Documente Academic
Documente Profesional
Documente Cultură
TRANZISTORUL M.O.S.
NO}IUNI TEORETICE
6.1. Construc]ie. Principii de polarizare. Simboluri.
VS 0 [i VD 0 . La VG 0 I D 0 .
VG [i VD sq fie de acela[i semn: sgn VG sgn VD .
Tranzistoarele cu canal indus nu au canal la VG 0 , iar la
VG VT
se
induce canalul.
Tranzistoare MOS cu canal ini]ial
prezintq canal la VG 0 . Poate fi
polarizat \n douq regimuri: regimul de \mbogq]ire a canalului sau
regimul de sqrqcire a canalului
6. 2. Capacitorul MOS
(C/m2)
Se noteazq cu S poten]ialul suprafe]ei, acesta controlnd apari]ia
canalului.
E
E
Vo E o x o s s x o s s
ox
ox
Rezultq rela]ia: VG Vo S , unde
xo
Se noteazq cu Co
ox
capacitatea specificq a oxidului.
xo
Se noteazq k
Rezultq
2 s qN A
[i se nume[te factor de substrat.
Co
VG S k S
kT N A
ln
q
ni
VT VG
, deci
VT 2 F k 2 F
[i
x d max
2 S
VR 2 F
qN A
canalul la drenq
Limita
se
atinge
cnd
Q n (L) 0
ceea ce este echivalent cu V
VDS VDP
Regim de satura]ie :
VDS VDP
dispare
VTD V V .
D
DP
VDP
curentul
R CH VGS , VDP
se satureazq
Rela]ii simple pentru
caracteristicile statice :
ID
can al n
in i\ ia l
can al n
in d u s
VDP VG VT
ID
VG VT 2
2
Z
n Co
L
VG VT 2 unde Z n Co
2
L
Dacq T cre[te n scade scade.
ID
VT VFB VS 2 F k VS 2 F
F
VT scade.
kT N A
ln
influen]at prin n i ; dacq T cre[te F scade
q
ni
i D
VGS VT
v GS v
ct
.
DS
i
1
1
D
rds
VGS VT 2
v DS v ct . 2
v DS v ct .
GS
GS
gm