD1

IH H
VH

vT1T2

vA

c)

d.)
iA
iT1T2

VBR

IH H

VBD1

VH

VBD vA
vT1T2

23.
2p

Caracteristica static a unei diode Shockley este prezentat n figura notat:


a)

b)
iA

VBR
VBD1

iT1T2

IH H
VH

vT1T2

vA

c)

d.)
iA
iT1T2

VBR

IH H

VBD1

VH

VBD vA
vT1T2

24.
2p

Caracteristica static a unui triac este prezentat n figura notat:


a)

b)
iA

VBR
VBD1

c)

iT1T2

IH H
VH

vT1T2

vA

d.)

64 | P a g e

iA
iT1T2

VBR
VBD1

IH H
VH

VBD vA
vT1T2

25.
1p

Caracteristica static a unui tiristor este prezentat n figura 7.2. Cu 1 este notat:

iA

5
4
3

iG0=0
iG1>iG0

IH H

VBR
VBD1

a)
b)
c)
d)
25.
1p

b)
c)
d)

VBD1

Figura 7.2
regiune de strpungere; regiune nefolosit n funcionare normal ntruct
tiristorul se distruge dac punctul de funcionare ajunge n aceast regiune.
regiune de blocare la polarizare invers; mpreun cu regiunea de blocare la
polarizare direct constituie una dintre cele dou stri stabile ale tiristorului
regiune de blocare la polarizare direct; ; mpreun cu regiunea de blocare la
polarizare inves constituie una dintre cele dou stri stabile ale tiristorului
regiune de rezisten negativ; stare instabil; neutilizat n mod normal.

regiune de blocare la polarizare invers; mpreun cu regiunea de blocare la


polarizare direct constituie una dintre cele dou stri stabile ale tiristorului
regiune de blocare la polarizare direct; ; mpreun cu regiunea de blocare la
polarizare inves constituie una dintre cele dou stri stabile ale tiristorului
regiune de rezisten negativ; stare instabil; neutilizat n mod normal.
regiune de conducie; constituie una dintre cele dou stri stabile ale tiristorului

Caracteristica static a unui tiristor este prezentat n figura 7.2. Cu 3 este notat:
a)
b)
c)
d)

27.
1p

VH VBD3 VBD2 VBD1 vA

Caracteristica static a unui tiristor este prezentat n figura 7.2. Cu 2 este notat:
a)

26.
1p

regiune de blocare la polarizare invers; mpreun cu regiunea de blocare la


polarizare direct constituie una dintre cele dou stri stabile ale tiristorului
regiune de blocare la polarizare direct; ; mpreun cu regiunea de blocare la
polarizare inves constituie una dintre cele dou stri stabile ale tiristorului
regiune de rezisten negativ; stare instabil; neutilizat n mod normal.
regiune de conducie; constituie una dintre cele dou stri stabile ale tiristorului

Caracteristica static a unui tiristor este prezentat n figura 7.2. Cu 4 este notat:
a)
b)
c)

regiune de blocare la polarizare invers; mpreun cu regiunea de blocare la


polarizare direct constituie una dintre cele dou stri stabile ale tiristorului
regiune de blocare la polarizare direct; ; mpreun cu regiunea de blocare la
polarizare inves constituie una dintre cele dou stri stabile ale tiristorului
regiune de rezisten negativ; stare instabil; neutilizat n mod normal.

65 | P a g e

d)
28.
1p

Caracteristica static a unui tiristor este prezentat n figura 7.2. Cu 5 este notat:
a)
b)
c)
d)

29.
1p

regiune de conducie; constituie una dintre cele dou stri stabile ale tiristorului

regiune de blocare la polarizare invers; mpreun cu regiunea de blocare la


polarizare direct constituie una dintre cele dou stri stabile ale tiristorului
regiune de blocare la polarizare direct; ; mpreun cu regiunea de blocare la
polarizare inves constituie una dintre cele dou stri stabile ale tiristorului
regiune de rezisten negativ; stare instabil; neutilizat n mod normal.
regiune de conducie; constituie una dintre cele dou stri stabile ale
tiristorului

Caracteristica static a unui tiristor este prezentat n figura 7.3. Cu 1 este notat:

iT1T2

iG3

iG4

5
4
vT1T2

2
iG1

iG2

Figura 7.3
a)
b)
c)
d)
30.
1p

Caracteristica static a unui tiristor este prezentat n figura 7.3. Cu 2 este notat:
a)
b)
c)
d)

31.
1p

regiune de strpungere;
regiune de blocare;
regiune de rezisten negativ;
regiune de conducie;

Caracteristica static a unui tiristor este prezentat n figura 7.3. Cu 4 este notat:
a)
b)
c)
d)

33.
1p

regiune de strpungere;
regiune de blocare;
regiune de rezisten negativ;
regiune de conducie;

Caracteristica static a unui tiristor este prezentat n figura 7.3. Cu 3 este notat:
a)
b)
c)
d)

32.
1p

regiune de strpungere;
regiune de blocare;
regiune de rezisten negativ;
regiune de conducie;

regiune de strpungere;
regiune de blocare;
regiune de rezisten negativ;
regiune de conducie;

Caracteristica static a unui tiristor este prezentat n figura 7.3. Cu 5 este notat:
a)
b)
c)
d)

regiune de strpungere;
regiune de blocare;
regiune de rezisten negativ;
regiune de conducie;

66 | P a g e

34.
1p

Caracteristica static a unui tiristor este prezentat n figura 7.3. Cu 6 este notat:
a)
b)
c)
d)

35.
1p

regiune de strpungere;
regiune de blocare;
regiune de rezisten negativ;
regiune de conducie;

Caracteristica static a unei diode Shockley este prezentat n figura 7.4. Cu 1 este notat:
iA

5
4
3
2

IH H

VBR
VBD1

a)
b)
c)
d)
36.
1p

regiune de blocare la polarizare invers;


regiune de blocare la polarizare direct;
regiune de rezisten negativ.
regiune de conducie.

regiune de blocare la polarizare invers;


regiune de blocare la polarizare direct;
regiune de rezisten negativ.
regiune de conducie.

regiune de blocare la polarizare invers;


regiune de blocare la polarizare direct;
regiune de rezisten negativ.
regiune de conducie.

Caracteristica static a unei diode Shockley este prezentat n figura 7.4. Cu 5 este notat:
a)
b)
c)
d)

40.
1p

Figura 7.4
regiune de strpungere;
regiune de blocare la polarizare invers;
regiune de blocare la polarizare direct;
regiune de rezisten negativ.

Caracteristica static a unei diode Shockley este prezentat n figura 7.4. Cu 4 este notat:
a)
b)
c)
d)

39.
1p

VBD vA

Caracteristica static a unei diode Shockley este prezentat n figura 7.4. Cu 3 este notat:
a)
b)
c)
d)

38.
1p

VH

Caracteristica static a unei diode Shockley este prezentat n figura 7.4. Cu 2 este notat:
a)
b)
c)
d)

37.
1p

regiune de blocare la polarizare invers;


regiune de blocare la polarizare direct;
regiune de rezisten negativ.
regiune de conducie.

Caracteristica static a unui diac este prezentat n figura 7.5. Cu 1 este notat:

67 | P a g e

iT1T2
6
5
4
vT1T2
3
2
1

Figura 7.5
a)
b)
c)
d)
41.
1p

Caracteristica static a unui diac este prezentat n figura 7.5. Cu 2 este notat:
a)
b)
c)
d)

42.
1p

regiune de strpungere;
regiune de blocare;
regiune de rezisten negativ;
regiune de conducie;

Caracteristica static a unui diac este prezentat n figura 7.5. Cu 6 este notat:
a)
b)
c)
d)

46.
2p

regiune de strpungere;
regiune de blocare;
regiune de rezisten negativ;
regiune de conducie;

Caracteristica static a unui diac este prezentat n figura 7.5. Cu 5 este notat:
a)
b)
c)
d)

45.
1p

regiune de strpungere;
regiune de blocare;
regiune de rezisten negativ;
regiune de conducie;

Caracteristica static a unui diac este prezentat n figura 7.5. Cu 4 este notat:
a)
b)
c)
d)

44.
1p

regiune de strpungere;
regiune de blocare;
regiune de rezisten negativ;
regiune de conducie;

Caracteristica static a unui diac este prezentat n figura 7.5. Cu 3 este notat:
a)
b)
c)
d)

43.
1p

regiune de strpungere;
regiune de blocare;
regiune de rezisten negativ;
regiune de conducie;

regiune de strpungere;
regiune de blocare;
regiune de rezisten negativ;
regiune de conducie;

Tiristorul blocat se modeleaz ca n figura notat:


a)

b)

c)

d)

68 | P a g e

A
E

47.
2p

Tiristorul n conductie se modeleaz ca n figura notat:

a)

b)

c)

d)

A
E

48.
4p

E
C

Figura 7.6 prezint un redresor monoalternan comandat. Figura 7.7 prezint modul de
variaie n timp a tensiunii de alimentare Vs i a curentului de comand aplicat pe grila
tiristorului iG. n aceste condiii, cderea de tensiune (vA) pe tiristor este prezentat n figura
notat:

Tr
Vp

iL
Vs

vs

RL
T

vL
iG

iG

vA

t
Figura 7.6

Figura 7.7

a)

b)

vs

vs
t

iG
vA

t
iG

vA

t
c)

t
t

d)

69 | P a g e

vs

vs
t

iG

t
iG

vA

vA

t
49.
4p

Figura 7.6 prezint un redresor monoalternan comandat. Figura 7.7 prezint modul de
variaie n timp a tensiunii de alimentare Vs i a curentului de comand aplicat pe grila
tiristorului iG. n aceste condiii, cderea de tensiune (vL) pe rezistorul de sarcin tiristor
este prezentat n figura notat:

Tr
Vp

iL
Vs

vs

RL
T

vL
iG

iG

vA

t
Figura 7.6

Figura 7.7

a)

b)

vs

vs
t

iG
vL

t
iG

vL

t
c)

t
d)

vs

vs
t

iG
vL

t
iG

vL

t
50
2p

t
t

Figura 7.6 prezint un redresor monoalternan comandat. n condiiile n care tiristorul


este n conducie aceast schem se modeleaz ca n figura notat:

70 | P a g e

a)

c)

Tr
Vp

iL
Vs

Tr
RL
T

vL

RL
T

vL
vA

d)

Tr
Vp

iL
Vs

Tr
RL
T

vL

Vp

iL
Vs

RL
T

vA

vL
vA

Figura 7.6 prezint un redresor monoalternan comandat. n condiiile n care tiristorul


este blocat aceast schem se modeleaz ca n figura notat:
a)
c)

Tr
Vp

iL
Vs

Tr
RL
T

vL

Vp

iL
Vs

RL
T

vA

c)

vL
vA

d)

Tr
Vp

iL
Vs

Tr
RL
T

52
4p

Vs

vA

c)

51
2p

Vp

iL

vL

Vp

iL
Vs

RL
T

vA

vL
vA

Figura 7.6 prezint un redresor monoalternan comandat. Formele und care


caracterizeaz funcionarea sunt prezentate n figura 7.8. n condiiile n care tensiunea din

v S t Vs sin t

secundarul transformatorului are expresia


sarcin (vL) are expresia:

cdere de tensiune de pe

71 | P a g e

vs
t
iG
t

vA

vL

t1 t2

t3t4 t5 t6t7 t8
Figura 7.8

Vs sin t

pentru t ( kT , t1 kT ) (t 2 kT , t 3 kT )

pentru t (t1 kT , t1 kT ) kZ

pentru t ( kT , t1 kT ) (t 2 kT , t3 kT )

v L (t )
a)

v L (t )

kZ

2Vs sin t pentru t (t1 kT , t1 kT ) kZ

b)
c)

pentru t ( kT , t1 kT ) (t 2 kT , t3 kT )
pentru t (t1 kT , t1 kT ) kZ

2Vs sin t

v L (t )

kZ

0
0

v L (t )

pentru t ( kT , t1 kT ) (t 2 kT , t 3 kT )

kZ

kZ

Vs sin t pentru t (t1 kT , t1 kT ) kZ

d)
53
4p

Figura 7.9 prezint o aplicaie tipic pentru funcionarea unui triac. Funcionarea acestui
circuit este descris de formele de unda reprezentate n figura notat:

Tr
Vp

iL
Vs

RL

vL

Tc

iG vA

Figura 7.9

a)

b)

72 | P a g e

vs

vs
t

iG

iG
t

vT1T2

vT1T2

vL

vL

t
t

c)

d)

vs

vs
t

iG

iG
t

vT1T2

vT1T2

vL

vL

t
t

Capitolul 8
Amplificatoare operaionale
1
2p

Un amplificator operaional se comport - n principiu - ca:


a)
b)
c)
d)

2.
2p

Simbolul unui amplificator operaional este prezentat n figura 8.1. Cu v + este notat
intrarea neinversoare, ceea ce nseamn:

a)
b)
c)
d)
3.
2p

un amplificator ideal de curent;


un amplificator ideal transrezisten;
un amplificator ideal transconductan;
un amplificator ideal de tensiune.

v+

v-

vO

Figura 8.1
c semnalul de ieire este n faz cu semnalul aplicat pe aceast intrare;
c semnalul de ieire este defazat cu 1800 fa de semnalul aplicat pe aceast
intrare;
c pe aceast intrare trebuie aplicate numai semnale pozitive;
c pe aceast intrare trebuie aplicate numai semnale negative.

Simbolul unui amplificator operaional este prezentat n figura 8.1. Cu v - este notat
intrarea inversoare, ceea ce nseamn:
a) c semnalul de ieire este n faz cu semnalul aplicat pe aceast intrare;
b) c semnalul de ieire este defazat cu 1800 fa de semnalul aplicat pe aceast
intrare;

73 | P a g e

c)
d)
4.
2p

c pe aceast intrare trebuie aplicate numai semnale pozitive;


c pe aceast intrare trebuie aplicate numai semnale negative.

Figura 8.2 este util i pentru definirea modalitilor de descriere ale unui amplificator
operaional. Astfel se poate vorbi de: caracteristici de intrare, caracteristica de ieire i
caracteristici de transfer; Cea mai utilizat caracteristic de transfer este:
v+
v-

I+

I-

Io

vO

Figura 8.2
a)
b)
c)
d)
5.
1p

vO=vO(v-);
vO=vO(v+)
vO=vO(v++v-)
vO=vO(vD) unde vD=v+-v-

Figura 8.3 prezint caracteristica de transfer a unui amplificator operaional. Cu I. a fost


notat:
vO[V]
VOH

III.
I.

-0.1

0.1

VOL

vD[mV]

II.

Figura 8.3
a)
b)
c)
d)

regiunea de saturaie negativ;


regiunea de saturaie pozitiv;
regiunea liniar
reginea activ normal.

6.
1p

Figura 8.3 prezint caracteristica de transfer a unui amplificator operaional. Cu II. a fost
notat:
a) regiunea de saturaie negativ;
b) regiunea de saturaie pozitiv;
c) regiunea liniar;
d) reginea activ normal.

7.
1p

Figura 8.3 prezint caracteristica de transfer a unui amplificator operaional. Cu III. a fost
notat:
a) regiunea de saturaie negativ;
b) regiunea de saturaie pozitiv;
c) regiunea liniar
d) reginea activ normal.

8.
3p

Construcia modelului de ordin zero a unui amplificator operational pleac de la observaia


c n realitate amplificatoare operaionale se comport practic ca amplificatoare ideale de
tensiune. Formal acest lucru nseamn:
a) av,
Rin0 i Ro=;
b) av,
Rin i Ro=;
c) av,
Rin0 i Ro=0;
d) av,
Rin i Ro=0.

9
3p

Modelul de ordin zero al unui amplificator operational consider:


a)

vIN=0,

i+=0

i i-=0;

74 | P a g e

b)
c)
d)
10.
3p

vO=0,
vIN=0,
vIN=0,

i+=const. i i-=0;
i+=const. i i-=const.
i+=0
i i-=const.

Conexiunea inversoare a unui amplificator operaional este prezentat n figura notat:


a)

b)
R2

v- (punct de mas virtual)


R2
i2

R1

i1

R1

i1

vIN

v+

vIN

vO

c.)

vO

d.)
C

R2
R1

v1

v2

vIN

R3

11.
3p

iC

iR

vO

R4

vO

Conexiunea neinversoare a unui amplificator operaional este prezentat n figura notat:


a)

b)
R2

v- (punct de mas virtual)


R2
i2
i1

i1

v+

i2

R1

R1

vIN

vIN

vO

c.)

vO

d.)
C

R2
v1

R1
-

v2

vIN

R3

12.
3p

i2

R4

iR

vO

iC

vO

Conexiunea diferenial a unui amplificator operaional este prezentat n figura notat:


a)

b)

75 | P a g e

R2

v- (punct de mas virtual)


R2
i2
i1

i1

R1
-

vIN

v+

vIN

vO

c.)

vO

d.)
C

R2
R1

v1

v2

vIN

R3

13.
3p

iC

iR

vO

R4

vO

Schema unui circuit de sumare realizat cu amplificator operaional este prezentat n figura
notat:
a)

b)
R2

v- (punct de mas virtual)


R2
i2
i1

i1

v+

i2

R1

R1

vIN

vIN

vO

c.)

vO

d.)
R2
v1

v1

R1

v2

v2

R3

14.
3p

i2

R1

vn

vO

R4

R1

i1

R2

i2

Rn

in

vO

Schema unui circuit de integrare realizat cu amplificator operaional este prezentat n


figura notat:
a)
b)
C

vIN

iR

vIN

c.)

iR

iC
C

iC

vO

vO

d.)

76 | P a g e

iD
iR

iR

R
+

vO

Schema unui circuit de derivare realizat cu amplificator operaional este prezentat n


figura notat:
a)

b)
C

vIN

iR

iD

iC

d.)

iR

vIN

vO

vO

iD

vO

vIN

vIN

c.)

iR

iR

iC

16.
3p

vIN

vO

iD

vIN

15.
3p

vO

Schema unui amplificator logaritmic realizat cu amplificator operaional este prezentat n


figura notat:
a)
b)
C

vIN

iR

c.)
iD

vIN

iC

d.)

iR
iD

vO

vO

R
+

vIN

iR

iR

iC

vIN

vO

D
+

vO

77 | P a g e

17.
3p

Schema unui amplificator antilogaritmic realizat cu amplificator operaional este prezentat


n figura notat:
a)

vIN

iR

b)
iR

iC

R
+

iC

vO

c.)

d.)
iD
iR

iR

iD

vIN

18.
4p

vIN

D
+

vIN

vO

vO

vO

Conexiunea inversoare a unui amplificator operaional este prezentat n figura 8.4.


Tensiunea de ieire vO are expresia:
v- (punct de mas virtual)
R2
i2
i1
vIN

R1
-

v+

vO

Figura 8.4

R
vO 2 vIN
R1
a)

vO

R2
vIN
R1

b)

vO

R1
vIN
R2

c)

vO

R1
vIN
R2

d)
19.
4p

Conexiunea neinversoare a unui amplificator operaional este prezentat n figura 8.5.


Tensiunea de ieire vO are expresia:

78 | P a g e

R2
i1

i2

R1
+

vIN

vO

Figura 8.5

R
vO 1 1 vIN
R2

a)

R
vO 1 1 vIN
R2

b)

R
vO 1 2 vIN
R1

c)

R
vO 1 2 vIN
R1

d)
20.
4p

Conexiunea diferenial a unui amplificator operaional este prezentat n figura 8.6.


Tensiunea de ieire vO are expresia:
R2
v1

R1
-

v2

R3

R4

vO

Figura 8.6

R
vo 1 v1 v2
R2
a)

vo

R1
v2 v1
R2

vo

R2
v2 v1
R1

b)

c)

79 | P a g e

vo

R2
v1 v2
R1

d)
21.
4p

Schema unui etaj de sumare realizat cu ajutorul unui amplificator operaional este
prezentat n figura 8.7. Tensiunea de ieire vO are expresia:
v1
v2

vn

i1

R1

i2

R2

in

Rn
+

vO

Figura 8.7
k n

v
vO R k
k 1 Rk
a)
k n

vk
k 1 Rk

vO R
b)

1
1

vO
R

k n

Rk

k 1

c)

1
1

vO R

k n

Rk

k 1

d)
22.
4p

Schema unui etaj de integrare realizat cu ajutorul unui amplificator operaional este
prezentat n figura 8.8. Tensiunea de ieire vO are expresia:
C
iC
vIN

iR

R
+

vO

Figura 8.8
t

vO t RC vIN d
0

a)
t

vO t RC vIN d
0

b)

80 | P a g e

vO t

1
vIN d
RC 0

c)
t

1
vO t
vIN d
RC 0
d)
Se va considera vO(0)=0
23.
4p

Schema unui etaj de derivare realizat cu ajutorul unui amplificator operaional este
prezentat n figura 8.9. Tensiunea de ieire vO are expresia:
R
iR
C

vIN

iC

Figura 8.9

dv t
vO (t ) RC IN
dt
a)

vO (t ) RC
b)

vO (t )

vO

dvIN t
dt

1 dvIN t
RC dt

c)

vO (t )

1 dvIN t
RC dt

d)
Se va considera vO(0)=0
24
4p

Schema unui amplificator logaritmic realizat cu ajutorul unui amplificator operaional este
prezentat n figura 8.10. Tensiunea de ieire vO are expresia:
D
i
D

iR
vIN

R
+

vO

Figura 8.10

v
vO eT ln IN
R IS

a)

81 | P a g e

v
vO eT ln IN
R IS

b)

v
vO eT lg IN
R IS

c)

vIN
R IS

vO eT lg

d)
25.
4p

Schema unui amplificator antilogaritmic realizat cu ajutorul unui amplificator operaional


este prezentat n figura 8.11. Tensiunea de ieire vO are expresia:
iR
iD
vIN

D
+

vO

Figura 8.11

vO RI S e

v IN
eT

a)

vO RI S e

v IN
eT

b)

vO RI S 10

v IN
eT

c)

vO RI S 10

v IN
eT

d)

82 | P a g e

Rspunsuri

1.

Rspuns corect d.)

2.
3.
4.
5.
6.
7.
8.
9.
10.
11.
12.
13.
14.
15.
16.
17.
18.
19.
20.
21.
22.
23.
24.
25.

Rspuns corect a)
Rspuns corect b)
Rspuns corect d)
Rspuns corect a)
Rspuns corect c)
Rspuns corect b.)
Rspuns corect d)
Rspuns corect a)
Rspuns corect a.)
Rspuns corect b.)
Rspuns corect c.)
Rspuns corect d.)
Rspuns corect a.)
Rspuns corect b.)
Rspuns corect c.)
Rspuns corect d.)
Rspuns corect a)
Rspuns corect d)
Rspuns corect c)
Rspuns corect b.)
Rspuns corect c.)
Rspuns corect b.)
Rspuns corect a.)
Rspuns corect b.)

1.
2p

Rezistena intern a unei surse ideale de tensiune este:


a)
b)
c)
d)

2.
2p

Rezistena intern a unei surse ideale de curent este:


a)
b)
c)
d)

3.
2p

zero;
infinit;
foarte mic;
foarte mare.

Rezistena de intrare a unei surse ideale de tensiune comandat n tensiune este:


a)
b)
c)
d)

4.
2p

zero;
infinit;
foarte mic;
foarte mare.

zero;
infinit;
foarte mic;
foarte mare.

Rezistena de ieire a unei surse ideale de tensiune comandat n tensiune este:


a)
b)
c)
d)

zero;
infinit;
foarte mic;
foarte mare.

83 | P a g e

5.
2p

Rezistena de intrare a unei surse ideale de tensiune comandat n curent este:


a)
b)
c)
d)

6.
2p

Rezistena de ieire a unei surse ideale de tensiune comandat n curent este:


a)
b)
c)
d)

7.
2p

zero;
infinit;
foarte mic;
foarte mare.

Simbolul (ANSI) unei surse de tensiune de tensiune comandat n tensiune este prezentat n figura notat:
a)

12.
1p

zero;
infinit;
foarte mic;
foarte mare.

Rezistena de ieire a unei surse ideale de curent comandat n curent este:


a)
b)
c)
d)

11.
1p

zero;
infinit;
foarte mic;
foarte mare.

Rezistena de intrare a unei surse ideale de curent comandat n tensiune este:


a)
b)
c)
d)

10.
2p

zero;
infinit;
foarte mic;
foarte mare.

Rezistena de ieire a unei surse ideale de curent comandat n curent este:


a)
b)
c)
d)

9.
2p

zero;
infinit;
foarte mic;
foarte mare.

Rezistena de intrare a unei surse ideale de curent comandat n curent este:


a)
b)
c)
d)

8.
2p

zero;
infinit;
foarte mic;
foarte mare.

b)

c.)

d.)

Simbolul (ANSI) unei surse de tensiune de tensiune comandat n curent este prezentat n figura notat:
a)

b)

c.)

d.)

84 | P a g e

13.
1p

Simbolul (ANSI) unei surse de tensiune de curent comandat n curent este prezentat n figura notat:
a)

14.
1p

b)

c.)

d.)

Simbolul (ANSI) unei surse de tensiune de curent comandat n tensiune este prezentat n figura notat:
a)

b)

c.)

d.)

15.
1p

Stabilizatoarele de tensiune continu reprezint circuite electronice care n mod normal se intercaleaz
ntre circuitele de redresare i consumator, pentru a asigura o tensiune continu i, important, constant
consumatorului. Unul dintre motivele care justific prezena lor este:
a) tensiunea continu de la ieirea redresorului variaz funcie de valoarea curentului debitat, n
sensul c tensiunea continu de la ieire crete o dat cu creterea valorii curentului debitat;
b) tensiunea continu de la ieirea redresorului variaz funcie de tensiunea alternativ de la
intrare, n sensul c tensiunea continu de la ieire scade o dat cu creterea tensiunii alternative
de la intrare;
c) tensiunea continu de la ieirea redresorului variaz funcie de tensiunea alternativ de la
intrare, n sensul c tensiunea continu de la ieire crete o dat cu creterea tensiunii alternative
de la intrare;
d) tensiunea continu de la ieirea redresorului variaz funcie de dispersia parametrilor n sensul
c tensiunea continu de la ieire crete o dat cu creterea dispersiei parametrilor elementelor
active.

16.
1p

Stabilizatoarele de tensiune continu reprezint circuite electronice care n mod normal se intercaleaz
ntre circuitele de redresare i consumator, pentru a asigura o tensiune continu i, important, constant
consumatorului. Unul dintre motivele care justific prezena lor este:
a) tensiunea continu de la ieirea redresorului variaz funcie de valoarea curentului debitat, n
sensul c tensiunea continu de la ieire crete o dat cu creterea valorii curentului debitat;
b) tensiunea continu de la ieirea redresorului variaz funcie de tensiunea alternativ de la
intrare, n sensul c tensiunea continu de la ieire scade o dat cu creterea tensiunii alternative
de la intrare;
c) tensiunea continu de la ieirea redresorului variaz funcie de valoarea curentului debitat, n
sensul c tensiunea continu de la ieire crete o dat cu creterea valorii curentului debitat;
d) tensiunea continu de la ieirea redresorului variaz funcie de dispersia parametrilor n sensul
c tensiunea continu de la ieire crete o dat cu creterea dispersiei parametrilor elementelor
active.

17.

Figura 10.1 prezint modul de definire a principalelor mrimi electrice utilizate n studiul

85 | P a g e

2p

stabilizatoarelor. Cu vRED s-a notat:

iRED

iL
Stabilizator
de
tensiune

vRED
E

a)
b)
c)
d)

vL

RL

Figura 10.1
valoarea instantenee a componentei alternative a tensiunii de alimentare a stabilizatorului;
valoarea instantenee a componentei continue a tensiunii de alimentare a stabilizatorului;
amplitudinea componentei alternative a tensiunii de alimentare a stabilizatorului;
valoarea instantenee total a tensiunii de alimentare a stabilizatorului.

18.
2p

Figura 10.1 prezint modul de definire a principalelor mrimi electrice utilizate n studiul
stabilizatoarelor. Cu iRED s-a notat:
a) valoarea instantenee a componentei alternative a curentului de alimentare a stabilizatorului;
b) valoarea instantenee a componentei continue a curentului de alimentare a stabilizatorului;
c) amplitudinea componentei alternative a curentului de alimentare a stabilizatorului;
d) valoarea instantenee total a curentului de alimentare a stabilizatorului.

19.
2p

Figura 10.1 prezint modul de definire a principalelor mrimi electrice utilizate n studiul
stabilizatoarelor. Cu iL s-a notat:
a) valoarea instantenee a componentei alternative a curentului debitat de stabilizator;
b) valoarea instantenee a componentei continue a curentului debitat de stabilizator;
c) amplitudinea componentei alternative a curentului debitat de stabilizator;
d) valoarea instantenee total a curentului debitat de stabilizator.

20.
2p

Figura 10.1 prezint modul de definire a principalelor mrimi electrice utilizate n studiul
stabilizatoarelor. Cu vL s-a notat:
a) valoarea instantenee a componentei alternative a tensiunii debitat de stabilizator;
b) valoarea instantenee a componentei continue a tensiunii debitat de stabilizator;
c) amplitudinea componentei alternative a tensiunii debitat de stabilizator;
d) valoarea instantenee total a tensiunii debitat de stabilizator.

24.
2p

Figura 10.1 prezint un stabilizator parametric cu diod Zener. Rezistorul R B are rolul de a:
iRED
vRED

iZmin iZ iZmax

25.
1p

a)

asigura condiia

b)

asigura condiia

c)

asigura condiia

d)

asigura condiia

iZmin iZ iZmax
iZmin iZ iZmax
iZmin iZ iZmax

RB

iL
iZ
Dz

vL

RL

Figura 10.1
indiferent de variaiile lui vRED;
indiferent de variaiile lui RL;
indiferent de variaiile lui vRED, precum i ale lui RL;
indiferent de variaiile lui vRED

Figura 10.1 prezint un stabilizator parametric cu diod Zener. Figura 10.2 prezint caracteristica static a
diodei Zener. n regim normal (regimul n care tensiunea de la bornele ei este V Z) aceast diod lucreaz:

86 | P a g e

iA
VZ

vA
iZmin

iZmax

a)
b)
c)
d)
26.
1p

Figura 10.2
polarizat invers n regiunea de stpungere;
polarizat invers n regiunea de blocare;
polarizat direct n regiunea de blocare;
polarizat direct n regiunea de conducie;

Figura 10.1 prezint un stabilizator parametric cu diod Zener. Figura 10.2 prezint caracteristica static a
diodei Zener. n regim normal cderea de tensiune pe diod (vA) este:

v A V

a)

v A V

b)

v A VZ
c)

v A VZ
d)
27.
1p

Figura 10.1 prezint un stabilizator parametric cu diod Zener. Figura 10.2 prezint caracteristica static a
diodei Zener. n regim normal (regimul n care tensiunea de la bornele ei este V Z) curentul prin diod (iZ)
respect condiia:

iZ min iZ
a)

iZmin iZ iZmax
b)

iZ iZ max
c)

iZ 0
d)
28.
3p

Figura 10.1 prezint un stabilizator parametric cu diod Zener. Schema echivalent de semnal mare a
circuitului este prezentat n figura notat:
a.)
b.)

87 | P a g e

iRED

RB

iL

iRED

RB

iL

iZ

iZ

RZ

vRED

vL

RL

RZ

vRED

VZ

c.)

RL

d.)
iRED

RB

iL

iRED

RB

iL

iZ

iZ

vRED

vL

RL

vRED

VZ

29.
3p

vL

VZ

vL

RL

VZ

Figura 10.1 prezint un stabilizator parametric cu diod Zener. Schema echivalent de semnal mare a
circuitului este prezentat n figura 10.3. Aplicnd teoremele lui Kirchhoff se obine sistemul de ecuaii
notat:
iRED

RB

iL
iZ

vRED

RZ

vL

RL

VZ

Figura 10.3
a.)

1.

iRED=iZ+iL
VZ=iZRZ+iLRL
-VZ=iREDRB+iZRZ-vRED
c.)
iRED=iZ+iL
VZ=-iZRZ+iLRL
VZ=iREDRB+iZRZ-vRED
Rspuns corect a.)

2.

Rspuns corect b.)

3.

Rspuns corect b.)

4.

Rspuns corect a.)

5.

Rspuns corect a.)

6.

Rspuns corect a.)

7.

Rspuns corect a.)

8.

Rspuns corect b.)

9.

Rspuns corect a.)

10.

Rspuns corect b.)

11.
12.
13.
14.
15.
16.
17.
18.
19.
20.
24.
25.
26.
27.

Rspuns corect d.)


Rspuns corect b.)
Rspuns corect a.)
Rspuns corect c.)
Rspuns corect c.)
Rspuns corect b.)
Rspuns corect d.)
Rspuns corect d.)
Rspuns corect d.)
Rspuns corect d.)
Rspuns corect d.)
Rspuns corect a)
Rspuns corect c.)
Rspuns corect b.)

b.)

d.)

iRED=iZ+iL
VZ=iZRZ+iLRL
-VZ=iREDRB+iZRZ+vRED
iRED=iZ+iL
VZ=-iZRZ+iLRL
-VZ=iREDRB+iZRZ-vRED

88 | P a g e

28.
29.
1.
1p

Rspuns corect a.)


Rspuns corect d.)
Figura 11.1 prezint schema general a unui oscilator constituit dintr-un amplificator cu reacie pozitiv. Schema bloc prezentat
este asemntoare celei prezentate la studiul reaciei n amplificatoare (figura 9.13), totui exist dou deosebiri eseniale:
Xi 0

X
+

Xf

Xo

a)
b)
c)
d)

Figura 11.1
reeaua de reacie nu defazeaz semnalul iar faza semnalului de intrare este nul;
reeaua de reacie nu defazeaz semnalul i nu exist semnal de intrare;
reeaua de reacie nu defazeaz semnalul iar faza semnalului de intrare este 180 0;
reeaua de reacie defazeaz semnalul cu 180 0 iar faza semnalului de intrare este nul;

2.
1p

Figura 11.1 prezint schema general a unui oscilator constituit dintr-un amplificator cu reacie pozitiv. Pentru acest tip de
oscilator relaia lui Barkhausen este:

3.
1p

Figura 11.1 prezint schema general a unui oscilator constituit dintr-un amplificator cu reacie pozitiv. Pentru acest tip de

oscilator relaia lui Barkhausen este


sub forma:

a f 1
a)

. Notnd

a f (2k 1)

kZ

a f (2k 1)

kZ

aceasta relaie se rescrie

a f 1
b)

a f 1
c)

a f 2k

k Z

a f 2k

k Z

a f 1
d)
4.
2p

f f exp j f

a a exp j a

a f 1

Figura 11.1 prezint schema general a unui oscilator constituit dintr-un amplificator cu reacie pozitiv. Pentru acest tip de

oscilator relaia lui Barkhausen este

a f 1

a f 2k

f f exp j f

a a exp j a

a f 1
. Notnd

k Z

aceasta relaie se rescrie

a f 1

sub forma
i
. Relatia
::
a) poart numele condiia de faz i permite calcului frecvenei de oscilaie;
b) poart numele condiia de amplitudine i permite calcului frecvenei de oscilaie;
c) poart numele condiia de faz i permite determinarea condiiei de amorsare a oscilaiei, adic valoarea minim a
amplificrii amplificatorului de baz pentru a exista oscilaii;
d) poart numele condiia de amplitudine i permite determinarea condiiei de amorsare a oscilaiei, adic valoarea minim
a amplificrii amplificatorului de baz pentru a exista oscilaii;
5.
2p

Figura 11.1 prezint schema general a unui oscilator constituit dintr-un amplificator cu reacie pozitiv. Pentru acest tip de

89 | P a g e

oscilator relaia lui Barkhausen este

a f 1

f f exp j f

a a exp j a

a f 1
. Notnd

a f 2k

a f 2k

k Z

aceasta relaie se rescrie

k Z

sub forma
i
. Relatia
:
a) poart numele condiia de faz i permite calculul frecvenei de oscilaie;
b) poart numele condiia de amplitudine i permite calculul frecvenei de oscilaie;
c) poart numele condiia de faz i permite determinarea condiiei de amorsare a oscilaiei, adic valoarea minim a
amplificrii amplificatorului de baz pentru a exista oscilaii;
d) poart numele condiia de amplitudine i permite determinarea condiiei de amorsare a oscilaiei, adic valoarea minim
a amplificrii amplificatorului de baz pentru a exista oscilaii;
6. 3p

Una dintre schemele de principiu ale unui oscilator RC cu punte Wien este prezentat n figura notat:
a.)

b.)
ayVin

I in

R1
R2

C1

C2

R1

Reea de
reacie
pozitiv

R2

c.)

C1

C2

Amplificator
de baz

Reea de
reacie
pozitiv

d.)
avVin

Vin

R1
R2

7.
2p

ayIin

I in

Amplificator
de baz

C2

C1

ayIin

I in

Amplificator
de baz

R1

Reea de
reacie
pozitiv

R2

C2

C1

Amplificator
de baz

Reea de
reacie
pozitiv

Schema din figura 11.2 prezint una dintre schemele de principiu ale unui oscilator RC cu punte Wien. Analiza circuitului - care se
reduce la determinarea frecvenei de oscilaie precum a condiiei de amorsare a oscilaiilor - presupune verificarea condiiei lui
Barckhausen presupunnd c amplificatorul de baz este un amplificator ideal. n aceste condiii fv - atenuarea introdus de reeaua
de reacie - se calculeaz cu ajutorul schemei din figura notat:
avVin

Vin

R1
R2

a.)

C1

C2

Amplificator
de baz

Reea de
reacie
pozitiv

Figura 11.2
b.)

90 | P a g e

C1

R1

C1

IO1

R1

IO1

+
R2

It

C2

It

Vo
IO2

R2

C2

Vo
IO2

c.)

d.)
C1

R1

C1

IO1

R1

IO1

+
Vt

R2

C2

Vo
IO2

1.

Rspuns corect b.)

2.

Rspuns corect b.)

3.

Rspuns corect d.)

4.

Rspuns corect d.)

5.

Rspuns corect a.)

6.

Rspuns corect c.)

7.

Rspuns corect c.)

Vt R2

C2

Vo
IO2

91 | P a g e